Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25878) > Сторінка 327 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 322 323 324 325 326 327 328 329 330 331 332 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CYPAS111A1-24LQXQ CYPAS111A1-24LQXQ INFINEON 3974851.pdf Description: INFINEON - CYPAS111A1-24LQXQ - USB-PD-Adapter, Power Delivery, sekundärseitige Regelung, USB 3.0, Typ C, 3.3V bis 21.5V, QFN-EP-24
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.0
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Strom, lq: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
Anzahl der Ports: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: EZ-PD PAG1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 21.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.27 грн
10+141.08 грн
25+132.37 грн
50+122.11 грн
100+111.22 грн
250+94.80 грн
500+91.82 грн
1000+91.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1 IPD055N08NF2SATMA1 INFINEON 3812024.pdf Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.63 грн
10+118.44 грн
100+84.21 грн
500+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1 IPD055N08NF2SATMA1 INFINEON 3812024.pdf Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.21 грн
500+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 INFINEON INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.57 грн
16+57.48 грн
100+42.41 грн
500+30.89 грн
1000+24.56 грн
5000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 INFINEON BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817 Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.03 грн
500+34.21 грн
1000+27.25 грн
5000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 INFINEON INFNS28203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+45.81 грн
50+35.53 грн
100+26.47 грн
500+20.06 грн
1500+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 INFINEON INFNS28203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.47 грн
500+20.06 грн
1500+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ESD1P0RFWH6327XTSA1 ESD1P0RFWH6327XTSA1 INFINEON 2820279.pdf Description: INFINEON - ESD1P0RFWH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOT-323, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+32.92 грн
28+32.22 грн
100+31.61 грн
500+28.71 грн
1000+25.98 грн
5000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4060SSJNXUMA1 ITS4060SSJNXUMA1 INFINEON Infineon-ITS4060S-SJ-N-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c904943b2231b Description: INFINEON - ITS4060SSJNXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 17A/0.05 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 17A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.12 грн
10+98.41 грн
50+89.70 грн
100+73.67 грн
250+63.97 грн
500+61.51 грн
1000+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SSJDXUMA1 ITS4200SSJDXUMA1 INFINEON Infineon-ITS4200S-SJ-D-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c90492f772315 Description: INFINEON - ITS4200SSJDXUMA1 - Leistungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 6A/0.15 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 6A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.73 грн
11+79.95 грн
50+72.46 грн
100+59.68 грн
250+51.66 грн
500+49.57 грн
1000+46.21 грн
2500+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0010754031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+211.62 грн
10+133.24 грн
100+106.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD3172P-24LQXQ CYPD3172P-24LQXQ INFINEON Infineon-CCG3PA-NFET_USB_Type-C_Port_Controller-AdditionalTechnicalInformation-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea4c007347 Description: INFINEON - CYPD3172P-24LQXQ - Netzadapter-IC, Optokoppler-Feedback (programmierbar), USB PD 2.0, 3.0, Typ C, 21.5V, QFN-EP-24
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 2.0, 3.0
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
Strom, lq: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
Anzahl der Ports: 1 Port
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: EZ-PD CCG3PA-NFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 21.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+95.80 грн
13+70.45 грн
50+60.79 грн
100+56.36 грн
250+51.95 грн
500+51.88 грн
1000+51.81 грн
2500+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4241GMXUMA1 TLE4241GMXUMA1 INFINEON 2820299.pdf Description: INFINEON - TLE4241GMXUMA1 - LED-TREIBER, AEC-Q100, LINEAR, DSO-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 65mA
Eingangsspannung, min.: 4V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+72.37 грн
17+51.82 грн
100+41.19 грн
500+31.46 грн
1000+26.95 грн
2500+26.87 грн
5000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4241GMXUMA1 TLE4241GMXUMA1 INFINEON 2820299.pdf Description: INFINEON - TLE4241GMXUMA1 - LED-TREIBER, AEC-Q100, LINEAR, DSO-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 65mA
Eingangsspannung, min.: 4V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.19 грн
500+31.46 грн
1000+26.95 грн
2500+26.87 грн
5000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9371VSJXTMA1 TLE9371VSJXTMA1 INFINEON 3934862.pdf Description: INFINEON - TLE9371VSJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, 8 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 8Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.54 грн
10+95.80 грн
50+87.96 грн
100+73.59 грн
250+64.42 грн
500+62.85 грн
1000+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.76 грн
50+100.15 грн
250+67.06 грн
1000+45.04 грн
2000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 INFINEON 3154637.pdf Description: INFINEON - FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 70 A, 1.27 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.27V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 950V
Dauerkollektorstrom: 70A
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 70A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11347.60 грн
5+11120.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 INFINEON INFNS27552-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 - IGBT-Modul, Zwölferpack, 30 A, 1.5 V, 135 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 135W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 30A
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zwölferpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3836.24 грн
5+3453.05 грн
10+2678.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4PBPSA1 FP15R12W1T4PBPSA1 INFINEON 2718703.pdf Description: INFINEON - FP15R12W1T4PBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 15 A, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3638.55 грн
5+3399.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R07ME4B11BPSA1 FF600R07ME4B11BPSA1 INFINEON 2255560.pdf Description: INFINEON - FF600R07ME4B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 700 A, 1.55 V, 1.8 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 1.8kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 700A
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 700A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13492.58 грн
5+12456.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KT4HOSA1 FF600R12KT4HOSA1 INFINEON 3215555.pdf Description: INFINEON - FF600R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: C-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17071.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1 IAUA250N04S6N007AUMA1 INFINEON 3154641.pdf Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+173.31 грн
10+169.82 грн
100+166.34 грн
500+151.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1 IAUA250N04S6N007AUMA1 INFINEON 3154641.pdf Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+166.34 грн
500+151.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42008SBDAUMA1 ITS42008SBDAUMA1 INFINEON 2354770.pdf Description: INFINEON - ITS42008SBDAUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, NMOS, 8 Ausgänge, 45V, 1.4A, 0.15 Ohm, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1.4A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 45V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+835.18 грн
10+645.32 грн
25+614.84 грн
50+533.73 грн
100+457.59 грн
250+437.43 грн
500+398.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42008SBDAUMA1 ITS42008SBDAUMA1 INFINEON 2354770.pdf Description: INFINEON - ITS42008SBDAUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, NMOS, 8 Ausgänge, 45V, 1.4A, 0.15 Ohm, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1.4A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 45V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+645.32 грн
25+614.84 грн
50+533.73 грн
100+457.59 грн
250+437.43 грн
500+398.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KP226E0109XTMA1 KP226E0109XTMA1 INFINEON Infineon-KP226E0109-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164d202111003ce Description: INFINEON - KP226E0109XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 2.18 Psi, 46.41 Psi, 0.5 V, 4.5 V, DSOF
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±3kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 13.12mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 46.41Psi
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 0.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 2.18Psi
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+613.97 грн
10+453.73 грн
25+431.96 грн
50+381.70 грн
100+333.67 грн
250+323.22 грн
500+312.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KP226E0109XTMA1 KP226E0109XTMA1 INFINEON Infineon-KP226E0109-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164d202111003ce Description: INFINEON - KP226E0109XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 2.18 Psi, 46.41 Psi, 0.5 V, 4.5 V, DSOF
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±3kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 13.12mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 46.41Psi
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 0.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 2.18Psi
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+453.73 грн
25+431.96 грн
50+381.70 грн
100+333.67 грн
250+323.22 грн
500+312.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XC164CS16F40FBBFXQMA1 XC164CS16F40FBBFXQMA1 INFINEON 1648156.pdf Description: INFINEON - XC164CS16F40FBBFXQMA1 - 16-Bit-Mikrocontroller, XC166 Family XC164CS Series Microcontrollers, C166, 16 Bit, 40 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: C166
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Channels
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XC166
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: XC164CS
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 79I/O's
Anzahl der Pins: 100Pins
Datenbusbreite: 16 Bit
Produktpalette: XC166 Family XC164CS Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, SPI, USART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1981.26 грн
10+1827.11 грн
25+1745.25 грн
50+1588.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XC161CJ16F40FBBFXQMA1 XC161CJ16F40FBBFXQMA1 INFINEON 1648156.pdf Description: INFINEON - XC161CJ16F40FBBFXQMA1 - 16-Bit-Mikrocontroller, XC166 Family XC161CJ Series Microcontrollers, C166, 16 Bit, 40 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: C166
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XC166
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: XC161CJ
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 99I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 16 Bit
Produktpalette: XC166 Family XC161CJ Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3247.52 грн
5+2992.35 грн
10+2741.54 грн
25+2365.38 грн
50+2134.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XC161CS32F40FBBAFXUMA1 XC161CS32F40FBBAFXUMA1 INFINEON Infineon-XC161_32-DS-v01_02-en.pdf?fileId=5546d4624933b8750149880e0c287e3a Description: INFINEON - XC161CS32F40FBBAFXUMA1 - 16-Bit-Mikrocontroller, XC166 Family XC161CS Series Microcontrollers, C166, 16 Bit, 40 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: C166
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 2.35V
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XC166
RAM-Speichergröße: 12KB
MCU-Baureihe: XC161CS
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 99I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 16 Bit
Produktpalette: XC166 Family XC161CS Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2884.36 грн
5+2826.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1 BSC0923NDIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0923NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136caa90c9e00b6 Description: INFINEON - BSC0923NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3.8 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.04 грн
500+36.96 грн
1000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1 BSC0923NDIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0923NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136caa90c9e00b6 Description: INFINEON - BSC0923NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3.8 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.15 грн
13+70.72 грн
100+55.04 грн
500+36.96 грн
1000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON IPD034N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a97343b4cf3 Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.31 грн
500+68.74 грн
1000+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.60 грн
10+120.18 грн
100+89.70 грн
500+67.12 грн
1000+57.25 грн
5000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 INFINEON 3965132.pdf Description: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.41 грн
10+92.31 грн
100+72.20 грн
500+49.81 грн
1000+44.27 грн
5000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.70 грн
500+67.12 грн
1000+57.25 грн
5000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 IMW65R072M1HXKSA1 INFINEON 3049634.pdf Description: INFINEON - IMW65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+636.62 грн
5+586.10 грн
10+535.59 грн
50+307.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 INFINEON INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.02 грн
11+79.60 грн
100+76.20 грн
500+67.52 грн
1000+59.42 грн
5000+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 INFINEON 4129358.pdf Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+144.57 грн
10+87.96 грн
100+68.19 грн
500+45.37 грн
1000+38.89 грн
5000+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 INFINEON 1849649.pdf Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+121.05 грн
10+91.44 грн
100+71.59 грн
500+51.92 грн
1000+45.91 грн
5000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 IPB60R299CPAATMA1 INFINEON 2882460.pdf Description: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.11 грн
10+211.62 грн
25+175.05 грн
100+145.56 грн
500+124.66 грн
1000+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 INFINEON 4129358.pdf Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.19 грн
500+45.37 грн
1000+38.89 грн
5000+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 INFINEON BSC010NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308d8d1cdf33de Description: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.89 грн
500+70.11 грн
1000+55.69 грн
5000+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 INFINEON Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982 Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.72 грн
27+32.66 грн
100+32.14 грн
500+29.11 грн
1000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 INFINEON Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982 Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.14 грн
500+29.11 грн
1000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 INFINEON INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.20 грн
500+67.52 грн
1000+59.42 грн
5000+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 INFINEON 1849649.pdf Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.59 грн
500+51.92 грн
1000+45.91 грн
5000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 IPB60R299CPAATMA1 INFINEON 2882460.pdf Description: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.56 грн
500+124.66 грн
1000+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+108.86 грн
15000+94.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1 INFINEON INFN-S-A0001299351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+179.40 грн
500+155.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1 INFINEON INFN-S-A0001299351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.97 грн
10+248.20 грн
100+179.40 грн
500+155.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON 2612486.pdf Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.37 грн
10+124.54 грн
100+90.57 грн
500+73.59 грн
1000+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1 BSC0402NSATMA1 INFINEON 3097834.pdf Description: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.78 грн
10+204.66 грн
100+143.70 грн
500+110.79 грн
1000+97.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1 BSC0402NSATMA1 INFINEON 3097834.pdf Description: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.70 грн
500+110.79 грн
1000+97.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8510CRT CHL8510CRT INFINEON IRSD-S-A0000254707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CHL8510CRT - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgung, 3 A /4Aout, 20ns Verzögerung, DFN-10
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10.8V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 17ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+37.85 грн
1000+29.86 грн
2500+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1 ISZ0804NLSATMA1 INFINEON 3437306.pdf Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.83 грн
10+96.67 грн
100+79.95 грн
500+60.00 грн
1000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0804NLSATMA1 ISC0804NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISC0804NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62bbc36d90 Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+173.31 грн
50+116.70 грн
250+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.24 грн
10+117.57 грн
100+83.17 грн
500+60.41 грн
1000+51.66 грн
5000+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0602NLSATMA1 ISC0602NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISC0602NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd47487e6d83 Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.50 грн
50+121.05 грн
250+81.34 грн
1000+58.14 грн
3000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1 IPD30N03S2L20ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N03S2L_20-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270c9e3b6a&ack=t Description: INFINEON - IPD30N03S2L20ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+122.79 грн
12+77.51 грн
100+51.38 грн
500+39.54 грн
1000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS111A1-24LQXQ 3974851.pdf
CYPAS111A1-24LQXQ
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPAS111A1-24LQXQ - USB-PD-Adapter, Power Delivery, sekundärseitige Regelung, USB 3.0, Typ C, 3.3V bis 21.5V, QFN-EP-24
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.0
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Strom, lq: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
Anzahl der Ports: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: EZ-PD PAG1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 21.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.27 грн
10+141.08 грн
25+132.37 грн
50+122.11 грн
100+111.22 грн
250+94.80 грн
500+91.82 грн
1000+91.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1 3812024.pdf
IPD055N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.63 грн
10+118.44 грн
100+84.21 грн
500+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1 3812024.pdf
IPD055N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.21 грн
500+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.57 грн
16+57.48 грн
100+42.41 грн
500+30.89 грн
1000+24.56 грн
5000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.03 грн
500+34.21 грн
1000+27.25 грн
5000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 INFNS28203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL215CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.81 грн
50+35.53 грн
100+26.47 грн
500+20.06 грн
1500+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 INFNS28203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL215CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.47 грн
500+20.06 грн
1500+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ESD1P0RFWH6327XTSA1 2820279.pdf
ESD1P0RFWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD1P0RFWH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOT-323, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+32.92 грн
28+32.22 грн
100+31.61 грн
500+28.71 грн
1000+25.98 грн
5000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4060SSJNXUMA1 Infineon-ITS4060S-SJ-N-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c904943b2231b
ITS4060SSJNXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4060SSJNXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 17A/0.05 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 17A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.12 грн
10+98.41 грн
50+89.70 грн
100+73.67 грн
250+63.97 грн
500+61.51 грн
1000+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SSJDXUMA1 Infineon-ITS4200S-SJ-D-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c90492f772315
ITS4200SSJDXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4200SSJDXUMA1 - Leistungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 6A/0.15 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 6A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.73 грн
11+79.95 грн
50+72.46 грн
100+59.68 грн
250+51.66 грн
500+49.57 грн
1000+46.21 грн
2500+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 INFN-S-A0010754031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+211.62 грн
10+133.24 грн
100+106.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD3172P-24LQXQ Infineon-CCG3PA-NFET_USB_Type-C_Port_Controller-AdditionalTechnicalInformation-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea4c007347
CYPD3172P-24LQXQ
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPD3172P-24LQXQ - Netzadapter-IC, Optokoppler-Feedback (programmierbar), USB PD 2.0, 3.0, Typ C, 21.5V, QFN-EP-24
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 2.0, 3.0
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
Strom, lq: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
Anzahl der Ports: 1 Port
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: EZ-PD CCG3PA-NFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 21.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+95.80 грн
13+70.45 грн
50+60.79 грн
100+56.36 грн
250+51.95 грн
500+51.88 грн
1000+51.81 грн
2500+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4241GMXUMA1 2820299.pdf
TLE4241GMXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4241GMXUMA1 - LED-TREIBER, AEC-Q100, LINEAR, DSO-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 65mA
Eingangsspannung, min.: 4V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+72.37 грн
17+51.82 грн
100+41.19 грн
500+31.46 грн
1000+26.95 грн
2500+26.87 грн
5000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4241GMXUMA1 2820299.pdf
TLE4241GMXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4241GMXUMA1 - LED-TREIBER, AEC-Q100, LINEAR, DSO-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 65mA
Eingangsspannung, min.: 4V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.19 грн
500+31.46 грн
1000+26.95 грн
2500+26.87 грн
5000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9371VSJXTMA1 3934862.pdf
TLE9371VSJXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9371VSJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, 8 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 8Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.54 грн
10+95.80 грн
50+87.96 грн
100+73.59 грн
250+64.42 грн
500+62.85 грн
1000+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF INFN-S-A0012838366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9310TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.76 грн
50+100.15 грн
250+67.06 грн
1000+45.04 грн
2000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 3154637.pdf
FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 70 A, 1.27 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.27V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 950V
Dauerkollektorstrom: 70A
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 70A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11347.60 грн
5+11120.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 INFNS27552-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 - IGBT-Modul, Zwölferpack, 30 A, 1.5 V, 135 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 135W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 30A
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zwölferpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3836.24 грн
5+3453.05 грн
10+2678.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4PBPSA1 2718703.pdf
FP15R12W1T4PBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP15R12W1T4PBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 15 A, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3638.55 грн
5+3399.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R07ME4B11BPSA1 2255560.pdf
FF600R07ME4B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R07ME4B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 700 A, 1.55 V, 1.8 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 1.8kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 700A
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 700A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13492.58 грн
5+12456.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KT4HOSA1 3215555.pdf
FF600R12KT4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: C-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17071.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1 3154641.pdf
IAUA250N04S6N007AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+173.31 грн
10+169.82 грн
100+166.34 грн
500+151.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1 3154641.pdf
IAUA250N04S6N007AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+166.34 грн
500+151.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42008SBDAUMA1 2354770.pdf
ITS42008SBDAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS42008SBDAUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, NMOS, 8 Ausgänge, 45V, 1.4A, 0.15 Ohm, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1.4A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 45V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+835.18 грн
10+645.32 грн
25+614.84 грн
50+533.73 грн
100+457.59 грн
250+437.43 грн
500+398.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42008SBDAUMA1 2354770.pdf
ITS42008SBDAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS42008SBDAUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, NMOS, 8 Ausgänge, 45V, 1.4A, 0.15 Ohm, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1.4A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 45V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+645.32 грн
25+614.84 грн
50+533.73 грн
100+457.59 грн
250+437.43 грн
500+398.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KP226E0109XTMA1 Infineon-KP226E0109-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164d202111003ce
KP226E0109XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP226E0109XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 2.18 Psi, 46.41 Psi, 0.5 V, 4.5 V, DSOF
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±3kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 13.12mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 46.41Psi
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 0.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 2.18Psi
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+613.97 грн
10+453.73 грн
25+431.96 грн
50+381.70 грн
100+333.67 грн
250+323.22 грн
500+312.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KP226E0109XTMA1 Infineon-KP226E0109-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164d202111003ce
KP226E0109XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP226E0109XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 2.18 Psi, 46.41 Psi, 0.5 V, 4.5 V, DSOF
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±3kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 13.12mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 46.41Psi
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 0.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 2.18Psi
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+453.73 грн
25+431.96 грн
50+381.70 грн
100+333.67 грн
250+323.22 грн
500+312.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XC164CS16F40FBBFXQMA1 1648156.pdf
XC164CS16F40FBBFXQMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XC164CS16F40FBBFXQMA1 - 16-Bit-Mikrocontroller, XC166 Family XC164CS Series Microcontrollers, C166, 16 Bit, 40 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: C166
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Channels
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XC166
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: XC164CS
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 79I/O's
Anzahl der Pins: 100Pins
Datenbusbreite: 16 Bit
Produktpalette: XC166 Family XC164CS Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, SPI, USART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1981.26 грн
10+1827.11 грн
25+1745.25 грн
50+1588.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XC161CJ16F40FBBFXQMA1 1648156.pdf
XC161CJ16F40FBBFXQMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XC161CJ16F40FBBFXQMA1 - 16-Bit-Mikrocontroller, XC166 Family XC161CJ Series Microcontrollers, C166, 16 Bit, 40 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: C166
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XC166
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: XC161CJ
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 99I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 16 Bit
Produktpalette: XC166 Family XC161CJ Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3247.52 грн
5+2992.35 грн
10+2741.54 грн
25+2365.38 грн
50+2134.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XC161CS32F40FBBAFXUMA1 Infineon-XC161_32-DS-v01_02-en.pdf?fileId=5546d4624933b8750149880e0c287e3a
XC161CS32F40FBBAFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XC161CS32F40FBBAFXUMA1 - 16-Bit-Mikrocontroller, XC166 Family XC161CS Series Microcontrollers, C166, 16 Bit, 40 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: C166
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 2.35V
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XC166
RAM-Speichergröße: 12KB
MCU-Baureihe: XC161CS
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 99I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 16 Bit
Produktpalette: XC166 Family XC161CS Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2884.36 грн
5+2826.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1 Infineon-BSC0923NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136caa90c9e00b6
BSC0923NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0923NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3.8 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.04 грн
500+36.96 грн
1000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1 Infineon-BSC0923NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136caa90c9e00b6
BSC0923NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0923NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3.8 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.15 грн
13+70.72 грн
100+55.04 грн
500+36.96 грн
1000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a97343b4cf3
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.31 грн
500+68.74 грн
1000+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+164.60 грн
10+120.18 грн
100+89.70 грн
500+67.12 грн
1000+57.25 грн
5000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1 3965132.pdf
BSC010NE2LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.41 грн
10+92.31 грн
100+72.20 грн
500+49.81 грн
1000+44.27 грн
5000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+89.70 грн
500+67.12 грн
1000+57.25 грн
5000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 3049634.pdf
IMW65R072M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+636.62 грн
5+586.10 грн
10+535.59 грн
50+307.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC011N03LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.02 грн
11+79.60 грн
100+76.20 грн
500+67.52 грн
1000+59.42 грн
5000+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 4129358.pdf
BSC009NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+144.57 грн
10+87.96 грн
100+68.19 грн
500+45.37 грн
1000+38.89 грн
5000+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 1849649.pdf
BSC010NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+121.05 грн
10+91.44 грн
100+71.59 грн
500+51.92 грн
1000+45.91 грн
5000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 2882460.pdf
IPB60R299CPAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.11 грн
10+211.62 грн
25+175.05 грн
100+145.56 грн
500+124.66 грн
1000+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 4129358.pdf
BSC009NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.19 грн
500+45.37 грн
1000+38.89 грн
5000+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308d8d1cdf33de
BSC010NE2LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.89 грн
500+70.11 грн
1000+55.69 грн
5000+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982
ISC011N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.72 грн
27+32.66 грн
100+32.14 грн
500+29.11 грн
1000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982
ISC011N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.14 грн
500+29.11 грн
1000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC011N03LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.20 грн
500+67.52 грн
1000+59.42 грн
5000+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 1849649.pdf
BSC010NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.59 грн
500+51.92 грн
1000+45.91 грн
5000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 2882460.pdf
IPB60R299CPAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+145.56 грн
500+124.66 грн
1000+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+108.86 грн
15000+94.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1 INFN-S-A0001299351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPLU300N04S41R1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+179.40 грн
500+155.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1 INFN-S-A0001299351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPLU300N04S41R1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+323.97 грн
10+248.20 грн
100+179.40 грн
500+155.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 2612486.pdf
IAUT165N08S5N029ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.37 грн
10+124.54 грн
100+90.57 грн
500+73.59 грн
1000+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1 3097834.pdf
BSC0402NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+311.78 грн
10+204.66 грн
100+143.70 грн
500+110.79 грн
1000+97.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1 3097834.pdf
BSC0402NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+143.70 грн
500+110.79 грн
1000+97.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8510CRT IRSD-S-A0000254707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CHL8510CRT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CHL8510CRT - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgung, 3 A /4Aout, 20ns Verzögerung, DFN-10
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10.8V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 17ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+37.85 грн
1000+29.86 грн
2500+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1 3437306.pdf
ISZ0804NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.83 грн
10+96.67 грн
100+79.95 грн
500+60.00 грн
1000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0804NLSATMA1 Infineon-ISC0804NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62bbc36d90
ISC0804NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+173.31 грн
50+116.70 грн
250+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+187.24 грн
10+117.57 грн
100+83.17 грн
500+60.41 грн
1000+51.66 грн
5000+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0602NLSATMA1 Infineon-ISC0602NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd47487e6d83
ISC0602NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+185.50 грн
50+121.05 грн
250+81.34 грн
1000+58.14 грн
3000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1 Infineon-IPD30N03S2L_20-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270c9e3b6a&ack=t
IPD30N03S2L20ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N03S2L20ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+122.79 грн
12+77.51 грн
100+51.38 грн
500+39.54 грн
1000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 322 323 324 325 326 327 328 329 330 331 332 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]