Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148633) > Сторінка 374 з 2478

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 369 370 371 372 373 374 375 376 377 378 379 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2478  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY7C1245KV18-400BZXC CY7C1245KV18-400BZXC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1492.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSL372SNH6327XTSA1 BSL372SNH6327XTSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0000110228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 2A TSOP6-6
на замовлення 10385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYM300B170DN2HOSA1 BYM300B170DN2HOSA1 Infineon Technologies Infineon-BYM300B170DN2-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fc8994d84 Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49615KXTSA1 TLE49615KXTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4961_5K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304338ec6d390138fc81f56e76bb Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SC59
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.85 грн
10+137.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R17N3E4BPSA1 F4100R17N3E4BPSA1 Infineon Technologies Infineon-F4-100R17N3E4-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301761e2e216b021e Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15184.05 грн
10+13694.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R17N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFS150B17N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-IFS150B17N3E4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e94ae58b32e1a Description: IGBT MOD 1700V 300A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT4B11BOSA1 FS75R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS75R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49691bbc0130 Description: IGBT MOD 1200V 75A 385W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 385 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16B5000 BC817-16B5000 Infineon Technologies INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.5A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13172+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 13172
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16B5003 BC817-16B5003 Infineon Technologies INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.5A PG-SOT23-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13172+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 13172
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XE162FM-48F80L AA SAF-XE162FM-48F80L AA Infineon Technologies XE162xM.pdf Description: IC MCU 16BIT 384KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 384KB (384K x 8)
RAM Size: 34K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 9x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-13
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 40
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM240M6Y1BAKSA1 Infineon Technologies IM240-M6xxB.pdf Description: MODULE IPM 3PHASE 23DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1900Vrms
Current: 4 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S2L_65-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a3c2672326cf Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S2L_65-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a3c2672326cf Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.39 грн
10+70.35 грн
100+46.92 грн
500+34.59 грн
1000+31.56 грн
2000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DA2B6HTSA1 TLI493DA2B6HTSA1 Infineon Technologies TLI493D-A2B6_v1.3_4-9-19.pdf Description: MAGNETIC SWITCH PROG TSOP-6-6-8
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.03 грн
6000+41.02 грн
9000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DA2B6HTSA1 TLI493DA2B6HTSA1 Infineon Technologies TLI493D-A2B6_v1.3_4-9-19.pdf Description: MAGNETIC SWITCH PROG TSOP-6-6-8
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.54 грн
5+74.03 грн
10+70.43 грн
25+61.96 грн
50+59.16 грн
100+56.60 грн
500+50.60 грн
1000+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183S BCR183S Infineon Technologies INFNS17188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 101966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10377+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10377
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3S5HOSA1 Infineon Technologies INFNS28395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12095.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R199CP Infineon Technologies Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68E6359HTMA1 Infineon Technologies INFNS15410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4157+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 4157
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68-06E6327 BAT68-06E6327 Infineon Technologies INFNS15410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2308+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 2308
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRL AUIRF6215STRL Infineon Technologies auirf6215s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf0a713ca Description: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISS17EP06LMXTSA1 ISS17EP06LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISS17EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0731173673a6 Description: MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 30 V
на замовлення 47400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.67 грн
21+14.71 грн
100+7.13 грн
500+6.34 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50201EKAXUMA1 BTS50201EKAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5020-1EKA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84fd1c7575cc Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50201EKAXUMA1 BTS50201EKAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5020-1EKA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84fd1c7575cc Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Active
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.45 грн
10+100.77 грн
25+91.78 грн
100+76.82 грн
250+72.40 грн
500+69.72 грн
1000+66.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC275T64F200NDCKXUMA1 TC275T64F200NDCKXUMA1 Infineon Technologies TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 176-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 472K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 40x12b, 6 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-22
Part Status: Active
Number of I/O: 112
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1521.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TC275T64F200NDCKXUMA1 TC275T64F200NDCKXUMA1 Infineon Technologies TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 176-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 472K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 40x12b, 6 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-22
Part Status: Active
Number of I/O: 112
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2275.22 грн
10+1772.30 грн
25+1667.88 грн
100+1457.56 грн
250+1406.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC277T64F200NDCKXUMA1 TC277T64F200NDCKXUMA1 Infineon Technologies TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 292LFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC277T64F200SDCLXUMA1 TC277T64F200SDCLXUMA1 Infineon Technologies TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 292LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 292-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 472K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 60x12b, 6 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I²C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Number of I/O: 169
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3GS03LJGXUMA1 ICE3GS03LJGXUMA1 Infineon Technologies ICE3GS03LJG.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DSO
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3B0365 ICE3B0365 Infineon Technologies INFNS22601-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: OFF-LINE SMPS CURRENT MODE CONTR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
487+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 487
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WE6327 BCR185WE6327 Infineon Technologies INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13172+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 13172
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183WE6327 BCR183WE6327 Infineon Technologies INFNS11627-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185E6327 BCR185E6327 Infineon Technologies INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183WH6327 BCR183WH6327 Infineon Technologies INFNS17188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7123+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 7123
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185WH6327 Infineon Technologies Infineon-BCR185SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431428a3730114403af22402d4 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 45301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6571+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 6571
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 9910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.48 грн
10+61.23 грн
100+41.80 грн
500+30.72 грн
1000+27.24 грн
2000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSB21483FV1.6 PSB21483FV1.6 Infineon Technologies Description: INCA-S CODEC
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12MS4BOSA1 FF225R12MS4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF225R12MS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113ba985a0e00b0 Description: IGBT MOD 1200V 275A 1450W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12354.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA14H6327XTSA1 PZTA14H6327XTSA1 Infineon Technologies pzta14.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e89099018b Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1176+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 1176
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127FNI-BL483T CY8C4127FNI-BL483T Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 68-UFBGA, WLCSP
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 16.4mA ~ 18.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 16.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 68-WLCSP (3.52x3.91)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, General ISM > 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127FNI-BL483T CY8C4127FNI-BL483T Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 68-UFBGA, WLCSP
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 16.4mA ~ 18.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 16.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 68-WLCSP (3.52x3.91)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, General ISM > 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127FNI-BL483T CY8C4127FNI-BL483T Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 68-UFBGA, WLCSP
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 16.4mA ~ 18.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 16.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 68-WLCSP (3.52x3.91)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, General ISM > 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4248FLI-BL483T Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 76WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 76-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Bluetooth, Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, DMA LCD, LVD, POR, PWM, SmartCard, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 76-WLCSP (4.04x3.87)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4248FNI-BL483T CY8C4248FNI-BL483T Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 76WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 76-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Bluetooth, Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, DMA LCD, LVD, POR, PWM, SmartCard, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 76-WLCSP (4.04×3.87)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOSENSE2GOLPULSETOBO1 DEMOSENSE2GOLPULSETOBO1 Infineon Technologies Infineon-Sense2GoL%20Pulse-ProductBrief-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016eb7b647e40f3f Description: SENSE2GOL PULSE BGT24LTR11 RADAR
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BGT24LTR11, XMC4700
Sensitivity: 24GHz
Frequency: 24GHz
Type: Transceiver; RADAR
Contents: Board(s)
Sensor Type: Radar
Utilized IC / Part: BGT24LTR11, XMC4700
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Sensing Range: 18m
Part Status: Active
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9977.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KP214N2611XT KP214N2611XT Infineon Technologies INFNS15304-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SENSOR 16.68PSIA 4.65V DSOF8
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.18V ~ 4.65V
Operating Pressure: 2.18 ~ 16.68PSI (15 ~ 115kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.65PSI (4.50kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Port Style: No Port
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS612N1E3128ABUMA1 BTS612N1E3128ABUMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0002952951-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart, Status Flag
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: Parallel
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 160mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO263-7-2
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTN7970S BTN7970S Infineon Technologies INFNS11665-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HALF-BRIDGE PERIPHERAL DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-7 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 90A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 8V ~ 18V
Technology: DMOS
Supplier Device Package: P-TO220-7-11
Motor Type - Stepper: Unipolar
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+316.40 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
TDA7110FHTMA1 TDA7110FHTMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: RF TX IC ASK 433-435MHZ 10TFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz ~ 435MHz
Modulation or Protocol: ASK, FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.1V ~ 4V
Power - Output: 11dBm
Applications: Remote Control, RKE, Security Systems
Current - Transmitting: 21mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-10-2
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA7110FHTMA1 TDA7110FHTMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: RF TX IC ASK 433-435MHZ 10TFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz ~ 435MHz
Modulation or Protocol: ASK, FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.1V ~ 4V
Power - Output: 11dBm
Applications: Remote Control, RKE, Security Systems
Current - Transmitting: 21mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-10-2
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ076N06NS3G BSZ076N06NS3G Infineon Technologies INFNS15383-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0702LSATMA1 BSZ0702LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ0702LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b86789613d0 Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPSIRS200XTOBO1 EVALPSIRS200XTOBO1 Infineon Technologies Infineon-EVAL-PS-IRS200x-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae54769b13bd6 Description: EVAL BOARD FOR PSIRS200X
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver, Stepper
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: PSIRS200X
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14950.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.78 грн
8000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.52 грн
10+53.11 грн
100+31.32 грн
500+24.22 грн
1000+22.63 грн
2000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60SC216ARMA1 IRL60SC216ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IRL60SC216-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b533fc5f90cea Description: MOSFET N-CH 60V 324A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 324A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1245KV18-400BZXC download
CY7C1245KV18-400BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1492.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSL372SNH6327XTSA1 INFN-S-A0000110228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSL372SNH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 2A TSOP6-6
на замовлення 10385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYM300B170DN2HOSA1 Infineon-BYM300B170DN2-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fc8994d84
BYM300B170DN2HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49615KXTSA1 Infineon-TLE4961_5K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304338ec6d390138fc81f56e76bb
TLE49615KXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SC59
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
IRF4905STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
IRF4905STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.85 грн
10+137.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R17N3E4BPSA1 Infineon-F4-100R17N3E4-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301761e2e216b021e
F4100R17N3E4BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15184.05 грн
10+13694.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R17N3E4PB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFS150B17N3E4PB11BPSA1 Infineon-IFS150B17N3E4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e94ae58b32e1a
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 300A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT4B11BOSA1 Infineon-FS75R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49691bbc0130
FS75R12KT4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 75A 385W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 385 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16B5000 INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC817-16B5000
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.5A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13172+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 13172
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16B5003 INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC817-16B5003
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.5A PG-SOT23-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13172+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 13172
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XE162FM-48F80L AA XE162xM.pdf
SAF-XE162FM-48F80L AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 384KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 384KB (384K x 8)
RAM Size: 34K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 9x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-13
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 40
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM240M6Y1BAKSA1 IM240-M6xxB.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE IPM 3PHASE 23DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1900Vrms
Current: 4 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1 Infineon-IPG20N06S2L_65-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a3c2672326cf
IPG20N06S2L65ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1 Infineon-IPG20N06S2L_65-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a3c2672326cf
IPG20N06S2L65ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.39 грн
10+70.35 грн
100+46.92 грн
500+34.59 грн
1000+31.56 грн
2000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DA2B6HTSA1 TLI493D-A2B6_v1.3_4-9-19.pdf
TLI493DA2B6HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH PROG TSOP-6-6-8
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.03 грн
6000+41.02 грн
9000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DA2B6HTSA1 TLI493D-A2B6_v1.3_4-9-19.pdf
TLI493DA2B6HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH PROG TSOP-6-6-8
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.54 грн
5+74.03 грн
10+70.43 грн
25+61.96 грн
50+59.16 грн
100+56.60 грн
500+50.60 грн
1000+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183S INFNS17188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR183S
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 101966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10377+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10377
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3S5HOSA1 INFNS28395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+12095.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R199CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68E6359HTMA1 INFNS15410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4157+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 4157
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68-06E6327 INFNS15410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT68-06E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2308+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 2308
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRL auirf6215s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf0a713ca
AUIRF6215STRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISS17EP06LMXTSA1 Infineon-ISS17EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0731173673a6
ISS17EP06LMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 30 V
на замовлення 47400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
21+14.71 грн
100+7.13 грн
500+6.34 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50201EKAXUMA1 Infineon-BTS5020-1EKA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84fd1c7575cc
BTS50201EKAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50201EKAXUMA1 Infineon-BTS5020-1EKA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84fd1c7575cc
BTS50201EKAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Active
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.45 грн
10+100.77 грн
25+91.78 грн
100+76.82 грн
250+72.40 грн
500+69.72 грн
1000+66.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC275T64F200NDCKXUMA1 TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf
TC275T64F200NDCKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 176-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 472K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 40x12b, 6 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-22
Part Status: Active
Number of I/O: 112
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1521.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TC275T64F200NDCKXUMA1 TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf
TC275T64F200NDCKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 176-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 472K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 40x12b, 6 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-22
Part Status: Active
Number of I/O: 112
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2275.22 грн
10+1772.30 грн
25+1667.88 грн
100+1457.56 грн
250+1406.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC277T64F200NDCKXUMA1 TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf
TC277T64F200NDCKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 292LFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC277T64F200SDCLXUMA1 TC270_TC275_TC277_v1.2_4-4-19.pdf
TC277T64F200SDCLXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 292LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 292-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 472K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 60x12b, 6 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I²C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Number of I/O: 169
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3GS03LJGXUMA1 ICE3GS03LJG.pdf
ICE3GS03LJGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DSO
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3B0365 INFNS22601-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE3B0365
Виробник: Infineon Technologies
Description: OFF-LINE SMPS CURRENT MODE CONTR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
487+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 487
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WE6327 INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR185WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13172+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 13172
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183WE6327 INFNS11627-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR183WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185E6327 INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR185E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183WH6327 INFNS17188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR183WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7123+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 7123
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 Infineon-BCR185SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431428a3730114403af22402d4
BCR185WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 45301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6571+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 6571
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa
BSZ031NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa
BSZ031NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 9910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.48 грн
10+61.23 грн
100+41.80 грн
500+30.72 грн
1000+27.24 грн
2000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSB21483FV1.6
PSB21483FV1.6
Виробник: Infineon Technologies
Description: INCA-S CODEC
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12MS4BOSA1 Infineon-FF225R12MS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113ba985a0e00b0
FF225R12MS4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 275A 1450W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12354.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA14H6327XTSA1 pzta14.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e89099018b
PZTA14H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1176+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 1176
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127FNI-BL483T Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4127FNI-BL483T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 68-UFBGA, WLCSP
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 16.4mA ~ 18.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 16.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 68-WLCSP (3.52x3.91)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, General ISM > 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127FNI-BL483T Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4127FNI-BL483T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 68-UFBGA, WLCSP
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 16.4mA ~ 18.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 16.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 68-WLCSP (3.52x3.91)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, General ISM > 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127FNI-BL483T Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4127FNI-BL483T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 68-UFBGA, WLCSP
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 16.4mA ~ 18.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 16.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 68-WLCSP (3.52x3.91)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, General ISM > 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4248FLI-BL483T Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 76WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 76-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Bluetooth, Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, DMA LCD, LVD, POR, PWM, SmartCard, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 76-WLCSP (4.04x3.87)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4248FNI-BL483T Infineon-PSoC_4_4200_BLE_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee5f2a26ddd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4248FNI-BL483T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 76WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 76-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Bluetooth, Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, DMA LCD, LVD, POR, PWM, SmartCard, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 76-WLCSP (4.04×3.87)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOSENSE2GOLPULSETOBO1 Infineon-Sense2GoL%20Pulse-ProductBrief-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016eb7b647e40f3f
DEMOSENSE2GOLPULSETOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSE2GOL PULSE BGT24LTR11 RADAR
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BGT24LTR11, XMC4700
Sensitivity: 24GHz
Frequency: 24GHz
Type: Transceiver; RADAR
Contents: Board(s)
Sensor Type: Radar
Utilized IC / Part: BGT24LTR11, XMC4700
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Sensing Range: 18m
Part Status: Active
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9977.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KP214N2611XT INFNS15304-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
KP214N2611XT
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 16.68PSIA 4.65V DSOF8
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.18V ~ 4.65V
Operating Pressure: 2.18 ~ 16.68PSI (15 ~ 115kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.65PSI (4.50kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Port Style: No Port
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS612N1E3128ABUMA1 INFN-S-A0002952951-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS612N1E3128ABUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart, Status Flag
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: Parallel
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 160mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO263-7-2
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTN7970S INFNS11665-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTN7970S
Виробник: Infineon Technologies
Description: HALF-BRIDGE PERIPHERAL DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-7 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 90A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 8V ~ 18V
Technology: DMOS
Supplier Device Package: P-TO220-7-11
Motor Type - Stepper: Unipolar
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+316.40 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
TDA7110FHTMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
TDA7110FHTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TX IC ASK 433-435MHZ 10TFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz ~ 435MHz
Modulation or Protocol: ASK, FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.1V ~ 4V
Power - Output: 11dBm
Applications: Remote Control, RKE, Security Systems
Current - Transmitting: 21mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-10-2
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA7110FHTMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
TDA7110FHTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TX IC ASK 433-435MHZ 10TFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz ~ 435MHz
Modulation or Protocol: ASK, FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.1V ~ 4V
Power - Output: 11dBm
Applications: Remote Control, RKE, Security Systems
Current - Transmitting: 21mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-10-2
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ076N06NS3G INFNS15383-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSZ076N06NS3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0702LSATMA1 Infineon-BSZ0702LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b86789613d0
BSZ0702LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPSIRS200XTOBO1 Infineon-EVAL-PS-IRS200x-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae54769b13bd6
EVALPSIRS200XTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR PSIRS200X
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver, Stepper
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: PSIRS200X
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14950.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579
IRL6372TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.78 грн
8000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579
IRL6372TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.52 грн
10+53.11 грн
100+31.32 грн
500+24.22 грн
1000+22.63 грн
2000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60SC216ARMA1 Infineon-IRL60SC216-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b533fc5f90cea
IRL60SC216ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 324A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 324A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 369 370 371 372 373 374 375 376 377 378 379 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2478  [ Наступна Сторінка >> ]