Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148751) > Сторінка 779 з 2480

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 774 775 776 777 778 779 780 781 782 783 784 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDW12G65C5FKSA1 IDW12G65C5FKSA1 Infineon Technologies IDW12G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4699ca7206f Description: DIODE SIC 650V 12A PGTO247341
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD118B1W01005E6327XTSA1 ESD118B1W01005E6327XTSA1 Infineon Technologies ESD118B1W01005E6327XTSA1.pdf Description: TVS DIODES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: Telecom
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1GHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: SG-WLL-2-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 64W
Power Line Protection: No
на замовлення 14915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.85 грн
100+3.30 грн
117+2.83 грн
140+2.22 грн
250+2.00 грн
500+1.88 грн
1000+1.74 грн
2500+1.63 грн
5000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4568 AUIRFP4568 Infineon Technologies auirfp4568.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1d8751458 Description: MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 103A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10470 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+783.76 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1 IPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-MOSFET_CoolMOS_CFD7_600V-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fdd5758e81db7 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+129.90 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1 IPD130N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD130N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7f00cb13d86 Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1 IPD130N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD130N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7f00cb13d86 Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.65 грн
10+73.58 грн
100+49.22 грн
500+36.39 грн
1000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N100TFKSA1 IGW30N100TFKSA1 Infineon Technologies IGW30N100T.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1000V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/535ns
Switching Energy: 3.8mJ
Test Condition: 600V, 30A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 412 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2166.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CG10148AF Infineon Technologies Description: IC FRAM
Packaging: Tray
Memory Format: FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG10146AFT Infineon Technologies Description: IC MEMORY
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R060M1HXUMA1 AIMDQ75R060M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R060M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0af5e732ae0 Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+251.44 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R060M1HXUMA1 AIMDQ75R060M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R060M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0af5e732ae0 Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.27 грн
10+383.39 грн
100+296.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M2HXTMA1 AIMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R016M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95d1335f0195eb49b2bf6650 Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M2HXTMA1 AIMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R016M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95d1335f0195eb49b2bf6650 Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1311.73 грн
10+898.87 грн
100+848.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101PBF IR2101PBF Infineon Technologies IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.59 грн
10+173.69 грн
50+150.57 грн
100+134.60 грн
250+127.52 грн
500+123.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-04CRT CHL8328-04CRT Infineon Technologies IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 IGB08N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917ea612393266 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 20A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 87 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 IGB08N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917ea612393266 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 20A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 87 W
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.16 грн
10+148.48 грн
100+103.11 грн
500+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRG6B330UDPBF IRG6B330UDPBF Infineon Technologies irg6b330udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564cc78e2387 Description: IGBT TRENCH 330V 70A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.76V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/176ns
Test Condition: 196V, 25A, 10Ohm
Gate Charge: 85 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N75EH7XKSA1 IKWH50N75EH7XKSA1 Infineon Technologies Description: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.90 грн
10+303.39 грн
240+198.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB085N15NM6ATMA1 IPB085N15NM6ATMA1 Infineon Technologies DS_IPB085N15NM6_en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB085N15NM6ATMA1 IPB085N15NM6ATMA1 Infineon Technologies DS_IPB085N15NM6_en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.47 грн
10+139.09 грн
100+96.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC4D9XP20MF500MCABKXUMA1 TC4D9XP20MF500MCABKXUMA1 Infineon Technologies Description: AURIX 3G-ACEE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 672-FBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 500MHz
Program Memory Size: 20MB (20M x 8)
RAM Size: 10M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 64 SAR
Core Size: 32-Bit12
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, C2Slb, I2C, SCI, SPI
Supplier Device Package: PG-F2HBGA-436
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8302.49 грн
10+6719.64 грн
25+6401.23 грн
100+5679.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844PBF IR21844PBF Infineon Technologies ir2184.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c955e616d4 description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+241.96 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844PBF IR21844PBF Infineon Technologies ir2184.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c955e616d4 description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Infineon Technologies auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1318KV18-250BZI CY7C1318KV18-250BZI Infineon Technologies download Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2315BF104AXIXQMA1 CYUSB2315BF104AXIXQMA1 Infineon Technologies Description: CYUSB2315BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1086.69 грн
10+827.84 грн
25+773.08 грн
100+669.02 грн
348+633.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2316BF104AXIXQMA1 CYUSB2316BF104AXIXQMA1 Infineon Technologies Description: CYUSB2316BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1251.83 грн
10+957.62 грн
25+895.62 грн
100+776.59 грн
348+736.93 грн
696+720.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2317BF104AXIXQMA1 CYUSB2317BF104AXIXQMA1 Infineon Technologies Description: CYUSB2317BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1322.85 грн
10+1013.73 грн
25+948.69 грн
100+823.22 грн
348+781.59 грн
696+764.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2318BF104AXIXQMA1 CYUSB2318BF104AXIXQMA1 Infineon Technologies Description: CYUSB2318BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1393.02 грн
10+1069.60 грн
25+1001.59 грн
100+869.77 грн
348+826.21 грн
696+807.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGA6L1BN6E6327XTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC RF AMP TSNP-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 18268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
ISC008N06LM6ATMA1 ISC008N06LM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc008n06lm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALAUDIOMA2304DNSBTOBO1 EVALAUDIOMA2304DNSBTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Evaluation_board_EVAL_AUDIO_MA2304DNS_B_and_EVAL_AUDIO_MA2304PNS_B-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d01894e562c0a37a9 Description: EVAL BOARD FOR MA2304DNS
Packaging: Bulk
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Amplifier Type: Class D
Contents: Board(s)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Max Output Power x Channels @ Load: 37W x 2 @ 4Ohm
Utilized IC / Part: MA2304DNS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19557.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITPSE84EVALTOBO1 KITPSE84EVALTOBO1 Infineon Technologies infineon-psoc-edge-e84-evaluation-kit-product-brief.pdf Description: PSOC EDGE E84 EVAL KIT
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s), LCD, Accessories
Core Processor: ARM® Cortex®-M33, Cortex®-M55
Utilized IC / Part: PSE846GPS2DBZC4
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27082.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B1HTSA1 TLE493DW3B6B1HTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75 Description: SEN HALL EFFECT I2C PG-TSOP6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Resolution: 14 b
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 6mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.05 грн
5+116.02 грн
10+110.58 грн
25+97.62 грн
50+93.43 грн
100+89.59 грн
500+80.54 грн
1000+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B2HTSA1 TLE493DW3B6B2HTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75 Description: SEN HALL EFFECT I2C PG-TSOP6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Resolution: 14 b
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 6mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B3HTSA1 TLE493DW3B6B3HTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75 Description: SEN HALL EFFECT I2C PG-TSOP6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Resolution: 14 b
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 6mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R360P7SXKSA1 IPAW60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipaw60r360p7s-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
REF65WHFZVSLPPAG2TOBO1 REF65WHFZVSLPPAG2TOBO1 Infineon Technologies infineon-65-w-atq-gan-usb-pd-dual-c-power-charger-and-adaptor-solution-demo-board-ref-65w-2c-gan-pag1-test-report-usermanual-en.pdf Description: OTHERS-WCS
Packaging: Box
Function: USB Type-C Power Delivery (PD)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: CYPAP212A1-14SXI
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY3295-MTK CY3295-MTK Infineon Technologies Description: OTHER PL90
Packaging: Tray
Mounting Type: Fixed
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: CY3295
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY3295-TTBRIDGE CY3295-TTBRIDGE Infineon Technologies Description: OTHER PL90
Packaging: Tray
Function: Touch Screen Controller
Type: Interface
Contents: Board(s)
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS10DHSS30 S29GL01GS10DHSS30 Infineon Technologies PdfFile_133368.pdf Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA21N50C3XKSA1 SPA21N50C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_I_A21N50C3_Rev[1].3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060&fileId=db3a3043163797a6011637eeb9340085 Description: MOSFET N-CH 560V 21A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF168MPMC-GNE2 CY9BF168MPMC-GNE2 Infineon Technologies Infineon-CY9B160R_SERIES_32_BIT_ARM_CORTEX_M4F_FM4_MICROCONTROLLER-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad2018210edfd2976b3 Description: IC MCU 32BT 1.03125MB FLSH 80QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 80-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 1.03125MB (1.03125M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 16x12b SAR; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSIO, EBI/EMI, I2C, LINbus, SD, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-LQFP (12x12)
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF168NPMC-G-MNE2 CY9BF168NPMC-G-MNE2 Infineon Technologies Infineon-CY9B160R_SERIES_32_BIT_ARM_CORTEX_M4F_FM4_MICROCONTROLLER-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad2018210edfd2976b3 Description: IC MCU 32BIT 1.03125MB 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 1.03125MB (1.03125M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 24x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Number of I/O: 80
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF168NPMC-GNE2 CY9BF168NPMC-GNE2 Infineon Technologies Infineon-CY9B160R_SERIES_32_BIT_ARM_CORTEX_M4F_FM4_MICROCONTROLLER-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad2018210edfd2976b3 Description: IC MCU 32B 1.03125MB FLSH 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 1.03125MB (1.03125M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 24x12b SAR; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSIO, EBI/EMI, I2C, LINbus, SD, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Number of I/O: 80
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLF35585QVS02XUMA2 TLF35585QVS02XUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLF35585QVS02-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186bd5fa8df5054 Description: OPTIREG PMIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 40V
Applications: Automotive Systems
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.08 грн
10+396.17 грн
25+366.93 грн
100+314.19 грн
250+299.81 грн
500+291.14 грн
1000+279.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLF35585QVS02XUMA1 TLF35585QVS02XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLF35585QVS02-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186bd5fa8df5054 Description: OPTIREG PMIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 40V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.97 грн
10+442.39 грн
25+410.30 грн
100+351.91 грн
250+336.11 грн
500+326.58 грн
1000+313.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLF35585QVS02BOARDTOBO1 TLF35585QVS02BOARDTOBO1 Infineon Technologies Description: APS_OTHER
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLF35585QVS02
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB230268LTXSXQLA1 CYUSB230268LTXSXQLA1 Infineon Technologies Infineon-EZ-USB_TMHX3_AUTOMOTIVE_USB_3-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d0189bd05a5f413ed Description: USB-DATA AUTOMOTIVE
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: GPIO, I2C
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Controller Series: CYUSB
Program Memory Type: ROM (32kB)
Applications: USB 2.0 Hub Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Number of I/O: 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB230268LTXSTXUMA1 CYUSB230268LTXSTXUMA1 Infineon Technologies Infineon-EZ-USB_TMHX3_AUTOMOTIVE_USB_3-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d0189bd05a5f413ed Description: USB-DATA AUTOMOTIVE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: GPIO, I2C
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Controller Series: CYUSB
Program Memory Type: ROM (32kB)
Applications: USB 2.0 Hub Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Number of I/O: 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD06N60RATMA2 Infineon Technologies Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R07N3E4RB11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS200R07N3E4R_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432f29829e012f496103d258b8 Description: FS200R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8439.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW40N65ES5XKSA1 IKFW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW40N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174daaa2bc525ee Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A HSIP247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+284.58 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205 AUIRF3205 Infineon Technologies auirf3205.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac6c3e139f Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 Description: IRF540Z - 36A, 100V, 0.0265OHM,
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+435.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B15CC1XKMA1 IM12B15CC1XKMA1 Infineon Technologies Infineon-IM12B15CC1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01908868cea2231d Description: IGBT IPM 1.2KV 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1440.08 грн
14+1085.17 грн
28+1036.50 грн
112+916.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B10CC1XKMA1 IM12B10CC1XKMA1 Infineon Technologies Infineon-IM12B10CC1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01908868c6452312 Description: IGBT IPM 1.2KV 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1540.19 грн
14+1156.03 грн
28+1103.38 грн
112+961.29 грн
252+929.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3504 AUIRF3504 Infineon Technologies AUIRF3504.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 87A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW12G65C5FKSA1 IDW12G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4699ca7206f
IDW12G65C5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 12A PGTO247341
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD118B1W01005E6327XTSA1 ESD118B1W01005E6327XTSA1.pdf
ESD118B1W01005E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: Telecom
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1GHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: SG-WLL-2-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 64W
Power Line Protection: No
на замовлення 14915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+6.85 грн
100+3.30 грн
117+2.83 грн
140+2.22 грн
250+2.00 грн
500+1.88 грн
1000+1.74 грн
2500+1.63 грн
5000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4568 auirfp4568.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1d8751458
AUIRFP4568
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 103A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10470 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+783.76 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R140CFD7AUMA1 Infineon-MOSFET_CoolMOS_CFD7_600V-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fdd5758e81db7
IPL60R140CFD7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+129.90 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1 Infineon-IPD130N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7f00cb13d86
IPD130N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1 Infineon-IPD130N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7f00cb13d86
IPD130N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.65 грн
10+73.58 грн
100+49.22 грн
500+36.39 грн
1000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N100TFKSA1 IGW30N100T.pdf
IGW30N100TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1000V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/535ns
Switching Energy: 3.8mJ
Test Condition: 600V, 30A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 412 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2166.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CG10148AF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM
Packaging: Tray
Memory Format: FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG10146AFT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MEMORY
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R060M1HXUMA1 Infineon-AIMDQ75R060M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0af5e732ae0
AIMDQ75R060M1HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+251.44 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R060M1HXUMA1 Infineon-AIMDQ75R060M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0af5e732ae0
AIMDQ75R060M1HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+585.27 грн
10+383.39 грн
100+296.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon-AIMDQ75R016M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95d1335f0195eb49b2bf6650
AIMDQ75R016M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon-AIMDQ75R016M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95d1335f0195eb49b2bf6650
AIMDQ75R016M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1311.73 грн
10+898.87 грн
100+848.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101PBF description IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2101PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.59 грн
10+173.69 грн
50+150.57 грн
100+134.60 грн
250+127.52 грн
500+123.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-04CRT IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf
CHL8328-04CRT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 Infineon-IGB08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917ea612393266
IGB08N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 20A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 87 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 Infineon-IGB08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917ea612393266
IGB08N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 20A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 87 W
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.16 грн
10+148.48 грн
100+103.11 грн
500+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRG6B330UDPBF irg6b330udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564cc78e2387
IRG6B330UDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 330V 70A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.76V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/176ns
Test Condition: 196V, 25A, 10Ohm
Gate Charge: 85 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N75EH7XKSA1
IKWH50N75EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.90 грн
10+303.39 грн
240+198.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB085N15NM6ATMA1 DS_IPB085N15NM6_en.pdf
IPB085N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB085N15NM6ATMA1 DS_IPB085N15NM6_en.pdf
IPB085N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.47 грн
10+139.09 грн
100+96.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC4D9XP20MF500MCABKXUMA1
TC4D9XP20MF500MCABKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AURIX 3G-ACEE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 672-FBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 500MHz
Program Memory Size: 20MB (20M x 8)
RAM Size: 10M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 64 SAR
Core Size: 32-Bit12
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, C2Slb, I2C, SCI, SPI
Supplier Device Package: PG-F2HBGA-436
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8302.49 грн
10+6719.64 грн
25+6401.23 грн
100+5679.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844PBF description ir2184.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c955e616d4
IR21844PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+241.96 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844PBF description ir2184.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c955e616d4
IR21844PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc
AUIRF7103QTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1318KV18-250BZI download
CY7C1318KV18-250BZI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2315BF104AXIXQMA1
CYUSB2315BF104AXIXQMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CYUSB2315BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1086.69 грн
10+827.84 грн
25+773.08 грн
100+669.02 грн
348+633.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2316BF104AXIXQMA1
CYUSB2316BF104AXIXQMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CYUSB2316BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1251.83 грн
10+957.62 грн
25+895.62 грн
100+776.59 грн
348+736.93 грн
696+720.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2317BF104AXIXQMA1
CYUSB2317BF104AXIXQMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CYUSB2317BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1322.85 грн
10+1013.73 грн
25+948.69 грн
100+823.22 грн
348+781.59 грн
696+764.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2318BF104AXIXQMA1
CYUSB2318BF104AXIXQMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CYUSB2318BF104AXIXQMA1
Packaging: Tray
Package / Case: 104-VFLGA Exposed Pad
Function: Controller
Interface: I2C, SPI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 104-LGA (8x8)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1393.02 грн
10+1069.60 грн
25+1001.59 грн
100+869.77 грн
348+826.21 грн
696+807.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGA6L1BN6E6327XTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP TSNP-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 18268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
306+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
ISC008N06LM6ATMA1 infineon-isc008n06lm6-datasheet-en.pdf
ISC008N06LM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALAUDIOMA2304DNSBTOBO1 Infineon-Evaluation_board_EVAL_AUDIO_MA2304DNS_B_and_EVAL_AUDIO_MA2304PNS_B-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d01894e562c0a37a9
EVALAUDIOMA2304DNSBTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR MA2304DNS
Packaging: Bulk
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Amplifier Type: Class D
Contents: Board(s)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Max Output Power x Channels @ Load: 37W x 2 @ 4Ohm
Utilized IC / Part: MA2304DNS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19557.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITPSE84EVALTOBO1 infineon-psoc-edge-e84-evaluation-kit-product-brief.pdf
KITPSE84EVALTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC EDGE E84 EVAL KIT
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s), LCD, Accessories
Core Processor: ARM® Cortex®-M33, Cortex®-M55
Utilized IC / Part: PSE846GPS2DBZC4
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+27082.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B1HTSA1 Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75
TLE493DW3B6B1HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SEN HALL EFFECT I2C PG-TSOP6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Resolution: 14 b
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 6mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.05 грн
5+116.02 грн
10+110.58 грн
25+97.62 грн
50+93.43 грн
100+89.59 грн
500+80.54 грн
1000+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B2HTSA1 Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75
TLE493DW3B6B2HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SEN HALL EFFECT I2C PG-TSOP6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Resolution: 14 b
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 6mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B3HTSA1 Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75
TLE493DW3B6B3HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SEN HALL EFFECT I2C PG-TSOP6-6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Axis: X, Y, Z
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Resolution: 14 b
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 6mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R360P7SXKSA1 infineon-ipaw60r360p7s-datasheet-en.pdf
IPAW60R360P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
390+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
REF65WHFZVSLPPAG2TOBO1 infineon-65-w-atq-gan-usb-pd-dual-c-power-charger-and-adaptor-solution-demo-board-ref-65w-2c-gan-pag1-test-report-usermanual-en.pdf
REF65WHFZVSLPPAG2TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OTHERS-WCS
Packaging: Box
Function: USB Type-C Power Delivery (PD)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: CYPAP212A1-14SXI
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY3295-MTK
CY3295-MTK
Виробник: Infineon Technologies
Description: OTHER PL90
Packaging: Tray
Mounting Type: Fixed
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: CY3295
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY3295-TTBRIDGE
CY3295-TTBRIDGE
Виробник: Infineon Technologies
Description: OTHER PL90
Packaging: Tray
Function: Touch Screen Controller
Type: Interface
Contents: Board(s)
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS10DHSS30 PdfFile_133368.pdf
S29GL01GS10DHSS30
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA21N50C3XKSA1 SPP_I_A21N50C3_Rev[1].3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060&fileId=db3a3043163797a6011637eeb9340085
SPA21N50C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 560V 21A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF168MPMC-GNE2 Infineon-CY9B160R_SERIES_32_BIT_ARM_CORTEX_M4F_FM4_MICROCONTROLLER-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad2018210edfd2976b3
CY9BF168MPMC-GNE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BT 1.03125MB FLSH 80QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 80-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 1.03125MB (1.03125M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 16x12b SAR; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSIO, EBI/EMI, I2C, LINbus, SD, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-LQFP (12x12)
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF168NPMC-G-MNE2 Infineon-CY9B160R_SERIES_32_BIT_ARM_CORTEX_M4F_FM4_MICROCONTROLLER-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad2018210edfd2976b3
CY9BF168NPMC-G-MNE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 1.03125MB 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 1.03125MB (1.03125M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 24x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Number of I/O: 80
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF168NPMC-GNE2 Infineon-CY9B160R_SERIES_32_BIT_ARM_CORTEX_M4F_FM4_MICROCONTROLLER-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad2018210edfd2976b3
CY9BF168NPMC-GNE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32B 1.03125MB FLSH 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 1.03125MB (1.03125M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 24x12b SAR; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSIO, EBI/EMI, I2C, LINbus, SD, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Number of I/O: 80
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLF35585QVS02XUMA2 Infineon-TLF35585QVS02-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186bd5fa8df5054
TLF35585QVS02XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIREG PMIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 40V
Applications: Automotive Systems
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.08 грн
10+396.17 грн
25+366.93 грн
100+314.19 грн
250+299.81 грн
500+291.14 грн
1000+279.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLF35585QVS02XUMA1 Infineon-TLF35585QVS02-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186bd5fa8df5054
TLF35585QVS02XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIREG PMIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 40V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+592.97 грн
10+442.39 грн
25+410.30 грн
100+351.91 грн
250+336.11 грн
500+326.58 грн
1000+313.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLF35585QVS02BOARDTOBO1
TLF35585QVS02BOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: APS_OTHER
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLF35585QVS02
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB230268LTXSXQLA1 Infineon-EZ-USB_TMHX3_AUTOMOTIVE_USB_3-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d0189bd05a5f413ed
CYUSB230268LTXSXQLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: USB-DATA AUTOMOTIVE
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: GPIO, I2C
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Controller Series: CYUSB
Program Memory Type: ROM (32kB)
Applications: USB 2.0 Hub Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Number of I/O: 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB230268LTXSTXUMA1 Infineon-EZ-USB_TMHX3_AUTOMOTIVE_USB_3-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d0189bd05a5f413ed
CYUSB230268LTXSTXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: USB-DATA AUTOMOTIVE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: GPIO, I2C
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Controller Series: CYUSB
Program Memory Type: ROM (32kB)
Applications: USB 2.0 Hub Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Number of I/O: 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD06N60RATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R07N3E4RB11BOSA1 Infineon-FS200R07N3E4R_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432f29829e012f496103d258b8
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS200R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+8439.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW40N65ES5XKSA1 Infineon-IKFW40N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174daaa2bc525ee
IKFW40N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A HSIP247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+284.58 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205 auirf3205.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac6c3e139f
AUIRF3205
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF540Z - 36A, 100V, 0.0265OHM,
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+435.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B15CC1XKMA1 Infineon-IM12B15CC1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01908868cea2231d
IM12B15CC1XKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT IPM 1.2KV 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1440.08 грн
14+1085.17 грн
28+1036.50 грн
112+916.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B10CC1XKMA1 Infineon-IM12B10CC1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01908868c6452312
IM12B10CC1XKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT IPM 1.2KV 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1540.19 грн
14+1156.03 грн
28+1103.38 грн
112+961.29 грн
252+929.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3504 AUIRF3504.pdf
AUIRF3504
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 87A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 774 775 776 777 778 779 780 781 782 783 784 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480  [ Наступна Сторінка >> ]