Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25680) > Сторінка 331 з 428

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 294 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 336 378 420 428  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH7440TRPBF IRFH7440TRPBF INFINEON IRSD-S-A0001046374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.60 грн
50+100.58 грн
250+69.55 грн
1000+45.51 грн
2000+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 IRFHM8326TRPBFXTMA1 INFINEON 2333711.pdf Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.68 грн
500+19.07 грн
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 IRFHM8326TRPBFXTMA1 INFINEON 2333711.pdf Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.24 грн
22+39.21 грн
100+26.68 грн
500+19.07 грн
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5010TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.0075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBF IRFH5007TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.03 грн
500+91.81 грн
1000+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF IRFH8330TRPBF INFINEON INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+20.97 грн
1000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF IRFH8330TRPBF INFINEON INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.09 грн
19+46.45 грн
100+30.51 грн
500+20.97 грн
1000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF INFINEON INFN-S-A0012799214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.05 грн
500+70.05 грн
1000+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF INFINEON INFN-S-A0012799214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.90 грн
10+119.33 грн
100+92.05 грн
500+70.05 грн
1000+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 2ED2181S06FXUMA1 INFINEON INFN-S-A0016409968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.54 грн
10+151.72 грн
50+137.23 грн
100+107.64 грн
250+93.52 грн
500+81.83 грн
1000+69.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21844S06JXUMA1 2ED21844S06JXUMA1 INFINEON 2876452.pdf Description: INFINEON - 2ED21844S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.99 грн
10+121.03 грн
50+109.10 грн
100+90.23 грн
250+78.90 грн
500+75.98 грн
1000+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21824S06JXUMA1 2ED21824S06JXUMA1 INFINEON 2876195.pdf Description: INFINEON - 2ED21824S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+168.77 грн
10+114.22 грн
50+108.25 грн
100+94.98 грн
250+82.56 грн
500+78.90 грн
1000+77.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2184S06FXUMA1 2ED2184S06FXUMA1 INFINEON Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb Description: INFINEON - 2ED2184S06FXUMA1 - Gate-Treiber, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+133.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPN80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f5270399d6b7c Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.02 грн
15+56.94 грн
100+38.27 грн
500+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 2ED2181S06FXUMA1 INFINEON INFN-S-A0016409968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.64 грн
250+93.52 грн
500+81.83 грн
1000+69.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2183S06FXUMA1 2ED2183S06FXUMA1 INFINEON 2876196.pdf Description: INFINEON - 2ED2183S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.58 грн
50+154.28 грн
100+132.11 грн
500+107.64 грн
1000+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2183S06FXUMA1 2ED2183S06FXUMA1 INFINEON 2876196.pdf Description: INFINEON - 2ED2183S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21834S06JXUMA1 2ED21834S06JXUMA1 INFINEON INFN-S-A0016409849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED21834S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.18 грн
10+127.85 грн
50+115.07 грн
100+96.56 грн
250+84.02 грн
500+81.10 грн
1000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 INFINEON 2327421.pdf Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.76 грн
50+58.56 грн
100+39.12 грн
500+29.21 грн
1000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21844S06JXUMA1 2ED21844S06JXUMA1 INFINEON 2876452.pdf Description: INFINEON - 2ED21844S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.23 грн
250+78.90 грн
500+75.98 грн
1000+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2184S06FXUMA1 2ED2184S06FXUMA1 INFINEON Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb Description: INFINEON - 2ED2184S06FXUMA1 - Gate-Treiber, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+133.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21824S06JXUMA1 2ED21824S06JXUMA1 INFINEON 2876195.pdf Description: INFINEON - 2ED21824S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.98 грн
250+82.56 грн
500+78.90 грн
1000+77.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21834S06JXUMA1 2ED21834S06JXUMA1 INFINEON INFN-S-A0016409849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED21834S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.56 грн
250+84.02 грн
500+81.10 грн
1000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-013025-PROG CYBLE-013025-PROG INFINEON Infineon-EZ-BT_MODULE_PROGRAMMING_KIT_CYBLE-013025-PROG-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f02651419a8 Description: INFINEON - CYBLE-013025-PROG - Programmier-Kit, EZ-BT-Modul, USB-Kabel, serielle Datenübertragung, serielle Peripherieschnittstelle
tariffCode: 85371091
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Programmier-Kit, EZ-BT-Modul CYBLE-013025-PROG, USB-Kabel
euEccn: NLR
Unterstützte Produktfamilien: -
Merkmale: Unterstützt serielle Kommunikationsschnittstelle, serielle Peripherieschnittstelle für zwei Modi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16021.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L100R07W2E3B11BOMA1 F3L100R07W2E3B11BOMA1 INFINEON INFNS28257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - F3L100R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.45 V, 300 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 300W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3447.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R07W2E3B11BOMA1 F3L75R07W2E3B11BOMA1 INFINEON INFNS28273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - F3L75R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2900.56 грн
5+2532.34 грн
10+2163.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCREWCLAMPEASY2XOXA1 SCREWCLAMPEASY2XOXA1 INFINEON 2853084.pdf Description: INFINEON - SCREWCLAMPEASY2XOXA1 - SCHRAUBKLEMME, ENERGIESP. IGBT-MODUL
tariffCode: 85049099
Art des Zubehörs: Schraubklemme
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Energiesparende IGBT-Module der Produktreihen EasyPIM, EasyPACK, EasyBRIDGE & EasyDUAL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.01 грн
21+41.51 грн
25+39.29 грн
50+34.43 грн
100+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R08W2P2B11ABOMA1 FF300R08W2P2B11ABOMA1 INFINEON 3575969.pdf Description: INFINEON - FF300R08W2P2B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 1 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Produktpalette: EasyPack Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6413.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L100R07W3S5B11BPSA1 FS3L100R07W3S5B11BPSA1 INFINEON 3624242.pdf Description: INFINEON - FS3L100R07W3S5B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.17 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench Stop 5
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6061.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 F3L11MR12W2M1B74BOMA1 INFINEON 3199846.pdf Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1B74BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSic
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8001.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12W1T7B11BOMA1 FS35R12W1T7B11BOMA1 INFINEON 2883913.pdf Description: INFINEON - FS35R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 35 A, 1.6 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2163.27 грн
5+2119.80 грн
10+2076.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L150R07W2E3B11BOMA1 F3L150R07W2E3B11BOMA1 INFINEON INFNS28258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - F3L150R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 150 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 335W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 150A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4969.22 грн
5+4721.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS45MR12W1M1B11BOMA1 FS45MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON 2718708.pdf Description: INFINEON - FS45MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Sechsfach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11305.61 грн
5+10727.71 грн
10+10148.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 INFINEON 3704041.pdf Description: INFINEON - FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 70 A, 1.33 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.33V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.33V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 950V
Dauerkollektorstrom: 70A
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 70A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11961.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2MR12W3M1HB11BPSA1 FF2MR12W3M1HB11BPSA1 INFINEON 3739841.pdf Description: INFINEON - FF2MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00144 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41122.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L600R10W4S7FC22BPSA1 F3L600R10W4S7FC22BPSA1 INFINEON 3770278.pdf Description: INFINEON - F3L600R10W4S7FC22BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 600 A, 1.63 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Schraub
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24222.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS55MR12W1M1HB11NPSA1 FS55MR12W1M1HB11NPSA1 INFINEON 3739840.pdf Description: INFINEON - FS55MR12W1M1HB11NPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4980.30 грн
5+4355.52 грн
10+3729.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L150R07W2H3B11BPSA1 F3L150R07W2H3B11BPSA1 INFINEON INFN-S-A0014715330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - F3L150R07W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 150 A, 1.68 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4797.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 INFINEON Infineon-F3L8MR12W2M1HP_B11-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180f00090ea4e8e Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10326.26 грн
5+9630.74 грн
10+8934.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L200R12W2H3B11BPSA1 F3L200R12W2H3B11BPSA1 INFINEON INFN-S-A0003614543-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - F3L200R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 600W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5507.05 грн
5+5231.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS30R06W1E3BOMA1 FS30R06W1E3BOMA1 INFINEON INFNS28567-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 45 A, 1.55 V, 150 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1534.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12ME7PB11BPSA1 FF900R12ME7PB11BPSA1 INFINEON 3974503.pdf Description: INFINEON - FF900R12ME7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 875 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 875A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23793.43 грн
5+23687.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R07ME4BPSA1 FF600R07ME4BPSA1 INFINEON 2921007.pdf Description: INFINEON - FF600R07ME4BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.55 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12068.47 грн
5+11882.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KE7EHPSA1 FF600R12KE7EHPSA1 INFINEON 3974507.pdf Description: INFINEON - FF600R12KE7EHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24784.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME7B11BPSA2 FF600R12ME7B11BPSA2 INFINEON 3517982.pdf Description: INFINEON - FF600R12ME7B11BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26929.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME4WB73BPSA1 FF600R12ME4WB73BPSA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - FF600R12ME4WB73BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDual 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14313.56 грн
5+14027.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1BOSA1 FF6MR12KM1BOSA1 INFINEON 3097849.pdf Description: INFINEON - FF6MR12KM1BOSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSiC C
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00581ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00581ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+42107.94 грн
5+41265.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME4AB11BPSA1 FF600R12ME4AB11BPSA1 INFINEON 2211627.pdf Description: INFINEON - FF600R12ME4AB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 995A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 4.05kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.05kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 995A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17252.48 грн
5+17251.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 INFINEON INFNS27867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.57 грн
13+66.99 грн
100+43.73 грн
500+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 INFINEON INFNS27867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+43.73 грн
500+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6302VH6327XTSA1 BAT6302VH6327XTSA1 INFINEON INFNS15704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT6302VH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 3 V, 100 mA, 300 mV, 0.85 pF, SC-79
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 300mV
Diodenkapazität: 0.85pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.67 грн
27+31.71 грн
100+20.37 грн
500+14.33 грн
1000+11.54 грн
5000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6302VH6327XTSA1 BAT6302VH6327XTSA1 INFINEON INFNS15704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT6302VH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 3 V, 100 mA, 300 mV, 0.85 pF, SC-79
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 300mV
Diodenkapazität: 0.85pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.37 грн
500+14.33 грн
1000+11.54 грн
5000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B102Q-SXE CY15B102Q-SXE INFINEON INFN-S-A0018334917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15B102Q-SXE - FRAM, 2MB (256K x 8), SPI, 25MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 25MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1084.19 грн
10+1006.63 грн
25+1004.92 грн
50+930.77 грн
100+857.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405E6327HTSA1 BAT5405E6327HTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BAT5405E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+14.75 грн
104+8.25 грн
140+6.13 грн
500+4.61 грн
1000+3.81 грн
5000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4120D0EPV33XUMA1 TLS4120D0EPV33XUMA1 INFINEON 3097864.pdf Description: INFINEON - TLS4120D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.73 грн
10+222.46 грн
25+204.56 грн
50+174.92 грн
100+149.04 грн
250+141.73 грн
500+133.70 грн
1000+130.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4120D0EPV33XUMA1 TLS4120D0EPV33XUMA1 INFINEON 3097864.pdf Description: INFINEON - TLS4120D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.04 грн
250+141.73 грн
500+133.70 грн
1000+130.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NAC1080XTMA2 NAC1080XTMA2 INFINEON 3795154.pdf Description: INFINEON - NAC1080XTMA2 - RFID, Lesen, Schreiben, 28MHz, 60kB, 2.8V bis 3.3V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: SOIC
Programmierbarer Speicher: 60KB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Frequenz, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Stromverbrauch: -
euEccn: NLR
RFID-IC-Typ: Lesen, Schreiben
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsleistung: -
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 28MHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.79 грн
10+201.16 грн
25+184.11 грн
50+163.04 грн
100+142.46 грн
250+134.43 грн
500+130.78 грн
1000+126.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NAC1080XTMA2 NAC1080XTMA2 INFINEON 3795154.pdf Description: INFINEON - NAC1080XTMA2 - RFID, Lesen, Schreiben, 28MHz, 60kB, 2.8V bis 3.3V, SOIC-16
Bauform - HF-IC: SOIC
Programmierbarer Speicher: 60KB
hazardous: false
usEccn: 3A991.a.2
Frequenz, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Stromverbrauch: -
euEccn: NLR
RFID-IC-Typ: Lesen, Schreiben
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsleistung: -
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 28MHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.79 грн
10+201.16 грн
25+184.11 грн
50+163.04 грн
100+142.46 грн
250+134.43 грн
500+130.78 грн
1000+126.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302T038X0064ABXUMA1 XMC1302T038X0064ABXUMA1 INFINEON Description: INFINEON - XMC1302T038X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1300
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 38Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.17 грн
250+91.32 грн
500+89.13 грн
1000+86.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LSATMA1 INFINEON INFNS27835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.11 грн
14+64.69 грн
100+46.45 грн
500+33.40 грн
1000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF IRSD-S-A0001046374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH7440TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.60 грн
50+100.58 грн
250+69.55 грн
1000+45.51 грн
2000+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 2333711.pdf
IRFHM8326TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.68 грн
500+19.07 грн
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 2333711.pdf
IRFHM8326TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.24 грн
22+39.21 грн
100+26.68 грн
500+19.07 грн
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF INFN-S-A0012813137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5010TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5010TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.0075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBF INFN-S-A0012813572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5007TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.03 грн
500+91.81 грн
1000+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8330TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+20.97 грн
1000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8330TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.09 грн
19+46.45 грн
100+30.51 грн
500+20.97 грн
1000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF INFN-S-A0012799214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8307TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.05 грн
500+70.05 грн
1000+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF INFN-S-A0012799214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8307TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.90 грн
10+119.33 грн
100+92.05 грн
500+70.05 грн
1000+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 INFN-S-A0016409968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED2181S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.54 грн
10+151.72 грн
50+137.23 грн
100+107.64 грн
250+93.52 грн
500+81.83 грн
1000+69.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21844S06JXUMA1 2876452.pdf
2ED21844S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21844S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.99 грн
10+121.03 грн
50+109.10 грн
100+90.23 грн
250+78.90 грн
500+75.98 грн
1000+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21824S06JXUMA1 2876195.pdf
2ED21824S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21824S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+168.77 грн
10+114.22 грн
50+108.25 грн
100+94.98 грн
250+82.56 грн
500+78.90 грн
1000+77.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2184S06FXUMA1 Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb
2ED2184S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2184S06FXUMA1 - Gate-Treiber, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+133.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1 Infineon-IPN80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f5270399d6b7c
IPN80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.02 грн
15+56.94 грн
100+38.27 грн
500+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 INFN-S-A0016409968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED2181S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.64 грн
250+93.52 грн
500+81.83 грн
1000+69.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2183S06FXUMA1 2876196.pdf
2ED2183S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2183S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.58 грн
50+154.28 грн
100+132.11 грн
500+107.64 грн
1000+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2183S06FXUMA1 2876196.pdf
2ED2183S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2183S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21834S06JXUMA1 INFN-S-A0016409849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED21834S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21834S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+172.18 грн
10+127.85 грн
50+115.07 грн
100+96.56 грн
250+84.02 грн
500+81.10 грн
1000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 2327421.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.76 грн
50+58.56 грн
100+39.12 грн
500+29.21 грн
1000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21844S06JXUMA1 2876452.pdf
2ED21844S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21844S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.23 грн
250+78.90 грн
500+75.98 грн
1000+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2184S06FXUMA1 Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb
2ED2184S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2184S06FXUMA1 - Gate-Treiber, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 600ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+133.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21824S06JXUMA1 2876195.pdf
2ED21824S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21824S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.98 грн
250+82.56 грн
500+78.90 грн
1000+77.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21834S06JXUMA1 INFN-S-A0016409849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED21834S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21834S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.56 грн
250+84.02 грн
500+81.10 грн
1000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-013025-PROG Infineon-EZ-BT_MODULE_PROGRAMMING_KIT_CYBLE-013025-PROG-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f02651419a8
CYBLE-013025-PROG
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-013025-PROG - Programmier-Kit, EZ-BT-Modul, USB-Kabel, serielle Datenübertragung, serielle Peripherieschnittstelle
tariffCode: 85371091
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Programmier-Kit, EZ-BT-Modul CYBLE-013025-PROG, USB-Kabel
euEccn: NLR
Unterstützte Produktfamilien: -
Merkmale: Unterstützt serielle Kommunikationsschnittstelle, serielle Peripherieschnittstelle für zwei Modi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16021.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L100R07W2E3B11BOMA1 INFNS28257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L100R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.45 V, 300 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 300W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3447.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R07W2E3B11BOMA1 INFNS28273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
F3L75R07W2E3B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L75R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2900.56 грн
5+2532.34 грн
10+2163.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCREWCLAMPEASY2XOXA1 2853084.pdf
SCREWCLAMPEASY2XOXA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SCREWCLAMPEASY2XOXA1 - SCHRAUBKLEMME, ENERGIESP. IGBT-MODUL
tariffCode: 85049099
Art des Zubehörs: Schraubklemme
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Energiesparende IGBT-Module der Produktreihen EasyPIM, EasyPACK, EasyBRIDGE & EasyDUAL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+60.01 грн
21+41.51 грн
25+39.29 грн
50+34.43 грн
100+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R08W2P2B11ABOMA1 3575969.pdf
FF300R08W2P2B11ABOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R08W2P2B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 1 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Produktpalette: EasyPack Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6413.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L100R07W3S5B11BPSA1 3624242.pdf
FS3L100R07W3S5B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS3L100R07W3S5B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.17 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench Stop 5
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6061.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 3199846.pdf
F3L11MR12W2M1B74BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1B74BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSic
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8001.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12W1T7B11BOMA1 2883913.pdf
FS35R12W1T7B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS35R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 35 A, 1.6 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2163.27 грн
5+2119.80 грн
10+2076.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L150R07W2E3B11BOMA1 INFNS28258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L150R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 150 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 335W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 150A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4969.22 грн
5+4721.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS45MR12W1M1B11BOMA1 2718708.pdf
FS45MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS45MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Sechsfach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11305.61 грн
5+10727.71 грн
10+10148.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 3704041.pdf
FS3L200R10W3S7FB94BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 70 A, 1.33 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.33V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.33V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 950V
Dauerkollektorstrom: 70A
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 70A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11961.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2MR12W3M1HB11BPSA1 3739841.pdf
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00144 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+41122.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L600R10W4S7FC22BPSA1 3770278.pdf
F3L600R10W4S7FC22BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L600R10W4S7FC22BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 600 A, 1.63 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Schraub
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24222.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS55MR12W1M1HB11NPSA1 3739840.pdf
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS55MR12W1M1HB11NPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4980.30 грн
5+4355.52 грн
10+3729.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L150R07W2H3B11BPSA1 INFN-S-A0014715330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
F3L150R07W2H3B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L150R07W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 150 A, 1.68 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4797.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon-F3L8MR12W2M1HP_B11-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180f00090ea4e8e
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10326.26 грн
5+9630.74 грн
10+8934.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L200R12W2H3B11BPSA1 INFN-S-A0003614543-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
F3L200R12W2H3B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L200R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 600W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5507.05 грн
5+5231.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS30R06W1E3BOMA1 INFNS28567-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FS30R06W1E3BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 45 A, 1.55 V, 150 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1534.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12ME7PB11BPSA1 3974503.pdf
FF900R12ME7PB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF900R12ME7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 875 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 875A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+23793.43 грн
5+23687.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R07ME4BPSA1 2921007.pdf
FF600R07ME4BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R07ME4BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.55 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12068.47 грн
5+11882.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KE7EHPSA1 3974507.pdf
FF600R12KE7EHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12KE7EHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24784.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME7B11BPSA2 3517982.pdf
FF600R12ME7B11BPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12ME7B11BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+26929.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME4WB73BPSA1 3758284.pdf
FF600R12ME4WB73BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12ME4WB73BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDual 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14313.56 грн
5+14027.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1BOSA1 3097849.pdf
FF6MR12KM1BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF6MR12KM1BOSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSiC C
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00581ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00581ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+42107.94 грн
5+41265.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME4AB11BPSA1 2211627.pdf
FF600R12ME4AB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12ME4AB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 995A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 4.05kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.05kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 995A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17252.48 грн
5+17251.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1 INFNS27867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ065N03LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.57 грн
13+66.99 грн
100+43.73 грн
500+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1 INFNS27867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ065N03LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+43.73 грн
500+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6302VH6327XTSA1 INFNS15704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT6302VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT6302VH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 3 V, 100 mA, 300 mV, 0.85 pF, SC-79
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 300mV
Diodenkapazität: 0.85pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.67 грн
27+31.71 грн
100+20.37 грн
500+14.33 грн
1000+11.54 грн
5000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6302VH6327XTSA1 INFNS15704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT6302VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT6302VH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 3 V, 100 mA, 300 mV, 0.85 pF, SC-79
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 300mV
Diodenkapazität: 0.85pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.37 грн
500+14.33 грн
1000+11.54 грн
5000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B102Q-SXE INFN-S-A0018334917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY15B102Q-SXE
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B102Q-SXE - FRAM, 2MB (256K x 8), SPI, 25MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 25MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1084.19 грн
10+1006.63 грн
25+1004.92 грн
50+930.77 грн
100+857.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405E6327HTSA1 INFNS15399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT5405E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5405E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+14.75 грн
104+8.25 грн
140+6.13 грн
500+4.61 грн
1000+3.81 грн
5000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4120D0EPV33XUMA1 3097864.pdf
TLS4120D0EPV33XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS4120D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+301.73 грн
10+222.46 грн
25+204.56 грн
50+174.92 грн
100+149.04 грн
250+141.73 грн
500+133.70 грн
1000+130.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4120D0EPV33XUMA1 3097864.pdf
TLS4120D0EPV33XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS4120D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+149.04 грн
250+141.73 грн
500+133.70 грн
1000+130.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NAC1080XTMA2 3795154.pdf
NAC1080XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - NAC1080XTMA2 - RFID, Lesen, Schreiben, 28MHz, 60kB, 2.8V bis 3.3V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: SOIC
Programmierbarer Speicher: 60KB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Frequenz, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Stromverbrauch: -
euEccn: NLR
RFID-IC-Typ: Lesen, Schreiben
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsleistung: -
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 28MHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+266.79 грн
10+201.16 грн
25+184.11 грн
50+163.04 грн
100+142.46 грн
250+134.43 грн
500+130.78 грн
1000+126.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NAC1080XTMA2 3795154.pdf
NAC1080XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - NAC1080XTMA2 - RFID, Lesen, Schreiben, 28MHz, 60kB, 2.8V bis 3.3V, SOIC-16
Bauform - HF-IC: SOIC
Programmierbarer Speicher: 60KB
hazardous: false
usEccn: 3A991.a.2
Frequenz, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Stromverbrauch: -
euEccn: NLR
RFID-IC-Typ: Lesen, Schreiben
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsleistung: -
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 28MHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+266.79 грн
10+201.16 грн
25+184.11 грн
50+163.04 грн
100+142.46 грн
250+134.43 грн
500+130.78 грн
1000+126.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302T038X0064ABXUMA1
XMC1302T038X0064ABXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1302T038X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1300
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 38Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.17 грн
250+91.32 грн
500+89.13 грн
1000+86.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSATMA1 INFNS27835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC018NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.11 грн
14+64.69 грн
100+46.45 грн
500+33.40 грн
1000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 294 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 336 378 420 428  [ Наступна Сторінка >> ]