Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25964) > Сторінка 330 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 325 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY7C65630-56LTXI CY7C65630-56LTXI INFINEON 2330489.pdf Description: INFINEON - CY7C65630-56LTXI - USB-Schnittstelle, EZ-USB HX2LP™, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 3.15 V, 3.45 V, QFN, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
Anzahl der Anschlüsse: 4Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.45V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2893.53 грн
5+2624.08 грн
10+2353.81 грн
25+1855.62 грн
50+1678.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65630-56LTXC CY7C65630-56LTXC INFINEON CYPR-S-A0011123262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C65630-56LTXC - USB-Schnittstelle, 4 Anschlüsse, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 3.15 V, 3.45 V, QFN, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
Anzahl der Anschlüsse: 4Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.45V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1925.47 грн
10+1552.00 грн
25+1458.64 грн
50+1314.14 грн
100+698.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65634-48AXCT CY7C65634-48AXCT INFINEON 2309552.pdf Description: INFINEON - CY7C65634-48AXCT - USB-Schnittstelle, HX2VL™, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 3.15 V, 3.6 V, TQFP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.24 грн
10+182.64 грн
25+167.90 грн
50+143.73 грн
100+119.34 грн
250+113.72 грн
500+109.51 грн
1000+106.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015DQUTRXBRGTOBO1 TLE9015DQUTRXBRGTOBO1 INFINEON 3739862.pdf Description: INFINEON - TLE9015DQUTRXBRGTOBO1 - Evaluationsboard, TLE9015QU, Power-Management, UART-Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9015QU
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9015QU
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: UART-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6960.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 IPF016N06NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPF016N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d1298c66aee Description: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 1300 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.30 грн
500+88.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 IPF016N06NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPF016N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d1298c66aee Description: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 1300 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.25 грн
10+166.26 грн
100+116.30 грн
500+88.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP2B6A0HTSA1 TLE493DP2B6A0HTSA1 INFINEON 3215562.pdf Description: INFINEON - TLE493DP2B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP-6
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.47 грн
250+96.17 грн
500+94.07 грн
1000+91.96 грн
2500+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON INFNS30555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.56 грн
250+10.32 грн
1000+7.68 грн
5000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 47588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.60 грн
1000+4.79 грн
5000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-214015-01 CYBLE-214015-01 INFINEON INFN-S-A0018545200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CYBLE-214015-01 - BLUETOOTH-MODUL, V4.2, 1MBPS, 1.71-5.5V
tariffCode: 85176200
Empfangsempfindlichkeit: -87dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 4.2
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: 3A991.a.2
Signalbereich, max.: 50m
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: EZ-BLE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1025.39 грн
5+959.05 грн
10+891.89 грн
50+784.84 грн
100+670.41 грн
250+632.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1 IPS70R900P7SAKMA1 INFINEON 2577580.pdf Description: INFINEON - IPS70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.73 грн
20+41.28 грн
100+26.86 грн
500+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1 IPS70R600P7SAKMA1 INFINEON INFN-S-A0004583448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPS70R600P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.01 грн
16+52.99 грн
100+20.72 грн
500+17.64 грн
1000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7SAKMA1 INFINEON infineon-ips70r360p7s-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPS70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.18 грн
16+52.01 грн
100+25.80 грн
500+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1 IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON 2362694.pdf Description: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.11 грн
32+26.29 грн
100+23.10 грн
500+18.25 грн
1000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1 IPS70R1K4CEAKMA1 INFINEON Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1 Description: INFINEON - IPS70R1K4CEAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.11 грн
23+35.63 грн
100+27.60 грн
500+20.31 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
R48VBATTSWITCH10TOBO1 R48VBATTSWITCH10TOBO1 INFINEON 3739859.pdf Description: INFINEON - R48VBATTSWITCH10TOBO1 - Referenzplatine, 2ED4820-EM, Power-Management, Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard 2ED4820-EM
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: 2ED4820-EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40592.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR2280BZ22W1TOBO1 REF5BR2280BZ22W1TOBO1 INFINEON 3770274.pdf Description: INFINEON - REF5BR2280BZ22W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR2280BZ, Power-Management, isoliertes 22W-Flyback-Hilfsnetzteil
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR2280BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierte Stromversorgung, Flyback
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR2280BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6781.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR2280CZ22W1TOBO1 REF5AR2280CZ22W1TOBO1 INFINEON 3770273.pdf Description: INFINEON - REF5AR2280CZ22W1TOBO1 - Evaluationsboard, ICE5AR2280CZ, Power-Management, isoliertes 22W-Flyback-Hilfsnetzteil
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5AR2280CZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierte Stromversorgung, Flyback
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR2280CZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6781.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 INFINEON INFNS16197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.49 грн
27+31.04 грн
100+26.86 грн
500+23.42 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 INFINEON 1926695.pdf Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.05 грн
10+103.19 грн
100+77.89 грн
500+61.52 грн
1000+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 INFINEON 1926695.pdf Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.89 грн
500+61.52 грн
1000+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.86 грн
500+33.46 грн
1000+27.94 грн
5000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12PL6E6327XTSA1 BGS12PL6E6327XTSA1 INFINEON INFNS27431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGS12PL6E6327XTSA1 - IC, HF-Schalter, SPDT, 100MHz bis 4GHz, TTL, CMOS, 2.4V bis 3.6V, DFN-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: DFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 4GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117PXKMA1 INFINEON 516939.pdf Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 18W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 18W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.48 грн
10+114.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 IRF7328TRPBFXTMA1 INFINEON 3740600.pdf Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.66 грн
11+77.80 грн
100+54.63 грн
500+45.40 грн
1000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TRPBF IRFHM792TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813951-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.18 грн
12+71.09 грн
100+60.52 грн
500+43.12 грн
1000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TRPBF IRFHM792TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813951-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+43.12 грн
1000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4929CXHAM38NHAMA1 TLE4929CXHAM38NHAMA1 INFINEON Infineon-TLE4929C-XHA-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301761ef5ffa00929 Description: INFINEON - TLE4929CXHAM38NHAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Drehzahlsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 15mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.45 грн
10+140.05 грн
25+137.59 грн
50+125.48 грн
100+110.92 грн
250+106.70 грн
500+101.79 грн
1000+96.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4929CXHAM18NHAMA1 TLE4929CXHAM18NHAMA1 INFINEON 3189170.pdf Description: INFINEON - TLE4929CXHAM18NHAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Drehzahlsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 15mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+268.63 грн
10+210.48 грн
25+186.73 грн
50+151.34 грн
100+129.87 грн
250+120.04 грн
500+110.21 грн
1000+107.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.90 грн
13+68.06 грн
100+59.54 грн
500+53.24 грн
1000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7545TRPBF IRFH7545TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 5200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.89 грн
500+44.11 грн
1000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.54 грн
500+53.24 грн
1000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF INFINEON irfh5015pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561abe001e9c Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.01 грн
250+70.02 грн
1000+48.06 грн
2000+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.29 грн
500+17.80 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF INFINEON irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.92 грн
500+57.42 грн
1000+50.33 грн
5000+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF INFINEON INFN-S-A0002297202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.57 грн
16+52.83 грн
100+37.02 грн
500+29.13 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF INFINEON INFN-S-A0002297202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.02 грн
500+29.13 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 IRFHM8326TRPBFXTMA1 INFINEON irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.06 грн
500+18.40 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 IRFHM8326TRPBFXTMA1 INFINEON irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.44 грн
26+32.35 грн
100+25.06 грн
500+18.40 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5010TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.0075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBF IRFH5007TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.30 грн
500+88.22 грн
1000+71.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF IRFH8330TRPBF INFINEON INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+18.56 грн
1000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF IRFH8330TRPBF INFINEON INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.21 грн
23+35.79 грн
100+24.24 грн
500+18.56 грн
1000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF INFINEON INFN-S-A0012799214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.45 грн
500+67.30 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF INFINEON INFN-S-A0012799214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.23 грн
10+114.66 грн
100+88.45 грн
500+67.30 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 2ED2181S06FXUMA1 INFINEON Infineon-2ED2181-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d75bd229f3 Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.32 грн
10+105.65 грн
50+95.82 грн
100+79.09 грн
250+69.01 грн
500+66.20 грн
1000+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21844S06JXUMA1 2ED21844S06JXUMA1 INFINEON Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb Description: INFINEON - 2ED21844S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.08 грн
10+131.04 грн
50+119.57 грн
100+100.39 грн
250+86.35 грн
500+82.84 грн
1000+80.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21824S06JXUMA1 2ED21824S06JXUMA1 INFINEON 2876195.pdf Description: INFINEON - 2ED21824S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.26 грн
10+122.85 грн
50+112.20 грн
100+103.43 грн
250+94.07 грн
500+93.37 грн
1000+77.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2184S06FXUMA1 2ED2184S06FXUMA1 INFINEON Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb Description: INFINEON - 2ED2184S06FXUMA1 - Gate-Treiber, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+128.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r2k4p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.77 грн
15+54.71 грн
100+36.77 грн
500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 2ED2181S06FXUMA1 INFINEON INFN-S-A0016409968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.09 грн
250+69.01 грн
500+66.20 грн
1000+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2183S06FXUMA1 2ED2183S06FXUMA1 INFINEON 2876196.pdf Description: INFINEON - 2ED2183S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.71 грн
50+148.24 грн
100+126.94 грн
500+103.43 грн
1000+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2183S06FXUMA1 2ED2183S06FXUMA1 INFINEON 2876196.pdf Description: INFINEON - 2ED2183S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21834S06JXUMA1 2ED21834S06JXUMA1 INFINEON INFN-S-A0016409849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED21834S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.44 грн
10+122.85 грн
50+110.56 грн
100+92.78 грн
250+80.73 грн
500+77.92 грн
1000+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 INFINEON 2327421.pdf Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.89 грн
50+57.82 грн
100+38.74 грн
500+28.67 грн
1000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21844S06JXUMA1 2ED21844S06JXUMA1 INFINEON 2876452.pdf Description: INFINEON - 2ED21844S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.70 грн
250+75.82 грн
500+73.01 грн
1000+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2184S06FXUMA1 2ED2184S06FXUMA1 INFINEON Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb Description: INFINEON - 2ED2184S06FXUMA1 - Gate-Treiber, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+128.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21824S06JXUMA1 2ED21824S06JXUMA1 INFINEON 2876195.pdf Description: INFINEON - 2ED21824S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.43 грн
250+94.07 грн
500+93.37 грн
1000+77.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21834S06JXUMA1 2ED21834S06JXUMA1 INFINEON INFN-S-A0016409849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED21834S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.78 грн
250+80.73 грн
500+77.92 грн
1000+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-013025-PROG CYBLE-013025-PROG INFINEON Infineon-EZ-BT_MODULE_PROGRAMMING_KIT_CYBLE-013025-PROG-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f02651419a8 Description: INFINEON - CYBLE-013025-PROG - Programmier-Kit, EZ-BT-Modul, USB-Kabel, serielle Datenübertragung, serielle Peripherieschnittstelle
tariffCode: 85371091
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Programmier-Kit, EZ-BT-Modul CYBLE-013025-PROG, USB-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterstützte Produktfamilien: -
Merkmale: Unterstützt serielle Kommunikationsschnittstelle, serielle Peripherieschnittstelle für zwei Modi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15131.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65630-56LTXI 2330489.pdf
CY7C65630-56LTXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65630-56LTXI - USB-Schnittstelle, EZ-USB HX2LP™, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 3.15 V, 3.45 V, QFN, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
Anzahl der Anschlüsse: 4Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.45V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2893.53 грн
5+2624.08 грн
10+2353.81 грн
25+1855.62 грн
50+1678.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65630-56LTXC CYPR-S-A0011123262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C65630-56LTXC
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65630-56LTXC - USB-Schnittstelle, 4 Anschlüsse, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 3.15 V, 3.45 V, QFN, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
Anzahl der Anschlüsse: 4Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.45V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1925.47 грн
10+1552.00 грн
25+1458.64 грн
50+1314.14 грн
100+698.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65634-48AXCT 2309552.pdf
CY7C65634-48AXCT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65634-48AXCT - USB-Schnittstelle, HX2VL™, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 3.15 V, 3.6 V, TQFP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+243.24 грн
10+182.64 грн
25+167.90 грн
50+143.73 грн
100+119.34 грн
250+113.72 грн
500+109.51 грн
1000+106.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015DQUTRXBRGTOBO1 3739862.pdf
TLE9015DQUTRXBRGTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9015DQUTRXBRGTOBO1 - Evaluationsboard, TLE9015QU, Power-Management, UART-Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9015QU
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9015QU
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: UART-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6960.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 Infineon-IPF016N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d1298c66aee
IPF016N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 1300 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.30 грн
500+88.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 Infineon-IPF016N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d1298c66aee
IPF016N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 1300 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+252.25 грн
10+166.26 грн
100+116.30 грн
500+88.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP2B6A0HTSA1 3215562.pdf
TLE493DP2B6A0HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP2B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP-6
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+106.47 грн
250+96.17 грн
500+94.07 грн
1000+91.96 грн
2500+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 INFNS30555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.56 грн
250+10.32 грн
1000+7.68 грн
5000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 47588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+8.60 грн
1000+4.79 грн
5000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-214015-01 INFN-S-A0018545200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CYBLE-214015-01
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-214015-01 - BLUETOOTH-MODUL, V4.2, 1MBPS, 1.71-5.5V
tariffCode: 85176200
Empfangsempfindlichkeit: -87dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 4.2
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: 3A991.a.2
Signalbereich, max.: 50m
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: EZ-BLE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1025.39 грн
5+959.05 грн
10+891.89 грн
50+784.84 грн
100+670.41 грн
250+632.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1 2577580.pdf
IPS70R900P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.73 грн
20+41.28 грн
100+26.86 грн
500+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1 INFN-S-A0004583448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPS70R600P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS70R600P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.01 грн
16+52.99 грн
100+20.72 грн
500+17.64 грн
1000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 infineon-ips70r360p7s-ds-en.pdf
IPS70R360P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.18 грн
16+52.01 грн
100+25.80 грн
500+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1 2362694.pdf
IPS70R1K4P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.11 грн
32+26.29 грн
100+23.10 грн
500+18.25 грн
1000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1 Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1
IPS70R1K4CEAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS70R1K4CEAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.11 грн
23+35.63 грн
100+27.60 грн
500+20.31 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
R48VBATTSWITCH10TOBO1 3739859.pdf
R48VBATTSWITCH10TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - R48VBATTSWITCH10TOBO1 - Referenzplatine, 2ED4820-EM, Power-Management, Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard 2ED4820-EM
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: 2ED4820-EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+40592.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR2280BZ22W1TOBO1 3770274.pdf
REF5BR2280BZ22W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR2280BZ22W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR2280BZ, Power-Management, isoliertes 22W-Flyback-Hilfsnetzteil
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR2280BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierte Stromversorgung, Flyback
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR2280BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6781.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR2280CZ22W1TOBO1 3770273.pdf
REF5AR2280CZ22W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5AR2280CZ22W1TOBO1 - Evaluationsboard, ICE5AR2280CZ, Power-Management, isoliertes 22W-Flyback-Hilfsnetzteil
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5AR2280CZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierte Stromversorgung, Flyback
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR2280CZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6781.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 INFNS16197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.49 грн
27+31.04 грн
100+26.86 грн
500+23.42 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 1926695.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.05 грн
10+103.19 грн
100+77.89 грн
500+61.52 грн
1000+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 1926695.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.89 грн
500+61.52 грн
1000+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.86 грн
500+33.46 грн
1000+27.94 грн
5000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12PL6E6327XTSA1 INFNS27431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGS12PL6E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGS12PL6E6327XTSA1 - IC, HF-Schalter, SPDT, 100MHz bis 4GHz, TTL, CMOS, 2.4V bis 3.6V, DFN-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: DFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 4GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 516939.pdf
IRFI4212H-117PXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 18W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 18W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.48 грн
10+114.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 3740600.pdf
IRF7328TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.66 грн
11+77.80 грн
100+54.63 грн
500+45.40 грн
1000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TRPBF INFN-S-A0012813951-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFHM792TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.18 грн
12+71.09 грн
100+60.52 грн
500+43.12 грн
1000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TRPBF INFN-S-A0012813951-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFHM792TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+43.12 грн
1000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4929CXHAM38NHAMA1 Infineon-TLE4929C-XHA-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301761ef5ffa00929
TLE4929CXHAM38NHAMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4929CXHAM38NHAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Drehzahlsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 15mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.45 грн
10+140.05 грн
25+137.59 грн
50+125.48 грн
100+110.92 грн
250+106.70 грн
500+101.79 грн
1000+96.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4929CXHAM18NHAMA1 3189170.pdf
TLE4929CXHAM18NHAMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4929CXHAM18NHAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Drehzahlsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 15mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+268.63 грн
10+210.48 грн
25+186.73 грн
50+151.34 грн
100+129.87 грн
250+120.04 грн
500+110.21 грн
1000+107.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF INFN-S-A0012813234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5020TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+81.90 грн
13+68.06 грн
100+59.54 грн
500+53.24 грн
1000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7545TRPBF INFN-S-A0012813773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH7545TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 5200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.89 грн
500+44.11 грн
1000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF INFN-S-A0012813234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5020TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.54 грн
500+53.24 грн
1000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF irfh5015pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561abe001e9c
IRFH5015TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.01 грн
250+70.02 грн
1000+48.06 грн
2000+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8324TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.29 грн
500+17.80 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a
IRFH8201TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.92 грн
500+57.42 грн
1000+50.33 грн
5000+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF INFN-S-A0002297202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFHM3911TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.57 грн
16+52.83 грн
100+37.02 грн
500+29.13 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF INFN-S-A0002297202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFHM3911TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.02 грн
500+29.13 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b
IRFHM8326TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.06 грн
500+18.40 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b
IRFHM8326TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.44 грн
26+32.35 грн
100+25.06 грн
500+18.40 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF INFN-S-A0012813137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5010TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5010TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.0075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBF INFN-S-A0012813572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5007TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.30 грн
500+88.22 грн
1000+71.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8330TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+18.56 грн
1000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8330TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+59.21 грн
23+35.79 грн
100+24.24 грн
500+18.56 грн
1000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF INFN-S-A0012799214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8307TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.45 грн
500+67.30 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF INFN-S-A0012799214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8307TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.23 грн
10+114.66 грн
100+88.45 грн
500+67.30 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 Infineon-2ED2181-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d75bd229f3
2ED2181S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.32 грн
10+105.65 грн
50+95.82 грн
100+79.09 грн
250+69.01 грн
500+66.20 грн
1000+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21844S06JXUMA1 Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb
2ED21844S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21844S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.08 грн
10+131.04 грн
50+119.57 грн
100+100.39 грн
250+86.35 грн
500+82.84 грн
1000+80.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21824S06JXUMA1 2876195.pdf
2ED21824S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21824S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+166.26 грн
10+122.85 грн
50+112.20 грн
100+103.43 грн
250+94.07 грн
500+93.37 грн
1000+77.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2184S06FXUMA1 Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb
2ED2184S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2184S06FXUMA1 - Gate-Treiber, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+128.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1 infineon-ipn80r2k4p7-ds-en.pdf
IPN80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.77 грн
15+54.71 грн
100+36.77 грн
500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 INFN-S-A0016409968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED2181S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.09 грн
250+69.01 грн
500+66.20 грн
1000+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2183S06FXUMA1 2876196.pdf
2ED2183S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2183S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+168.71 грн
50+148.24 грн
100+126.94 грн
500+103.43 грн
1000+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2183S06FXUMA1 2876196.pdf
2ED2183S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2183S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21834S06JXUMA1 INFN-S-A0016409849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED21834S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21834S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+165.44 грн
10+122.85 грн
50+110.56 грн
100+92.78 грн
250+80.73 грн
500+77.92 грн
1000+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 2327421.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.89 грн
50+57.82 грн
100+38.74 грн
500+28.67 грн
1000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21844S06JXUMA1 2876452.pdf
2ED21844S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21844S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.70 грн
250+75.82 грн
500+73.01 грн
1000+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2184S06FXUMA1 Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb
2ED2184S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2184S06FXUMA1 - Gate-Treiber, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+128.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21824S06JXUMA1 2876195.pdf
2ED21824S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21824S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.43 грн
250+94.07 грн
500+93.37 грн
1000+77.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21834S06JXUMA1 INFN-S-A0016409849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED21834S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21834S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.78 грн
250+80.73 грн
500+77.92 грн
1000+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-013025-PROG Infineon-EZ-BT_MODULE_PROGRAMMING_KIT_CYBLE-013025-PROG-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f02651419a8
CYBLE-013025-PROG
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-013025-PROG - Programmier-Kit, EZ-BT-Modul, USB-Kabel, serielle Datenübertragung, serielle Peripherieschnittstelle
tariffCode: 85371091
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Programmier-Kit, EZ-BT-Modul CYBLE-013025-PROG, USB-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterstützte Produktfamilien: -
Merkmale: Unterstützt serielle Kommunikationsschnittstelle, serielle Peripherieschnittstelle für zwei Modi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15131.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 325 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]