Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24864) > Сторінка 331 з 415

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 336 369 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPS70R600P7SAKMA1 IPS70R600P7SAKMA1 INFINEON INFN-S-A0004583448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPS70R600P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.24 грн
15+57.22 грн
100+30.54 грн
500+24.54 грн
1000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7SAKMA1 INFINEON 2718791.pdf Description: INFINEON - IPS70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.33 грн
19+43.63 грн
100+36.39 грн
500+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1 IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON 2362694.pdf Description: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.21 грн
32+26.02 грн
100+20.01 грн
500+14.91 грн
1000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1 IPS70R1K4CEAKMA1 INFINEON INFN-S-A0002470602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPS70R1K4CEAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.43 грн
22+39.11 грн
100+27.42 грн
500+18.96 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
R48VBATTSWITCH10TOBO1 R48VBATTSWITCH10TOBO1 INFINEON 3739859.pdf Description: INFINEON - R48VBATTSWITCH10TOBO1 - Referenzplatine, 2ED4820-EM, Power-Management, Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard 2ED4820-EM
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: 2ED4820-EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40805.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR2280BZ22W1TOBO1 REF5BR2280BZ22W1TOBO1 INFINEON Infineon-Reference_board_REF_5BR2280BZ_22W1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d329018180800a9c5ee5 Description: INFINEON - REF5BR2280BZ22W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR2280BZ, Power-Management, isoliertes 22W-Flyback-Hilfsnetzteil
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: ICE5BR2280BZ
Kit-Anwendungsbereich: 0
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR2280BZ
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierte Stromversorgung, Flyback
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8516.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR2280CZ22W1TOBO1 REF5AR2280CZ22W1TOBO1 INFINEON Infineon-Reference_board_REF_5AR2280CZ_22W1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d329018189f602721582 Description: INFINEON - REF5AR2280CZ22W1TOBO1 - Evaluationsboard, ICE5AR2280CZ, Power-Management, isoliertes 22W-Flyback-Hilfsnetzteil
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: ICE5AR2280CZ
Kit-Anwendungsbereich: 0
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5AR2280CZ
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierte Stromversorgung, Flyback
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8451.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 INFINEON INFNS16197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0125 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.16 грн
15+56.31 грн
100+40.34 грн
500+32.49 грн
1000+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 INFINEON 1926695.pdf Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.37 грн
10+107.03 грн
100+80.93 грн
500+64.45 грн
1000+57.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 INFINEON 1926695.pdf Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.93 грн
500+64.45 грн
1000+57.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 78083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.33 грн
500+37.84 грн
1000+29.85 грн
5000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12PL6E6327XTSA1 BGS12PL6E6327XTSA1 INFINEON INFNS27431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGS12PL6E6327XTSA1 - IC, HF-Schalter, SPDT, 100MHz bis 4GHz, TTL, CMOS, 2.4V bis 3.6V, DFN-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: DFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 4GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.77 грн
500+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117PXKMA1 INFINEON 516939.pdf Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 18W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 18W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.43 грн
10+135.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 IRF7328TRPBFXTMA1 INFINEON 3740600.pdf Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.26 грн
11+78.21 грн
100+54.91 грн
500+45.64 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TRPBF IRFHM792TRPBF INFINEON irfhm792pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562312361f3f Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.84 грн
14+61.42 грн
100+55.98 грн
500+41.05 грн
1000+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TRPBF IRFHM792TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813951-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4929CXHAM38NHAMA1 TLE4929CXHAM38NHAMA1 INFINEON 3189169.pdf Description: INFINEON - TLE4929CXHAM38NHAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Drehzahlsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 15mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.99 грн
10+215.70 грн
25+188.53 грн
50+167.42 грн
100+147.49 грн
250+141.14 грн
500+135.49 грн
1000+130.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4929CXHAM18NHAMA1 TLE4929CXHAM18NHAMA1 INFINEON 3189170.pdf Description: INFINEON - TLE4929CXHAM18NHAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Drehzahlsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 15mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.85 грн
10+289.80 грн
25+269.22 грн
50+214.06 грн
100+188.42 грн
250+181.36 грн
500+170.78 грн
1000+160.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.43 грн
10+92.21 грн
100+73.44 грн
500+65.44 грн
1000+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7545TRPBF IRFH7545TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0043 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.29 грн
500+49.08 грн
1000+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.32 грн
500+90.21 грн
1000+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.0255 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.27 грн
250+68.17 грн
1000+52.21 грн
2000+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF INFINEON irfh8324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fb3581f1a Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0033 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.06 грн
500+23.93 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF IRFH7932TRPBF INFINEON 1911745.pdf description Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF INFINEON irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.53 грн
500+59.40 грн
1000+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF INFINEON INFN-S-A0002297202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.98 грн
15+58.04 грн
100+36.72 грн
500+28.52 грн
1000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF INFINEON INFN-S-A0002297202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.72 грн
500+28.52 грн
1000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF IRFH7440TRPBF INFINEON irfh7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f0e821eed Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.86 грн
50+76.73 грн
250+64.96 грн
1000+54.28 грн
2000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 IRFHM8326TRPBFXTMA1 INFINEON 2333711.pdf Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.15 грн
500+13.53 грн
1000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 IRFHM8326TRPBFXTMA1 INFINEON 2333711.pdf Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+16.22 грн
53+15.64 грн
100+15.15 грн
500+13.53 грн
1000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5010TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.0075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBF IRFH5007TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.91 грн
500+88.68 грн
1000+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.0455 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0455ohm
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.77 грн
500+68.50 грн
1000+49.89 грн
5000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF IRFH8330TRPBF INFINEON INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0053 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+18.04 грн
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF IRFH8330TRPBF INFINEON INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0053 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.70 грн
29+29.31 грн
100+23.46 грн
500+18.04 грн
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF INFINEON INFN-S-A0012799214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.92 грн
500+67.66 грн
1000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF INFINEON INFN-S-A0012799214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.96 грн
10+115.26 грн
100+88.92 грн
500+67.66 грн
1000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 2ED2181S06FXUMA1 INFINEON INFN-S-A0016409968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.58 грн
10+146.55 грн
50+132.55 грн
100+103.97 грн
250+90.33 грн
500+79.04 грн
1000+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21844S06JXUMA1 2ED21844S06JXUMA1 INFINEON 2876452.pdf Description: INFINEON - 2ED21844S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.89 грн
10+116.91 грн
50+105.38 грн
100+87.15 грн
250+76.21 грн
500+73.39 грн
1000+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21824S06JXUMA1 2ED21824S06JXUMA1 INFINEON 2876195.pdf Description: INFINEON - 2ED21824S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.01 грн
10+110.32 грн
50+104.56 грн
100+91.74 грн
250+79.74 грн
500+76.21 грн
1000+74.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2184S06FXUMA1 2ED2184S06FXUMA1 INFINEON Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb Description: INFINEON - 2ED2184S06FXUMA1 - Gate-Treiber, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+129.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPN80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f5270399d6b7c Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.19 грн
15+55.00 грн
100+36.97 грн
500+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 2ED2181S06FXUMA1 INFINEON INFN-S-A0016409968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.97 грн
250+90.33 грн
500+79.04 грн
1000+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2183S06FXUMA1 2ED2183S06FXUMA1 INFINEON 2876196.pdf Description: INFINEON - 2ED2183S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.60 грн
50+149.02 грн
100+127.61 грн
500+103.97 грн
1000+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2183S06FXUMA1 2ED2183S06FXUMA1 INFINEON 2876196.pdf Description: INFINEON - 2ED2183S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21834S06JXUMA1 2ED21834S06JXUMA1 INFINEON INFN-S-A0016409849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED21834S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.19 грн
10+129.26 грн
50+121.02 грн
100+104.73 грн
250+91.03 грн
500+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.75 грн
50+56.40 грн
100+38.04 грн
500+29.43 грн
1000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21844S06JXUMA1 2ED21844S06JXUMA1 INFINEON 2876452.pdf Description: INFINEON - 2ED21844S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.15 грн
250+76.21 грн
500+73.39 грн
1000+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2184S06FXUMA1 2ED2184S06FXUMA1 INFINEON Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb Description: INFINEON - 2ED2184S06FXUMA1 - Gate-Treiber, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+129.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21824S06JXUMA1 2ED21824S06JXUMA1 INFINEON 2876195.pdf Description: INFINEON - 2ED21824S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.74 грн
250+79.74 грн
500+76.21 грн
1000+74.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21834S06JXUMA1 2ED21834S06JXUMA1 INFINEON INFN-S-A0016409849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED21834S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.73 грн
250+91.03 грн
500+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-013025-PROG CYBLE-013025-PROG INFINEON 3812095.pdf Description: INFINEON - CYBLE-013025-PROG - Programmier-Kit, EZ-BT-Modul, USB-Kabel, serielle Datenübertragung, serielle Peripherieschnittstelle
tariffCode: 85371091
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Programmier-Kit, EZ-BT-Modul CYBLE-013025-PROG, USB-Kabel
euEccn: NLR
Unterstützte Produktfamilien: -
Merkmale: Unterstützt serielle Kommunikationsschnittstelle, serielle Peripherieschnittstelle für zwei Modi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16004.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L100R07W2E3B11BOMA1 F3L100R07W2E3B11BOMA1 INFINEON INFNS28257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - F3L100R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.45 V, 300 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 300W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3330.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R07W2E3B11BOMA1 F3L75R07W2E3B11BOMA1 INFINEON INFNS28273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - F3L75R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4896.96 грн
5+4260.55 грн
10+3964.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCREWCLAMPEASY2XOXA1 SCREWCLAMPEASY2XOXA1 INFINEON 2853084.pdf Description: INFINEON - SCREWCLAMPEASY2XOXA1 - SCHRAUBKLEMME, ENERGIESP. IGBT-MODUL
tariffCode: 85049099
Art des Zubehörs: Schraubklemme
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Energiesparende IGBT-Module der Produktreihen EasyPIM, EasyPACK, EasyBRIDGE & EasyDUAL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.83 грн
25+33.59 грн
27+31.61 грн
50+27.60 грн
100+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R08W2P2B11ABOMA1 FF300R08W2P2B11ABOMA1 INFINEON 3575969.pdf Description: INFINEON - FF300R08W2P2B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 1 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Produktpalette: EasyPack Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6195.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L100R07W3S5B11BPSA1 FS3L100R07W3S5B11BPSA1 INFINEON 3624242.pdf Description: INFINEON - FS3L100R07W3S5B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.17 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench Stop 5
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6874.52 грн
5+6737.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 F3L11MR12W2M1B74BOMA1 INFINEON 3199846.pdf Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1B74BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSic
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14396.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12W1T7B11BOMA1 FS35R12W1T7B11BOMA1 INFINEON 2883913.pdf Description: INFINEON - FS35R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 35 A, 1.6 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2230.31 грн
5+2139.74 грн
10+2049.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L150R07W2E3B11BOMA1 F3L150R07W2E3B11BOMA1 INFINEON INFNS28258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - F3L150R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 150 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 335W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6487.57 грн
5+5644.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R600P7SAKMA1 INFN-S-A0004583448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPS70R600P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS70R600P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.24 грн
15+57.22 грн
100+30.54 грн
500+24.54 грн
1000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 2718791.pdf
IPS70R360P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+82.33 грн
19+43.63 грн
100+36.39 грн
500+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1 2362694.pdf
IPS70R1K4P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.21 грн
32+26.02 грн
100+20.01 грн
500+14.91 грн
1000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1 INFN-S-A0002470602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPS70R1K4CEAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS70R1K4CEAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.43 грн
22+39.11 грн
100+27.42 грн
500+18.96 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
R48VBATTSWITCH10TOBO1 3739859.pdf
R48VBATTSWITCH10TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - R48VBATTSWITCH10TOBO1 - Referenzplatine, 2ED4820-EM, Power-Management, Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard 2ED4820-EM
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: 2ED4820-EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+40805.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR2280BZ22W1TOBO1 Infineon-Reference_board_REF_5BR2280BZ_22W1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d329018180800a9c5ee5
REF5BR2280BZ22W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR2280BZ22W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR2280BZ, Power-Management, isoliertes 22W-Flyback-Hilfsnetzteil
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: ICE5BR2280BZ
Kit-Anwendungsbereich: 0
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR2280BZ
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierte Stromversorgung, Flyback
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8516.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR2280CZ22W1TOBO1 Infineon-Reference_board_REF_5AR2280CZ_22W1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d329018189f602721582
REF5AR2280CZ22W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5AR2280CZ22W1TOBO1 - Evaluationsboard, ICE5AR2280CZ, Power-Management, isoliertes 22W-Flyback-Hilfsnetzteil
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: ICE5AR2280CZ
Kit-Anwendungsbereich: 0
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5AR2280CZ
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierte Stromversorgung, Flyback
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8451.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 INFNS16197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0125 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.16 грн
15+56.31 грн
100+40.34 грн
500+32.49 грн
1000+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 1926695.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.37 грн
10+107.03 грн
100+80.93 грн
500+64.45 грн
1000+57.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 1926695.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.93 грн
500+64.45 грн
1000+57.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 78083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.33 грн
500+37.84 грн
1000+29.85 грн
5000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12PL6E6327XTSA1 INFNS27431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGS12PL6E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGS12PL6E6327XTSA1 - IC, HF-Schalter, SPDT, 100MHz bis 4GHz, TTL, CMOS, 2.4V bis 3.6V, DFN-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: DFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 4GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.77 грн
500+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 516939.pdf
IRFI4212H-117PXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 18W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 18W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.43 грн
10+135.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 3740600.pdf
IRF7328TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.26 грн
11+78.21 грн
100+54.91 грн
500+45.64 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TRPBF irfhm792pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562312361f3f
IRFHM792TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.84 грн
14+61.42 грн
100+55.98 грн
500+41.05 грн
1000+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TRPBF INFN-S-A0012813951-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFHM792TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4929CXHAM38NHAMA1 3189169.pdf
TLE4929CXHAM38NHAMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4929CXHAM38NHAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Drehzahlsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 15mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+246.99 грн
10+215.70 грн
25+188.53 грн
50+167.42 грн
100+147.49 грн
250+141.14 грн
500+135.49 грн
1000+130.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4929CXHAM18NHAMA1 3189170.pdf
TLE4929CXHAM18NHAMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4929CXHAM18NHAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Drehzahlsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 15mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+312.85 грн
10+289.80 грн
25+269.22 грн
50+214.06 грн
100+188.42 грн
250+181.36 грн
500+170.78 грн
1000+160.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF INFN-S-A0012813234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5020TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.43 грн
10+92.21 грн
100+73.44 грн
500+65.44 грн
1000+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7545TRPBF INFN-S-A0012813773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH7545TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0043 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.29 грн
500+49.08 грн
1000+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF INFN-S-A0012813234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5020TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.32 грн
500+90.21 грн
1000+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF INFN-S-A0012813692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5015TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.0255 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.27 грн
250+68.17 грн
1000+52.21 грн
2000+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF irfh8324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fb3581f1a
IRFH8324TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0033 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.06 грн
500+23.93 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF description 1911745.pdf
IRFH7932TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a
IRFH8201TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.53 грн
500+59.40 грн
1000+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF INFN-S-A0002297202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFHM3911TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.98 грн
15+58.04 грн
100+36.72 грн
500+28.52 грн
1000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF INFN-S-A0002297202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFHM3911TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.72 грн
500+28.52 грн
1000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF irfh7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f0e821eed
IRFH7440TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.86 грн
50+76.73 грн
250+64.96 грн
1000+54.28 грн
2000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 2333711.pdf
IRFHM8326TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.15 грн
500+13.53 грн
1000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 2333711.pdf
IRFHM8326TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+16.22 грн
53+15.64 грн
100+15.15 грн
500+13.53 грн
1000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF INFN-S-A0012813137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5010TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5010TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.0075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBF INFN-S-A0012813572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5007TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.91 грн
500+88.68 грн
1000+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF INFN-S-A0012813797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5215TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.0455 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0455ohm
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.77 грн
500+68.50 грн
1000+49.89 грн
5000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8330TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0053 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+18.04 грн
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8330TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0053 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+31.70 грн
29+29.31 грн
100+23.46 грн
500+18.04 грн
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF INFN-S-A0012799214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8307TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.92 грн
500+67.66 грн
1000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF INFN-S-A0012799214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8307TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.96 грн
10+115.26 грн
100+88.92 грн
500+67.66 грн
1000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 INFN-S-A0016409968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED2181S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+225.58 грн
10+146.55 грн
50+132.55 грн
100+103.97 грн
250+90.33 грн
500+79.04 грн
1000+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21844S06JXUMA1 2876452.pdf
2ED21844S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21844S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+172.89 грн
10+116.91 грн
50+105.38 грн
100+87.15 грн
250+76.21 грн
500+73.39 грн
1000+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21824S06JXUMA1 2876195.pdf
2ED21824S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21824S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.01 грн
10+110.32 грн
50+104.56 грн
100+91.74 грн
250+79.74 грн
500+76.21 грн
1000+74.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2184S06FXUMA1 Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb
2ED2184S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2184S06FXUMA1 - Gate-Treiber, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+129.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1 Infineon-IPN80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f5270399d6b7c
IPN80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.19 грн
15+55.00 грн
100+36.97 грн
500+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 INFN-S-A0016409968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED2181S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.97 грн
250+90.33 грн
500+79.04 грн
1000+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2183S06FXUMA1 2876196.pdf
2ED2183S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2183S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.60 грн
50+149.02 грн
100+127.61 грн
500+103.97 грн
1000+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2183S06FXUMA1 2876196.pdf
2ED2183S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2183S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21834S06JXUMA1 INFN-S-A0016409849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED21834S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21834S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.19 грн
10+129.26 грн
50+121.02 грн
100+104.73 грн
250+91.03 грн
500+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.75 грн
50+56.40 грн
100+38.04 грн
500+29.43 грн
1000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21844S06JXUMA1 2876452.pdf
2ED21844S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21844S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.15 грн
250+76.21 грн
500+73.39 грн
1000+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2184S06FXUMA1 Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb
2ED2184S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2184S06FXUMA1 - Gate-Treiber, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+129.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21824S06JXUMA1 2876195.pdf
2ED21824S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21824S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.74 грн
250+79.74 грн
500+76.21 грн
1000+74.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21834S06JXUMA1 INFN-S-A0016409849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED21834S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21834S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.73 грн
250+91.03 грн
500+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-013025-PROG 3812095.pdf
CYBLE-013025-PROG
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-013025-PROG - Programmier-Kit, EZ-BT-Modul, USB-Kabel, serielle Datenübertragung, serielle Peripherieschnittstelle
tariffCode: 85371091
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Programmier-Kit, EZ-BT-Modul CYBLE-013025-PROG, USB-Kabel
euEccn: NLR
Unterstützte Produktfamilien: -
Merkmale: Unterstützt serielle Kommunikationsschnittstelle, serielle Peripherieschnittstelle für zwei Modi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16004.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L100R07W2E3B11BOMA1 INFNS28257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L100R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.45 V, 300 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 300W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3330.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R07W2E3B11BOMA1 INFNS28273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
F3L75R07W2E3B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L75R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4896.96 грн
5+4260.55 грн
10+3964.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCREWCLAMPEASY2XOXA1 2853084.pdf
SCREWCLAMPEASY2XOXA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SCREWCLAMPEASY2XOXA1 - SCHRAUBKLEMME, ENERGIESP. IGBT-MODUL
tariffCode: 85049099
Art des Zubehörs: Schraubklemme
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Energiesparende IGBT-Module der Produktreihen EasyPIM, EasyPACK, EasyBRIDGE & EasyDUAL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.83 грн
25+33.59 грн
27+31.61 грн
50+27.60 грн
100+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R08W2P2B11ABOMA1 3575969.pdf
FF300R08W2P2B11ABOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R08W2P2B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 1 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Produktpalette: EasyPack Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6195.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L100R07W3S5B11BPSA1 3624242.pdf
FS3L100R07W3S5B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS3L100R07W3S5B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.17 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench Stop 5
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6874.52 грн
5+6737.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 3199846.pdf
F3L11MR12W2M1B74BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1B74BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSic
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14396.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12W1T7B11BOMA1 2883913.pdf
FS35R12W1T7B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS35R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 35 A, 1.6 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2230.31 грн
5+2139.74 грн
10+2049.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L150R07W2E3B11BOMA1 INFNS28258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L150R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 150 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 335W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6487.57 грн
5+5644.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 336 369 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]