Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25964) > Сторінка 327 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 322 323 324 325 326 327 328 329 330 331 332 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 INFINEON INFNS27552-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 - IGBT-Modul, Zwölferpack, 30 A, 1.5 V, 135 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 135W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 30A
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zwölferpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3607.70 грн
5+3247.34 грн
10+2519.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4PBPSA1 FP15R12W1T4PBPSA1 INFINEON 2718703.pdf Description: INFINEON - FP15R12W1T4PBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 15 A, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3421.78 грн
5+3197.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R07ME4B11BPSA1 FF600R07ME4B11BPSA1 INFINEON 2255560.pdf Description: INFINEON - FF600R07ME4B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 700 A, 1.55 V, 1.8 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 1.8kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 700A
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 700A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10126.94 грн
5+9459.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KT4HOSA1 FF600R12KT4HOSA1 INFINEON 3215555.pdf Description: INFINEON - FF600R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: C-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16524.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1 IAUA250N04S6N007AUMA1 INFINEON 3154641.pdf Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.98 грн
10+159.70 грн
100+156.43 грн
500+142.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1 IAUA250N04S6N007AUMA1 INFINEON 3154641.pdf Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+156.43 грн
500+142.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42008SBDAUMA1 ITS42008SBDAUMA1 INFINEON 2354770.pdf Description: INFINEON - ITS42008SBDAUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, NMOS, 8 Ausgänge, 45V, 1.4A, 0.15 Ohm, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 1.4A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 45V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+582.31 грн
10+451.27 грн
25+418.51 грн
50+357.44 грн
100+301.86 грн
250+287.82 грн
500+287.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42008SBDAUMA1 ITS42008SBDAUMA1 INFINEON 2354770.pdf Description: INFINEON - ITS42008SBDAUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, NMOS, 8 Ausgänge, 45V, 1.4A, 0.15 Ohm, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 1.4A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 45V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+451.27 грн
25+418.51 грн
50+357.44 грн
100+301.86 грн
250+287.82 грн
500+287.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KP226E0109XTMA1 KP226E0109XTMA1 INFINEON INFN-S-A0006155730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - KP226E0109XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 2.18 Psi, 46.41 Psi, 0.5 V, 4.5 V, DSOF
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±3kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 13.12mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 46.41Psi
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 0.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 2.18Psi
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.52 грн
10+298.94 грн
25+285.01 грн
50+236.52 грн
100+209.90 грн
250+203.58 грн
500+197.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KP226E0109XTMA1 KP226E0109XTMA1 INFINEON INFN-S-A0006155730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - KP226E0109XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 2.18 Psi, 46.41 Psi, 0.5 V, 4.5 V, DSOF
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±3kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 13.12mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 46.41Psi
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 0.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 2.18Psi
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+209.90 грн
250+203.58 грн
500+197.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XC164CS16F40FBBFXQMA1 XC164CS16F40FBBFXQMA1 INFINEON 1648156.pdf Description: INFINEON - XC164CS16F40FBBFXQMA1 - 16-Bit-Mikrocontroller, XC166 Family XC164CS Series Microcontrollers, C166, 16 Bit, 40 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: C166
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Channels
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XC166
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: XC164CS
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 79I/O's
Anzahl der Pins: 100Pins
Datenbusbreite: 16 Bit
Produktpalette: XC166 Family XC164CS Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, SPI, USART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1863.22 грн
10+1718.26 грн
25+1641.28 грн
50+1493.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XC161CJ16F40FBBFXQMA1 XC161CJ16F40FBBFXQMA1 INFINEON 1648156.pdf Description: INFINEON - XC161CJ16F40FBBFXQMA1 - 16-Bit-Mikrocontroller, XC166 Family XC161CJ Series Microcontrollers, C166, 16 Bit, 40 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: C166
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XC166
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: XC161CJ
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 99I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 16 Bit
Produktpalette: XC166 Family XC161CJ Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3054.05 грн
5+2814.08 грн
10+2578.21 грн
25+2224.46 грн
50+2007.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XC161CS32F40FBBAFXUMA1 XC161CS32F40FBBAFXUMA1 INFINEON Infineon-XC161_32-DS-v01_02-en.pdf?fileId=5546d4624933b8750149880e0c287e3a Description: INFINEON - XC161CS32F40FBBAFXUMA1 - 16-Bit-Mikrocontroller, XC166 Family XC161CS Series Microcontrollers, C166, 16 Bit, 40 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: C166
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 2.35V
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XC166
RAM-Speichergröße: 12KB
MCU-Baureihe: XC161CS
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 99I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 16 Bit
Produktpalette: XC166 Family XC161CS Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2712.53 грн
5+2658.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1 BSC0923NDIATMA1 INFINEON INFNS27837-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0923NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.81 грн
500+39.32 грн
1000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1 BSC0923NDIATMA1 INFINEON INFNS27837-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0923NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.76 грн
11+81.00 грн
100+53.81 грн
500+39.32 грн
1000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON IPD034N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a97343b4cf3 Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.81 грн
500+64.64 грн
1000+57.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+310.40 грн
50+203.93 грн
250+142.51 грн
1000+99.63 грн
3000+89.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 INFINEON BSC010NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308d8d1cdf33de Description: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.40 грн
10+88.45 грн
100+67.32 грн
500+47.00 грн
1000+41.77 грн
5000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.93 грн
250+142.51 грн
1000+99.63 грн
3000+89.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 IMW65R072M1HXKSA1 INFINEON 3049634.pdf Description: INFINEON - IMW65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+598.69 грн
5+551.19 грн
10+503.68 грн
50+288.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 INFINEON INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.00 грн
11+74.86 грн
100+71.66 грн
500+63.50 грн
1000+55.88 грн
5000+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 INFINEON 4129358.pdf Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.43 грн
10+97.46 грн
100+69.04 грн
500+51.03 грн
1000+43.80 грн
5000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 INFINEON 1849649.pdf Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.84 грн
10+86.00 грн
100+67.32 грн
500+48.82 грн
1000+43.17 грн
5000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 IPB60R299CPAATMA1 INFINEON 2882460.pdf Description: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.68 грн
10+199.02 грн
25+164.62 грн
100+136.89 грн
500+117.23 грн
1000+109.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 INFINEON 4129358.pdf Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.04 грн
500+51.03 грн
1000+43.80 грн
5000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 INFINEON BSC010NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308d8d1cdf33de Description: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.82 грн
500+65.94 грн
1000+52.37 грн
5000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 INFINEON Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982 Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.23 грн
27+30.71 грн
100+30.22 грн
500+27.38 грн
1000+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 INFINEON Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982 Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.22 грн
500+27.38 грн
1000+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 INFINEON INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.66 грн
500+63.50 грн
1000+55.88 грн
5000+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 INFINEON 1849649.pdf Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.32 грн
500+48.82 грн
1000+43.17 грн
5000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 IPB60R299CPAATMA1 INFINEON 2882460.pdf Description: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.89 грн
500+117.23 грн
1000+109.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+102.38 грн
15000+89.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1 INFINEON INFN-S-A0001299351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+168.71 грн
500+146.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1 INFINEON INFN-S-A0001299351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.67 грн
10+233.42 грн
100+168.71 грн
500+146.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON 2612486.pdf Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.88 грн
10+117.12 грн
100+85.18 грн
500+69.21 грн
1000+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1 BSC0402NSATMA1 INFINEON 3097834.pdf Description: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.20 грн
10+192.46 грн
100+135.14 грн
500+104.19 грн
1000+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1 BSC0402NSATMA1 INFINEON 3097834.pdf Description: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.14 грн
500+104.19 грн
1000+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8510CRT CHL8510CRT INFINEON IRSD-S-A0000254707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CHL8510CRT - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgung, 3 A /4Aout, 20ns Verzögerung, DFN-10
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10.8V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 17ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+35.59 грн
1000+28.08 грн
2500+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1 ISZ0804NLSATMA1 INFINEON 3437306.pdf Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.93 грн
10+90.91 грн
100+75.18 грн
500+56.43 грн
1000+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0804NLSATMA1 ISC0804NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISC0804NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62bbc36d90 Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.98 грн
50+109.75 грн
250+75.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.08 грн
10+110.56 грн
100+78.21 грн
500+56.81 грн
1000+48.58 грн
5000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0602NLSATMA1 ISC0602NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISC0602NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd47487e6d83 Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.45 грн
50+113.84 грн
250+76.49 грн
1000+54.68 грн
3000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1 IPD30N03S2L20ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N03S2L_20-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270c9e3b6a&ack=t Description: INFINEON - IPD30N03S2L20ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.48 грн
12+72.89 грн
100+48.32 грн
500+37.19 грн
1000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1 IMW120R350M1HXKSA1 INFINEON 2830779.pdf Description: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.57 грн
10+361.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 INFINEON INFN-S-A0001301406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.96 грн
10+89.27 грн
100+69.12 грн
500+49.51 грн
1000+43.38 грн
5000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 INFINEON INFN-S-A0001301406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.12 грн
500+49.51 грн
1000+43.38 грн
5000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 49838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.74 грн
250+74.20 грн
1000+49.58 грн
3000+44.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1 ISZ0602NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISZ0602NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd75204d6def Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.67 грн
500+45.93 грн
1000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0602NLSATMA1 ISC0602NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISC0602NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd47487e6d83 Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0071 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.29 грн
250+74.53 грн
1000+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1 ISZ0804NLSATMA1 INFINEON 3437306.pdf Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+56.43 грн
1000+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0804NLSATMA1 ISC0804NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISC0804NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62bbc36d90 Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1 ISZ0602NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISZ0602NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd75204d6def Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.85 грн
11+79.77 грн
100+61.67 грн
500+45.93 грн
1000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1 IPD30N03S2L20ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N03S2L_20-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270c9e3b6a&ack=t Description: INFINEON - IPD30N03S2L20ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.32 грн
500+37.19 грн
1000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KP212F1701XTMA1 KP212F1701XTMA1 INFINEON 3177165.pdf Description: INFINEON - KP212F1701XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 10 kPa, 115 kPa, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±1.4kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 40.5mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 115kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 10kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+165.67 грн
250+159.35 грн
500+153.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KP215F1701XTMA1 KP215F1701XTMA1 INFINEON 2211508.pdf Description: INFINEON - KP215F1701XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 10 kPa, 115 kPa, 4.5 V, 5.5 V, SOFL
tariffCode: 90262020
Genauigkeit: ±1.4kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 40.5mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 115kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOFL
Bauform - Sensor: SOFL
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 10kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.53 грн
250+146.02 грн
500+142.51 грн
1000+124.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI320 S29JL032J70TFI320 INFINEON Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Description: INFINEON - S29JL032J70TFI320 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32 Mbit, 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit, CFI, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.08 грн
10+344.80 грн
25+334.97 грн
50+296.60 грн
100+267.46 грн
250+263.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON 3732771.pdf Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.12 грн
500+25.93 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON 3732771.pdf Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.63 грн
15+54.95 грн
100+36.12 грн
500+25.93 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DF300R07W2H3B77BPSA1 DF300R07W2H3B77BPSA1 INFINEON 3685647.pdf Description: INFINEON - DF300R07W2H3B77BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 300 A, 1.68 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4167.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 INFINEON Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95 Description: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+179.36 грн
500+148.30 грн
1000+135.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 INFNS27552-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 - IGBT-Modul, Zwölferpack, 30 A, 1.5 V, 135 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 135W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 30A
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zwölferpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3607.70 грн
5+3247.34 грн
10+2519.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4PBPSA1 2718703.pdf
FP15R12W1T4PBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP15R12W1T4PBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 15 A, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3421.78 грн
5+3197.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R07ME4B11BPSA1 2255560.pdf
FF600R07ME4B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R07ME4B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 700 A, 1.55 V, 1.8 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 1.8kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 700A
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 700A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10126.94 грн
5+9459.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KT4HOSA1 3215555.pdf
FF600R12KT4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: C-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16524.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1 3154641.pdf
IAUA250N04S6N007AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.98 грн
10+159.70 грн
100+156.43 грн
500+142.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1 3154641.pdf
IAUA250N04S6N007AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+156.43 грн
500+142.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42008SBDAUMA1 2354770.pdf
ITS42008SBDAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS42008SBDAUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, NMOS, 8 Ausgänge, 45V, 1.4A, 0.15 Ohm, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 1.4A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 45V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+582.31 грн
10+451.27 грн
25+418.51 грн
50+357.44 грн
100+301.86 грн
250+287.82 грн
500+287.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42008SBDAUMA1 2354770.pdf
ITS42008SBDAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS42008SBDAUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, High-Side, NMOS, 8 Ausgänge, 45V, 1.4A, 0.15 Ohm, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 1.4A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 45V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+451.27 грн
25+418.51 грн
50+357.44 грн
100+301.86 грн
250+287.82 грн
500+287.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KP226E0109XTMA1 INFN-S-A0006155730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KP226E0109XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP226E0109XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 2.18 Psi, 46.41 Psi, 0.5 V, 4.5 V, DSOF
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±3kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 13.12mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 46.41Psi
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 0.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 2.18Psi
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+341.52 грн
10+298.94 грн
25+285.01 грн
50+236.52 грн
100+209.90 грн
250+203.58 грн
500+197.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KP226E0109XTMA1 INFN-S-A0006155730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KP226E0109XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP226E0109XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 2.18 Psi, 46.41 Psi, 0.5 V, 4.5 V, DSOF
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±3kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 13.12mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 46.41Psi
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 0.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 2.18Psi
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+209.90 грн
250+203.58 грн
500+197.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XC164CS16F40FBBFXQMA1 1648156.pdf
XC164CS16F40FBBFXQMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XC164CS16F40FBBFXQMA1 - 16-Bit-Mikrocontroller, XC166 Family XC164CS Series Microcontrollers, C166, 16 Bit, 40 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: C166
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Channels
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XC166
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: XC164CS
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 79I/O's
Anzahl der Pins: 100Pins
Datenbusbreite: 16 Bit
Produktpalette: XC166 Family XC164CS Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, SPI, USART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1863.22 грн
10+1718.26 грн
25+1641.28 грн
50+1493.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XC161CJ16F40FBBFXQMA1 1648156.pdf
XC161CJ16F40FBBFXQMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XC161CJ16F40FBBFXQMA1 - 16-Bit-Mikrocontroller, XC166 Family XC161CJ Series Microcontrollers, C166, 16 Bit, 40 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: C166
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XC166
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: XC161CJ
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 99I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 16 Bit
Produktpalette: XC166 Family XC161CJ Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3054.05 грн
5+2814.08 грн
10+2578.21 грн
25+2224.46 грн
50+2007.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XC161CS32F40FBBAFXUMA1 Infineon-XC161_32-DS-v01_02-en.pdf?fileId=5546d4624933b8750149880e0c287e3a
XC161CS32F40FBBAFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XC161CS32F40FBBAFXUMA1 - 16-Bit-Mikrocontroller, XC166 Family XC161CS Series Microcontrollers, C166, 16 Bit, 40 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: C166
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 2.35V
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XC166
RAM-Speichergröße: 12KB
MCU-Baureihe: XC161CS
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 99I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 16 Bit
Produktpalette: XC166 Family XC161CS Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2712.53 грн
5+2658.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1 INFNS27837-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0923NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0923NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.81 грн
500+39.32 грн
1000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1 INFNS27837-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0923NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0923NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.76 грн
11+81.00 грн
100+53.81 грн
500+39.32 грн
1000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a97343b4cf3
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.81 грн
500+64.64 грн
1000+57.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+310.40 грн
50+203.93 грн
250+142.51 грн
1000+99.63 грн
3000+89.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308d8d1cdf33de
BSC010NE2LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.40 грн
10+88.45 грн
100+67.32 грн
500+47.00 грн
1000+41.77 грн
5000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+203.93 грн
250+142.51 грн
1000+99.63 грн
3000+89.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 3049634.pdf
IMW65R072M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+598.69 грн
5+551.19 грн
10+503.68 грн
50+288.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC011N03LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.00 грн
11+74.86 грн
100+71.66 грн
500+63.50 грн
1000+55.88 грн
5000+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 4129358.pdf
BSC009NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.43 грн
10+97.46 грн
100+69.04 грн
500+51.03 грн
1000+43.80 грн
5000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 1849649.pdf
BSC010NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.84 грн
10+86.00 грн
100+67.32 грн
500+48.82 грн
1000+43.17 грн
5000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 2882460.pdf
IPB60R299CPAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+227.68 грн
10+199.02 грн
25+164.62 грн
100+136.89 грн
500+117.23 грн
1000+109.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 4129358.pdf
BSC009NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.04 грн
500+51.03 грн
1000+43.80 грн
5000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308d8d1cdf33de
BSC010NE2LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.82 грн
500+65.94 грн
1000+52.37 грн
5000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982
ISC011N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.23 грн
27+30.71 грн
100+30.22 грн
500+27.38 грн
1000+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982
ISC011N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.22 грн
500+27.38 грн
1000+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC011N03LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.66 грн
500+63.50 грн
1000+55.88 грн
5000+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 1849649.pdf
BSC010NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.32 грн
500+48.82 грн
1000+43.17 грн
5000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 2882460.pdf
IPB60R299CPAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+136.89 грн
500+117.23 грн
1000+109.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+102.38 грн
15000+89.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1 INFN-S-A0001299351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPLU300N04S41R1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+168.71 грн
500+146.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1 INFN-S-A0001299351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPLU300N04S41R1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+304.67 грн
10+233.42 грн
100+168.71 грн
500+146.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 2612486.pdf
IAUT165N08S5N029ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.88 грн
10+117.12 грн
100+85.18 грн
500+69.21 грн
1000+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1 3097834.pdf
BSC0402NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+293.20 грн
10+192.46 грн
100+135.14 грн
500+104.19 грн
1000+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1 3097834.pdf
BSC0402NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+135.14 грн
500+104.19 грн
1000+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8510CRT IRSD-S-A0000254707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CHL8510CRT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CHL8510CRT - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgung, 3 A /4Aout, 20ns Verzögerung, DFN-10
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10.8V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 17ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+35.59 грн
1000+28.08 грн
2500+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1 3437306.pdf
ISZ0804NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.93 грн
10+90.91 грн
100+75.18 грн
500+56.43 грн
1000+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0804NLSATMA1 Infineon-ISC0804NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62bbc36d90
ISC0804NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.98 грн
50+109.75 грн
250+75.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.08 грн
10+110.56 грн
100+78.21 грн
500+56.81 грн
1000+48.58 грн
5000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0602NLSATMA1 Infineon-ISC0602NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd47487e6d83
ISC0602NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.45 грн
50+113.84 грн
250+76.49 грн
1000+54.68 грн
3000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1 Infineon-IPD30N03S2L_20-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270c9e3b6a&ack=t
IPD30N03S2L20ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N03S2L20ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.48 грн
12+72.89 грн
100+48.32 грн
500+37.19 грн
1000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1 2830779.pdf
IMW120R350M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+386.57 грн
10+361.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 INFN-S-A0001301406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPG20N10S4L22AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.96 грн
10+89.27 грн
100+69.12 грн
500+49.51 грн
1000+43.38 грн
5000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 INFN-S-A0001301406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPG20N10S4L22AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.12 грн
500+49.51 грн
1000+43.38 грн
5000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 49838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+100.74 грн
250+74.20 грн
1000+49.58 грн
3000+44.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1 Infineon-ISZ0602NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd75204d6def
ISZ0602NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.67 грн
500+45.93 грн
1000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0602NLSATMA1 Infineon-ISC0602NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd47487e6d83
ISC0602NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0071 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.29 грн
250+74.53 грн
1000+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1 3437306.pdf
ISZ0804NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+56.43 грн
1000+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0804NLSATMA1 Infineon-ISC0804NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62bbc36d90
ISC0804NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1 Infineon-ISZ0602NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd75204d6def
ISZ0602NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.85 грн
11+79.77 грн
100+61.67 грн
500+45.93 грн
1000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1 Infineon-IPD30N03S2L_20-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270c9e3b6a&ack=t
IPD30N03S2L20ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N03S2L20ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.32 грн
500+37.19 грн
1000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KP212F1701XTMA1 3177165.pdf
KP212F1701XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP212F1701XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 10 kPa, 115 kPa, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±1.4kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 40.5mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 115kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 10kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+165.67 грн
250+159.35 грн
500+153.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KP215F1701XTMA1 2211508.pdf
KP215F1701XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP215F1701XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 10 kPa, 115 kPa, 4.5 V, 5.5 V, SOFL
tariffCode: 90262020
Genauigkeit: ±1.4kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 40.5mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 115kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOFL
Bauform - Sensor: SOFL
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 10kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+149.53 грн
250+146.02 грн
500+142.51 грн
1000+124.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI320 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
S29JL032J70TFI320
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29JL032J70TFI320 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32 Mbit, 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit, CFI, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+357.08 грн
10+344.80 грн
25+334.97 грн
50+296.60 грн
100+267.46 грн
250+263.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 3732771.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.12 грн
500+25.93 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 3732771.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.63 грн
15+54.95 грн
100+36.12 грн
500+25.93 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DF300R07W2H3B77BPSA1 3685647.pdf
DF300R07W2H3B77BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF300R07W2H3B77BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 300 A, 1.68 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4167.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+179.36 грн
500+148.30 грн
1000+135.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 322 323 324 325 326 327 328 329 330 331 332 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]