| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IMDQ75R016M1HXUMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOPtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 384W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMDQ75R016M1HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 384W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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AIMDQ75R040M1HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IMLT65R050M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMLT65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.046 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMLT65R060M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMLT65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.055 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AIMDQ75R008M1HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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AIMDQ75R016M1HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 384W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMDQ75R040M1HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPTC007N06NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 454A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm |
на замовлення 1211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMDQ75R040M1HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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AIMDQ75R040M1HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMDQ75R008M1HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pins Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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AIMDQ75R016M1HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 384W Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPDQ65R099CFD7AXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 186W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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AIMDQ75R008M1HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPTC007N06NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 454A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm |
на замовлення 1211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMDQ75R140M1HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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CY7C65213-28PVXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C65213-28PVXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 3.15 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °C tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SSOP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.3 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.15V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Brücke: USB zu UART SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
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CY7C1441KV33-133AXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1441KV33-133AXI - SRAM, Synchroner SRAM, 36 Mbit, 1M x 36 Bit, TQFP, 100 Pin(s), 3.135 V tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TQFP Speicherdichte: 36Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.135V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 100Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3B991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.63V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Synchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1M x 36 Bit |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IRFR540ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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CY7111 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7111 - Prototyping-Board, CYPM1111-40LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: PMG1-S1 Prototypenplatine CYPM1111-40LQXI, Kurzanleitung Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: CYPM1111-40LQXI Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.a.3 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CY7110 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7110 - Prototyping-Board, CYPM1011-24LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung tariffCode: 84733020 Prozessorkern: CYPM1011-24LQXI Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: PMG1-S0 Prototypenplatine CYPM1011-24LQXI, Kurzanleitung euEccn: NLR Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: 3A991.a.3 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CY7112 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7112 - Prototyping-Board, CYPM1211-40LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung tariffCode: 84733020 Prozessorkern: CYPM1211-40LQXI Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: PMG1-S2 Prototypenplatine CYPM1211-40LQXI, Kurzanleitung euEccn: NLR Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: 3A991.a.3 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CY7113 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7113 - Prototyping-Board, CYPM1311-48LDXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: PMG1-S3 Prototypenplatine CYPM1311-48LDXI, Kurzanleitung Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: CYPM1311-48LDXI Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.a.3 |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CY62137FV30LL-55ZSXE | INFINEON |
Description: INFINEON - CY62137FV30LL-55ZSXE - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 128K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 2Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 125°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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EVALM5IMZ120RSICTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALM5IMZ120RSICTOBO1 - Evaluationsboard, MOSFET, Servomotor tariffCode: 84733020 Prozessorkern: M5IMZ120RSIC Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: MOSFET-Evaluationsboard für M5IMZ120RSIC euEccn: NLR Unterart Anwendung: Servomotor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IRFP4568PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4568PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 4800 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 517W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPW65R099CFD7AXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R099CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 127W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FF300R12KE3HOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF300R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 440 A, 1.7 V, 1.45 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 1.45kW Verlustleistung: 1.45kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 440A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 440A Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF300R12ME4BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF300R12ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 450A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 1.6kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoDUAL 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FP50R06W2E3BOMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP50R06W2E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 65 A, 1.45 V, 175 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 175W Verlustleistung: 175W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 65A Produktpalette: EasyPIM 2B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 65A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLS205B0LDV50XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLS205B0LDV50XUMA1 - LDO-FESTSP.REGL 5V 0.5A -40 BIS 125°C tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSON-EP Nennausgangsspannung: 5V MSL: MSL 2A - 4 Wochen Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 20V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Ausgangsstrom, max.: 500mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 5.5V Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 500mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLS850F2TAV50ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLS850F2TAV50ATMA1 - LDO-FESTSP.REGLER 5V 0.5A -40 BIS 150°C tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK) Nennausgangsspannung: 5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 500mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 3V Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 500mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 70mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 70mV Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SPIDERPLUSMBEVALTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPIDERPLUSMBEVALTOBO1 - Evaluationsboard, TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, 5V bis 28Vin, 28Vout, 0.5A, PWM tariffCode: 84733020 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, TLE75602-ESH, TLE75620-EST hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 500mA isCanonical: Y Ausgangsspannung: 28V Core-Chip: TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, TLE75602-ESH, TLE75620-EST Dimmsteuerung: PWM Eingangsspannung, max.: 28V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bausteintopologie: - Eingangsspannung, min.: 5V Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVALM1IM818ATOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALM1IM818ATOBO1 - Evaluationboard, CIPOS Maxi IPM, 1200V, 2.6kW, 3-Phasen-Motortreiberanwendungen tariffCode: 84733020 Prozessorkern: IM818-MCC Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber productTraceability: No rohsCompliant: NO Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IM818-MCC euEccn: NLR Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVALM13644ATOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALM13644ATOBO1 - EVALUATIONSBOARD, INTELL. LEISTUNGSMODUL tariffCode: 84733020 Prozessorkern: IRSM836-044MA Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRSM836-044MA euEccn: NLR Unterart Anwendung: Intelligentes Leistungsmodul hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVALTOLTDC36V2KWTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALTOLTDC36V2KWTOBO1 - Inverter-Power-Board, XMC1300, 3-Phasen-BLDC-Motortreiber tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung euEccn: 3A225 rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Inverter-Power-Board XMC1300 Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: Motorsteuerung für BLDC- & PMSM-Drehstrommotor SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: XMC1300 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A225 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUA180N10S5N029AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 221W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF-5-4 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
на замовлення 1936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUA180N10S5N029AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 221W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF-5-4 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPB017N08N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPB017N08N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSZ018NE2LSIATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSZ018NE2LSIATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPB018N06NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 187A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 188W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPB018N06NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 187A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 188W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DEMOBCR60260VICTRLTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DEMOBCR60260VICTRLTOBO1 - Evaluationsboard, LED-Controller BCR602, DC/DC, 60V, 200mA, linear, universelle Beleuchtung tariffCode: 84733020 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Demoboard BCR602 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 200mA isCanonical: Y Ausgangsspannung: 60V Core-Chip: BCR602 Dimmsteuerung: Analog, PWM Eingangsspannung, max.: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bausteintopologie: Linear Eingangsspannung, min.: 8V Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TLE4253GSXUMA4 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE4253GSXUMA4 - LDO-REG EINST 2V-45V 0.25A -40 BIS 150°C tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 2V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 45V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 250mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 3.5V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Adj 250mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 250mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280mV Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 6253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| TLE4253GSXUMA4 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE4253GSXUMA4 - LDO-REG EINST 2V-45V 0.25A -40 BIS 150°C tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 150°C Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 8Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgangsstrom: 250mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280mV Ausgang: Einstellbar hazardous: false Eingangsspannung, max.: 40V IC-Montage: Oberflächenmontage Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2V Produktpalette: Adj 250mA LDO Voltage Regulators usEccn: EAR99 Ausgangsstrom, max.: 250mA Polarität: Positiver Ausgang Bauform - LDO-Regler: SOIC rohsCompliant: YES Eingangsspannung, min.: 3.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Ausgangsspannung, max.: 45V Nominelle feste Ausgangsspannung: - Ausgangsspannung, min.: 2V Dropout-Spannung Vdo: 280mV Ausgangsspannung, nom.: - Ausgangsstrom, max.: 250mA Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 isCanonical: N Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280mV euEccn: NLR |
на замовлення 6253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
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TLE4254GAXUMA4 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE4254GAXUMA4 - LDO-REG EINST. 2-45V 0.07A -40 BIS 150°C tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 2V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 45V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 70mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 3.5V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Adj 70mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 70mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280V Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 8366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TLE4254GAXUMA4 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE4254GAXUMA4 - LDO-REG EINST. 2-45V 0.07A -40 BIS 150°C tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 150°C Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 8Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgangsstrom: 70mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Ausgang: Einstellbar hazardous: false Eingangsspannung, max.: 40V IC-Montage: Oberflächenmontage Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2V Produktpalette: Adj 70mA LDO Voltage Regulators usEccn: EAR99 Ausgangsstrom, max.: 70mA Polarität: Positiver Ausgang Bauform - LDO-Regler: SOIC rohsCompliant: YES Eingangsspannung, min.: 3.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Ausgangsspannung, max.: 45V Nominelle feste Ausgangsspannung: - Ausgangsspannung, min.: 2V Dropout-Spannung Vdo: 280V Ausgangsspannung, nom.: - Ausgangsstrom, max.: 70mA Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 isCanonical: N Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280V euEccn: NLR |
на замовлення 8366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SHIELDBTS500151TADTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SHIELDBTS500151TADTOBO1 - Tochterplatine, BTS50015-1TAD, High-Side-Schalter PROFET, geschützt bis 12V, Arduino-Shield tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter euEccn: NLR rohsCompliant: NO Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS50015-1TAD Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Unterart Anwendung: High-Side-Leistungsschalter SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Prozessorkern: BTS50015-1TAD Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SHIELDTLE9185V33TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SHIELDTLE9185V33TOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE9185QXV33, 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE9185QXV33 Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: TLE9185QXV33 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SHIELDTLE9185TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SHIELDTLE9185TOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE9185QX, 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE9185QX Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: TLE9185QX Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPB180P04P403ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
на замовлення 7404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPB180P04P403ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
на замовлення 7404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPB024N10N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSZ025N04LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 20743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPB80N06S2L06ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPB80N06S2L06ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPB018N10N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB018N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 176A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IMDQ75R016M1HXUMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMDQ75R016M1HXUMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AIMDQ75R040M1HXUMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMLT65R050M2HXTMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.046 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IMLT65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.046 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMLT65R060M2HXTMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.055 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
Description: INFINEON - IMLT65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.055 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AIMDQ75R008M1HXUMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AIMDQ75R016M1HXUMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMDQ75R040M1HXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPTC007N06NM5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMDQ75R040M1HXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AIMDQ75R040M1HXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMDQ75R008M1HXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AIMDQ75R016M1HXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPDQ65R099CFD7AXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AIMDQ75R008M1HXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPTC007N06NM5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMDQ75R140M1HXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY7C65213-28PVXI |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65213-28PVXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 3.15 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - CY7C65213-28PVXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 3.15 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| CY7C1441KV33-133AXI |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1441KV33-133AXI - SRAM, Synchroner SRAM, 36 Mbit, 1M x 36 Bit, TQFP, 100 Pin(s), 3.135 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Speicherdichte: 36Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3B991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 36 Bit
Description: INFINEON - CY7C1441KV33-133AXI - SRAM, Synchroner SRAM, 36 Mbit, 1M x 36 Bit, TQFP, 100 Pin(s), 3.135 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Speicherdichte: 36Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3B991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 36 Bit
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR540ZTRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY7111 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7111 - Prototyping-Board, CYPM1111-40LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: PMG1-S1 Prototypenplatine CYPM1111-40LQXI, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYPM1111-40LQXI
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.3
Description: INFINEON - CY7111 - Prototyping-Board, CYPM1111-40LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: PMG1-S1 Prototypenplatine CYPM1111-40LQXI, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYPM1111-40LQXI
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY7110 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7110 - Prototyping-Board, CYPM1011-24LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1011-24LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S0 Prototypenplatine CYPM1011-24LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7110 - Prototyping-Board, CYPM1011-24LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1011-24LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S0 Prototypenplatine CYPM1011-24LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY7112 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7112 - Prototyping-Board, CYPM1211-40LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1211-40LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S2 Prototypenplatine CYPM1211-40LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7112 - Prototyping-Board, CYPM1211-40LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1211-40LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S2 Prototypenplatine CYPM1211-40LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY7113 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7113 - Prototyping-Board, CYPM1311-48LDXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: PMG1-S3 Prototypenplatine CYPM1311-48LDXI, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYPM1311-48LDXI
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.3
Description: INFINEON - CY7113 - Prototyping-Board, CYPM1311-48LDXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: PMG1-S3 Prototypenplatine CYPM1311-48LDXI, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYPM1311-48LDXI
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.3
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY62137FV30LL-55ZSXE |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62137FV30LL-55ZSXE - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 128K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY62137FV30LL-55ZSXE - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 128K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EVALM5IMZ120RSICTOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM5IMZ120RSICTOBO1 - Evaluationsboard, MOSFET, Servomotor
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: M5IMZ120RSIC
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: MOSFET-Evaluationsboard für M5IMZ120RSIC
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Servomotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - EVALM5IMZ120RSICTOBO1 - Evaluationsboard, MOSFET, Servomotor
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: M5IMZ120RSIC
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: MOSFET-Evaluationsboard für M5IMZ120RSIC
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Servomotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP4568PBFXKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4568PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 4800 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: INFINEON - IRFP4568PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 4800 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPW65R099CFD7AXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R099CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
Description: INFINEON - IPW65R099CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FF300R12KE3HOSA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 440 A, 1.7 V, 1.45 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.45kW
Verlustleistung: 1.45kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 440A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 440A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - FF300R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 440 A, 1.7 V, 1.45 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.45kW
Verlustleistung: 1.45kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 440A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 440A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FF300R12ME4BOSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R12ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.6kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF300R12ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.6kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FP50R06W2E3BOMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R06W2E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 65 A, 1.45 V, 175 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 175W
Verlustleistung: 175W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 65A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 65A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - FP50R06W2E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 65 A, 1.45 V, 175 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 175W
Verlustleistung: 175W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 65A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 65A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLS205B0LDV50XUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS205B0LDV50XUMA1 - LDO-FESTSP.REGL 5V 0.5A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSON-EP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - TLS205B0LDV50XUMA1 - LDO-FESTSP.REGL 5V 0.5A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSON-EP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLS850F2TAV50ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS850F2TAV50ATMA1 - LDO-FESTSP.REGLER 5V 0.5A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 70mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 70mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - TLS850F2TAV50ATMA1 - LDO-FESTSP.REGLER 5V 0.5A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 70mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 70mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SPIDERPLUSMBEVALTOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPIDERPLUSMBEVALTOBO1 - Evaluationsboard, TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, 5V bis 28Vin, 28Vout, 0.5A, PWM
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, TLE75602-ESH, TLE75620-EST
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: 28V
Core-Chip: TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, TLE75602-ESH, TLE75620-EST
Dimmsteuerung: PWM
Eingangsspannung, max.: 28V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bausteintopologie: -
Eingangsspannung, min.: 5V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - SPIDERPLUSMBEVALTOBO1 - Evaluationsboard, TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, 5V bis 28Vin, 28Vout, 0.5A, PWM
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, TLE75602-ESH, TLE75620-EST
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: 28V
Core-Chip: TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, TLE75602-ESH, TLE75620-EST
Dimmsteuerung: PWM
Eingangsspannung, max.: 28V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bausteintopologie: -
Eingangsspannung, min.: 5V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EVALM1IM818ATOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM1IM818ATOBO1 - Evaluationboard, CIPOS Maxi IPM, 1200V, 2.6kW, 3-Phasen-Motortreiberanwendungen
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IM818-MCC
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IM818-MCC
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - EVALM1IM818ATOBO1 - Evaluationboard, CIPOS Maxi IPM, 1200V, 2.6kW, 3-Phasen-Motortreiberanwendungen
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IM818-MCC
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IM818-MCC
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EVALM13644ATOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM13644ATOBO1 - EVALUATIONSBOARD, INTELL. LEISTUNGSMODUL
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRSM836-044MA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRSM836-044MA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Intelligentes Leistungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - EVALM13644ATOBO1 - EVALUATIONSBOARD, INTELL. LEISTUNGSMODUL
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRSM836-044MA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRSM836-044MA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Intelligentes Leistungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EVALTOLTDC36V2KWTOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALTOLTDC36V2KWTOBO1 - Inverter-Power-Board, XMC1300, 3-Phasen-BLDC-Motortreiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: 3A225
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Inverter-Power-Board XMC1300
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für BLDC- & PMSM-Drehstrommotor
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: XMC1300
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A225
Description: INFINEON - EVALTOLTDC36V2KWTOBO1 - Inverter-Power-Board, XMC1300, 3-Phasen-BLDC-Motortreiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: 3A225
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Inverter-Power-Board XMC1300
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für BLDC- & PMSM-Drehstrommotor
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: XMC1300
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A225
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUA180N10S5N029AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUA180N10S5N029AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB017N08N5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB017N08N5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ018NE2LSIATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ018NE2LSIATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB018N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB018N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DEMOBCR60260VICTRLTOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOBCR60260VICTRLTOBO1 - Evaluationsboard, LED-Controller BCR602, DC/DC, 60V, 200mA, linear, universelle Beleuchtung
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard BCR602
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: 60V
Core-Chip: BCR602
Dimmsteuerung: Analog, PWM
Eingangsspannung, max.: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bausteintopologie: Linear
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - DEMOBCR60260VICTRLTOBO1 - Evaluationsboard, LED-Controller BCR602, DC/DC, 60V, 200mA, linear, universelle Beleuchtung
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard BCR602
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: 60V
Core-Chip: BCR602
Dimmsteuerung: Analog, PWM
Eingangsspannung, max.: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bausteintopologie: Linear
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLE4253GSXUMA4 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4253GSXUMA4 - LDO-REG EINST 2V-45V 0.25A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 45V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - TLE4253GSXUMA4 - LDO-REG EINST 2V-45V 0.25A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 45V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 6253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLE4253GSXUMA4 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4253GSXUMA4 - LDO-REG EINST 2V-45V 0.25A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280mV
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2V
Produktpalette: Adj 250mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 45V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 2V
Dropout-Spannung Vdo: 280mV
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280mV
euEccn: NLR
Description: INFINEON - TLE4253GSXUMA4 - LDO-REG EINST 2V-45V 0.25A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280mV
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2V
Produktpalette: Adj 250mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 45V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 2V
Dropout-Spannung Vdo: 280mV
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280mV
euEccn: NLR
на замовлення 6253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLE4254GAXUMA4 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4254GAXUMA4 - LDO-REG EINST. 2-45V 0.07A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 45V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 70mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 70mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - TLE4254GAXUMA4 - LDO-REG EINST. 2-45V 0.07A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 45V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 70mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 70mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 8366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLE4254GAXUMA4 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4254GAXUMA4 - LDO-REG EINST. 2-45V 0.07A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 70mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2V
Produktpalette: Adj 70mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 45V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 2V
Dropout-Spannung Vdo: 280V
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280V
euEccn: NLR
Description: INFINEON - TLE4254GAXUMA4 - LDO-REG EINST. 2-45V 0.07A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 70mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2V
Produktpalette: Adj 70mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 45V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 2V
Dropout-Spannung Vdo: 280V
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280V
euEccn: NLR
на замовлення 8366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SHIELDBTS500151TADTOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SHIELDBTS500151TADTOBO1 - Tochterplatine, BTS50015-1TAD, High-Side-Schalter PROFET, geschützt bis 12V, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS50015-1TAD
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: High-Side-Leistungsschalter
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: BTS50015-1TAD
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - SHIELDBTS500151TADTOBO1 - Tochterplatine, BTS50015-1TAD, High-Side-Schalter PROFET, geschützt bis 12V, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS50015-1TAD
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: High-Side-Leistungsschalter
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: BTS50015-1TAD
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SHIELDTLE9185V33TOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SHIELDTLE9185V33TOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE9185QXV33, 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE9185QXV33
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: TLE9185QXV33
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - SHIELDTLE9185V33TOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE9185QXV33, 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE9185QXV33
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: TLE9185QXV33
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SHIELDTLE9185TOBO1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SHIELDTLE9185TOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE9185QX, 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE9185QX
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: TLE9185QX
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - SHIELDTLE9185TOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE9185QX, 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE9185QX
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: TLE9185QX
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB180P04P403ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 7404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB180P04P403ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 7404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB024N10N5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ025N04LSATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB80N06S2L06ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB80N06S2L06ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB018N10N5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB018N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPB018N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)