Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126655) > Сторінка 776 з 2111

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 771 772 773 774 775 776 777 778 779 780 781 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CY8CTMA884LTI-13T CY8CTMA884LTI-13T Infineon Technologies Marking_Format_RevJB_Jul2017.pdf Description: IC TRUETOUCH CAPSENSE QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 88-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 88-QFN (10x10)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC2080M104F80LRABKXUMA1 Infineon Technologies Description: IC MCU 16BIT FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR321UE6327HTSA1 BCR321UE6327HTSA1 Infineon Technologies dgdl?fileId=5546d4624b0b249c014b7d69949b463b Description: IC LED DRVR LINEAR 250MA SC74-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Voltage - Output: 16V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 10kHz
Type: Linear
Applications: Lighting, Signage
Current - Output / Channel: 250mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Voltage - Supply (Max): 25V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1471+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKWH15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.31 грн
10+230.36 грн
25+212.12 грн
240+171.66 грн
480+166.19 грн
720+163.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKZH15N120CS7XKSA1 AIKZH15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.28 грн
10+260.48 грн
30+236.78 грн
120+202.36 грн
270+193.86 грн
510+188.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPS04N60C3BKMA1 SPS04N60C3BKMA1 Infineon Technologies SPS04N60C3.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 14621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGP04N60XKSA1 SGP04N60XKSA1 Infineon Technologies SGx04N60.pdf Description: IGBT NPT 600V 9.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/237ns
Switching Energy: 131µJ
Test Condition: 400V, 4A, 67Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 9.4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 19 A
Power - Max: 50 W
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+111.98 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSPBF IRS2453DSPBF Infineon Technologies irs2453d.pdf?fileId=5546d462533600a40153567ac42f2814 description Description: IC GATE DRVR FULL-BRIDGE 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 120ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Full-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 4.7V, 9.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21363STRPBF IR21363STRPBF Infineon Technologies Infineon-IR213-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8a02116a5 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21363STRPBF IR21363STRPBF Infineon Technologies Infineon-IR213-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8a02116a5 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.28 грн
10+194.06 грн
25+178.22 грн
100+150.97 грн
250+143.21 грн
500+142.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136JTRPBF IR2136JTRPBF Infineon Technologies IRSDS12169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+258.79 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2332SPBF IRS2332SPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 35ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2461SXUMA1 IRS2461SXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IRS2461S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b9095579b4ec0 Description: AUDIO IC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S26KS128SDPBHM023 S26KS128SDPBHM023 Infineon Technologies Infineon-512-MB_(64_MB)_256-MB_(32_MB)_128-MB_(16_MB)_1.8_V_3.0_V_HYPERFLASH_FAMILY-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5ca77559f Description: IC FLASH 128MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 96 ns
Memory Organization: 16M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S26KS512SDPBHB023 S26KS512SDPBHB023 Infineon Technologies Infineon-512-MB_(64_MB)_256-MB_(32_MB)_128-MB_(16_MB)_1.8_V_3.0_V_HYPERFLASH_FAMILY-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5ca77559f Description: IC FLASH 512MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 96 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20719B1KUMLGT Infineon Technologies Description: IC RF TXRX+MCU BLE 40QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -95.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 1MB Flash, 2MB ROM, 512kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.76V ~ 3.63V
Power - Output: 5.5dBm
Protocol: Bluetooth v5.1
Current - Receiving: 5.9mA
Data Rate (Max): 3Mbps
Current - Transmitting: 5.6mA
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
GPIO: 40
Modulation: 8-DPSK, 4-DQPSK, GFSK, QPSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, HCI, I2C, I2S, PCM, PWM, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA18250BHN/C1K TDA18250BHN/C1K Infineon Technologies TDA18250AHN_SDS.pdf Description: TDA18250CabSilicTuner
Packaging: Tray
на замовлення 13309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+81.94 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KE3GB2HOSA1 FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies FF150R12KE3G.pdf Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7675.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2136DSTRPBFXUMA2 IRS2136DSTRPBFXUMA2 Infineon Technologies IRS2136DSTRPBFXUMA2.pdf Description: IRS2136DSTRPBFXUMA2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 25V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28-17
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Full-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 165mA, 375mA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2136DSTRPBFXUMA2 IRS2136DSTRPBFXUMA2 Infineon Technologies IRS2136DSTRPBFXUMA2.pdf Description: IRS2136DSTRPBFXUMA2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 25V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28-17
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Full-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 165mA, 375mA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+115.93 грн
25+105.76 грн
100+88.81 грн
250+83.84 грн
500+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C10612DV33-10ZSXI Infineon Technologies Description: IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tube
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3144MC12LXUMA1 2ED3144MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3144MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3144MC12LXUMA1 2ED3144MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3144MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+108.61 грн
25+99.09 грн
100+83.18 грн
250+78.49 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3141MC12LXUMA1 2ED3141MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3141MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3141MC12LXUMA1 2ED3141MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3141MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+108.61 грн
25+99.09 грн
100+83.18 грн
250+78.49 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3147MC12LXUMA1 2ED3147MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3147MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3147MC12LXUMA1 2ED3147MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3147MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+108.61 грн
25+99.09 грн
100+83.18 грн
250+78.49 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3142MC12LXUMA1 2ED3142MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3142MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3142MC12LXUMA1 2ED3142MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3142MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+108.61 грн
25+99.09 грн
100+83.18 грн
250+78.49 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3143MC12LXUMA1 2ED3143MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3143MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3143MC12LXUMA1 2ED3143MC12LXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf Description: 2ED3143MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+108.61 грн
25+99.09 грн
100+83.18 грн
250+78.49 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW43143KMLGT CYW43143KMLGT Infineon Technologies Infineon-CYW43143_Single_Chip_IEEE_802.11_b_g_n_MAC_PHY_Radio_with_USB_SDIO_Host_Interface_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee21f67687b&utm_source=cypress&utm_medium=referral& Description: IC RF TXRX+MCU WIFI 56QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -97dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 256kB ROM, 448kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 65°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Power - Output: 21dBm
Protocol: 802.11b/g/n
Current - Receiving: 68mA ~ 94mA
Data Rate (Max): 150Mbps
Current - Transmitting: 368mA ~ 427mA
Supplier Device Package: 56-QFN (7x7)
GPIO: 19
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+297.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW43143KMLGT CYW43143KMLGT Infineon Technologies Infineon-CYW43143_Single_Chip_IEEE_802.11_b_g_n_MAC_PHY_Radio_with_USB_SDIO_Host_Interface_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee21f67687b&utm_source=cypress&utm_medium=referral& Description: IC RF TXRX+MCU WIFI 56QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -97dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 256kB ROM, 448kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 65°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Power - Output: 21dBm
Protocol: 802.11b/g/n
Current - Receiving: 68mA ~ 94mA
Data Rate (Max): 150Mbps
Current - Transmitting: 368mA ~ 427mA
Supplier Device Package: 56-QFN (7x7)
GPIO: 19
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.72 грн
10+390.98 грн
25+370.03 грн
100+320.23 грн
250+304.04 грн
500+292.62 грн
1000+277.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC088N08NM6ATMA1 ISC088N08NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC088N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f5b77422d42 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC088N08NM6ATMA1 ISC088N08NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC088N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f5b77422d42 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 40 V
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+88.23 грн
100+59.61 грн
500+44.44 грн
1000+40.74 грн
2000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC018N08NM6ATMA1 ISC018N08NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc018n08nm6-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f9382112e16 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.15 грн
10+204.17 грн
50+158.53 грн
100+134.97 грн
500+114.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC151N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f802c4e2ddb Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC151N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f802c4e2ddb Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF Infineon Technologies irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Infineon Technologies irf8304mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d20db1d5d Description: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF IRF8308MTRPBF Infineon Technologies irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61 Description: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF IR21271PBF Infineon Technologies ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 description Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+161.75 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF IR21271PBF Infineon Technologies ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 description Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOFX20MIPI001TOBO1 DEMOFX20MIPI001TOBO1 Infineon Technologies infineon-ez-usb-fx20-demo-board-demo-fx20-mipi-001-usermanual-en.pdf Description: EVAL BOARD FOR CYUSB402X
Packaging: Box
Function: USB
Type: Interface
Contents: Board(s), Cable(s)
Utilized IC / Part: CYUSB402x
Embedded: Yes, FPGA
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17212.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S6J332DJEESE20000 S6J332DJEESE20000 Infineon Technologies Infineon-S6J3310_Series_S6J3320_Series_S6J3330_Series_S6J3340_Series_32-bit_Microcontroller_TRAVEO_T1G_Family-AdditionalTechnicalInformation-v17_00-EN.PDF?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edb39375e0e Description: TRAVEO-40NM
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 240MHz
Program Memory Size: 3.0625MB (3.0625M x 8)
RAM Size: 544K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 112K x 8
Core Processor: Arm® Cortex®-R5F
Data Converters: A/D 48x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-TEQFP (24x24)
Number of I/O: 150
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDFW80C65D1XKSA1 IDFW80C65D1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDFW80C65D1-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174da579c702296 Description: DIODE ARR GP 650V 74A TO247-3-AI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 74A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+221.90 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSE846GPS2DBZC4XQSA1 PSE846GPS2DBZC4XQSA1 Infineon Technologies infineon-psoc-edge-e8x-consumer-datasheet-datasheet-en.pdf Description: IOT-EDGE
Packaging: Tray
Package / Case: 220-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz, 400MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 5M x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: NVSRAM
Core Processor: ARM® Cortex®-M55, ARM® Ethos-U55
Data Converters: A/D 17x20b SAR; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Dual-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, Ethernet, I2C, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: AES, Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, PWM, RSA, SHA, TRNG, WDT
Supplier Device Package: 220-FBGA (10x10)
Number of I/O: 147
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+910.79 грн
10+689.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9261BQXXUMA2 TLE9261BQXXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE9261BQX-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016073c1554f5b04 Description: OPTIREG SYST BASIS CHIPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Applications: System Basis Chip
Current - Supply: 3.5mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.36 грн
10+169.98 грн
25+155.97 грн
100+131.89 грн
250+124.98 грн
500+123.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N038TATMA1 IAUTN15S6N038TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUTN15S6N038T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196fdc7cc9b7125 Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N038TATMA1 IAUTN15S6N038TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUTN15S6N038T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196fdc7cc9b7125 Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.94 грн
10+347.65 грн
25+321.81 грн
100+275.38 грн
250+262.68 грн
500+255.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025TATMA1 IAUTN15S6N025TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUTN15S6N025T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9715623e0197399048cf5802 Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025TATMA1 IAUTN15S6N025TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUTN15S6N025T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9715623e0197399048cf5802 Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+612.16 грн
10+457.93 грн
25+425.16 грн
100+365.11 грн
250+348.98 грн
500+339.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010EZS AUIRF1010EZS Infineon Technologies IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUIRF1010 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+604.51 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4147LQEHVS136XXQLA1 CY8C4147LQEHVS136XXQLA1 Infineon Technologies Infineon-CY8C41x7_PSOC_4_high_voltage_HV_mixed_signal_MS_Automotive_MCU_Based_on_32-bit_Arm_Cortex_-M0-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a470195817786015ddd Description: PSOC BASED - HV FAMILY
Packaging: Tray
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 24x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.6V ~ 28V
Connectivity: FIFO, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, Temp Sensor, WDT
Supplier Device Package: 32-QFN (6x6)
Grade: Automotive
Number of I/O: 49
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+736.79 грн
10+554.46 грн
25+515.79 грн
100+444.13 грн
260+424.41 грн
520+413.07 грн
1040+397.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M2HXKSA1 IMZA75R060M2HXKSA1 Infineon Technologies IMZA75R060M2HXKSA1.pdf Description: IMZA75R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 13.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 500 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+650.57 грн
30+366.60 грн
60+335.67 грн
120+290.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LMRXUSA1 GS0650302LMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149 Description: GS-065-030-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+377.08 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LMRXUSA1 GS0650302LMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149 Description: GS-065-030-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+799.49 грн
10+532.58 грн
50+431.04 грн
100+390.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC300N20NM6ATMA1 ISC300N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc300n20nm6-datasheet-en.pdf Description: ISC300N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 24A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC300N20NM6ATMA1 ISC300N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc300n20nm6-datasheet-en.pdf Description: ISC300N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 24A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
на замовлення 4326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
10+169.68 грн
100+117.81 грн
500+89.76 грн
1000+83.08 грн
2000+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFAKMA1 Infineon Technologies Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.51 грн
25+352.09 грн
50+321.04 грн
100+276.78 грн
500+233.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CTMA884LTI-13T Marking_Format_RevJB_Jul2017.pdf
CY8CTMA884LTI-13T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRUETOUCH CAPSENSE QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 88-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 88-QFN (10x10)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC2080M104F80LRABKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR321UE6327HTSA1 dgdl?fileId=5546d4624b0b249c014b7d69949b463b
BCR321UE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRVR LINEAR 250MA SC74-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Voltage - Output: 16V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 10kHz
Type: Linear
Applications: Lighting, Signage
Current - Output / Channel: 250mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Voltage - Supply (Max): 25V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1471+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKWH15N120CS7XKSA1 infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+314.31 грн
10+230.36 грн
25+212.12 грн
240+171.66 грн
480+166.19 грн
720+163.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKZH15N120CS7XKSA1 infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf
AIKZH15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+354.28 грн
10+260.48 грн
30+236.78 грн
120+202.36 грн
270+193.86 грн
510+188.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPS04N60C3BKMA1 SPS04N60C3.pdf
SPS04N60C3BKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 14621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
315+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGP04N60XKSA1 SGx04N60.pdf
SGP04N60XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 9.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/237ns
Switching Energy: 131µJ
Test Condition: 400V, 4A, 67Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 9.4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 19 A
Power - Max: 50 W
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
185+111.98 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSPBF description irs2453d.pdf?fileId=5546d462533600a40153567ac42f2814
IRS2453DSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR FULL-BRIDGE 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 120ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Full-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 4.7V, 9.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21363STRPBF Infineon-IR213-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8a02116a5
IR21363STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21363STRPBF Infineon-IR213-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8a02116a5
IR21363STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+267.28 грн
10+194.06 грн
25+178.22 грн
100+150.97 грн
250+143.21 грн
500+142.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136JTRPBF IRSDS12169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2136JTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+258.79 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2332SPBF fundamentals-of-power-semiconductors
IRS2332SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 35ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2461SXUMA1 Infineon-IRS2461S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b9095579b4ec0
IRS2461SXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUDIO IC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S26KS128SDPBHM023 Infineon-512-MB_(64_MB)_256-MB_(32_MB)_128-MB_(16_MB)_1.8_V_3.0_V_HYPERFLASH_FAMILY-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5ca77559f
S26KS128SDPBHM023
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 128MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 96 ns
Memory Organization: 16M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S26KS512SDPBHB023 Infineon-512-MB_(64_MB)_256-MB_(32_MB)_128-MB_(16_MB)_1.8_V_3.0_V_HYPERFLASH_FAMILY-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5ca77559f
S26KS512SDPBHB023
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 96 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20719B1KUMLGT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 40QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -95.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 1MB Flash, 2MB ROM, 512kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.76V ~ 3.63V
Power - Output: 5.5dBm
Protocol: Bluetooth v5.1
Current - Receiving: 5.9mA
Data Rate (Max): 3Mbps
Current - Transmitting: 5.6mA
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
GPIO: 40
Modulation: 8-DPSK, 4-DQPSK, GFSK, QPSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, HCI, I2C, I2S, PCM, PWM, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA18250BHN/C1K TDA18250AHN_SDS.pdf
TDA18250BHN/C1K
Виробник: Infineon Technologies
Description: TDA18250CabSilicTuner
Packaging: Tray
на замовлення 13309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
245+81.94 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KE3GB2HOSA1 FF150R12KE3G.pdf
FF150R12KE3GB2HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+7675.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2136DSTRPBFXUMA2 IRS2136DSTRPBFXUMA2.pdf
IRS2136DSTRPBFXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRS2136DSTRPBFXUMA2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 25V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28-17
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Full-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 165mA, 375mA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+86.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2136DSTRPBFXUMA2 IRS2136DSTRPBFXUMA2.pdf
IRS2136DSTRPBFXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRS2136DSTRPBFXUMA2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 25V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28-17
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Full-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 165mA, 375mA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.25 грн
10+115.93 грн
25+105.76 грн
100+88.81 грн
250+83.84 грн
500+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C10612DV33-10ZSXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tube
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3144MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3144MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3144MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3144MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3144MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3144MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.84 грн
10+108.61 грн
25+99.09 грн
100+83.18 грн
250+78.49 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3141MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3141MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3141MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3141MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3141MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3141MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.84 грн
10+108.61 грн
25+99.09 грн
100+83.18 грн
250+78.49 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3147MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3147MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3147MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3147MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3147MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3147MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.84 грн
10+108.61 грн
25+99.09 грн
100+83.18 грн
250+78.49 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3142MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3142MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3142MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3142MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3142MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3142MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.84 грн
10+108.61 грн
25+99.09 грн
100+83.18 грн
250+78.49 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3143MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3143MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3143MC12LXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED3143MC12LXUMA1 infineon-2ed314xmc12l-datasheet-en.pdf
2ED3143MC12LXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2ED3143MC12LXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14-71
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 35V
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.84 грн
10+108.61 грн
25+99.09 грн
100+83.18 грн
250+78.49 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW43143KMLGT Infineon-CYW43143_Single_Chip_IEEE_802.11_b_g_n_MAC_PHY_Radio_with_USB_SDIO_Host_Interface_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee21f67687b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&
CYW43143KMLGT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU WIFI 56QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -97dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 256kB ROM, 448kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 65°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Power - Output: 21dBm
Protocol: 802.11b/g/n
Current - Receiving: 68mA ~ 94mA
Data Rate (Max): 150Mbps
Current - Transmitting: 368mA ~ 427mA
Supplier Device Package: 56-QFN (7x7)
GPIO: 19
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+297.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW43143KMLGT Infineon-CYW43143_Single_Chip_IEEE_802.11_b_g_n_MAC_PHY_Radio_with_USB_SDIO_Host_Interface_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee21f67687b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&
CYW43143KMLGT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU WIFI 56QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -97dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 256kB ROM, 448kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 65°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Power - Output: 21dBm
Protocol: 802.11b/g/n
Current - Receiving: 68mA ~ 94mA
Data Rate (Max): 150Mbps
Current - Transmitting: 368mA ~ 427mA
Supplier Device Package: 56-QFN (7x7)
GPIO: 19
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+468.72 грн
10+390.98 грн
25+370.03 грн
100+320.23 грн
250+304.04 грн
500+292.62 грн
1000+277.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC088N08NM6ATMA1 Infineon-ISC088N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f5b77422d42
ISC088N08NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC088N08NM6ATMA1 Infineon-ISC088N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f5b77422d42
ISC088N08NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 40 V
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.44 грн
10+88.23 грн
100+59.61 грн
500+44.44 грн
1000+40.74 грн
2000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC018N08NM6ATMA1 infineon-isc018n08nm6-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f9382112e16
ISC018N08NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+322.15 грн
10+204.17 грн
50+158.53 грн
100+134.97 грн
500+114.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N08NM6ATMA1 Infineon-ISC151N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f802c4e2ddb
ISC151N08NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N08NM6ATMA1 Infineon-ISC151N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f802c4e2ddb
ISC151N08NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF irl620.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8304MTRPBF irf8304mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d20db1d5d
IRF8304MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61
IRF8308MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF description ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
IR21271PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
127+161.75 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF description ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
IR21271PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOFX20MIPI001TOBO1 infineon-ez-usb-fx20-demo-board-demo-fx20-mipi-001-usermanual-en.pdf
DEMOFX20MIPI001TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR CYUSB402X
Packaging: Box
Function: USB
Type: Interface
Contents: Board(s), Cable(s)
Utilized IC / Part: CYUSB402x
Embedded: Yes, FPGA
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+17212.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S6J332DJEESE20000 Infineon-S6J3310_Series_S6J3320_Series_S6J3330_Series_S6J3340_Series_32-bit_Microcontroller_TRAVEO_T1G_Family-AdditionalTechnicalInformation-v17_00-EN.PDF?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edb39375e0e
S6J332DJEESE20000
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRAVEO-40NM
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 240MHz
Program Memory Size: 3.0625MB (3.0625M x 8)
RAM Size: 544K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 112K x 8
Core Processor: Arm® Cortex®-R5F
Data Converters: A/D 48x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-TEQFP (24x24)
Number of I/O: 150
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDFW80C65D1XKSA1 Infineon-IDFW80C65D1-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174da579c702296
IDFW80C65D1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR GP 650V 74A TO247-3-AI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 74A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+221.90 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSE846GPS2DBZC4XQSA1 infineon-psoc-edge-e8x-consumer-datasheet-datasheet-en.pdf
PSE846GPS2DBZC4XQSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IOT-EDGE
Packaging: Tray
Package / Case: 220-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz, 400MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 5M x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: NVSRAM
Core Processor: ARM® Cortex®-M55, ARM® Ethos-U55
Data Converters: A/D 17x20b SAR; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Dual-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, Ethernet, I2C, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: AES, Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, PWM, RSA, SHA, TRNG, WDT
Supplier Device Package: 220-FBGA (10x10)
Number of I/O: 147
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+910.79 грн
10+689.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9261BQXXUMA2 Infineon-TLE9261BQX-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016073c1554f5b04
TLE9261BQXXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIREG SYST BASIS CHIPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Applications: System Basis Chip
Current - Supply: 3.5mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.36 грн
10+169.98 грн
25+155.97 грн
100+131.89 грн
250+124.98 грн
500+123.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N038TATMA1 Infineon-IAUTN15S6N038T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196fdc7cc9b7125
IAUTN15S6N038TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N038TATMA1 Infineon-IAUTN15S6N038T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196fdc7cc9b7125
IAUTN15S6N038TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+467.94 грн
10+347.65 грн
25+321.81 грн
100+275.38 грн
250+262.68 грн
500+255.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025TATMA1 Infineon-IAUTN15S6N025T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9715623e0197399048cf5802
IAUTN15S6N025TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025TATMA1 Infineon-IAUTN15S6N025T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9715623e0197399048cf5802
IAUTN15S6N025TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 245A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+612.16 грн
10+457.93 грн
25+425.16 грн
100+365.11 грн
250+348.98 грн
500+339.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010EZS IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF1010EZS
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUIRF1010 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+604.51 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4147LQEHVS136XXQLA1 Infineon-CY8C41x7_PSOC_4_high_voltage_HV_mixed_signal_MS_Automotive_MCU_Based_on_32-bit_Arm_Cortex_-M0-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a470195817786015ddd
CY8C4147LQEHVS136XXQLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC BASED - HV FAMILY
Packaging: Tray
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 24x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.6V ~ 28V
Connectivity: FIFO, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, Temp Sensor, WDT
Supplier Device Package: 32-QFN (6x6)
Grade: Automotive
Number of I/O: 49
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+736.79 грн
10+554.46 грн
25+515.79 грн
100+444.13 грн
260+424.41 грн
520+413.07 грн
1040+397.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M2HXKSA1 IMZA75R060M2HXKSA1.pdf
IMZA75R060M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMZA75R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 13.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 500 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+650.57 грн
30+366.60 грн
60+335.67 грн
120+290.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149
GS0650302LMRXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS-065-030-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+377.08 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149
GS0650302LMRXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS-065-030-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+799.49 грн
10+532.58 грн
50+431.04 грн
100+390.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC300N20NM6ATMA1 infineon-isc300n20nm6-datasheet-en.pdf
ISC300N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC300N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 24A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC300N20NM6ATMA1 infineon-isc300n20nm6-datasheet-en.pdf
ISC300N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC300N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 24A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
на замовлення 4326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.20 грн
10+169.68 грн
100+117.81 грн
500+89.76 грн
1000+83.08 грн
2000+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+614.51 грн
25+352.09 грн
50+321.04 грн
100+276.78 грн
500+233.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 771 772 773 774 775 776 777 778 779 780 781 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]