Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119460) > Сторінка 775 з 1991

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 770 771 772 773 774 775 776 777 778 779 780 796 995 1194 1393 1592 1791 1990 1991  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRS2184PBF IRS2184PBF Infineon Technologies irs2184.pdf?fileId=5546d462533600a401535676d8da27db Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XE164GN-24F80L AA SAF-XE164GN-24F80L AA Infineon Technologies Infineon-SAK-XE164FN-40F80LR%20AB-DataSheet-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc5cc3b160cb9 Description: IC MCU 16BIT 192KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 192KB (192K x 8)
RAM Size: 26K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 11x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-8
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSC3M5FDS2ACQ1AQSA1 PSC3M5FDS2ACQ1AQSA1 Infineon Technologies PSC3M5FDx.pdf Description: PSOC CONTROL CHIP
Packaging: Tray
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.75 грн
10+350.46 грн
25+324.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMYR140R019M2HXLSA1 IMYR140R019M2HXLSA1 Infineon Technologies Infineon-IMYR140R019M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196ce35e71616a0 Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-18
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 1000 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1091.35 грн
30+649.22 грн
120+561.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMYR140R029M2HXLSA1 IMYR140R029M2HXLSA1 Infineon Technologies Infineon-IMYR140R029M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196ce4622891d4d Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 27.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-18
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMYR140R024M2HXLSA1 IMYR140R024M2HXLSA1 Infineon Technologies Infineon-IMYR140R024M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196ce36d06f16d4 Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-18
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA535N6E6327XTSA1 BGA535N6E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA535N6-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01914688b9c83f20 Description: RF MMIC SUB 3 GHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.164GHz ~ 1.615GHz
RF Type: GNSS
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.3V
Gain: 18dB
Current - Supply: 2.3mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: -4.5dBm
Test Frequency: 1.575GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA535N6E6327XTSA1 BGA535N6E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA535N6-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01914688b9c83f20 Description: RF MMIC SUB 3 GHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.164GHz ~ 1.615GHz
RF Type: GNSS
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.3V
Gain: 18dB
Current - Supply: 2.3mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: -4.5dBm
Test Frequency: 1.575GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-10
на замовлення 9042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.20 грн
11+28.78 грн
25+27.18 грн
100+23.34 грн
250+22.03 грн
500+21.11 грн
1000+19.90 грн
5000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF IRS21064PBF Infineon Technologies INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+194.15 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF IRS21064PBF Infineon Technologies INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL5615PBF IRFSL5615PBF Infineon Technologies irfs5615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a5d3521c4 Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+97.53 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60CFDFKSA1 SPW20N60CFDFKSA1 Infineon Technologies SPW20N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c02c5464d Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+198.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DD89N12KHPSA1 DD89N12KHPSA1 Infineon Technologies INFNS29284-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE MODULE GP 1200V 89A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 89A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 1200 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7400.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD171N12KKHPSA2 DD171N12KKHPSA2 Infineon Technologies Infineon-DD171N-DataSheet-v03_01-EN.pdf Description: DIODE MODULE GEN PURP 1200V 171A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 171A
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 1200 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10149.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD350N12KHPSA1 DD350N12KHPSA1 Infineon Technologies Infineon-DD350N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fbc334d50 Description: DIODE MOD GP 1200V 350A MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 350A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 1000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 mA @ 1200 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10771.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DD350N12KHPSA1 DD350N12KHPSA1 Infineon Technologies Infineon-DD350N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fbc334d50 Description: DIODE MOD GP 1200V 350A MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 350A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 1000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 mA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ND89N12KXPSA1 Infineon Technologies infineon-dd89n-ds-en-de.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42f6f3e4b72&fileId=db3a304412b407950112b42fb9c84d3a&location=en.Products.Power_Modules_and_Discs.Thyristor___Diode_Modules.PowerBLOCK_Rect Description: DIODE STANDARD 1200V 89A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 89A
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M2HXKSA1 IMZA120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imza120r040m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601968fd4e92d5db4 Description: IMZA120R040M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.28 грн
30+388.13 грн
120+330.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ICE184EMXUMA1 ICE184EMXUMA1 Infineon Technologies infineon-ice18xem-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196807d354e048a Description: ICE184EMXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 27-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Frequency - Switching: 25kHz ~ 150kHz
Internal Switch(s): No
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.4V ~ 14.6V, 9.45V ~ 28.9V
Supplier Device Package: PG-DSO-27-1
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage - Start Up: 20 V
Control Features: Soft Start
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE184EMXUMA1 ICE184EMXUMA1 Infineon Technologies infineon-ice18xem-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196807d354e048a Description: ICE184EMXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 27-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Frequency - Switching: 25kHz ~ 150kHz
Internal Switch(s): No
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.4V ~ 14.6V, 9.45V ~ 28.9V
Supplier Device Package: PG-DSO-27-1
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage - Start Up: 20 V
Control Features: Soft Start
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.43 грн
10+192.18 грн
25+176.62 грн
100+149.66 грн
250+141.98 грн
500+141.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE186EMXUMA1 ICE186EMXUMA1 Infineon Technologies infineon-ice18xem-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196807d354e048a Description: ICE186EMXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 27-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Frequency - Switching: 25kHz ~ 150kHz
Internal Switch(s): No
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.4V ~ 14.6V, 9.45V ~ 28.9V
Supplier Device Package: PG-DSO-27-1
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage - Start Up: 20 V
Control Features: Soft Start
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+188.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ICE186EMXUMA1 ICE186EMXUMA1 Infineon Technologies infineon-ice18xem-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196807d354e048a Description: ICE186EMXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 27-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Frequency - Switching: 25kHz ~ 150kHz
Internal Switch(s): No
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.4V ~ 14.6V, 9.45V ~ 28.9V
Supplier Device Package: PG-DSO-27-1
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage - Start Up: 20 V
Control Features: Soft Start
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.93 грн
10+242.51 грн
25+223.45 грн
100+190.05 грн
250+181.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBF Infineon Technologies 91237.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBF IRF1404ZSPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 279
В кошику  од. на суму  грн.
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 Infineon Technologies 448_FS17MR12W2M1H_B11_A.pdf Description: FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Three Phase Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6533.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDT06S60 SDT06S60 Infineon Technologies SDP_T06S60_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b439cfc26eec description Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XDPE19283B0000XUMA1 XDPE19283B0000XUMA1 Infineon Technologies Infineon-XDPE19283B-0000-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ee0d7c1bd357d Description: IFX PRIMARION CNTRLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: 0.25V ~ 2.8V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Applications: Controller, AMD
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-13
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XDPE19283B0000XUMA1 XDPE19283B0000XUMA1 Infineon Technologies Infineon-XDPE19283B-0000-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ee0d7c1bd357d Description: IFX PRIMARION CNTRLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: 0.25V ~ 2.8V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Applications: Controller, AMD
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-13
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.51 грн
10+304.13 грн
25+281.09 грн
100+240.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOIMRBMSCTRLV1TOBO1 DEMOIMRBMSCTRLV1TOBO1 Infineon Technologies Infineon-UG091835_mobile_robot_IMR_battery_management_control_using_DEMO_IMR_BMSCTRL_V1-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec143879376df Description: DEMO_IMR_BMSCTRL_V1
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
Secondary Attributes: I2C/SPI Interface(s)
Embedded: Yes, MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOIMRBMSPWRV1TOBO1 DEMOIMRBMSPWRV1TOBO1 Infineon Technologies Infineon-UG092042_mobile_Robot_IMR_battery_management_system_power_using_DEMO_IMR_BMSPWR_V1-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec1438dbc76e3 Description: DEMO_IMR_BMSPWR_V1
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
Secondary Attributes: SPI Interface(s)
Embedded: Yes, MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA1 IPD50N06S4L08ATMA1 Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 567
В кошику  од. на суму  грн.
IDW12G65C5FKSA1 IDW12G65C5FKSA1 Infineon Technologies IDW12G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4699ca7206f Description: DIODE SIC 650V 12A PGTO247341
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD118B1W01005E6327XTSA1 ESD118B1W01005E6327XTSA1 Infineon Technologies ESD118B1W01005E6327XTSA1.pdf Description: TVS DIODES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: Telecom
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1GHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: SG-WLL-2-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 64W
Power Line Protection: No
на замовлення 14765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.26 грн
100+3.01 грн
117+2.59 грн
140+2.03 грн
250+1.84 грн
500+1.72 грн
1000+1.60 грн
2500+1.50 грн
5000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1 IPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-MOSFET_CoolMOS_CFD7_600V-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fdd5758e81db7 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+118.77 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1 IPD130N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD130N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7f00cb13d86 Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1 IPD130N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD130N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7f00cb13d86 Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.13 грн
10+72.17 грн
100+48.26 грн
500+35.67 грн
1000+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N100TFKSA1 IGW30N100TFKSA1 Infineon Technologies IGW30N100T.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1000V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/535ns
Switching Energy: 3.8mJ
Test Condition: 600V, 30A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 412 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1994.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CG10148AF Infineon Technologies Description: IC FRAM
Packaging: Tray
Memory Format: FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG10146AFT Infineon Technologies Description: IC MEMORY
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R060M1HXUMA1 AIMDQ75R060M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R060M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0af5e732ae0 Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+229.89 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R060M1HXUMA1 AIMDQ75R060M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R060M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0af5e732ae0 Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+535.12 грн
10+350.54 грн
100+270.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M2HXTMA1 AIMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R016M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95d1335f0195eb49b2bf6650 Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M2HXTMA1 AIMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R016M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95d1335f0195eb49b2bf6650 Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1199.32 грн
10+821.84 грн
100+775.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-04CRT CHL8328-04CRT Infineon Technologies IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 IGB08N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917ea612393266 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 20A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 87 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 IGB08N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917ea612393266 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 20A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 87 W
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.92 грн
10+135.76 грн
100+94.28 грн
500+75.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRG6B330UDPBF IRG6B330UDPBF Infineon Technologies irg6b330udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564cc78e2387 Description: IGBT TRENCH 330V 70A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.76V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/176ns
Test Condition: 196V, 25A, 10Ohm
Gate Charge: 85 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N75EH7XKSA1 IKWH50N75EH7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikwh50n75eh7-datasheet-en.pdf Description: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.99 грн
10+257.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB085N15NM6ATMA1 IPB085N15NM6ATMA1 Infineon Technologies DS_IPB085N15NM6_en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB085N15NM6ATMA1 IPB085N15NM6ATMA1 Infineon Technologies DS_IPB085N15NM6_en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.41 грн
10+127.17 грн
100+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC4D9XP20MF500MCABKXUMA1 TC4D9XP20MF500MCABKXUMA1 Infineon Technologies Description: AURIX 3G-ACEE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 672-FBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 500MHz
Program Memory Size: 20MB (20M x 8)
RAM Size: 10M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 64 SAR
Core Size: 32-Bit12
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, C2Slb, I2C, SCI, SPI
Supplier Device Package: PG-F2HBGA-436
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7590.98 грн
10+6143.78 грн
25+5852.65 грн
100+5192.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1318KV18-250BZI CY7C1318KV18-250BZI Infineon Technologies download Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2315BF104AXIXQMA1 CYUSB2315BF104AXIXQMA1 Infineon Technologies Description: CYUSB2315BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+993.56 грн
10+756.90 грн
25+706.83 грн
100+611.69 грн
348+579.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2316BF104AXIXQMA1 CYUSB2316BF104AXIXQMA1 Infineon Technologies Description: CYUSB2316BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1144.55 грн
10+875.55 грн
25+818.87 грн
100+710.04 грн
348+673.77 грн
696+658.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2317BF104AXIXQMA1 CYUSB2317BF104AXIXQMA1 Infineon Technologies Description: CYUSB2317BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1209.49 грн
10+926.86 грн
25+867.39 грн
100+752.67 грн
348+714.61 грн
696+698.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2318BF104AXIXQMA1 CYUSB2318BF104AXIXQMA1 Infineon Technologies Description: CYUSB2318BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1273.64 грн
10+977.93 грн
25+915.75 грн
100+795.23 грн
348+755.40 грн
696+738.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGA6L1BN6E6327XTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC RF AMP TSNP-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 17445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+65.16 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
ISC008N06LM6ATMA1 ISC008N06LM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc008n06lm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALAUDIOMA2304DNSBTOBO1 EVALAUDIOMA2304DNSBTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Evaluation_board_EVAL_AUDIO_MA2304DNS_B_and_EVAL_AUDIO_MA2304PNS_B-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d01894e562c0a37a9 Description: EVAL BOARD FOR MA2304DNS
Packaging: Bulk
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Amplifier Type: Class D
Contents: Board(s)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Max Output Power x Channels @ Load: 37W x 2 @ 4Ohm
Utilized IC / Part: MA2304DNS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17881.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF irs2184.pdf?fileId=5546d462533600a401535676d8da27db
IRS2184PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XE164GN-24F80L AA Infineon-SAK-XE164FN-40F80LR%20AB-DataSheet-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc5cc3b160cb9
SAF-XE164GN-24F80L AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 192KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 192KB (192K x 8)
RAM Size: 26K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 11x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-8
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSC3M5FDS2ACQ1AQSA1 PSC3M5FDx.pdf
PSC3M5FDS2ACQ1AQSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC CONTROL CHIP
Packaging: Tray
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.75 грн
10+350.46 грн
25+324.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMYR140R019M2HXLSA1 Infineon-IMYR140R019M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196ce35e71616a0
IMYR140R019M2HXLSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-18
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 1000 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1091.35 грн
30+649.22 грн
120+561.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMYR140R029M2HXLSA1 Infineon-IMYR140R029M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196ce4622891d4d
IMYR140R029M2HXLSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 27.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-18
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMYR140R024M2HXLSA1 Infineon-IMYR140R024M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196ce36d06f16d4
IMYR140R024M2HXLSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-18
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA535N6E6327XTSA1 Infineon-BGA535N6-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01914688b9c83f20
BGA535N6E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MMIC SUB 3 GHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.164GHz ~ 1.615GHz
RF Type: GNSS
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.3V
Gain: 18dB
Current - Supply: 2.3mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: -4.5dBm
Test Frequency: 1.575GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA535N6E6327XTSA1 Infineon-BGA535N6-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01914688b9c83f20
BGA535N6E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MMIC SUB 3 GHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.164GHz ~ 1.615GHz
RF Type: GNSS
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.3V
Gain: 18dB
Current - Supply: 2.3mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: -4.5dBm
Test Frequency: 1.575GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-10
на замовлення 9042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.20 грн
11+28.78 грн
25+27.18 грн
100+23.34 грн
250+22.03 грн
500+21.11 грн
1000+19.90 грн
5000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS21064PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+194.15 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS21064PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL5615PBF irfs5615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a5d3521c4
IRFSL5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
203+97.53 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60CFDFKSA1 SPW20N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c02c5464d
SPW20N60CFDFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+198.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DD89N12KHPSA1 INFNS29284-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
DD89N12KHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MODULE GP 1200V 89A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 89A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 1200 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7400.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD171N12KKHPSA2 Infineon-DD171N-DataSheet-v03_01-EN.pdf
DD171N12KKHPSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MODULE GEN PURP 1200V 171A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 171A
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 1200 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10149.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD350N12KHPSA1 Infineon-DD350N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fbc334d50
DD350N12KHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 1200V 350A MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 350A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 1000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 mA @ 1200 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+10771.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DD350N12KHPSA1 Infineon-DD350N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fbc334d50
DD350N12KHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 1200V 350A MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 350A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 1000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 mA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ND89N12KXPSA1 infineon-dd89n-ds-en-de.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42f6f3e4b72&fileId=db3a304412b407950112b42fb9c84d3a&location=en.Products.Power_Modules_and_Discs.Thyristor___Diode_Modules.PowerBLOCK_Rect
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STANDARD 1200V 89A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 89A
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M2HXKSA1 infineon-imza120r040m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601968fd4e92d5db4
IMZA120R040M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMZA120R040M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+678.28 грн
30+388.13 грн
120+330.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ICE184EMXUMA1 infineon-ice18xem-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196807d354e048a
ICE184EMXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ICE184EMXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 27-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Frequency - Switching: 25kHz ~ 150kHz
Internal Switch(s): No
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.4V ~ 14.6V, 9.45V ~ 28.9V
Supplier Device Package: PG-DSO-27-1
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage - Start Up: 20 V
Control Features: Soft Start
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE184EMXUMA1 infineon-ice18xem-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196807d354e048a
ICE184EMXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ICE184EMXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 27-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Frequency - Switching: 25kHz ~ 150kHz
Internal Switch(s): No
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.4V ~ 14.6V, 9.45V ~ 28.9V
Supplier Device Package: PG-DSO-27-1
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage - Start Up: 20 V
Control Features: Soft Start
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.43 грн
10+192.18 грн
25+176.62 грн
100+149.66 грн
250+141.98 грн
500+141.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE186EMXUMA1 infineon-ice18xem-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196807d354e048a
ICE186EMXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ICE186EMXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 27-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Frequency - Switching: 25kHz ~ 150kHz
Internal Switch(s): No
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.4V ~ 14.6V, 9.45V ~ 28.9V
Supplier Device Package: PG-DSO-27-1
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage - Start Up: 20 V
Control Features: Soft Start
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+188.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ICE186EMXUMA1 infineon-ice18xem-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196807d354e048a
ICE186EMXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ICE186EMXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 27-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Frequency - Switching: 25kHz ~ 150kHz
Internal Switch(s): No
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.4V ~ 14.6V, 9.45V ~ 28.9V
Supplier Device Package: PG-DSO-27-1
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage - Start Up: 20 V
Control Features: Soft Start
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.93 грн
10+242.51 грн
25+223.45 грн
100+190.05 грн
250+181.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBF 91237.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
279+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 279
В кошику  од. на суму  грн.
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 448_FS17MR12W2M1H_B11_A.pdf
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Three Phase Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6533.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDT06S60 description SDP_T06S60_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b439cfc26eec
SDT06S60
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XDPE19283B0000XUMA1 Infineon-XDPE19283B-0000-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ee0d7c1bd357d
XDPE19283B0000XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IFX PRIMARION CNTRLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: 0.25V ~ 2.8V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Applications: Controller, AMD
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-13
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XDPE19283B0000XUMA1 Infineon-XDPE19283B-0000-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ee0d7c1bd357d
XDPE19283B0000XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IFX PRIMARION CNTRLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: 0.25V ~ 2.8V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Applications: Controller, AMD
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-13
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.51 грн
10+304.13 грн
25+281.09 грн
100+240.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOIMRBMSCTRLV1TOBO1 Infineon-UG091835_mobile_robot_IMR_battery_management_control_using_DEMO_IMR_BMSCTRL_V1-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec143879376df
DEMOIMRBMSCTRLV1TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DEMO_IMR_BMSCTRL_V1
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
Secondary Attributes: I2C/SPI Interface(s)
Embedded: Yes, MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOIMRBMSPWRV1TOBO1 Infineon-UG092042_mobile_Robot_IMR_battery_management_system_power_using_DEMO_IMR_BMSPWR_V1-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec1438dbc76e3
DEMOIMRBMSPWRV1TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DEMO_IMR_BMSPWR_V1
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
Secondary Attributes: SPI Interface(s)
Embedded: Yes, MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA1 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
567+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 567
В кошику  од. на суму  грн.
IDW12G65C5FKSA1 IDW12G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4699ca7206f
IDW12G65C5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 12A PGTO247341
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD118B1W01005E6327XTSA1 ESD118B1W01005E6327XTSA1.pdf
ESD118B1W01005E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: Telecom
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1GHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: SG-WLL-2-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 64W
Power Line Protection: No
на замовлення 14765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+6.26 грн
100+3.01 грн
117+2.59 грн
140+2.03 грн
250+1.84 грн
500+1.72 грн
1000+1.60 грн
2500+1.50 грн
5000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1 Infineon-MOSFET_CoolMOS_CFD7_600V-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fdd5758e81db7
IPL60R140CFD7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+118.77 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1 Infineon-IPD130N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7f00cb13d86
IPD130N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1 Infineon-IPD130N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7f00cb13d86
IPD130N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.13 грн
10+72.17 грн
100+48.26 грн
500+35.67 грн
1000+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N100TFKSA1 IGW30N100T.pdf
IGW30N100TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1000V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/535ns
Switching Energy: 3.8mJ
Test Condition: 600V, 30A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 412 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1994.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CG10148AF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM
Packaging: Tray
Memory Format: FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG10146AFT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MEMORY
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R060M1HXUMA1 Infineon-AIMDQ75R060M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0af5e732ae0
AIMDQ75R060M1HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+229.89 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R060M1HXUMA1 Infineon-AIMDQ75R060M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0af5e732ae0
AIMDQ75R060M1HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+535.12 грн
10+350.54 грн
100+270.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon-AIMDQ75R016M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95d1335f0195eb49b2bf6650
AIMDQ75R016M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon-AIMDQ75R016M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95d1335f0195eb49b2bf6650
AIMDQ75R016M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1199.32 грн
10+821.84 грн
100+775.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-04CRT IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf
CHL8328-04CRT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 Infineon-IGB08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917ea612393266
IGB08N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 20A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 87 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 Infineon-IGB08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917ea612393266
IGB08N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 20A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 87 W
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.92 грн
10+135.76 грн
100+94.28 грн
500+75.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRG6B330UDPBF irg6b330udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564cc78e2387
IRG6B330UDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 330V 70A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.76V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/176ns
Test Condition: 196V, 25A, 10Ohm
Gate Charge: 85 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N75EH7XKSA1 infineon-ikwh50n75eh7-datasheet-en.pdf
IKWH50N75EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.99 грн
10+257.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB085N15NM6ATMA1 DS_IPB085N15NM6_en.pdf
IPB085N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB085N15NM6ATMA1 DS_IPB085N15NM6_en.pdf
IPB085N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.41 грн
10+127.17 грн
100+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC4D9XP20MF500MCABKXUMA1
TC4D9XP20MF500MCABKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AURIX 3G-ACEE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 672-FBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 500MHz
Program Memory Size: 20MB (20M x 8)
RAM Size: 10M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 64 SAR
Core Size: 32-Bit12
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, C2Slb, I2C, SCI, SPI
Supplier Device Package: PG-F2HBGA-436
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7590.98 грн
10+6143.78 грн
25+5852.65 грн
100+5192.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1318KV18-250BZI download
CY7C1318KV18-250BZI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2315BF104AXIXQMA1
CYUSB2315BF104AXIXQMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CYUSB2315BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+993.56 грн
10+756.90 грн
25+706.83 грн
100+611.69 грн
348+579.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2316BF104AXIXQMA1
CYUSB2316BF104AXIXQMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CYUSB2316BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1144.55 грн
10+875.55 грн
25+818.87 грн
100+710.04 грн
348+673.77 грн
696+658.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2317BF104AXIXQMA1
CYUSB2317BF104AXIXQMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CYUSB2317BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1209.49 грн
10+926.86 грн
25+867.39 грн
100+752.67 грн
348+714.61 грн
696+698.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2318BF104AXIXQMA1
CYUSB2318BF104AXIXQMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CYUSB2318BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1273.64 грн
10+977.93 грн
25+915.75 грн
100+795.23 грн
348+755.40 грн
696+738.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGA6L1BN6E6327XTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP TSNP-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 17445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
306+65.16 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
ISC008N06LM6ATMA1 infineon-isc008n06lm6-datasheet-en.pdf
ISC008N06LM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALAUDIOMA2304DNSBTOBO1 Infineon-Evaluation_board_EVAL_AUDIO_MA2304DNS_B_and_EVAL_AUDIO_MA2304PNS_B-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d01894e562c0a37a9
EVALAUDIOMA2304DNSBTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR MA2304DNS
Packaging: Bulk
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Amplifier Type: Class D
Contents: Board(s)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Max Output Power x Channels @ Load: 37W x 2 @ 4Ohm
Utilized IC / Part: MA2304DNS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17881.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 770 771 772 773 774 775 776 777 778 779 780 796 995 1194 1393 1592 1791 1990 1991  [ Наступна Сторінка >> ]