Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149946) > Сторінка 2490 з 2500

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 250 500 750 1000 1250 1500 1750 2000 2250 2485 2486 2487 2488 2489 2490 2491 2492 2493 2494 2495 2500  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGCM06F60GAXKMA1 IGCM06F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGCM06F60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; -6÷6A
Case: PG-MDIP24
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 23.6W
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Voltage class: 600V
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Output current: -6...6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDBTMA1 IPD65R1K4CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R1K4CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 2.8A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 28.4W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDBTMA1 IPD65R420CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R420CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 8.7A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R225C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.225Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250C6XTMA1 IPD65R250C6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R250C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 16.1A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 208.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6XTMA1 IPD65R250E6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R250E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 16.1A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Mounting: SMD
Case: PG-TO252
Drain current: 9.5A
Drain-source voltage: 700V
Power dissipation: 118W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDATMA1 IPD65R420CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R420CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 8.7A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA1 IPD65R660CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R660CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R660CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R660CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA1 IPD65R950CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R950CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 3.9A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDBTMA1 IPD65R950CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R950CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 3.9A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS715B0NAV50XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-TSNP-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSNP-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 4...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1 IPW60R125CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E1B2AF78D1BF&compId=IPW60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=538fed47957f97bf4916397747f0a9fe7c4f3e94 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.31 грн
7+137.17 грн
18+129.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594552FBE8F91BF&compId=IPP60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=afab661542e2620673283235d20ec3775808743a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+647.02 грн
3+415.35 грн
6+392.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1 IPW60R125C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E8299B4771BF&compId=IPW60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=2cd58f7e86f660b20c7fc99d26ffae291963f804 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 IPP60R125C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945AE6D53F51BF&compId=IPP60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=cb3192ecc3b12df96459b035fc86ddf06d8a84f8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R125CPXKSA1 IPI60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5942DFCD9EE71BF&compId=IPI60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=a6ea8e60abe31ce0efe03800b0779adda6010d85 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI032N06N3GAKSA1 IPI032N06N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI032N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 426A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PP IRFS7430TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7430TRL7PP.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55mΩ
Power dissipation: 375W
Gate charge: 305nC
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP772T BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES BSP772T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.62 грн
8+120.31 грн
21+113.42 грн
500+109.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP77E6433 BSP77E6433 INFINEON TECHNOLOGIES BSP77E6433.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+186.51 грн
10+111.88 грн
15+62.07 грн
40+59.01 грн
2000+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N20DPBF IRFU13N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr13n20dpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3504ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3504Z AUIRFR3504Z INFINEON TECHNOLOGIES auirfr3504.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2LH6327XTSA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.16 грн
37+10.58 грн
51+7.59 грн
100+6.54 грн
245+3.69 грн
672+3.49 грн
1500+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2L_Rev2.6.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC10I12MHXUMA1 1EDC10I12MHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B631F8F54993D6&compId=1EDCxxI12MH.pdf?ci_sign=4561d7fac3ac124e788ba07bb931c0c6ab15205c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -1÷1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -1...1A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+190.64 грн
5+166.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.61 грн
15+26.90 грн
25+22.84 грн
47+19.54 грн
127+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322ASPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSD-S-A0001022139-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+813.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322S-TPBF INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002782763-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw pvt322.pdf?fileId=5546d462533600a40153568427eb2965 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
750+651.15 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R125C7XKSA1 IPA65R125C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R125C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 IPP65R125C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB94A02B2C431BF&compId=IPP65R125C7-DTE.pdf?ci_sign=00d72aa2fd9ce7f2bfa841eaad24f8aa97706fda Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 101W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 101W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL296SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain current: 1.4A
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR22PNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr22pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a3730114406a036a02fe Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP
Type of transistor: NPN / PNP
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6CDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3306pbf.pdf?ci_sign=3eff737cd65f7676704d1e680efaba849ec13fe8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.06 грн
18+52.88 грн
47+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2302SPBF IRS2302SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2302SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 650ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88B9D461C2B0053D1&compId=DD180N22S.pdf?ci_sign=837b437e4395e4382fc19b1f7d2c8f2007c11717 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 226A; BG-PB34SB-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Case: BG-PB34SB-1
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward voltage: 1.39V
Load current: 226A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 5.75kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP80R1K2P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.24 грн
10+86.60 грн
12+75.87 грн
33+72.04 грн
150+71.27 грн
200+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 IPU80R1K2P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPU80R1K2P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.47 грн
9+45.06 грн
25+40.00 грн
26+34.94 грн
72+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC60I12AHXUMA1 1EDC60I12AHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B62E86916C33D6&compId=1EDCxxX12AH.pdf?ci_sign=da6f019cc801fa37109c75303e594cae5bfb0871 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -6...6A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+203.02 грн
5+167.06 грн
15+159.40 грн
20+153.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20H12AHXUMA1 1EDC20H12AHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDCxxX12AH.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Output current: -2...2A
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC60H12AHXUMA1 1EDC60H12AHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDCxxX12AH.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Output current: -6...6A
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594497E2285B1BF&compId=IPP60R299CP-DTE.pdf?ci_sign=0aa6e8461138adc0224ff0880d043028a0164f7f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBBF0FB2C1C11C&compId=IPB320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=63968efc315030711006a495abbba2f99ce658c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD600N16KHPSA1 DD600N16KHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9F08533614469&compId=DD600N18K.pdf?ci_sign=f10963049ff88079e530079ed9b25fbb721c5e8a Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 600A; BG-PB60AT-1; screw
Type of module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 600A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 22kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD600N18KHPSA1 DD600N18KHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9F08533614469&compId=DD600N18K.pdf?ci_sign=f10963049ff88079e530079ed9b25fbb721c5e8a Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.8kV; If: 600A; BG-PB60AT-1; screw
Type of module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 600A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 22kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-2EKA BTS5030-2EKA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE4F48132938259&compId=BTS5030-2EKA.pdf?ci_sign=33e059d647c96a6ae9b9d65e9205d4cc4a8f0d7c Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-14
On-state resistance: 60mΩ
Supply voltage: 5...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Power dissipation: 2.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5016-2EKA BTS5016-2EKA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586986CDEB37B6469&compId=BTS5016-2EKA.pdf?ci_sign=83c8bc9d42f43a784bc704bee2630f9102c3dd63 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 6A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 28mΩ
Supply voltage: 5...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50451EJAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE5172C044FE259&compId=BTS5045-1EJA.pdf?ci_sign=9030c87778744422a27802869fa8150b02464e74 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8-EP
On-state resistance: 45mΩ
Supply voltage: 5...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50452EKAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS5045-2EKA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa4113e5d1075 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500101TADATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS50010-1TA_rev1.2_12-5-17.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+310.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500151TADATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS50015-1TAD-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015baf36c510460f Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+277.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50121EKBXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS5012-1EKB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa42c52d5113a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM06F60GAXKMA1 IGCM06F60GA.pdf
IGCM06F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; -6÷6A
Case: PG-MDIP24
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 23.6W
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Voltage class: 600V
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Output current: -6...6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6-DTE.pdf
IPD65R600E6BTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDBTMA1 IPD65R1K4CFD-DTE.pdf
IPD65R1K4CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 2.8A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 28.4W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDBTMA1 IPD65R420CFD-DTE.pdf
IPD65R420CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 8.7A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7-DTE.pdf
IPD65R225C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.225Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250C6XTMA1 IPD65R250C6-DTE.pdf
IPD65R250C6XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 16.1A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 208.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6XTMA1 IPD65R250E6-DTE.pdf
IPD65R250E6XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 16.1A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Mounting: SMD
Case: PG-TO252
Drain current: 9.5A
Drain-source voltage: 700V
Power dissipation: 118W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDATMA1 IPD65R420CFD-DTE.pdf
IPD65R420CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 8.7A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6-DTE.pdf
IPD65R600C6BTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6-DTE.pdf
IPD65R600E6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA1 IPD65R660CFD-DTE.pdf
IPD65R660CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R660CFD-DTE.pdf
IPD65R660CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA1 IPD65R950CFD-DTE.pdf
IPD65R950CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 3.9A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDBTMA1 IPD65R950CFD-DTE.pdf
IPD65R950CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 3.9A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS715B0NAV50XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-TSNP-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSNP-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 4...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E1B2AF78D1BF&compId=IPW60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=538fed47957f97bf4916397747f0a9fe7c4f3e94
IPW60R125CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.31 грн
7+137.17 грн
18+129.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594552FBE8F91BF&compId=IPP60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=afab661542e2620673283235d20ec3775808743a
IPP60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+647.02 грн
3+415.35 грн
6+392.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E8299B4771BF&compId=IPW60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=2cd58f7e86f660b20c7fc99d26ffae291963f804
IPW60R125C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945AE6D53F51BF&compId=IPP60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=cb3192ecc3b12df96459b035fc86ddf06d8a84f8
IPP60R125C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R125CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5942DFCD9EE71BF&compId=IPI60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=a6ea8e60abe31ce0efe03800b0779adda6010d85
IPI60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI032N06N3GAKSA1 IPI032N06N3G-DTE.pdf
IPI032N06N3GAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 426A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PP IRFS7430TRL7PP.pdf
IRFS7430TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55mΩ
Power dissipation: 375W
Gate charge: 305nC
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP772T BSP772T.pdf
BSP772T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.62 грн
8+120.31 грн
21+113.42 грн
500+109.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP77E6433 BSP77E6433.pdf
BSP77E6433
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+186.51 грн
10+111.88 грн
15+62.07 грн
40+59.01 грн
2000+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N20DPBF irfr13n20dpbf.pdf
IRFU13N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRPBF.pdf
IRFR3504ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3504Z auirfr3504.pdf
AUIRFR3504Z
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.16 грн
37+10.58 грн
51+7.59 грн
100+6.54 грн
245+3.69 грн
672+3.49 грн
1500+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2L_Rev2.6.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC10I12MHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B631F8F54993D6&compId=1EDCxxI12MH.pdf?ci_sign=4561d7fac3ac124e788ba07bb931c0c6ab15205c
1EDC10I12MHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -1÷1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -1...1A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+190.64 грн
5+166.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af
BSP89H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.61 грн
15+26.90 грн
25+22.84 грн
47+19.54 грн
127+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322ASPBF IRSD-S-A0001022139-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+813.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322S-TPBF INFN-S-A0002782763-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw pvt322.pdf?fileId=5546d462533600a40153568427eb2965
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
750+651.15 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R125C7XKSA1 IPA65R125C7-DTE.pdf
IPA65R125C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB94A02B2C431BF&compId=IPP65R125C7-DTE.pdf?ci_sign=00d72aa2fd9ce7f2bfa841eaad24f8aa97706fda
IPP65R125C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 101W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 101W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1.pdf
BSL296SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain current: 1.4A
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR22PNH6327XTSA1 bcr22pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a3730114406a036a02fe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP
Type of transistor: NPN / PNP
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6CDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3306pbf.pdf?ci_sign=3eff737cd65f7676704d1e680efaba849ec13fe8
IRFB3306PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.06 грн
18+52.88 грн
47+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2302SPBF IRS2302SPBF.pdf
IRS2302SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 650ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88B9D461C2B0053D1&compId=DD180N22S.pdf?ci_sign=837b437e4395e4382fc19b1f7d2c8f2007c11717
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 226A; BG-PB34SB-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Case: BG-PB34SB-1
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward voltage: 1.39V
Load current: 226A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 5.75kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7.pdf
IPP80R1K2P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.24 грн
10+86.60 грн
12+75.87 грн
33+72.04 грн
150+71.27 грн
200+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 IPU80R1K2P7.pdf
IPU80R1K2P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.47 грн
9+45.06 грн
25+40.00 грн
26+34.94 грн
72+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7.pdf
IPD80R1K2P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC60I12AHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B62E86916C33D6&compId=1EDCxxX12AH.pdf?ci_sign=da6f019cc801fa37109c75303e594cae5bfb0871
1EDC60I12AHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -6...6A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+203.02 грн
5+167.06 грн
15+159.40 грн
20+153.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20H12AHXUMA1 1EDCxxX12AH.pdf
1EDC20H12AHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Output current: -2...2A
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC60H12AHXUMA1 1EDCxxX12AH.pdf
1EDC60H12AHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Output current: -6...6A
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Voltage class: 600/650/1200V
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594497E2285B1BF&compId=IPP60R299CP-DTE.pdf?ci_sign=0aa6e8461138adc0224ff0880d043028a0164f7f
IPP60R299CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBBF0FB2C1C11C&compId=IPB320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=63968efc315030711006a495abbba2f99ce658c8
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD600N16KHPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9F08533614469&compId=DD600N18K.pdf?ci_sign=f10963049ff88079e530079ed9b25fbb721c5e8a
DD600N16KHPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 600A; BG-PB60AT-1; screw
Type of module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 600A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 22kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD600N18KHPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9F08533614469&compId=DD600N18K.pdf?ci_sign=f10963049ff88079e530079ed9b25fbb721c5e8a
DD600N18KHPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.8kV; If: 600A; BG-PB60AT-1; screw
Type of module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 600A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 22kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-2EKA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE4F48132938259&compId=BTS5030-2EKA.pdf?ci_sign=33e059d647c96a6ae9b9d65e9205d4cc4a8f0d7c
BTS5030-2EKA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-14
On-state resistance: 60mΩ
Supply voltage: 5...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Power dissipation: 2.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5016-2EKA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586986CDEB37B6469&compId=BTS5016-2EKA.pdf?ci_sign=83c8bc9d42f43a784bc704bee2630f9102c3dd63
BTS5016-2EKA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 6A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 28mΩ
Supply voltage: 5...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50451EJAXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE5172C044FE259&compId=BTS5045-1EJA.pdf?ci_sign=9030c87778744422a27802869fa8150b02464e74
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8-EP
On-state resistance: 45mΩ
Supply voltage: 5...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50452EKAXUMA1 Infineon-BTS5045-2EKA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa4113e5d1075
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500101TADATMA2 BTS50010-1TA_rev1.2_12-5-17.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+310.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500151TADATMA2 Infineon-BTS50015-1TAD-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015baf36c510460f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+277.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50121EKBXUMA1 Infineon-BTS5012-1EKB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa42c52d5113a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 250 500 750 1000 1250 1500 1750 2000 2250 2485 2486 2487 2488 2489 2490 2491 2492 2493 2494 2495 2500  [ Наступна Сторінка >> ]