| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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| TDA21535AUMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - TDA21535AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V bis 16Vin, 2.25V bis 5.5V/35Aout, 1.5MHz, PQFN-28tariffCode: 85423990 Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 2.25mV Ausgangsspannung, max.: 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 35A IC-Nummer: TDA21535 Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Eingangsspannung, max.: 16V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 4.25V Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
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TDA21472AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TDA21472AUMA1 - INTEGR. DC/DC-GATE-TREIBER 70A PQFN-39 tariffCode: 85423990 Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 250mV Ausgangsspannung, max.: 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 70A IC-Nummer: TDA21472 Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Eingangsspannung, max.: 16V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 4.25V Anzahl der Pins: 39Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TDA5240XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TDA5240XUMA1 - HF-Empfänger, 300-928MHz, TSSOP-28, -107dBm, 4.5V bis 5.5V, -40°C bis 105°C tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform - HF-IC: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anwendungen HF-Empfänger: Alarmanlagen, schlüssellose Entriegelung, Datenübertragung mit niedriger Bitrate, Fernsteuerung isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: - HF-Primärfunktion: Empfänger Frequenz, min.: 300MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Empfindlichkeit (dBm): -107dBm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 HF/IF-Modulation: ASK, FSK Anzahl der Pins: 28Pin(s) Übertragungsrate: - Frequenzgang HF, max.: 928MHz Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Frequenzgang HF, min.: 300MHz Versorgungsspannung, max.: 5.5V Frequenz, max.: 928MHz Betriebstemperatur, max.: 105°C |
на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TDA21490AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TDA21490AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 0.25V bis 5.5Vin, 70Aout, 1.5MHz, PQFN-39 tariffCode: 85423990 Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 250mV Ausgangsspannung, max.: 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 70A IC-Nummer: - Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Eingangsspannung, max.: 16V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 4.25V Anzahl der Pins: 39Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TDA21460AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TDA21460AUMA1 - DC/DC-Schaltregler, einstellbar, 4.25V bis 16Vin, 250mV bis 5.5V/60Aout, QFN tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: - Wirkungsgrad: 95% Schaltfrequenz: 1.5MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: - Betriebstemperatur, min.: - Ausgang: Einstellbar Ausgangsstrom: 60A MSL: MSL 3 - 168 Stunden hazardous: false Eingangsspannung, max.: 16V IC-Montage: Oberflächenmontage Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Eingangsspannung, min.: 4.25V IC-Gehäuse / Bauform: QFN Ausgangsspannung, max.: 5.5V Ausgangsspannung, min.: 250mV Bauform - DC/DC-Wandler-IC: QFN Qualifikation: - Ausgangsspannung, nom.: - Topologie: - Ausgangsstrom, max.: 60A Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: N euEccn: NLR |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TDA21462AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TDA21462AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, integrierte Leistungsstufe, 4.25V-16Vin, 60Aout, 1.5MHz, PQFN tariffCode: 85423990 Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 250mV Ausgangsspannung, max.: 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 60A IC-Nummer: TDA21462 Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Eingangsspannung, max.: 16V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 4.25V Anzahl der Pins: 39Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| TDA21535AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TDA21535AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V bis 16Vin, 2.25V bis 5.5V/35Aout, 1.5MHz, PQFN-28 tariffCode: 85423990 Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 2.25mV Ausgangsspannung, max.: 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 35A IC-Nummer: TDA21535 Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Eingangsspannung, max.: 16V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 4.25V Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
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TDA21490AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TDA21490AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 0.25V bis 5.5Vin, 70Aout, 1.5MHz, PQFN-39 tariffCode: 85423990 Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 250mV Ausgangsspannung, max.: 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 70A IC-Nummer: - Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Eingangsspannung, max.: 16V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 4.25V Anzahl der Pins: 39Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IRFHS8242TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IRFI3205PBF | INFINEON |
 Description: INFINEON - IRFI3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 8000 µohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IRF7907TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IRF8313TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLE4922MS2GOTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE4922MS2GOTOBO1 - Evaluationskit, TLE4922/XMC1100, Hall-Effekt-Sensor tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Sensor euEccn: NLR rohsCompliant: NO Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE4922, Mikrocontroller XMC1100 Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO isCanonical: Y Unterart Anwendung: Hall-Effekt-Sensor Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE4922 Leiterplatte: Evaluationskit SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Prozessorkern: TLE4922, XMC1100 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TLE493DA2B6HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE493DA2B6HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C tariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positions- und Temperatursensor euEccn: NLR rohsCompliant: YES Sensortyp: Energiesparend hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.8V Sensorgehäuse/-bauform: TSOP Bauform - Sensor: TSOP SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: XENSIV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLE49662GHTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE49662GHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Hall-Effekt-Latch, 0.0075 T, -0.0075 T, 2.7 V, 24 V tariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Schalter euEccn: NLR rohsCompliant: YES Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 10mA isCanonical: N Ausschaltpunkt, typ.: -0.0075T Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Sensorgehäuse/-bauform: TSOP Bauform - Sensor: TSOP SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Schaltpunkt, typ.: 0.0075T Anzahl der Pins: 6 Pins Sensorausgang: Digital Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: XENSIV Series Hysterese, typ.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 24V Betriebstemperatur, max.: 150°C Ausgangsschnittstelle: Open-Collector Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLE493DP2B6A0HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE493DP2B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C tariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor euEccn: NLR rohsCompliant: YES Sensortyp: Energiesparend hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.8V Sensorgehäuse/-bauform: TSOP Bauform - Sensor: TSOP-6 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: XENSIV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSC160N15NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm |
на замовлення 16064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSC160N15NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm |
на замовлення 16064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSC155N06NDATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSC155N06NDATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSC120N12LSGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V Verlustleistung: 114W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm |
на замовлення 4214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSC120N12LSGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 114W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V Verlustleistung: 114W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm |
на замовлення 4214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMZ120R140M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMZ120R090M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 115W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMZ120R045M1XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 228W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMZ120R350M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMZ120R220M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 75W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IR35201MTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: 2MHz Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN Schaltfrequenz, min.: 194kHz MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.9V euEccn: NLR Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig) Topologie: Buck Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.63V Tastverhältnis, min.: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Tastverhältnis, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IR35201MTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: 2MHz Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN Schaltfrequenz, min.: 194kHz MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.9V euEccn: NLR Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig) Topologie: Buck Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.63V Tastverhältnis, min.: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Tastverhältnis, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R350M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R030M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm |
на замовлення 643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R140M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R350M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 56 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R140M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R030M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm |
на замовлення 643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R107M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R072M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R030M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pins Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R083M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R163M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 85W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R260M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R039M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R057M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 161W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R022M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R060M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 181W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
на замовлення 2587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R045M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R045M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 227W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R090M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
на замовлення 1849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R090M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
на замовлення 1849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R060M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 181W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 181W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
на замовлення 2587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R072M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R107M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R163M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 85W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R022M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R260M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R057M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 161W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 161W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R083M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R039M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 211W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG65R030M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 234W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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EVALSHNBV01DPS310TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALSHNBV01DPS310TOBO1 - Evaluationsboard, DPS310/XMC1100, Luftdrucksensor tariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310/XMC1100 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Luftdrucksensor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TDA21535AUMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21535AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V bis 16Vin, 2.25V bis 5.5V/35Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2.25mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 35A
IC-Nummer: TDA21535
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - TDA21535AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V bis 16Vin, 2.25V bis 5.5V/35Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2.25mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 35A
IC-Nummer: TDA21535
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDA21472AUMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21472AUMA1 - INTEGR. DC/DC-GATE-TREIBER 70A PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: TDA21472
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TDA21472AUMA1 - INTEGR. DC/DC-GATE-TREIBER 70A PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: TDA21472
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDA5240XUMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA5240XUMA1 - HF-Empfänger, 300-928MHz, TSSOP-28, -107dBm, 4.5V bis 5.5V, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Alarmanlagen, schlüssellose Entriegelung, Datenübertragung mit niedriger Bitrate, Fernsteuerung
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 300MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Empfindlichkeit (dBm): -107dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 928MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 300MHz
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: INFINEON - TDA5240XUMA1 - HF-Empfänger, 300-928MHz, TSSOP-28, -107dBm, 4.5V bis 5.5V, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Alarmanlagen, schlüssellose Entriegelung, Datenübertragung mit niedriger Bitrate, Fernsteuerung
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 300MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Empfindlichkeit (dBm): -107dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 928MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 300MHz
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDA21490AUMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21490AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 0.25V bis 5.5Vin, 70Aout, 1.5MHz, PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: -
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TDA21490AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 0.25V bis 5.5Vin, 70Aout, 1.5MHz, PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: -
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDA21460AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21460AUMA1 - DC/DC-Schaltregler, einstellbar, 4.25V bis 16Vin, 250mV bis 5.5V/60Aout, QFN
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: -
Wirkungsgrad: 95%
Schaltfrequenz: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: -
Betriebstemperatur, min.: -
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 60A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 16V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 4.25V
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: QFN
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: -
Ausgangsstrom, max.: 60A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
Description: INFINEON - TDA21460AUMA1 - DC/DC-Schaltregler, einstellbar, 4.25V bis 16Vin, 250mV bis 5.5V/60Aout, QFN
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: -
Wirkungsgrad: 95%
Schaltfrequenz: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: -
Betriebstemperatur, min.: -
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 60A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 16V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 4.25V
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: QFN
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: -
Ausgangsstrom, max.: 60A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDA21462AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21462AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, integrierte Leistungsstufe, 4.25V-16Vin, 60Aout, 1.5MHz, PQFN
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 60A
IC-Nummer: TDA21462
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - TDA21462AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, integrierte Leistungsstufe, 4.25V-16Vin, 60Aout, 1.5MHz, PQFN
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 60A
IC-Nummer: TDA21462
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDA21535AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21535AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V bis 16Vin, 2.25V bis 5.5V/35Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2.25mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 35A
IC-Nummer: TDA21535
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - TDA21535AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V bis 16Vin, 2.25V bis 5.5V/35Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2.25mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 35A
IC-Nummer: TDA21535
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDA21490AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21490AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 0.25V bis 5.5Vin, 70Aout, 1.5MHz, PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: -
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TDA21490AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 0.25V bis 5.5Vin, 70Aout, 1.5MHz, PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: -
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFHS8242TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFI3205PBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 8000 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFI3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 8000 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7907TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF8313TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLE4922MS2GOTOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4922MS2GOTOBO1 - Evaluationskit, TLE4922/XMC1100, Hall-Effekt-Sensor
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE4922, Mikrocontroller XMC1100
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Hall-Effekt-Sensor
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE4922
Leiterplatte: Evaluationskit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: TLE4922, XMC1100
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - TLE4922MS2GOTOBO1 - Evaluationskit, TLE4922/XMC1100, Hall-Effekt-Sensor
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE4922, Mikrocontroller XMC1100
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Hall-Effekt-Sensor
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE4922
Leiterplatte: Evaluationskit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: TLE4922, XMC1100
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLE493DA2B6HTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DA2B6HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positions- und Temperatursensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - TLE493DA2B6HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positions- und Temperatursensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLE49662GHTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49662GHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Hall-Effekt-Latch, 0.0075 T, -0.0075 T, 2.7 V, 24 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10mA
isCanonical: N
Ausschaltpunkt, typ.: -0.0075T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 6 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
Description: INFINEON - TLE49662GHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Hall-Effekt-Latch, 0.0075 T, -0.0075 T, 2.7 V, 24 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10mA
isCanonical: N
Ausschaltpunkt, typ.: -0.0075T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 6 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLE493DP2B6A0HTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP2B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP-6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - TLE493DP2B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP-6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC160N15NS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 16064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC160N15NS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 16064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC155N06NDATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC155N06NDATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC120N12LSGATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC120N12LSGATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMZ120R140M1HXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMZ120R090M1HXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMZ120R045M1XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMZ120R350M1HXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMZ120R220M1HXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IR35201MTRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 2MHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schaltfrequenz, min.: 194kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 2MHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schaltfrequenz, min.: 194kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IR35201MTRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 2MHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schaltfrequenz, min.: 194kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 2MHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schaltfrequenz, min.: 194kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R350M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R030M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R140M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R350M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R140M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R030M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R107M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R072M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R030M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R083M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R163M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R260M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R039M1HXTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R057M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 161W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 161W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R022M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R060M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 181W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 181W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R045M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R045M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R090M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R090M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R060M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 181W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 181W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R072M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R107M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R163M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R022M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R260M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R057M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 161W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 161W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R083M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R039M1HXTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG65R030M1HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EVALSHNBV01DPS310TOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALSHNBV01DPS310TOBO1 - Evaluationsboard, DPS310/XMC1100, Luftdrucksensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310/XMC1100
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - EVALSHNBV01DPS310TOBO1 - Evaluationsboard, DPS310/XMC1100, Luftdrucksensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310/XMC1100
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)