Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24514) > Сторінка 292 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 287 288 289 290 291 292 293 294 295 296 297 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TDA21520AUMA1 INFINEON INFN-S-A0014778539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA21520AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V-16Vin, 225mV bis 5.5V/20Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 225mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 20A
IC-Nummer: TDA21520
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.99 грн
10+165.13 грн
25+148.94 грн
50+132.29 грн
100+116.56 грн
250+110.32 грн
500+106.16 грн
1000+102.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5240XUMA1 TDA5240XUMA1 INFINEON INFNS14895-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA5240XUMA1 - HF-Empfänger, 300-928MHz, TSSOP-28, -107dBm, 4.5V bis 5.5V, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Alarmanlagen, schlüssellose Entriegelung, Datenübertragung mit niedriger Bitrate, Fernsteuerung
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 300MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Empfindlichkeit (dBm): -107dBm
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 928MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 300MHz
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.60 грн
10+325.41 грн
25+303.55 грн
50+272.85 грн
100+242.84 грн
250+230.35 грн
500+221.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21535AUMA1 INFINEON 3760953.pdf Description: INFINEON - TDA21535AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V bis 16Vin, 2.25V bis 5.5V/35Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2.25mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 35A
IC-Nummer: TDA21535
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.89 грн
10+227.46 грн
25+208.84 грн
50+184.91 грн
100+162.36 грн
250+153.34 грн
500+148.48 грн
1000+144.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21472AUMA1 TDA21472AUMA1 INFINEON 2868325.pdf Description: INFINEON - TDA21472AUMA1 - INTEGR. DC/DC-GATE-TREIBER 70A PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: TDA21472
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+254.99 грн
250+223.42 грн
1000+196.18 грн
3000+174.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5240XUMA1 TDA5240XUMA1 INFINEON INFNS14895-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA5240XUMA1 - HF-Empfänger, 300-928MHz, TSSOP-28, -107dBm, 4.5V bis 5.5V, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Alarmanlagen, schlüssellose Entriegelung, Datenübertragung mit niedriger Bitrate, Fernsteuerung
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 300MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Empfindlichkeit (dBm): -107dBm
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 928MHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 300MHz
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+242.84 грн
250+230.35 грн
500+221.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21490AUMA1 TDA21490AUMA1 INFINEON INFN-S-A0011580737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA21490AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 0.25V bis 5.5Vin, 70Aout, 1.5MHz, PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: -
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+385.31 грн
10+293.84 грн
25+270.37 грн
50+239.78 грн
100+210.23 грн
250+200.52 грн
500+193.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21460AUMA1 TDA21460AUMA1 INFINEON INFN-Z-A0001696306-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA21460AUMA1 - DC/DC-Schaltregler, einstellbar, 4.25V bis 16Vin, 250mV bis 5.5V/60Aout, QFN
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 250mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 60A
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Topologie: -
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 60A
Wirkungsgrad: 95%
Betriebstemperatur, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+201.21 грн
250+191.50 грн
500+183.87 грн
1000+179.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21462AUMA1 TDA21462AUMA1 INFINEON 2868325.pdf Description: INFINEON - TDA21462AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, integrierte Leistungsstufe, 4.25V-16Vin, 60Aout, 1.5MHz, PQFN
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 60A
IC-Nummer: TDA21462
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+215.09 грн
250+207.46 грн
500+203.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21535AUMA1 INFINEON 3760953.pdf Description: INFINEON - TDA21535AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V bis 16Vin, 2.25V bis 5.5V/35Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2.25mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 35A
IC-Nummer: TDA21535
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+162.36 грн
250+153.34 грн
500+148.48 грн
1000+144.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21490AUMA1 TDA21490AUMA1 INFINEON INFN-S-A0011580737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA21490AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 0.25V bis 5.5Vin, 70Aout, 1.5MHz, PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: -
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+210.23 грн
250+200.52 грн
500+193.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBF IRFHS8242TRPBF INFINEON irfhs8242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623903b1f5d Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF IRFI3205PBF INFINEON INFN-S-A0003068082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFI3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 8000 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.51 грн
10+115.76 грн
100+106.85 грн
500+94.71 грн
1000+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBF IRF7907TRPBF INFINEON IRSDS09592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.67 грн
250+48.33 грн
1000+32.02 грн
2000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBF IRF8313TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4922MS2GOTOBO1 TLE4922MS2GOTOBO1 INFINEON 3189166.pdf Description: INFINEON - TLE4922MS2GOTOBO1 - Evaluationskit, TLE4922/XMC1100, Hall-Effekt-Sensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE4922, Mikrocontroller XMC1100
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Hall-Effekt-Sensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE4922
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2589.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DA2B6HTSA1 TLE493DA2B6HTSA1 INFINEON TLE493D-A2B6_V1.3_4-9-19.pdf Description: INFINEON - TLE493DA2B6HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positions- und Temperatursensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.69 грн
250+75.63 грн
500+71.47 грн
1000+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49662GHTSA1 TLE49662GHTSA1 INFINEON Infineon-TLE4966-2G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b511123480c28 Description: INFINEON - TLE49662GHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Hall-Effekt-Latch, 0.0075 T, -0.0075 T, 2.7 V, 24 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10mA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.0075T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 6 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.00 грн
500+29.01 грн
1000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP2B6A0HTSA1 TLE493DP2B6A0HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-P2B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277fc743901785af375274815 Description: INFINEON - TLE493DP2B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP-6
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.23 грн
10+124.66 грн
50+118.99 грн
100+105.23 грн
250+95.06 грн
500+92.97 грн
1000+90.89 грн
2500+88.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON 2371091.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+301.13 грн
50+196.70 грн
250+136.80 грн
1000+103.73 грн
3000+95.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON 2371091.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+196.70 грн
250+136.80 грн
1000+103.73 грн
3000+95.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 INFINEON Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.94 грн
10+80.95 грн
100+62.65 грн
500+47.43 грн
1000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 INFINEON Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.65 грн
500+47.43 грн
1000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 INFINEON 3154615.pdf Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.32 грн
10+117.37 грн
100+80.46 грн
500+55.17 грн
1000+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 INFINEON 3154615.pdf Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.46 грн
500+55.17 грн
1000+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1 IMZ120R140M1HXKSA1 INFINEON 2830783.pdf Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+607.11 грн
5+480.02 грн
10+352.93 грн
50+320.96 грн
100+290.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1 IMZ120R090M1HXKSA1 INFINEON 2830782.pdf Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+663.77 грн
5+573.11 грн
10+482.45 грн
50+411.16 грн
100+344.84 грн
250+337.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1 IMZ120R045M1XKSA1 INFINEON 2853079.pdf Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1196.41 грн
5+1061.22 грн
10+925.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 IMZ120R350M1HXKSA1 INFINEON infineon-imz120r350m1h-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+424.17 грн
10+375.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1 IMZ120R220M1HXKSA1 INFINEON infineon-imz120r220m1h-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+561.78 грн
10+310.84 грн
100+247.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR35201MTRPBF IR35201MTRPBF INFINEON INFN-S-A0002786193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 2MHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schaltfrequenz, min.: 194kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.41 грн
10+271.98 грн
25+270.37 грн
50+230.76 грн
100+208.84 грн
250+204.68 грн
500+200.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR35201MTRPBF IR35201MTRPBF INFINEON INFN-S-A0002786193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 2MHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schaltfrequenz, min.: 194kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+208.84 грн
250+204.68 грн
500+200.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 INFINEON 3159572.pdf Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+380.45 грн
10+281.70 грн
100+202.37 грн
500+156.34 грн
1000+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 INFINEON Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0eca774325c Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1157.55 грн
5+994.04 грн
10+830.52 грн
50+713.32 грн
100+591.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 INFINEON 3159570.pdf Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.07 грн
10+331.89 грн
100+271.17 грн
500+220.99 грн
1000+203.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 INFINEON 3159572.pdf Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.37 грн
500+156.34 грн
1000+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 IMBG120R140M1HXTMA1 INFINEON 3159570.pdf Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+271.17 грн
500+220.99 грн
1000+203.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 IMBG120R030M1HXTMA1 INFINEON 3159566.pdf Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+832.95 грн
50+682.50 грн
100+546.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 IMBG65R107M1HXTMA1 INFINEON 3671353.pdf Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.84 грн
10+182.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 INFINEON 3671355.pdf Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1053.94 грн
5+981.90 грн
10+909.85 грн
50+772.70 грн
100+646.66 грн
250+633.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R030M1HXTMA1 IMBG65R030M1HXTMA1 INFINEON 3671359.pdf Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1502.39 грн
5+1441.68 грн
10+1380.16 грн
50+1182.36 грн
100+999.13 грн
250+979.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 IMBG65R083M1HXTMA1 INFINEON 3671354.pdf Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+864.52 грн
5+798.14 грн
10+731.77 грн
50+621.62 грн
100+519.68 грн
250+509.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 INFINEON 3671352.pdf Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+608.73 грн
5+556.11 грн
10+502.69 грн
50+426.94 грн
100+356.63 грн
250+349.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 IMBG65R260M1HXTMA1 INFINEON 3671351.pdf Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+541.54 грн
10+442.78 грн
100+362.65 грн
500+287.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R039M1HXTMA1 IMBG65R039M1HXTMA1 INFINEON Infineon-IMBG65R039M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e4982bf550d7a Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1227.98 грн
5+1164.84 грн
10+1101.70 грн
50+944.08 грн
100+797.22 грн
250+781.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 IMBG65R057M1HXTMA1 INFINEON 3671356.pdf Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+949.52 грн
5+888.00 грн
10+825.67 грн
50+707.31 грн
100+597.39 грн
250+585.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 IMBG65R022M1HXTMA1 INFINEON 3671360.pdf Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1122.74 грн
5+956.80 грн
10+790.86 грн
50+658.45 грн
100+537.03 грн
250+526.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 IMBG120R060M1HXTMA1 INFINEON 3159568.pdf Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+725.29 грн
5+625.73 грн
10+525.35 грн
50+448.74 грн
100+308.06 грн
250+301.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 INFINEON 3159567.pdf Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+809.48 грн
5+735.81 грн
10+661.34 грн
50+610.35 грн
100+486.38 грн
250+480.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 INFINEON 3159567.pdf Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+661.34 грн
50+610.35 грн
100+486.38 грн
250+480.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1 IMBG120R090M1HXTMA1 INFINEON 3159569.pdf Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+553.68 грн
5+485.69 грн
10+416.88 грн
50+342.76 грн
100+275.45 грн
250+274.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1 IMBG120R090M1HXTMA1 INFINEON 3159569.pdf Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+416.88 грн
50+342.76 грн
100+275.45 грн
250+274.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 IMBG120R060M1HXTMA1 INFINEON 3159568.pdf Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+525.35 грн
50+448.74 грн
100+308.06 грн
250+301.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 INFINEON 3671355.pdf Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+909.85 грн
50+772.70 грн
100+646.66 грн
250+633.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 IMBG65R107M1HXTMA1 INFINEON 3671353.pdf Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 INFINEON 3671352.pdf Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+502.69 грн
50+426.94 грн
100+356.63 грн
250+349.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 IMBG65R022M1HXTMA1 INFINEON 3671360.pdf Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+790.86 грн
50+658.45 грн
100+537.03 грн
250+526.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 IMBG65R260M1HXTMA1 INFINEON 3671351.pdf Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+442.78 грн
100+362.65 грн
500+287.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 IMBG65R057M1HXTMA1 INFINEON 3671356.pdf Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+825.67 грн
50+707.31 грн
100+597.39 грн
250+585.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 IMBG65R083M1HXTMA1 INFINEON 3671354.pdf Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+731.77 грн
50+621.62 грн
100+519.68 грн
250+509.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R039M1HXTMA1 IMBG65R039M1HXTMA1 INFINEON Infineon-IMBG65R039M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e4982bf550d7a Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1101.70 грн
50+944.08 грн
100+797.22 грн
250+781.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21520AUMA1 INFN-S-A0014778539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21520AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V-16Vin, 225mV bis 5.5V/20Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 225mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 20A
IC-Nummer: TDA21520
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+220.99 грн
10+165.13 грн
25+148.94 грн
50+132.29 грн
100+116.56 грн
250+110.32 грн
500+106.16 грн
1000+102.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5240XUMA1 INFNS14895-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA5240XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA5240XUMA1 - HF-Empfänger, 300-928MHz, TSSOP-28, -107dBm, 4.5V bis 5.5V, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Alarmanlagen, schlüssellose Entriegelung, Datenübertragung mit niedriger Bitrate, Fernsteuerung
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 300MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Empfindlichkeit (dBm): -107dBm
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 928MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 300MHz
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+375.60 грн
10+325.41 грн
25+303.55 грн
50+272.85 грн
100+242.84 грн
250+230.35 грн
500+221.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21535AUMA1 3760953.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21535AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V bis 16Vin, 2.25V bis 5.5V/35Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2.25mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 35A
IC-Nummer: TDA21535
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+297.89 грн
10+227.46 грн
25+208.84 грн
50+184.91 грн
100+162.36 грн
250+153.34 грн
500+148.48 грн
1000+144.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21472AUMA1 2868325.pdf
TDA21472AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21472AUMA1 - INTEGR. DC/DC-GATE-TREIBER 70A PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: TDA21472
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+254.99 грн
250+223.42 грн
1000+196.18 грн
3000+174.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5240XUMA1 INFNS14895-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA5240XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA5240XUMA1 - HF-Empfänger, 300-928MHz, TSSOP-28, -107dBm, 4.5V bis 5.5V, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Alarmanlagen, schlüssellose Entriegelung, Datenübertragung mit niedriger Bitrate, Fernsteuerung
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 300MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Empfindlichkeit (dBm): -107dBm
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 928MHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 300MHz
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+242.84 грн
250+230.35 грн
500+221.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21490AUMA1 INFN-S-A0011580737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA21490AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21490AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 0.25V bis 5.5Vin, 70Aout, 1.5MHz, PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: -
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+385.31 грн
10+293.84 грн
25+270.37 грн
50+239.78 грн
100+210.23 грн
250+200.52 грн
500+193.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21460AUMA1 INFN-Z-A0001696306-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA21460AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21460AUMA1 - DC/DC-Schaltregler, einstellbar, 4.25V bis 16Vin, 250mV bis 5.5V/60Aout, QFN
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 250mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 60A
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Topologie: -
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 60A
Wirkungsgrad: 95%
Betriebstemperatur, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+201.21 грн
250+191.50 грн
500+183.87 грн
1000+179.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21462AUMA1 2868325.pdf
TDA21462AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21462AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, integrierte Leistungsstufe, 4.25V-16Vin, 60Aout, 1.5MHz, PQFN
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 60A
IC-Nummer: TDA21462
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+215.09 грн
250+207.46 грн
500+203.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21535AUMA1 3760953.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21535AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 4.25V bis 16Vin, 2.25V bis 5.5V/35Aout, 1.5MHz, PQFN-28
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2.25mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 35A
IC-Nummer: TDA21535
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+162.36 грн
250+153.34 грн
500+148.48 грн
1000+144.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21490AUMA1 INFN-S-A0011580737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA21490AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA21490AUMA1 - Spannungsregler, DC/DC-Gate-Treiber, 0.25V bis 5.5Vin, 70Aout, 1.5MHz, PQFN-39
tariffCode: 85423990
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: PQFN
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 250mV
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70A
IC-Nummer: -
Schaltfrequenz, max.: 1.5MHz
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+210.23 грн
250+200.52 грн
500+193.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBF irfhs8242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623903b1f5d
IRFHS8242TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF description INFN-S-A0003068082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFI3205PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 8000 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+248.51 грн
10+115.76 грн
100+106.85 грн
500+94.71 грн
1000+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBF IRSDS09592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7907TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.67 грн
250+48.33 грн
1000+32.02 грн
2000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBF INFN-S-A0012838150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8313TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4922MS2GOTOBO1 3189166.pdf
TLE4922MS2GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4922MS2GOTOBO1 - Evaluationskit, TLE4922/XMC1100, Hall-Effekt-Sensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE4922, Mikrocontroller XMC1100
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Hall-Effekt-Sensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE4922
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2589.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DA2B6HTSA1 TLE493D-A2B6_V1.3_4-9-19.pdf
TLE493DA2B6HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DA2B6HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positions- und Temperatursensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.69 грн
250+75.63 грн
500+71.47 грн
1000+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49662GHTSA1 Infineon-TLE4966-2G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b511123480c28
TLE49662GHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49662GHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Hall-Effekt-Latch, 0.0075 T, -0.0075 T, 2.7 V, 24 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10mA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.0075T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 6 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.00 грн
500+29.01 грн
1000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP2B6A0HTSA1 Infineon-TLE493D-P2B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277fc743901785af375274815
TLE493DP2B6A0HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP2B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP-6
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.23 грн
10+124.66 грн
50+118.99 грн
100+105.23 грн
250+95.06 грн
500+92.97 грн
1000+90.89 грн
2500+88.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 2371091.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+301.13 грн
50+196.70 грн
250+136.80 грн
1000+103.73 грн
3000+95.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 2371091.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+196.70 грн
250+136.80 грн
1000+103.73 грн
3000+95.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec
BSC155N06NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.94 грн
10+80.95 грн
100+62.65 грн
500+47.43 грн
1000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec
BSC155N06NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.65 грн
500+47.43 грн
1000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 3154615.pdf
BSC120N12LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.32 грн
10+117.37 грн
100+80.46 грн
500+55.17 грн
1000+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 3154615.pdf
BSC120N12LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.46 грн
500+55.17 грн
1000+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1 2830783.pdf
IMZ120R140M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+607.11 грн
5+480.02 грн
10+352.93 грн
50+320.96 грн
100+290.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1 2830782.pdf
IMZ120R090M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+663.77 грн
5+573.11 грн
10+482.45 грн
50+411.16 грн
100+344.84 грн
250+337.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1 2853079.pdf
IMZ120R045M1XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1196.41 грн
5+1061.22 грн
10+925.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 infineon-imz120r350m1h-datasheet-en.pdf
IMZ120R350M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+424.17 грн
10+375.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1 infineon-imz120r220m1h-datasheet-en.pdf
IMZ120R220M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+561.78 грн
10+310.84 грн
100+247.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR35201MTRPBF INFN-S-A0002786193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR35201MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 2MHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schaltfrequenz, min.: 194kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+325.41 грн
10+271.98 грн
25+270.37 грн
50+230.76 грн
100+208.84 грн
250+204.68 грн
500+200.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR35201MTRPBF INFN-S-A0002786193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR35201MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 2MHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schaltfrequenz, min.: 194kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+208.84 грн
250+204.68 грн
500+200.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 3159572.pdf
IMBG120R350M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+380.45 грн
10+281.70 грн
100+202.37 грн
500+156.34 грн
1000+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R030M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0eca774325c
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1157.55 грн
5+994.04 грн
10+830.52 грн
50+713.32 грн
100+591.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 3159570.pdf
IMBG120R140M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+416.07 грн
10+331.89 грн
100+271.17 грн
500+220.99 грн
1000+203.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 3159572.pdf
IMBG120R350M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+202.37 грн
500+156.34 грн
1000+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1 3159570.pdf
IMBG120R140M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+271.17 грн
500+220.99 грн
1000+203.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1 3159566.pdf
IMBG120R030M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+832.95 грн
50+682.50 грн
100+546.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 3671353.pdf
IMBG65R107M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+361.84 грн
10+182.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1 3671355.pdf
IMBG65R072M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1053.94 грн
5+981.90 грн
10+909.85 грн
50+772.70 грн
100+646.66 грн
250+633.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R030M1HXTMA1 3671359.pdf
IMBG65R030M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1502.39 грн
5+1441.68 грн
10+1380.16 грн
50+1182.36 грн
100+999.13 грн
250+979.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 3671354.pdf
IMBG65R083M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+864.52 грн
5+798.14 грн
10+731.77 грн
50+621.62 грн
100+519.68 грн
250+509.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 3671352.pdf
IMBG65R163M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+608.73 грн
5+556.11 грн
10+502.69 грн
50+426.94 грн
100+356.63 грн
250+349.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 3671351.pdf
IMBG65R260M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+541.54 грн
10+442.78 грн
100+362.65 грн
500+287.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R039M1HXTMA1 Infineon-IMBG65R039M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e4982bf550d7a
IMBG65R039M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1227.98 грн
5+1164.84 грн
10+1101.70 грн
50+944.08 грн
100+797.22 грн
250+781.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 3671356.pdf
IMBG65R057M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+949.52 грн
5+888.00 грн
10+825.67 грн
50+707.31 грн
100+597.39 грн
250+585.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 3671360.pdf
IMBG65R022M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1122.74 грн
5+956.80 грн
10+790.86 грн
50+658.45 грн
100+537.03 грн
250+526.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 3159568.pdf
IMBG120R060M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+725.29 грн
5+625.73 грн
10+525.35 грн
50+448.74 грн
100+308.06 грн
250+301.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 3159567.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+809.48 грн
5+735.81 грн
10+661.34 грн
50+610.35 грн
100+486.38 грн
250+480.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 3159567.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+661.34 грн
50+610.35 грн
100+486.38 грн
250+480.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1 3159569.pdf
IMBG120R090M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+553.68 грн
5+485.69 грн
10+416.88 грн
50+342.76 грн
100+275.45 грн
250+274.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1 3159569.pdf
IMBG120R090M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+416.88 грн
50+342.76 грн
100+275.45 грн
250+274.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1 3159568.pdf
IMBG120R060M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+525.35 грн
50+448.74 грн
100+308.06 грн
250+301.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1 3671355.pdf
IMBG65R072M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+909.85 грн
50+772.70 грн
100+646.66 грн
250+633.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 3671353.pdf
IMBG65R107M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 3671352.pdf
IMBG65R163M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+502.69 грн
50+426.94 грн
100+356.63 грн
250+349.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1 3671360.pdf
IMBG65R022M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+790.86 грн
50+658.45 грн
100+537.03 грн
250+526.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 3671351.pdf
IMBG65R260M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+442.78 грн
100+362.65 грн
500+287.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1 3671356.pdf
IMBG65R057M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+825.67 грн
50+707.31 грн
100+597.39 грн
250+585.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1 3671354.pdf
IMBG65R083M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+731.77 грн
50+621.62 грн
100+519.68 грн
250+509.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R039M1HXTMA1 Infineon-IMBG65R039M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e4982bf550d7a
IMBG65R039M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1101.70 грн
50+944.08 грн
100+797.22 грн
250+781.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 287 288 289 290 291 292 293 294 295 296 297 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]