Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148446) > Сторінка 775 з 2475

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 770 771 772 773 774 775 776 777 778 779 780 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRS21271PBF IRS21271PBF Infineon Technologies irs2127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356768e7a27c0 Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TR IRLR7843TR Infineon Technologies IRLR7843%2C%20IRLU7843.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC30KPBF IRG4BC30KPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors description Description: IGBT 600V 28A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 58 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFL014NTR AUIRFL014NTR Infineon Technologies AUIRFL014N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR024N AUIRLR024N Infineon Technologies auirlr024n.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bb194b155f Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR024NTRL AUIRLR024NTRL Infineon Technologies auirlr024n.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bb194b155f Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF IRF8308MTRPBF Infineon Technologies irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61 Description: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R280P7SXKSA1 IPAW60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAW60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015accfa9ada0268 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2402TR IRLML2402TR Infineon Technologies IRLML2402.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21363STRPBF IR21363STRPBF Infineon Technologies Infineon-IR213-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8a02116a5 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21363STRPBF IR21363STRPBF Infineon Technologies Infineon-IR213-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8a02116a5 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.72 грн
10+176.03 грн
25+161.54 грн
100+136.64 грн
250+129.50 грн
500+125.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRGS4607DPBF IRGS4607DPBF Infineon Technologies IRGx4607DPbF.pdf Description: IGBT 600V 11A 58W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 9 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 58 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGS4607DPBF IRGS4607DPBF Infineon Technologies IRGx4607DPbF.pdf Description: IGBT 600V 11A 58W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 9 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 58 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+82.22 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB4607DPBF IRGB4607DPBF Infineon Technologies IRGx4607DPbF.pdf Description: IGBT 600V 11A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 9 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 58 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205ZS AUIRF3205ZS Infineon Technologies auirf3205z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac71f813a1 Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR024Z AUIRLR024Z Infineon Technologies auirlr024z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bb21601561 Description: MOSFET N CH 55V 16A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450PBF IRFP450PBF Infineon Technologies 91233.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZPBF IRFZ44VZPBF Infineon Technologies irfz44vzpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b60f62219 Description: MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CE6327HTSA1 BC847CE6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-Infineon-BC847SERIES_BC848SERIES_BC849SERIES_BC850SERIES-DS-v01_01-en-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f54161c8f4f97 Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 595059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9306+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 9306
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ48Z AUIRFZ48Z Infineon Technologies auirfz48z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ba11e01510 Description: MOSFET N-CH 55V 61A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54040LBAXUMA1 Infineon Technologies BTS54040-LBA.pdf Description: IC PWR SWITCH HISIDE PG-TSON-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54040LBBXUMA1 Infineon Technologies BTS54040-LBB.pdf Description: IC PWR SWITCH HISIDE PG-TSON-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54040LBEXUMA1 Infineon Technologies BTS54040-LBE.pdf Description: IC PWR SWITCH HISIDE PG-TSON-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54220LBAXUMA1 Infineon Technologies Automotive_Application_Guide_2016_BR.PDF?fileId=5546d46158f23e7b0158f8cac4de0051 Description: IC PWR SWITCH HISIDE PG-TSON-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54220LBEXUMA1 Infineon Technologies BTS54220-LBE.pdf Description: IC PWR SWITCH HISIDE PG-TSON-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS56033LBBXUMA1 Infineon Technologies BTS56033-LBB.pdf Description: IC PWR SWITCH HISIDE PG-TSON-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U50N08W1R_B23 DDB2U50N08W1R_B23 Infineon Technologies Infineon-DDB2U50N08W1R_B23-DS-v03_00-EN-219386.pdf Bridge Rectifiers Bridge Rectifier 600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6327 BA 592 E6327 Infineon Technologies ba592_ba892series-87652.pdf PIN Diodes PIN 35 V 100 mA
на замовлення 15043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+16.31 грн
36+9.64 грн
100+6.25 грн
1000+5.96 грн
3000+5.30 грн
9000+5.08 грн
24000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BA595E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 14327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELE6327XTMA1 BAR9002ELE6327XTMA1 Infineon Technologies Infineon_BAR90_02EL_DS_v01_00_EN-1840578.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 21965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+12.27 грн
47+7.28 грн
100+4.63 грн
1000+4.41 грн
2500+3.97 грн
15000+3.60 грн
45000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 81W H6327 BAR 81W H6327 Infineon Technologies bar81series-60108.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 7202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.14 грн
14+25.55 грн
100+18.39 грн
500+17.58 грн
1000+17.14 грн
3000+16.41 грн
6000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6433 Infineon Technologies ba592_ba892series-87652.pdf PIN Diodes Silicon RF Switching Diode 35V 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-02V H6327 BAR 63-02V H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN-1225922.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 7816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.95 грн
19+18.78 грн
100+8.24 грн
1000+4.93 грн
3000+4.19 грн
9000+3.46 грн
24000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BA 595 E6327 Infineon Technologies Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04 E6327 BAR 64-04 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_04_DS_v01_01_EN-1840576.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 82376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+17.94 грн
28+12.18 грн
100+8.75 грн
1000+4.93 грн
3000+4.19 грн
9000+3.53 грн
24000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 88-02V H6327 BAR 88-02V H6327 Infineon Technologies bar88series-86027.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.91 грн
11+31.98 грн
100+17.36 грн
500+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-04 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN-1225922.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diodes
на замовлення 8708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.83 грн
25+13.71 грн
100+8.75 грн
1000+8.61 грн
3000+7.72 грн
9000+7.43 грн
24000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 BAR8802VH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAR88SERIES-DS-v01_01-en-1730988.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 17280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.91 грн
11+31.98 грн
100+17.36 грн
500+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 18-04 E6327 BAT 18-04 E6327 Infineon Technologies bat18series-86075.pdf PIN Diodes Silicon RF Switching Diode
на замовлення 6767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.29 грн
11+32.49 грн
100+18.76 грн
500+14.49 грн
1000+12.95 грн
3000+10.30 грн
9000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5602VH6327XTSA1 BBY5602VH6327XTSA1 Infineon Technologies bby56series_2014-59205.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 69419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.46 грн
18+19.12 грн
100+14.49 грн
500+12.58 грн
1000+11.48 грн
3000+9.12 грн
9000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 61 E6327 Infineon Technologies bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 140mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 BAR6405WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BAR64_05W_DS_v01_01_EN-1840639.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 23672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+14.68 грн
35+9.73 грн
100+7.21 грн
500+6.92 грн
1000+6.77 грн
3000+6.40 грн
9000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 BAR6404WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN-1840487.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 10934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.90 грн
36+9.48 грн
100+6.92 грн
1000+6.62 грн
3000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-06W H6327 BAR 64-06W H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_06W_DS_v01_01_EN-2309295.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 8212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.57 грн
30+11.51 грн
100+7.43 грн
1000+7.14 грн
3000+6.40 грн
9000+6.03 грн
24000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402ELE6327XTMA1 BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon Technologies Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN-1840464.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 5212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+12.27 грн
48+7.19 грн
100+4.41 грн
1000+4.34 грн
2500+3.90 грн
15000+3.60 грн
45000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-06 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN-1225922.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diodes
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.88 грн
15+23.77 грн
100+13.98 грн
1000+9.86 грн
3000+8.53 грн
9000+7.50 грн
24000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02EL E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN-1840464.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 13912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.57 грн
25+13.62 грн
100+9.86 грн
1000+5.44 грн
2500+5.00 грн
10000+3.97 грн
15000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 89-02LRH E6327 Infineon Technologies bar89-89034.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode
на замовлення 14999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BAR90_02ELS_DS_v01_00_EN-1519115.pdf PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 23700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+8.75 грн
52+6.60 грн
100+4.49 грн
1000+4.27 грн
2500+4.19 грн
10000+3.97 грн
15000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02V H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_02V_DS_v01_01_EN-1840486.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 9548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+17.17 грн
29+11.84 грн
100+8.39 грн
1000+4.71 грн
3000+3.97 грн
9000+3.38 грн
24000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-05 E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_05_DS_v01_01_EN-2309254.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 17446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+17.94 грн
28+12.18 грн
100+8.75 грн
1000+4.93 грн
3000+4.19 грн
9000+3.53 грн
24000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 14-1 E6327 BAR 14-1 E6327 Infineon Technologies bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04W H6327 BAR 64-04W H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN-1840487.pdf PIN Diodes RF DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 15-1 E6327 BAR 15-1 E6327 Infineon Technologies bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.63 грн
10+35.87 грн
100+21.26 грн
500+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 90-02EL E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR90_02EL_DS_v01_00_EN-1840578.pdf PIN Diodes RF DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 BAR6303WE6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN-1225922.pdf PIN Diodes PIN 50 V 100 mA
на замовлення 10736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
31+11.42 грн
51+6.68 грн
100+4.34 грн
1000+4.12 грн
3000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-05W H6327 BAR 64-05W H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_05W_DS_v01_01_EN-1840639.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.98 грн
15+23.52 грн
100+12.29 грн
500+11.40 грн
1000+8.39 грн
3000+7.14 грн
9000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-04W H6327 BAR 63-04W H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN-1225922.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 13335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.83 грн
23+15.31 грн
100+11.26 грн
1000+6.18 грн
3000+5.74 грн
9000+4.56 грн
24000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302VH6327XTSA1 BAR6302VH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN-1225922.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 13976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+9.78 грн
58+5.92 грн
100+3.60 грн
1000+3.53 грн
3000+3.16 грн
9000+2.94 грн
24000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-06W H6327 BAR 63-06W H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN-1225922.pdf PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 8717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+17.17 грн
35+9.73 грн
100+6.25 грн
1000+6.18 грн
3000+5.30 грн
9000+4.19 грн
24000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21271PBF irs2127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356768e7a27c0
IRS21271PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TR IRLR7843%2C%20IRLU7843.pdf
IRLR7843TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC30KPBF description fundamentals-of-power-semiconductors
IRG4BC30KPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 28A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 58 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFL014NTR AUIRFL014N.pdf
AUIRFL014NTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR024N auirlr024n.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bb194b155f
AUIRLR024N
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR024NTRL auirlr024n.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bb194b155f
AUIRLR024NTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8308MTRPBF irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61
IRF8308MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R280P7SXKSA1 Infineon-IPAW60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015accfa9ada0268
IPAW60R280P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2402TR IRLML2402.pdf
IRLML2402TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21363STRPBF Infineon-IR213-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8a02116a5
IR21363STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21363STRPBF Infineon-IR213-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8a02116a5
IR21363STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.72 грн
10+176.03 грн
25+161.54 грн
100+136.64 грн
250+129.50 грн
500+125.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRGS4607DPBF IRGx4607DPbF.pdf
IRGS4607DPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 11A 58W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 9 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 58 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGS4607DPBF IRGx4607DPbF.pdf
IRGS4607DPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 11A 58W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 9 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 58 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
268+82.22 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB4607DPBF IRGx4607DPbF.pdf
IRGB4607DPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 11A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 9 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 58 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205ZS auirf3205z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac71f813a1
AUIRF3205ZS
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR024Z auirlr024z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bb21601561
AUIRLR024Z
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 55V 16A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450PBF 91233.pdf
IRFP450PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZPBF irfz44vzpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b60f62219
IRFZ44VZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CE6327HTSA1 Infineon-Infineon-BC847SERIES_BC848SERIES_BC849SERIES_BC850SERIES-DS-v01_01-en-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f54161c8f4f97
BC847CE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 595059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9306+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 9306
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ48Z auirfz48z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ba11e01510
AUIRFZ48Z
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 61A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54040LBAXUMA1 BTS54040-LBA.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH HISIDE PG-TSON-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54040LBBXUMA1 BTS54040-LBB.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH HISIDE PG-TSON-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54040LBEXUMA1 BTS54040-LBE.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH HISIDE PG-TSON-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54220LBAXUMA1 Automotive_Application_Guide_2016_BR.PDF?fileId=5546d46158f23e7b0158f8cac4de0051
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH HISIDE PG-TSON-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54220LBEXUMA1 BTS54220-LBE.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH HISIDE PG-TSON-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS56033LBBXUMA1 BTS56033-LBB.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH HISIDE PG-TSON-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U50N08W1R_B23 Infineon-DDB2U50N08W1R_B23-DS-v03_00-EN-219386.pdf
DDB2U50N08W1R_B23
Виробник: Infineon Technologies
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier 600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6327 ba592_ba892series-87652.pdf
BA 592 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 35 V 100 mA
на замовлення 15043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.31 грн
36+9.64 грн
100+6.25 грн
1000+5.96 грн
3000+5.30 грн
9000+5.08 грн
24000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BA595E6327HTSA1 Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 14327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELE6327XTMA1 Infineon_BAR90_02EL_DS_v01_00_EN-1840578.pdf
BAR9002ELE6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 21965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.27 грн
47+7.28 грн
100+4.63 грн
1000+4.41 грн
2500+3.97 грн
15000+3.60 грн
45000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 81W H6327 bar81series-60108.pdf
BAR 81W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 7202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.14 грн
14+25.55 грн
100+18.39 грн
500+17.58 грн
1000+17.14 грн
3000+16.41 грн
6000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BA 592 E6433 ba592_ba892series-87652.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode 35V 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-02V H6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN-1225922.pdf
BAR 63-02V H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 7816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.95 грн
19+18.78 грн
100+8.24 грн
1000+4.93 грн
3000+4.19 грн
9000+3.46 грн
24000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BA 595 E6327 Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04 E6327 Infineon_BAR64_04_DS_v01_01_EN-1840576.pdf
BAR 64-04 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 82376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.94 грн
28+12.18 грн
100+8.75 грн
1000+4.93 грн
3000+4.19 грн
9000+3.53 грн
24000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 88-02V H6327 bar88series-86027.pdf
BAR 88-02V H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.91 грн
11+31.98 грн
100+17.36 грн
500+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-04 E6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN-1225922.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
на замовлення 8708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.83 грн
25+13.71 грн
100+8.75 грн
1000+8.61 грн
3000+7.72 грн
9000+7.43 грн
24000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 Infineon-BAR88SERIES-DS-v01_01-en-1730988.pdf
BAR8802VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 17280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.91 грн
11+31.98 грн
100+17.36 грн
500+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 18-04 E6327 bat18series-86075.pdf
BAT 18-04 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode
на замовлення 6767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.29 грн
11+32.49 грн
100+18.76 грн
500+14.49 грн
1000+12.95 грн
3000+10.30 грн
9000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5602VH6327XTSA1 bby56series_2014-59205.pdf
BBY5602VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 69419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.46 грн
18+19.12 грн
100+14.49 грн
500+12.58 грн
1000+11.48 грн
3000+9.12 грн
9000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 61 E6327 bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 140mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 Infineon_BAR64_05W_DS_v01_01_EN-1840639.pdf
BAR6405WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 23672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.68 грн
35+9.73 грн
100+7.21 грн
500+6.92 грн
1000+6.77 грн
3000+6.40 грн
9000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN-1840487.pdf
BAR6404WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 10934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.90 грн
36+9.48 грн
100+6.92 грн
1000+6.62 грн
3000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-06W H6327 Infineon_BAR64_06W_DS_v01_01_EN-2309295.pdf
BAR 64-06W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 8212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.57 грн
30+11.51 грн
100+7.43 грн
1000+7.14 грн
3000+6.40 грн
9000+6.03 грн
24000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN-1840464.pdf
BAR6402ELE6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 5212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.27 грн
48+7.19 грн
100+4.41 грн
1000+4.34 грн
2500+3.90 грн
15000+3.60 грн
45000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-06 E6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN-1225922.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.88 грн
15+23.77 грн
100+13.98 грн
1000+9.86 грн
3000+8.53 грн
9000+7.50 грн
24000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02EL E6327 Infineon_BAR64_02EL_DS_v01_01_EN-1840464.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 13912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.57 грн
25+13.62 грн
100+9.86 грн
1000+5.44 грн
2500+5.00 грн
10000+3.97 грн
15000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 89-02LRH E6327 bar89-89034.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode
на замовлення 14999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELSE6327XTSA1 Infineon_BAR90_02ELS_DS_v01_00_EN-1519115.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
на замовлення 23700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.75 грн
52+6.60 грн
100+4.49 грн
1000+4.27 грн
2500+4.19 грн
10000+3.97 грн
15000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-02V H6327 Infineon_BAR64_02V_DS_v01_01_EN-1840486.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 9548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.17 грн
29+11.84 грн
100+8.39 грн
1000+4.71 грн
3000+3.97 грн
9000+3.38 грн
24000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-05 E6327 Infineon_BAR64_05_DS_v01_01_EN-2309254.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
на замовлення 17446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.94 грн
28+12.18 грн
100+8.75 грн
1000+4.93 грн
3000+4.19 грн
9000+3.53 грн
24000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 14-1 E6327 bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf
BAR 14-1 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-04W H6327 Infineon_BAR64_04W_DS_v01_01_EN-1840487.pdf
BAR 64-04W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 15-1 E6327 bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf
BAR 15-1 E6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.63 грн
10+35.87 грн
100+21.26 грн
500+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 90-02EL E6327 Infineon_BAR90_02EL_DS_v01_00_EN-1840578.pdf
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN-1225922.pdf
BAR6303WE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 50 V 100 mA
на замовлення 10736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.42 грн
51+6.68 грн
100+4.34 грн
1000+4.12 грн
3000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-05W H6327 Infineon_BAR64_05W_DS_v01_01_EN-1840639.pdf
BAR 64-05W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.98 грн
15+23.52 грн
100+12.29 грн
500+11.40 грн
1000+8.39 грн
3000+7.14 грн
9000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-04W H6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN-1225922.pdf
BAR 63-04W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 13335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.83 грн
23+15.31 грн
100+11.26 грн
1000+6.18 грн
3000+5.74 грн
9000+4.56 грн
24000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302VH6327XTSA1 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN-1225922.pdf
BAR6302VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 13976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.78 грн
58+5.92 грн
100+3.60 грн
1000+3.53 грн
3000+3.16 грн
9000+2.94 грн
24000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-06W H6327 Infineon_BAR63SERIES_DS_DS_v01_01_EN-1225922.pdf
BAR 63-06W H6327
Виробник: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
на замовлення 8717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.17 грн
35+9.73 грн
100+6.25 грн
1000+6.18 грн
3000+5.30 грн
9000+4.19 грн
24000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 770 771 772 773 774 775 776 777 778 779 780 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]