Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149641) > Сторінка 780 з 2495

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 775 776 777 778 779 780 781 782 783 784 785 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRFZ44NS AUIRFZ44NS Infineon Technologies AUIRFZ44NS%2CNL.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11TFV020 S29GL01GS11TFV020 Infineon Technologies infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1174.01 грн
10+1048.93 грн
25+1016.18 грн
91+910.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ675R65KE4NPSA1 FZ675R65KE4NPSA1 Infineon Technologies Infineon-FZ675R65KE4-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d08c52241d01 Description: IGBT MODULE 6.5KV 675A 2.4MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -50°C ~ 135°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.25V @ 15V, 675A
NTC Thermistor: No
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 675 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6.5 kV
Power - Max: 2.4 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 163000 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+108601.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102PBF IR2102PBF Infineon Technologies IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 32555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+221.95 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102PBF IR2102PBF Infineon Technologies IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16 BC807-16 Infineon Technologies INFNS11647-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1416+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 1416
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7434GPBF IRFB7434GPBF Infineon Technologies IR_PartNumberingSystem.pdf Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10879.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4148AZES595TXUMA1 CY8C4148AZES595TXUMA1 Infineon Technologies infineon-automotive-psoc-4100s-plus-datasheet-en-09018a9080860d3f.pdf Description: PSOC4 - GENERAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x12b SAR, Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, Crypto - AES, DMA, I2S, LCD, POR, PWM, SHA, TRNG, WDT
Supplier Device Package: 64-TQFP (10x10)
Grade: Automotive
Number of I/O: 54
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103PBF IR2103PBF Infineon Technologies ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.39 грн
10+129.79 грн
50+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404S AUIRL1404S Infineon Technologies AUIRL1404S%2CL.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 160A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+159.57 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404S AUIRL1404S Infineon Technologies AUIRL1404S%2CL.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 160A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZS AUIRL1404ZS Infineon Technologies INFN-S-A0002298850-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUIRL1404ZS - 20V-40V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+139.98 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404Z AUIRL1404Z Infineon Technologies auirl1404z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355baaaa3153e Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZSTRL AUIRL1404ZSTRL Infineon Technologies auirl1404z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355baaaa3153e Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZSTRL AUIRL1404ZSTRL Infineon Technologies auirl1404z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355baaaa3153e Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404STRL AUIRL1404STRL Infineon Technologies AUIRL1404S%2CL.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 160A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS1000R08A7P3BHPSA1 Infineon Technologies infineon-fs1000r08a7p3b-datasheet-en.pdf Description: IGBT MOD 750V 600A AGHDG2XT-7611
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-HDG2XT-7611
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60800 pF @ 50 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28282.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt034n15nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt034n15nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.14 грн
10+234.35 грн
100+167.07 грн
500+148.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1111-40LQXI CYPM1111-40LQXI Infineon Technologies Infineon-PMG1-S1_Datasheet_Power_Delivery_Microcontroller_Gen1-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea45a6733a Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 40QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 12K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D - 8bit SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, Temp Sensor, WDT
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Number of I/O: 17
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1111-40LQXIT CYPM1111-40LQXIT Infineon Technologies Infineon-PMG1-S1_Datasheet_Power_Delivery_Microcontroller_Gen1-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea45a6733a Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 40QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 12K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, Temp Sensor, WDT
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Number of I/O: 17
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF011N08NM6ATMA1 IPF011N08NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipf011n08nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 271A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMBABYCRYSOFT1 RMBABYCRYSOFT1 Infineon Technologies Description: SOFTWARE
Packaging: Electronic Delivery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 IGLT65R055B2AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IGLT65R055B2_PDS-DataSheet-v00_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0195477557591d01 Description: HV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 IGLT65R055B2AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IGLT65R055B2_PDS-DataSheet-v00_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0195477557591d01 Description: HV GAN DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.35 грн
10+536.72 грн
100+451.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U50N08W1R_B23 DDB2U50N08W1R_B23 Infineon Technologies Infineon-DDB2U50N08W1R_B23-DS-v03_00-EN-219386.pdf Bridge Rectifiers Bridge Rectifier 600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6327 BA 592 E6327 Infineon Technologies ba592_ba892series.pdf PIN Diodes PIN 35 V 100 mA
на замовлення 13284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+15.58 грн
39+9.20 грн
100+6.29 грн
500+5.98 грн
1000+5.67 грн
3000+5.28 грн
6000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BA595E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 14327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELE6327XTMA1 BAR9002ELE6327XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BAR90-02EL-DS-v01_00-EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+11.68 грн
52+6.87 грн
100+4.66 грн
500+4.43 грн
1000+4.19 грн
2500+3.96 грн
5000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 81W H6327 BAR 81W H6327 Infineon Technologies bar81series.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 7092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.24 грн
16+23.21 грн
100+17.23 грн
500+16.69 грн
1000+16.30 грн
3000+15.60 грн
6000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6433 Infineon Technologies ba592_ba892series-87652.pdf PIN Diodes Silicon RF Switching Diode 35V 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-02V H6327 BAR 63-02V H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.45 грн
19+19.11 грн
100+9.39 грн
500+6.37 грн
1000+5.05 грн
3000+4.35 грн
6000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BA 595 E6327 Infineon Technologies Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04 E6327 BAR 64-04 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_04_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 63672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.08 грн
18+20.53 грн
100+10.17 грн
500+6.83 грн
1000+5.43 грн
3000+4.66 грн
6000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 88-02V H6327 BAR 88-02V H6327 Infineon Technologies bar88series-86027.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.29 грн
11+33.75 грн
100+18.32 грн
500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-04 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diodes
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.83 грн
29+12.41 грн
100+9.01 грн
500+8.54 грн
1000+8.23 грн
3000+7.69 грн
6000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 BAR8802VH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAR88SERIES-DS-v01_01-en-1730988.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 17280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.29 грн
11+33.75 грн
100+18.32 грн
500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 18-04 E6327 BAT 18-04 E6327 Infineon Technologies bat18series.pdf PIN Diodes Silicon RF Switching Diode
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.06 грн
11+33.84 грн
100+19.33 грн
500+14.75 грн
1000+13.04 грн
3000+11.26 грн
6000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5602VH6327XTSA1 BBY5602VH6327XTSA1 Infineon Technologies bby56series_2014-59205.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 60374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+15.49 грн
28+13.03 грн
100+9.08 грн
3000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 61 E6327 Infineon Technologies bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 140mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 BAR6405WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BAR64_05W_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 20162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+13.22 грн
45+7.95 грн
100+6.21 грн
500+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 BAR6404WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 7184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+18.66 грн
33+10.98 грн
100+7.45 грн
500+7.06 грн
1000+6.83 грн
3000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-06W H6327 BAR 64-06W H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_06W_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 5207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+18.66 грн
33+10.98 грн
100+7.45 грн
500+7.06 грн
1000+6.83 грн
3000+6.37 грн
6000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402ELE6327XTMA1 BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon Technologies Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-06 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diodes
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.83 грн
28+13.12 грн
100+9.01 грн
500+8.54 грн
1000+8.23 грн
3000+7.22 грн
6000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02EL E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 14838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.70 грн
16+23.57 грн
100+11.64 грн
500+7.84 грн
1000+5.98 грн
2500+5.28 грн
5000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 89-02LRH E6327 Infineon Technologies bar89-89034.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode
на замовлення 14999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAR90-02ELS-DS-v01_00-EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+12.50 грн
49+7.41 грн
100+5.05 грн
500+4.74 грн
1000+4.50 грн
2500+4.19 грн
5000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02V H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_02V_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 6958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.26 грн
19+19.82 грн
100+9.78 грн
500+6.60 грн
1000+5.20 грн
3000+4.50 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-05 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_05_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+10.14 грн
60+5.98 грн
100+4.04 грн
500+3.80 грн
1000+3.57 грн
3000+3.34 грн
6000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 14-1 E6327 BAR 14-1 E6327 Infineon Technologies bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04W H6327 BAR 64-04W H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 15-1 E6327 BAR 15-1 E6327 Infineon Technologies bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.10 грн
10+37.85 грн
100+22.44 грн
500+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 90-02EL E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR90_02EL_DS_v01_00_EN-1840578.pdf PIN Diodes RF DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 BAR6303WE6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes PIN 50 V 100 mA
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+10.87 грн
57+6.34 грн
100+4.43 грн
500+4.04 грн
1000+3.88 грн
3000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-05W H6327 BAR 64-05W H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_05W_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.30 грн
15+24.64 грн
100+13.90 грн
500+10.25 грн
1000+9.32 грн
3000+7.92 грн
6000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-04W H6327 BAR 63-04W H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.41 грн
14+27.32 грн
100+13.51 грн
500+9.08 грн
1000+6.99 грн
3000+6.06 грн
6000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302VH6327XTSA1 BAR6302VH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+9.33 грн
63+5.71 грн
100+3.80 грн
500+3.57 грн
3000+3.49 грн
9000+3.42 грн
24000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-06W H6327 BAR 63-06W H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 8152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+15.62 грн
100+11.64 грн
1000+10.33 грн
3000+9.08 грн
6000+5.20 грн
9000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 50-02V H6327 BAR 50-02V H6327 Infineon Technologies bar50series-55254.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 6820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.60 грн
15+24.28 грн
100+11.96 грн
500+8.07 грн
1000+6.06 грн
3000+5.20 грн
6000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44NS AUIRFZ44NS%2CNL.pdf
AUIRFZ44NS
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11TFV020 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
S29GL01GS11TFV020
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1174.01 грн
10+1048.93 грн
25+1016.18 грн
91+910.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ675R65KE4NPSA1 Infineon-FZ675R65KE4-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d08c52241d01
FZ675R65KE4NPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 6.5KV 675A 2.4MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -50°C ~ 135°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.25V @ 15V, 675A
NTC Thermistor: No
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 675 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6.5 kV
Power - Max: 2.4 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 163000 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+108601.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102PBF description IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2102PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 32555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+221.95 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102PBF description IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2102PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16 INFNS11647-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC807-16
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1416+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 1416
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7434GPBF IR_PartNumberingSystem.pdf
IRFB7434GPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+10879.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4148AZES595TXUMA1 infineon-automotive-psoc-4100s-plus-datasheet-en-09018a9080860d3f.pdf
CY8C4148AZES595TXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC4 - GENERAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x12b SAR, Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, Crypto - AES, DMA, I2S, LCD, POR, PWM, SHA, TRNG, WDT
Supplier Device Package: 64-TQFP (10x10)
Grade: Automotive
Number of I/O: 54
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103PBF ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f
IR2103PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.39 грн
10+129.79 грн
50+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404S AUIRL1404S%2CL.pdf
AUIRL1404S
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+159.57 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404S AUIRL1404S%2CL.pdf
AUIRL1404S
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZS INFN-S-A0002298850-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRL1404ZS
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUIRL1404ZS - 20V-40V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
156+139.98 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404Z auirl1404z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355baaaa3153e
AUIRL1404Z
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZSTRL auirl1404z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355baaaa3153e
AUIRL1404ZSTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZSTRL auirl1404z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355baaaa3153e
AUIRL1404ZSTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404STRL AUIRL1404S%2CL.pdf
AUIRL1404STRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS1000R08A7P3BHPSA1 infineon-fs1000r08a7p3b-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 750V 600A AGHDG2XT-7611
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-HDG2XT-7611
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60800 pF @ 50 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+28282.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1 infineon-ipt034n15nm6-datasheet-en.pdf
IPT034N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1 infineon-ipt034n15nm6-datasheet-en.pdf
IPT034N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.14 грн
10+234.35 грн
100+167.07 грн
500+148.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1111-40LQXI Infineon-PMG1-S1_Datasheet_Power_Delivery_Microcontroller_Gen1-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea45a6733a
CYPM1111-40LQXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 40QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 12K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D - 8bit SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, Temp Sensor, WDT
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Number of I/O: 17
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1111-40LQXIT Infineon-PMG1-S1_Datasheet_Power_Delivery_Microcontroller_Gen1-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea45a6733a
CYPM1111-40LQXIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 40QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 12K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, Temp Sensor, WDT
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Number of I/O: 17
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF011N08NM6ATMA1 infineon-ipf011n08nm6-datasheet-en.pdf
IPF011N08NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 271A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMBABYCRYSOFT1
RMBABYCRYSOFT1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SOFTWARE
Packaging: Electronic Delivery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 Infineon-IGLT65R055B2_PDS-DataSheet-v00_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0195477557591d01
IGLT65R055B2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 Infineon-IGLT65R055B2_PDS-DataSheet-v00_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0195477557591d01
IGLT65R055B2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HV GAN DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+805.35 грн
10+536.72 грн
100+451.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U50N08W1R_B23 Infineon-DDB2U50N08W1R_B23-DS-v03_00-EN-219386.pdf
DDB2U50N08W1R_B23
Виробник: Infineon Technologies
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier 600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6327 ba592_ba892series.pdf
BA 592 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 35 V 100 mA
на замовлення 13284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.58 грн
39+9.20 грн
100+6.29 грн
500+5.98 грн
1000+5.67 грн
3000+5.28 грн
6000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BA595E6327HTSA1 Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 14327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELE6327XTMA1 Infineon-BAR90-02EL-DS-v01_00-EN.pdf
BAR9002ELE6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+11.68 грн
52+6.87 грн
100+4.66 грн
500+4.43 грн
1000+4.19 грн
2500+3.96 грн
5000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 81W H6327 bar81series.pdf
BAR 81W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 7092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.24 грн
16+23.21 грн
100+17.23 грн
500+16.69 грн
1000+16.30 грн
3000+15.60 грн
6000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6433 ba592_ba892series-87652.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode 35V 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-02V H6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 63-02V H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.45 грн
19+19.11 грн
100+9.39 грн
500+6.37 грн
1000+5.05 грн
3000+4.35 грн
6000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BA 595 E6327 Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04 E6327 Infineon_BAR64_04_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 64-04 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 63672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.08 грн
18+20.53 грн
100+10.17 грн
500+6.83 грн
1000+5.43 грн
3000+4.66 грн
6000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 88-02V H6327 bar88series-86027.pdf
BAR 88-02V H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.29 грн
11+33.75 грн
100+18.32 грн
500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-04 E6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.83 грн
29+12.41 грн
100+9.01 грн
500+8.54 грн
1000+8.23 грн
3000+7.69 грн
6000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 Infineon-BAR88SERIES-DS-v01_01-en-1730988.pdf
BAR8802VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 17280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.29 грн
11+33.75 грн
100+18.32 грн
500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 18-04 E6327 bat18series.pdf
BAT 18-04 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.06 грн
11+33.84 грн
100+19.33 грн
500+14.75 грн
1000+13.04 грн
3000+11.26 грн
6000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5602VH6327XTSA1 bby56series_2014-59205.pdf
BBY5602VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 60374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.49 грн
28+13.03 грн
100+9.08 грн
3000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 61 E6327 bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 140mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 Infineon_BAR64_05W_DS_v01_01_EN.pdf
BAR6405WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 20162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+13.22 грн
45+7.95 грн
100+6.21 грн
500+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN.pdf
BAR6404WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 7184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.66 грн
33+10.98 грн
100+7.45 грн
500+7.06 грн
1000+6.83 грн
3000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-06W H6327 Infineon_BAR64_06W_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 64-06W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 5207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.66 грн
33+10.98 грн
100+7.45 грн
500+7.06 грн
1000+6.83 грн
3000+6.37 грн
6000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN.pdf
BAR6402ELE6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-06 E6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.83 грн
28+13.12 грн
100+9.01 грн
500+8.54 грн
1000+8.23 грн
3000+7.22 грн
6000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02EL E6327 Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 14838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+32.70 грн
16+23.57 грн
100+11.64 грн
500+7.84 грн
1000+5.98 грн
2500+5.28 грн
5000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 89-02LRH E6327 bar89-89034.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode
на замовлення 14999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELSE6327XTSA1 Infineon-BAR90-02ELS-DS-v01_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.50 грн
49+7.41 грн
100+5.05 грн
500+4.74 грн
1000+4.50 грн
2500+4.19 грн
5000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02V H6327 Infineon_BAR64_02V_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 6958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+27.26 грн
19+19.82 грн
100+9.78 грн
500+6.60 грн
1000+5.20 грн
3000+4.50 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-05 E6327 Infineon_BAR64_05_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+10.14 грн
60+5.98 грн
100+4.04 грн
500+3.80 грн
1000+3.57 грн
3000+3.34 грн
6000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 14-1 E6327 bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf
BAR 14-1 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04W H6327 Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 64-04W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 15-1 E6327 bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf
BAR 15-1 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.10 грн
10+37.85 грн
100+22.44 грн
500+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 90-02EL E6327 Infineon_BAR90_02EL_DS_v01_00_EN-1840578.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf
BAR6303WE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 50 V 100 mA
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.87 грн
57+6.34 грн
100+4.43 грн
500+4.04 грн
1000+3.88 грн
3000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-05W H6327 Infineon_BAR64_05W_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 64-05W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.30 грн
15+24.64 грн
100+13.90 грн
500+10.25 грн
1000+9.32 грн
3000+7.92 грн
6000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-04W H6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 63-04W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.41 грн
14+27.32 грн
100+13.51 грн
500+9.08 грн
1000+6.99 грн
3000+6.06 грн
6000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302VH6327XTSA1 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf
BAR6302VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+9.33 грн
63+5.71 грн
100+3.80 грн
500+3.57 грн
3000+3.49 грн
9000+3.42 грн
24000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-06W H6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 63-06W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 8152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.62 грн
100+11.64 грн
1000+10.33 грн
3000+9.08 грн
6000+5.20 грн
9000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 50-02V H6327 bar50series-55254.pdf
BAR 50-02V H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 6820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.60 грн
15+24.28 грн
100+11.96 грн
500+8.07 грн
1000+6.06 грн
3000+5.20 грн
6000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 775 776 777 778 779 780 781 782 783 784 785 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]