Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24632) > Сторінка 292 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 288 289 290 291 292 293 294 295 296 297 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
TDA21590AUMA1 TDA21590AUMA1 INFINEON 3629267.pdf Description: INFINEON - TDA21590AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, integrierte Leistungsstufe, 4.25V-16Vin, 90Aout, 1.5MHz, PQFN
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 225mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 90A
IC-Nummer: TDA21590
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+208.63 грн
250+198.76 грн
500+192.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21570AUMA1 TDA21570AUMA1 INFINEON 3629266.pdf Description: INFINEON - TDA21570AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, integrierte Leistungsstufe, 4.25V-16Vin, 70Aout, 1.5MHz, QFN
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: QFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 225mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: TDA21570
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.67 грн
10+254.91 грн
25+233.53 грн
50+199.29 грн
100+167.04 грн
250+158.59 грн
500+153.65 грн
1000+150.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21570AUMA1 TDA21570AUMA1 INFINEON 3629266.pdf Description: INFINEON - TDA21570AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, integrierte Leistungsstufe, 4.25V-16Vin, 70Aout, 1.5MHz, QFN
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: QFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 225mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: TDA21570
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.04 грн
250+158.59 грн
500+153.65 грн
1000+150.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21590AUMA1 TDA21590AUMA1 INFINEON 3629267.pdf Description: INFINEON - TDA21590AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, integrierte Leistungsstufe, 4.25V-16Vin, 90Aout, 1.5MHz, PQFN
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 225mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 90A
IC-Nummer: TDA21590
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+382.37 грн
10+291.09 грн
25+268.89 грн
50+238.23 грн
100+208.63 грн
250+198.76 грн
500+192.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21460AUMA1 TDA21460AUMA1 INFINEON INFN-Z-A0001696306-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA21460AUMA1 - DC/DC-Schaltregler, einstellbar, 4.25V bis 16Vin, 250mV bis 5.5V/60Aout, QFN
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: -
Wirkungsgrad: 95%
Schaltfrequenz: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: -
Betriebstemperatur, min.: -
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 60A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 16V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 4.25V
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: QFN
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: -
Ausgangsstrom, max.: 60A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.96 грн
10+256.56 грн
25+236.82 грн
50+209.98 грн
100+184.66 грн
250+176.91 грн
500+171.27 грн
1000+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21520AUMA1 INFINEON INFN-S-A0014778539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA21520AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V-16Vin, 225mV bis 5.5V/20Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 225mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 20A
IC-Nummer: TDA21520
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.49 грн
10+167.75 грн
25+151.30 грн
50+134.39 грн
100+118.41 грн
250+112.07 грн
500+107.84 грн
1000+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5240XUMA1 TDA5240XUMA1 INFINEON INFNS14895-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA5240XUMA1 - HF-Empfänger, 300-928MHz, TSSOP-28, -107dBm, 4.5V bis 5.5V, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Alarmanlagen, schlüssellose Entriegelung, Datenübertragung mit niedriger Bitrate, Fernsteuerung
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 300MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Empfindlichkeit (dBm): -107dBm
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 928MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 300MHz
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.55 грн
10+330.56 грн
25+308.36 грн
50+277.17 грн
100+246.69 грн
250+234.00 грн
500+224.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21535AUMA1 INFINEON 3760953.pdf Description: INFINEON - TDA21535AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V bis 16Vin, 2.25V bis 5.5V/35Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2.25mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 35A
IC-Nummer: TDA21535
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.61 грн
10+231.07 грн
25+212.15 грн
50+187.84 грн
100+164.93 грн
250+155.77 грн
500+150.83 грн
1000+146.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21472AUMA1 TDA21472AUMA1 INFINEON 2868325.pdf Description: INFINEON - TDA21472AUMA1 - INTEGR. DC/DC-GATE-TREIBER 70A PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: TDA21472
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+259.02 грн
250+226.95 грн
1000+199.29 грн
3000+177.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5240XUMA1 TDA5240XUMA1 INFINEON INFNS14895-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA5240XUMA1 - HF-Empfänger, 300-928MHz, TSSOP-28, -107dBm, 4.5V bis 5.5V, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Alarmanlagen, schlüssellose Entriegelung, Datenübertragung mit niedriger Bitrate, Fernsteuerung
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 300MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Empfindlichkeit (dBm): -107dBm
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 928MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 300MHz
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+246.69 грн
250+234.00 грн
500+224.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21490AUMA1 TDA21490AUMA1 INFINEON INFN-S-A0011580737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA21490AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 0.25V bis 5.5Vin, 70Aout, 1.5MHz, PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: -
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+391.41 грн
10+298.49 грн
25+274.65 грн
50+243.58 грн
100+213.56 грн
250+203.69 грн
500+196.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21460AUMA1 TDA21460AUMA1 INFINEON INFN-Z-A0001696306-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA21460AUMA1 - DC/DC-Schaltregler, einstellbar, 4.25V bis 16Vin, 250mV bis 5.5V/60Aout, QFN
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: -
Wirkungsgrad: 95%
Schaltfrequenz: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: -
Betriebstemperatur, min.: -
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 60A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 16V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 4.25V
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: QFN
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: -
Ausgangsstrom, max.: 60A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+184.66 грн
250+176.91 грн
500+171.27 грн
1000+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21462AUMA1 TDA21462AUMA1 INFINEON 2868325.pdf Description: INFINEON - TDA21462AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, integrierte Leistungsstufe, 4.25V-16Vin, 60Aout, 1.5MHz, PQFN
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 60A
IC-Nummer: TDA21462
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+218.50 грн
250+210.74 грн
500+206.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21535AUMA1 INFINEON 3760953.pdf Description: INFINEON - TDA21535AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V bis 16Vin, 2.25V bis 5.5V/35Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2.25mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 35A
IC-Nummer: TDA21535
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.93 грн
250+155.77 грн
500+150.83 грн
1000+146.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21490AUMA1 TDA21490AUMA1 INFINEON INFN-S-A0011580737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA21490AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 0.25V bis 5.5Vin, 70Aout, 1.5MHz, PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: -
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+213.56 грн
250+203.69 грн
500+196.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBF IRFHS8242TRPBF INFINEON irfhs8242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623903b1f5d Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF IRFI3205PBF INFINEON INFN-S-A0003068082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFI3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 8000 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.45 грн
10+117.59 грн
100+108.54 грн
500+96.21 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBF IRF7907TRPBF INFINEON IRSDS09592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.15 грн
250+54.60 грн
1000+36.19 грн
2000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBF IRF8313TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4922MS2GOTOBO1 TLE4922MS2GOTOBO1 INFINEON 3189166.pdf Description: INFINEON - TLE4922MS2GOTOBO1 - Evaluationskit, TLE4922/XMC1100, Hall-Effekt-Sensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE4922, Mikrocontroller XMC1100
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Hall-Effekt-Sensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE4922
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2630.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DA2B6HTSA1 TLE493DA2B6HTSA1 INFINEON INFN-S-A0008993433-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE493DA2B6HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positions- und Temperatursensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.05 грн
250+76.83 грн
500+72.60 грн
1000+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49662GHTSA1 TLE49662GHTSA1 INFINEON Infineon-TLE4966-2G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b511123480c28 Description: INFINEON - TLE49662GHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Hall-Effekt-Latch, 0.0075 T, -0.0075 T, 2.7 V, 24 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10mA
isCanonical: N
Ausschaltpunkt, typ.: -0.0075T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 6 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.10 грн
500+32.15 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP2B6A0HTSA1 TLE493DP2B6A0HTSA1 INFINEON 3215562.pdf Description: INFINEON - TLE493DP2B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP-6
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.06 грн
10+124.99 грн
50+119.23 грн
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+87.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON 2371091.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+305.89 грн
50+199.82 грн
250+138.97 грн
1000+105.37 грн
3000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON 2371091.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+199.82 грн
250+138.97 грн
1000+105.37 грн
3000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 INFINEON Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.50 грн
11+78.53 грн
100+58.14 грн
500+43.45 грн
1000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 INFINEON Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.14 грн
500+43.45 грн
1000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 INFINEON 3154615.pdf Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.19 грн
10+119.23 грн
100+81.74 грн
500+56.05 грн
1000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 INFINEON 3154615.pdf Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.74 грн
500+56.05 грн
1000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1 IMZ120R140M1HXKSA1 INFINEON 2830783.pdf Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+616.72 грн
5+487.62 грн
10+358.52 грн
50+326.04 грн
100+295.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1 IMZ120R090M1HXKSA1 INFINEON 2830782.pdf Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+674.28 грн
5+582.19 грн
10+490.09 грн
50+417.67 грн
100+350.30 грн
250+343.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1 IMZ120R045M1XKSA1 INFINEON 2853079.pdf Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1215.35 грн
5+1078.03 грн
10+939.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 IMZ120R350M1HXKSA1 INFINEON infineon-imz120r350m1h-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+430.88 грн
10+381.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1 IMZ120R220M1HXKSA1 INFINEON infineon-imz120r220m1h-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.67 грн
10+315.76 грн
100+251.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR35201MTRPBF IR35201MTRPBF INFINEON INFN-S-A0002786193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 2MHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schaltfrequenz, min.: 194kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.56 грн
10+276.29 грн
25+274.65 грн
50+234.41 грн
100+212.15 грн
250+207.92 грн
500+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR35201MTRPBF IR35201MTRPBF INFINEON INFN-S-A0002786193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 2MHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schaltfrequenz, min.: 194kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+212.15 грн
250+207.92 грн
500+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 INFINEON 3159572.pdf Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.48 грн
10+286.16 грн
100+205.57 грн
500+158.82 грн
1000+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 INFINEON Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0eca774325c Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1175.88 грн
5+1009.78 грн
10+843.68 грн
50+724.62 грн
100+600.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 INFINEON 3159570.pdf Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+422.66 грн
10+337.14 грн
100+275.47 грн
500+224.49 грн
1000+206.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 INFINEON 3159572.pdf Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+205.57 грн
500+158.82 грн
1000+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 INFINEON 3159570.pdf Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+275.47 грн
500+224.49 грн
1000+206.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 INFINEON 3159566.pdf Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+846.14 грн
50+693.31 грн
100+554.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 IMBG65R107M1HXTMA1 INFINEON 3671353.pdf Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+516.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 INFINEON 3671355.pdf Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1070.63 грн
5+997.45 грн
10+924.26 грн
50+784.94 грн
100+656.90 грн
250+643.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R030M1HXTMA1 IMBG65R030M1HXTMA1 INFINEON 3671359.pdf Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1526.18 грн
5+1464.51 грн
10+1402.02 грн
50+1201.08 грн
100+1014.95 грн
250+994.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 IMBG65R083M1HXTMA1 INFINEON 3671354.pdf Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+878.21 грн
5+810.78 грн
10+743.36 грн
50+631.46 грн
100+527.91 грн
250+517.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 INFINEON 3671352.pdf Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+618.37 грн
5+564.92 грн
10+510.65 грн
50+433.70 грн
100+362.28 грн
250+355.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 IMBG65R260M1HXTMA1 INFINEON 3671351.pdf Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+550.12 грн
10+449.80 грн
100+368.39 грн
500+291.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R039M1HXTMA1 IMBG65R039M1HXTMA1 INFINEON Infineon-IMBG65R039M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e4982bf550d7a Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1247.42 грн
5+1183.28 грн
10+1119.15 грн
50+959.03 грн
100+809.84 грн
250+794.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 IMBG65R057M1HXTMA1 INFINEON 3671356.pdf Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+964.55 грн
5+902.06 грн
10+838.74 грн
50+718.51 грн
100+606.85 грн
250+594.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 IMBG65R022M1HXTMA1 INFINEON 3671360.pdf Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1140.53 грн
5+971.95 грн
10+803.38 грн
50+668.88 грн
100+545.54 грн
250+534.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 IMBG120R060M1HXTMA1 INFINEON 3159568.pdf Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+736.78 грн
5+635.64 грн
10+533.67 грн
50+455.85 грн
100+312.94 грн
250+306.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 INFINEON 3159567.pdf Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+822.30 грн
5+747.47 грн
10+671.82 грн
50+620.01 грн
100+494.08 грн
250+487.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 INFINEON 3159567.pdf Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+671.82 грн
50+620.01 грн
100+494.08 грн
250+487.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1 IMBG120R090M1HXTMA1 INFINEON 3159569.pdf Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+562.45 грн
5+493.38 грн
10+423.48 грн
50+348.18 грн
100+279.82 грн
250+279.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1 IMBG120R090M1HXTMA1 INFINEON 3159569.pdf Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+423.48 грн
50+348.18 грн
100+279.82 грн
250+279.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 IMBG120R060M1HXTMA1 INFINEON 3159568.pdf Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+533.67 грн
50+455.85 грн
100+312.94 грн
250+306.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 INFINEON 3671355.pdf Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+924.26 грн
50+784.94 грн
100+656.90 грн
250+643.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 IMBG65R107M1HXTMA1 INFINEON 3671353.pdf Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 INFINEON 3671352.pdf Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+510.65 грн
50+433.70 грн
100+362.28 грн
250+355.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21590AUMA1 3629267.pdf
TDA21590AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21590AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, integrierte Leistungsstufe, 4.25V-16Vin, 90Aout, 1.5MHz, PQFN
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 225mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 90A
IC-Nummer: TDA21590
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+208.63 грн
250+198.76 грн
500+192.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21570AUMA1 3629266.pdf
TDA21570AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21570AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, integrierte Leistungsstufe, 4.25V-16Vin, 70Aout, 1.5MHz, QFN
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: QFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 225mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: TDA21570
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+334.67 грн
10+254.91 грн
25+233.53 грн
50+199.29 грн
100+167.04 грн
250+158.59 грн
500+153.65 грн
1000+150.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21570AUMA1 3629266.pdf
TDA21570AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21570AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, integrierte Leistungsstufe, 4.25V-16Vin, 70Aout, 1.5MHz, QFN
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: QFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 225mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: TDA21570
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+167.04 грн
250+158.59 грн
500+153.65 грн
1000+150.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21590AUMA1 3629267.pdf
TDA21590AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21590AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, integrierte Leistungsstufe, 4.25V-16Vin, 90Aout, 1.5MHz, PQFN
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 225mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 90A
IC-Nummer: TDA21590
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+382.37 грн
10+291.09 грн
25+268.89 грн
50+238.23 грн
100+208.63 грн
250+198.76 грн
500+192.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21460AUMA1 INFN-Z-A0001696306-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA21460AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21460AUMA1 - DC/DC-Schaltregler, einstellbar, 4.25V bis 16Vin, 250mV bis 5.5V/60Aout, QFN
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: -
Wirkungsgrad: 95%
Schaltfrequenz: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: -
Betriebstemperatur, min.: -
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 60A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 16V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 4.25V
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: QFN
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: -
Ausgangsstrom, max.: 60A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+337.96 грн
10+256.56 грн
25+236.82 грн
50+209.98 грн
100+184.66 грн
250+176.91 грн
500+171.27 грн
1000+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21520AUMA1 INFN-S-A0014778539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21520AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V-16Vin, 225mV bis 5.5V/20Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 225mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 20A
IC-Nummer: TDA21520
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+224.49 грн
10+167.75 грн
25+151.30 грн
50+134.39 грн
100+118.41 грн
250+112.07 грн
500+107.84 грн
1000+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5240XUMA1 INFNS14895-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA5240XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA5240XUMA1 - HF-Empfänger, 300-928MHz, TSSOP-28, -107dBm, 4.5V bis 5.5V, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Alarmanlagen, schlüssellose Entriegelung, Datenübertragung mit niedriger Bitrate, Fernsteuerung
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 300MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Empfindlichkeit (dBm): -107dBm
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 928MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 300MHz
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+381.55 грн
10+330.56 грн
25+308.36 грн
50+277.17 грн
100+246.69 грн
250+234.00 грн
500+224.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21535AUMA1 3760953.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21535AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V bis 16Vin, 2.25V bis 5.5V/35Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2.25mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 35A
IC-Nummer: TDA21535
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+302.61 грн
10+231.07 грн
25+212.15 грн
50+187.84 грн
100+164.93 грн
250+155.77 грн
500+150.83 грн
1000+146.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21472AUMA1 2868325.pdf
TDA21472AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21472AUMA1 - INTEGR. DC/DC-GATE-TREIBER 70A PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: TDA21472
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+259.02 грн
250+226.95 грн
1000+199.29 грн
3000+177.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5240XUMA1 INFNS14895-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA5240XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA5240XUMA1 - HF-Empfänger, 300-928MHz, TSSOP-28, -107dBm, 4.5V bis 5.5V, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Alarmanlagen, schlüssellose Entriegelung, Datenübertragung mit niedriger Bitrate, Fernsteuerung
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 300MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Empfindlichkeit (dBm): -107dBm
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 928MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 300MHz
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+246.69 грн
250+234.00 грн
500+224.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21490AUMA1 INFN-S-A0011580737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA21490AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21490AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 0.25V bis 5.5Vin, 70Aout, 1.5MHz, PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: -
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+391.41 грн
10+298.49 грн
25+274.65 грн
50+243.58 грн
100+213.56 грн
250+203.69 грн
500+196.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21460AUMA1 INFN-Z-A0001696306-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA21460AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21460AUMA1 - DC/DC-Schaltregler, einstellbar, 4.25V bis 16Vin, 250mV bis 5.5V/60Aout, QFN
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: -
Wirkungsgrad: 95%
Schaltfrequenz: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: -
Betriebstemperatur, min.: -
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 60A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 16V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 4.25V
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: QFN
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: -
Ausgangsstrom, max.: 60A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+184.66 грн
250+176.91 грн
500+171.27 грн
1000+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21462AUMA1 2868325.pdf
TDA21462AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21462AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, integrierte Leistungsstufe, 4.25V-16Vin, 60Aout, 1.5MHz, PQFN
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 60A
IC-Nummer: TDA21462
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+218.50 грн
250+210.74 грн
500+206.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21535AUMA1 3760953.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21535AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V bis 16Vin, 2.25V bis 5.5V/35Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2.25mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 35A
IC-Nummer: TDA21535
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+164.93 грн
250+155.77 грн
500+150.83 грн
1000+146.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21490AUMA1 INFN-S-A0011580737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA21490AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21490AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 0.25V bis 5.5Vin, 70Aout, 1.5MHz, PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: -
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+213.56 грн
250+203.69 грн
500+196.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBF irfhs8242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623903b1f5d
IRFHS8242TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF description INFN-S-A0003068082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFI3205PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 8000 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+252.45 грн
10+117.59 грн
100+108.54 грн
500+96.21 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBF IRSDS09592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7907TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+82.15 грн
250+54.60 грн
1000+36.19 грн
2000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBF INFN-S-A0012838150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8313TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4922MS2GOTOBO1 3189166.pdf
TLE4922MS2GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4922MS2GOTOBO1 - Evaluationskit, TLE4922/XMC1100, Hall-Effekt-Sensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE4922, Mikrocontroller XMC1100
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Hall-Effekt-Sensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE4922
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2630.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DA2B6HTSA1 INFN-S-A0008993433-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE493DA2B6HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DA2B6HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positions- und Temperatursensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+87.05 грн
250+76.83 грн
500+72.60 грн
1000+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49662GHTSA1 Infineon-TLE4966-2G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b511123480c28
TLE49662GHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49662GHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Hall-Effekt-Latch, 0.0075 T, -0.0075 T, 2.7 V, 24 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10mA
isCanonical: N
Ausschaltpunkt, typ.: -0.0075T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 6 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+36.10 грн
500+32.15 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP2B6A0HTSA1 3215562.pdf
TLE493DP2B6A0HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP2B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP-6
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+157.06 грн
10+124.99 грн
50+119.23 грн
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+87.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 2371091.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+305.89 грн
50+199.82 грн
250+138.97 грн
1000+105.37 грн
3000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 2371091.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+199.82 грн
250+138.97 грн
1000+105.37 грн
3000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec
BSC155N06NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+136.50 грн
11+78.53 грн
100+58.14 грн
500+43.45 грн
1000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec
BSC155N06NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+58.14 грн
500+43.45 грн
1000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 3154615.pdf
BSC120N12LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+184.19 грн
10+119.23 грн
100+81.74 грн
500+56.05 грн
1000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 3154615.pdf
BSC120N12LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+81.74 грн
500+56.05 грн
1000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1 2830783.pdf
IMZ120R140M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+616.72 грн
5+487.62 грн
10+358.52 грн
50+326.04 грн
100+295.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1 2830782.pdf
IMZ120R090M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+674.28 грн
5+582.19 грн
10+490.09 грн
50+417.67 грн
100+350.30 грн
250+343.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1 2853079.pdf
IMZ120R045M1XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1215.35 грн
5+1078.03 грн
10+939.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 infineon-imz120r350m1h-datasheet-en.pdf
IMZ120R350M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+430.88 грн
10+381.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1 infineon-imz120r220m1h-datasheet-en.pdf
IMZ120R220M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+570.67 грн
10+315.76 грн
100+251.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR35201MTRPBF INFN-S-A0002786193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR35201MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 2MHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schaltfrequenz, min.: 194kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+330.56 грн
10+276.29 грн
25+274.65 грн
50+234.41 грн
100+212.15 грн
250+207.92 грн
500+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR35201MTRPBF INFN-S-A0002786193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR35201MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 2MHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schaltfrequenz, min.: 194kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+212.15 грн
250+207.92 грн
500+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 3159572.pdf
IMBG120R350M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+386.48 грн
10+286.16 грн
100+205.57 грн
500+158.82 грн
1000+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0eca774325c
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1175.88 грн
5+1009.78 грн
10+843.68 грн
50+724.62 грн
100+600.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 3159570.pdf
IMBG120R140M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+422.66 грн
10+337.14 грн
100+275.47 грн
500+224.49 грн
1000+206.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 3159572.pdf
IMBG120R350M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+205.57 грн
500+158.82 грн
1000+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 3159570.pdf
IMBG120R140M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+275.47 грн
500+224.49 грн
1000+206.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 3159566.pdf
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+846.14 грн
50+693.31 грн
100+554.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 3671353.pdf
IMBG65R107M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+516.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1 3671355.pdf
IMBG65R072M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1070.63 грн
5+997.45 грн
10+924.26 грн
50+784.94 грн
100+656.90 грн
250+643.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R030M1HXTMA1 3671359.pdf
IMBG65R030M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1526.18 грн
5+1464.51 грн
10+1402.02 грн
50+1201.08 грн
100+1014.95 грн
250+994.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 3671354.pdf
IMBG65R083M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+878.21 грн
5+810.78 грн
10+743.36 грн
50+631.46 грн
100+527.91 грн
250+517.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 3671352.pdf
IMBG65R163M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+618.37 грн
5+564.92 грн
10+510.65 грн
50+433.70 грн
100+362.28 грн
250+355.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 3671351.pdf
IMBG65R260M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+550.12 грн
10+449.80 грн
100+368.39 грн
500+291.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R039M1HXTMA1 Infineon-IMBG65R039M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e4982bf550d7a
IMBG65R039M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1247.42 грн
5+1183.28 грн
10+1119.15 грн
50+959.03 грн
100+809.84 грн
250+794.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 3671356.pdf
IMBG65R057M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+964.55 грн
5+902.06 грн
10+838.74 грн
50+718.51 грн
100+606.85 грн
250+594.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 3671360.pdf
IMBG65R022M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1140.53 грн
5+971.95 грн
10+803.38 грн
50+668.88 грн
100+545.54 грн
250+534.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 3159568.pdf
IMBG120R060M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+736.78 грн
5+635.64 грн
10+533.67 грн
50+455.85 грн
100+312.94 грн
250+306.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 3159567.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+822.30 грн
5+747.47 грн
10+671.82 грн
50+620.01 грн
100+494.08 грн
250+487.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 3159567.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+671.82 грн
50+620.01 грн
100+494.08 грн
250+487.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1 3159569.pdf
IMBG120R090M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+562.45 грн
5+493.38 грн
10+423.48 грн
50+348.18 грн
100+279.82 грн
250+279.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1 3159569.pdf
IMBG120R090M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+423.48 грн
50+348.18 грн
100+279.82 грн
250+279.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 3159568.pdf
IMBG120R060M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+533.67 грн
50+455.85 грн
100+312.94 грн
250+306.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1 3671355.pdf
IMBG65R072M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+924.26 грн
50+784.94 грн
100+656.90 грн
250+643.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 3671353.pdf
IMBG65R107M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 3671352.pdf
IMBG65R163M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+510.65 грн
50+433.70 грн
100+362.28 грн
250+355.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 288 289 290 291 292 293 294 295 296 297 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]