| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IMBG120R140M1HXTMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R030M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm |
на замовлення 643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R107M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R072M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R030M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pins Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R083M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R163M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 85W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R260M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R039M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R057M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 161W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R022M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R060M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 181W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
на замовлення 2587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R045M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R045M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 227W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R090M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
на замовлення 1849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R090M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
на замовлення 1849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R060M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 181W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 181W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
на замовлення 2587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R072M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R107M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R163M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 85W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R022M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R260M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R057M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 161W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 161W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R083M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R039M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 211W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R030M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 234W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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EVALSHNBV01DPS310TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALSHNBV01DPS310TOBO1 - Evaluationsboard, DPS310/XMC1100, Luftdrucksensor tariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310/XMC1100 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Luftdrucksensor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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KITDPS3102GOTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITDPS3102GOTOBO1 - Evaluationskit, DPS310, Luftdrucksensor tariffCode: 85437090 productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplatte: Evaluationsboard Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Luftdrucksensor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: DPS310 rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSP135H6433XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm |
на замовлення 6023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSP135H6433XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm |
на замовлення 6023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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BGA855N6E6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BGA855N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.164GHz bis 1.3GHz, 17.8dB Verstärkung, 0.6dB Rauschen, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: 0.6dB Bauform - HF-IC: TSNP Verstärkung: 17.8dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 1.164GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.1V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.3V Frequenz, max.: 1.3GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BGA7L1BN6E6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BGA7L1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 716MHz bis 960MHz, 13.6dB Verstärkung, 0.75dB Rauschen, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6 tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: 0.75dB Bauform - HF-IC: TSNP Verstärkung: 13.6dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSNP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 716MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Frequenzgang HF, max.: 960MHz Produktpalette: - productTraceability: No Frequenzgang HF, min.: 716MHz Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 960MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C Verstärkung, typ.: 13.6dB SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 21558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BGA7L1BN6E6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BGA7L1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 716MHz bis 960MHz, 13.6dB Verstärkung, 0.75dB Rauschen, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6 tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: 0.75dB Bauform - HF-IC: TSNP Verstärkung: 13.6dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSNP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 716MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Frequenzgang HF, max.: 960MHz Produktpalette: - productTraceability: No Frequenzgang HF, min.: 716MHz Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 960MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C Verstärkung, typ.: 13.6dB SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 21558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BGA855N6E6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BGA855N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.164GHz bis 1.3GHz, 17.8dB Verstärkung, 0.6dB Rauschen, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: 0.6dB Bauform - HF-IC: TSNP Verstärkung: 17.8dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 1.164GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.1V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.3V Frequenz, max.: 1.3GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
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BTS50101EKBXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS50101EKBXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 50A/0.01 Ohm Ausgang, SOIC-14 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.01ohm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N Strombegrenzung: 50A IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 13.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: PROFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 32369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BTS50101EKBXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS50101EKBXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 50A/0.01 Ohm Ausgang, SOIC-14 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.01ohm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y Strombegrenzung: 50A IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 13.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: PROFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 32369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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2EDF7175FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 16 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.5V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 37ns Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 9762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSC0910NDIATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CHL8510CRT | INFINEON |
Description: INFINEON - CHL8510CRT - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgung, 3 A /4Aout, 20ns Verzögerung, DFN-10 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Quellstrom: 3A Versorgungsspannung, min.: 10.8V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 13.2V Eingabeverzögerung: 16ns Ausgabeverzögerung: 17ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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2EDF7275KXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDF7275KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 13 Pin(s), LGA tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: LGA Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 13Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.5V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 37ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPD40DP06NMATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD40DP06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPL60R360P6SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 89.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm |
на замовлення 4465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPL60R360P6SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 89.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm |
на замовлення 4465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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CY8C5268LTI-LP030 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C5268LTI-LP030 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, QFN-EP-68 tariffCode: 85423190 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Datenbusbreite: 32 Bit Betriebstemperatur, max.: 85°C Programmspeichergröße: 256KB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 68Pin(s) Bauform - MPU: QFN-EP Betriebstemperatur, min.: -40°C RAM-Speichergröße: 64KB MSL: MSL 3 - 168 Stunden ADC-Kanäle: 8Kanäle Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3 MCU-Familie: PSoC 5 hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage MCU-Baureihe: CY8C52xx Produktpalette: - usEccn: 3A991.a.2 Bausteinkern: ARM Cortex-M3 MPU-Familie: PSoC 5LP MPU-Baureihe: CY8C52LP rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: QFN Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB ADC-Auflösung: 12 Bit Versorgungsspannung, min.: 1.71V CPU-Geschwindigkeit: 67MHz Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s) Betriebsfrequenz, max.: 67MHz rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y euEccn: NLR |
на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CY8C5268AXI-LP047 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C5268AXI-LP047 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, TQFP-100 tariffCode: 85423190 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Datenbusbreite: 32 Bit Betriebstemperatur, max.: 85°C Programmspeichergröße: 256KB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 100Pin(s) Bauform - MPU: TQFP Betriebstemperatur, min.: -40°C RAM-Speichergröße: 64KB MSL: MSL 3 - 168 Stunden ADC-Kanäle: 8Kanäle Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3 MCU-Familie: PSoC 5 hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage MCU-Baureihe: CY8C52xx Produktpalette: - usEccn: 3A991.a.2 Bausteinkern: ARM Cortex-M3 MPU-Familie: PSoC 5LP MPU-Baureihe: CY8C52LP rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: TQFP Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB ADC-Auflösung: 12 Bit Versorgungsspannung, min.: 1.71V CPU-Geschwindigkeit: 67MHz Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s) Betriebsfrequenz, max.: 67MHz rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y euEccn: NLR |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CY8C5287AXI-LP095 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C5287AXI-LP095 - ARM-MCU, PSOC 5LP, PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 80 MHz tariffCode: 85423190 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M3 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 8Kanäle Programmspeichergröße: 256KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 80MHz MCU-Familie: PSoC 5 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RAM-Speichergröße: 64KB MCU-Baureihe: CY8C52xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s) Anzahl der Pins: 100Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers productTraceability: No usEccn: 3A991.a.2 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: USB Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 5091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C5267AXI-LP051 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C5267AXI-LP051 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 5, PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit tariffCode: 85423190 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Datenbusbreite: 32 Bit Programmspeichergröße: 128KB Betriebstemperatur, max.: 85°C productTraceability: No Anzahl der Pins: 100Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C RAM-Speichergröße: 32KB MSL: MSL 3 - 168 Stunden ADC-Kanäle: 8Kanäle MCU-Familie: PSoC 5 hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage MCU-Baureihe: CY8C52xx Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers usEccn: 3A991.a.3 Bausteinkern: ARM Cortex-M3 rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: TQFP Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB ADC-Auflösung: 12 Bit Versorgungsspannung, min.: 1.71V Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s) Qualifikation: - Betriebsfrequenz, max.: 67MHz rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y euEccn: NLR |
на замовлення 7533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C4246AZI-L433 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4246AZI-L433 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB tariffCode: 85423190 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 16Kanäle Programmspeichergröße: 64KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz MCU-Familie: PSoC 4 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RAM-Speichergröße: 8KB MCU-Baureihe: CY8C42xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.a.2 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C5468AXI-LP106 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C5468AXI-LP106 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, TQFP-100 tariffCode: 85423190 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Datenbusbreite: 32 Bit Programmspeichergröße: 256KB Betriebstemperatur, max.: 85°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 100Pin(s) Bauform - MPU: TQFP Betriebstemperatur, min.: -40°C RAM-Speichergröße: 64KB MSL: MSL 3 - 168 Stunden Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3 MCU-Familie: PSoC 5 hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage MCU-Baureihe: CY8C54xx Produktpalette: - usEccn: 3A991.a.2 Bausteinkern: ARM Cortex-M3 MPU-Familie: PSoC 5LP MPU-Baureihe: CY8C54LP rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: TQFP Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB ADC-Auflösung: 12 Bit Versorgungsspannung, min.: 1.71V CPU-Geschwindigkeit: 67MHz Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s) Betriebsfrequenz, max.: 67MHz rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y euEccn: NLR |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C4045AZI-S413 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4045AZI-S413 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 32 KB tariffCode: 85423190 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 16Kanäle Programmspeichergröße: 32KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz MCU-Familie: PSoC 4 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RAM-Speichergröße: 4KB MCU-Baureihe: CY8C40xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.a.3 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 2071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C4246AZI-M443 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4246AZI-M443 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB tariffCode: 85423190 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 16Kanäle Programmspeichergröße: 64KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz MCU-Familie: PSoC 4 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RAM-Speichergröße: 8KB MCU-Baureihe: CY8C42xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.a.2 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 2199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C5688AXI-LP099 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C5688AXI-LP099 - ARM-MCU, PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 80 MHz, 256 KB tariffCode: 85423190 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Datenbusbreite: 32 Bit Programmspeichergröße: 256KB Betriebstemperatur, max.: 85°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 100Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C RAM-Speichergröße: 64KB MSL: MSL 3 - 168 Stunden ADC-Kanäle: - MCU-Familie: PSoC 5LP hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage MCU-Baureihe: CY8C56LPxxx Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers usEccn: 3A991.a.3 Bausteinkern: ARM Cortex-M3 rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: TQFP Schnittstellen: CAN, I2C, I2S, LIN, SPI, UART, USB ADC-Auflösung: 12 Bit Versorgungsspannung, min.: 1.71V Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s) Qualifikation: - Betriebsfrequenz, max.: 80MHz rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y euEccn: NLR |
на замовлення 423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CY8C21123-24SXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C21123-24SXIT - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: M8C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 4Kanäle Programmspeichergröße: 4KB Versorgungsspannung, min.: 2.4V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 1 RAM-Speichergröße: 256Byte MCU-Baureihe: CY8C21x23 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 6I/O(s) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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CY8C4014LQI-422T | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4014LQI-422T - ARM-MCU, PSOC 4, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: - IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: -Kanäle Programmspeichergröße: 16KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 16MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 2KB MCU-Baureihe: CY8C40xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 20I/O(s) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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CY8C624ABZI-S2D44 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C624ABZI-S2D44 - ARM-MCU, PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 16Kanäle Programmspeichergröße: 2MB Versorgungsspannung, min.: 1.7V Betriebsfrequenz, max.: 150MHz MCU-Familie: PSoC 6 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RAM-Speichergröße: 1MB MCU-Baureihe: CY8C62xA Anzahl der Ein-/Ausgänge: 100I/O(s) Anzahl der Pins: 124Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: I2C, QSPI, SPI, UART, USB Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CY8C624ALQI-S2D42 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C624ALQI-S2D42 - ARM-MCU, PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VQFN MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 16Kanäle Programmspeichergröße: 2MB Versorgungsspannung, min.: 1.7V Betriebsfrequenz, max.: 150MHz MCU-Familie: PSoC 6 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RAM-Speichergröße: 1MB MCU-Baureihe: CY8C62xA Anzahl der Ein-/Ausgänge: 53I/O(s) Anzahl der Pins: 68Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: I2C, QSPI, SPI, UART, USB Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSZ0902NSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
на замовлення 9795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSZ0902NSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
на замовлення 9795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSC026N08NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm |
на замовлення 7750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 71W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm |
на замовлення 3551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| IMBG120R140M1HXTMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R030M1HXTMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R107M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R072M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R030M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R083M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R163M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R260M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R039M1HXTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R057M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 161W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 161W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R022M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R060M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 181W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 181W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R045M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R045M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R090M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R090M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R060M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 181W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 181W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R072M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R107M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R163M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R022M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R260M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R057M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 161W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 161W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R083M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R039M1HXTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R030M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EVALSHNBV01DPS310TOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALSHNBV01DPS310TOBO1 - Evaluationsboard, DPS310/XMC1100, Luftdrucksensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310/XMC1100
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - EVALSHNBV01DPS310TOBO1 - Evaluationsboard, DPS310/XMC1100, Luftdrucksensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310/XMC1100
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KITDPS3102GOTOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITDPS3102GOTOBO1 - Evaluationskit, DPS310, Luftdrucksensor
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: DPS310
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - KITDPS3102GOTOBO1 - Evaluationskit, DPS310, Luftdrucksensor
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: DPS310
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSP135H6433XTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
на замовлення 6023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSP135H6433XTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
на замовлення 6023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BGA855N6E6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA855N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.164GHz bis 1.3GHz, 17.8dB Verstärkung, 0.6dB Rauschen, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.6dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 17.8dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.164GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.3GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BGA855N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.164GHz bis 1.3GHz, 17.8dB Verstärkung, 0.6dB Rauschen, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.6dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 17.8dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.164GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.3GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
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| BGA7L1BN6E6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA7L1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 716MHz bis 960MHz, 13.6dB Verstärkung, 0.75dB Rauschen, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 13.6dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 716MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 960MHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 716MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Verstärkung, typ.: 13.6dB
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BGA7L1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 716MHz bis 960MHz, 13.6dB Verstärkung, 0.75dB Rauschen, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 13.6dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 716MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 960MHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 716MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Verstärkung, typ.: 13.6dB
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BGA7L1BN6E6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA7L1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 716MHz bis 960MHz, 13.6dB Verstärkung, 0.75dB Rauschen, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 13.6dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 716MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 960MHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 716MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Verstärkung, typ.: 13.6dB
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BGA7L1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 716MHz bis 960MHz, 13.6dB Verstärkung, 0.75dB Rauschen, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 13.6dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 716MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 960MHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 716MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Verstärkung, typ.: 13.6dB
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BGA855N6E6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA855N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.164GHz bis 1.3GHz, 17.8dB Verstärkung, 0.6dB Rauschen, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.6dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 17.8dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.164GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.3GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BGA855N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.164GHz bis 1.3GHz, 17.8dB Verstärkung, 0.6dB Rauschen, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.6dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 17.8dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.164GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.3GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BTS50101EKBXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS50101EKBXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 50A/0.01 Ohm Ausgang, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.01ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 50A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - BTS50101EKBXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 50A/0.01 Ohm Ausgang, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.01ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 50A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 32369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BTS50101EKBXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS50101EKBXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 50A/0.01 Ohm Ausgang, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.01ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 50A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - BTS50101EKBXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 50A/0.01 Ohm Ausgang, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.01ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 50A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: PROFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 32369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2EDF7175FXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 9762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC0910NDIATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CHL8510CRT |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CHL8510CRT - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgung, 3 A /4Aout, 20ns Verzögerung, DFN-10
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10.8V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 17ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - CHL8510CRT - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgung, 3 A /4Aout, 20ns Verzögerung, DFN-10
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10.8V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 17ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2EDF7275KXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7275KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 2EDF7275KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD40DP06NMATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD40DP06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD40DP06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPL60R360P6SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPL60R360P6SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY8C5268LTI-LP030 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5268LTI-LP030 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, QFN-EP-68
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Programmspeichergröße: 256KB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 64KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
MCU-Familie: PSoC 5
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C52xx
Produktpalette: -
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
MPU-Familie: PSoC 5LP
MPU-Baureihe: CY8C52LP
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 67MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: INFINEON - CY8C5268LTI-LP030 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, QFN-EP-68
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Programmspeichergröße: 256KB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 64KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
MCU-Familie: PSoC 5
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C52xx
Produktpalette: -
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
MPU-Familie: PSoC 5LP
MPU-Baureihe: CY8C52LP
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 67MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY8C5268AXI-LP047 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5268AXI-LP047 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Programmspeichergröße: 256KB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 64KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
MCU-Familie: PSoC 5
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C52xx
Produktpalette: -
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
MPU-Familie: PSoC 5LP
MPU-Baureihe: CY8C52LP
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 67MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: INFINEON - CY8C5268AXI-LP047 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Programmspeichergröße: 256KB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 64KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
MCU-Familie: PSoC 5
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C52xx
Produktpalette: -
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
MPU-Familie: PSoC 5LP
MPU-Baureihe: CY8C52LP
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 67MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY8C5287AXI-LP095 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5287AXI-LP095 - ARM-MCU, PSOC 5LP, PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 80 MHz
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
MCU-Familie: PSoC 5
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C52xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CY8C5287AXI-LP095 - ARM-MCU, PSOC 5LP, PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 80 MHz
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
MCU-Familie: PSoC 5
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C52xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY8C5267AXI-LP051 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5267AXI-LP051 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 5, PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 128KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 32KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 8Kanäle
MCU-Familie: PSoC 5
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C52xx
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.3
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: INFINEON - CY8C5267AXI-LP051 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 5, PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 128KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 32KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 8Kanäle
MCU-Familie: PSoC 5
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C52xx
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.3
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 7533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY8C4246AZI-L433 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4246AZI-L433 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: PSoC 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CY8C4246AZI-L433 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: PSoC 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY8C5468AXI-LP106 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5468AXI-LP106 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 256KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 64KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
MCU-Familie: PSoC 5
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C54xx
Produktpalette: -
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
MPU-Familie: PSoC 5LP
MPU-Baureihe: CY8C54LP
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 67MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: INFINEON - CY8C5468AXI-LP106 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 256KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 64KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
MCU-Familie: PSoC 5
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C54xx
Produktpalette: -
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
MPU-Familie: PSoC 5LP
MPU-Baureihe: CY8C54LP
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 67MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY8C4045AZI-S413 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4045AZI-S413 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: PSoC 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.3
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CY8C4045AZI-S413 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: PSoC 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.3
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY8C4246AZI-M443 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4246AZI-M443 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: PSoC 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CY8C4246AZI-M443 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: PSoC 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY8C5688AXI-LP099 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5688AXI-LP099 - ARM-MCU, PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 80 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 256KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 64KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: -
MCU-Familie: PSoC 5LP
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C56LPxxx
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.3
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: CAN, I2C, I2S, LIN, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: INFINEON - CY8C5688AXI-LP099 - ARM-MCU, PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 80 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 256KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 64KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: -
MCU-Familie: PSoC 5LP
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C56LPxxx
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.3
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: CAN, I2C, I2S, LIN, SPI, UART, USB
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY8C21123-24SXIT |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C21123-24SXIT - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 4Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x23
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 6I/O(s)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY8C21123-24SXIT - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 4Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x23
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 6I/O(s)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY8C4014LQI-422T |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4014LQI-422T - ARM-MCU, PSOC 4, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 20I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - CY8C4014LQI-422T - ARM-MCU, PSOC 4, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 20I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY8C624ABZI-S2D44 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C624ABZI-S2D44 - ARM-MCU, PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
MCU-Familie: PSoC 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CY8C62xA
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 100I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, QSPI, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CY8C624ABZI-S2D44 - ARM-MCU, PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
MCU-Familie: PSoC 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CY8C62xA
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 100I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, QSPI, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY8C624ALQI-S2D42 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C624ALQI-S2D42 - ARM-MCU, PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
MCU-Familie: PSoC 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CY8C62xA
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 53I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, QSPI, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CY8C624ALQI-S2D42 - ARM-MCU, PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
MCU-Familie: PSoC 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CY8C62xA
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 53I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, QSPI, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ0902NSATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ0902NSATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC026N08NS5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)