Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24636) > Сторінка 333 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 329 330 331 332 333 334 335 336 337 338 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CY62147EV30LL-45ZSXIT CY62147EV30LL-45ZSXIT INFINEON CYPRS13569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62147EV30LL-45ZSXIT - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.03 грн
10+310.83 грн
25+301.78 грн
50+274.12 грн
100+247.39 грн
250+238.94 грн
500+233.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N02PRXUMA1 6EDL04N02PRXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 6EDL04N02PRXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 10V-17.5V Versorgungsspannung, 530ns/530ns Verzögerung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: Advanced Smart Rectifier Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 530ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3584MTRPBF IR3584MTRPBF INFINEON 2290962.pdf Description: INFINEON - IR3584MTRPBF - Power-Management, digital, 3.3V Versorgung, zwei Ausgänge, 5 Phasen, 194kHz-2MHz-PWM-Eingang, QFN-40
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.3V
Eingangskapazität: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+170.57 грн
250+168.45 грн
500+167.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR35215MTRPBF IR35215MTRPBF INFINEON Infineon-IR35215MTRPBF-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d175c99a8448b Description: INFINEON - IR35215MTRPBF - DIG. MEHRPHASEN-CONTROLLER -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.3V
Eingangskapazität: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+364.28 грн
25+337.14 грн
50+287.86 грн
100+242.46 грн
250+231.18 грн
500+224.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS16146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.08 грн
50+132.39 грн
250+111.01 грн
1000+82.46 грн
3000+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.86 грн
50+102.79 грн
250+78.28 грн
1000+60.32 грн
3000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 INFINEON INFNS27232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 7500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.46 грн
31+27.14 грн
100+21.79 грн
500+17.03 грн
1000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DTRLP INFINEON INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.74 грн
10+189.13 грн
100+145.55 грн
500+128.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 INFINEON BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376 Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.88 грн
250+32.56 грн
1000+26.80 грн
3000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 INFINEON BSC0901NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2aa7bdc30067 Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.65 грн
500+29.09 грн
1000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42062GXUMA2 TLE42062GXUMA2 INFINEON INFNS15182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE42062GXUMA2 - Motortreiber, DC-Servo, 8V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-14, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 800mA
Motortyp: DC-Servomotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Ausgangsspannung: 18V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.48 грн
10+111.83 грн
50+101.14 грн
100+77.88 грн
250+67.45 грн
500+65.48 грн
1000+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE9000XUMA1 TLE5012BE9000XUMA1 INFINEON INFNS30105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE5012BE9000XUMA1 - GMR-Sensor, magnetoresistiv (Giant Magneto Resistance), PG-DSO-8, 3V bis 5.5V, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: PG-DSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: PG-DSO
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.78 грн
10+226.95 грн
25+213.80 грн
50+175.62 грн
100+155.06 грн
250+147.31 грн
500+139.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2052MTRPBF IRS2052MTRPBF INFINEON IRSDS11522-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2052MTRPBF - Audioleistungsverstärker, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, MLPQ, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: MLPQ
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: -
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+395.52 грн
25+366.74 грн
50+325.28 грн
100+285.45 грн
250+272.77 грн
500+265.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-214015-01 CYBLE-214015-01 INFINEON INFN-S-A0018545200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CYBLE-214015-01 - BLUETOOTH-MODUL, V4.2, 1MBPS, 1.71-5.5V
tariffCode: 85176200
Empfangsempfindlichkeit: -87dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 4.2
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: 3A991.a.2
Signalbereich, max.: 50m
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: EZ-BLE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+895.48 грн
50+788.00 грн
100+673.11 грн
250+635.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 IPD096N08N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.17 грн
10+82.23 грн
100+59.21 грн
500+46.12 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 IPD096N08N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.21 грн
500+46.12 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.34 грн
50+76.14 грн
250+51.31 грн
1000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.14 грн
250+51.31 грн
1000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 IPZ40N04S5L7R4ATMA1 INFINEON 2577583.pdf Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.03 грн
24+34.45 грн
100+27.14 грн
500+23.29 грн
1000+20.51 грн
5000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 IPZ40N04S5L7R4ATMA1 INFINEON 2577583.pdf Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.14 грн
500+23.29 грн
1000+20.51 грн
5000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1 IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.99 грн
50+65.04 грн
100+47.36 грн
500+34.74 грн
1000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1 IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.11 грн
500+31.92 грн
1000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1 INFINEON INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1269.63 грн
5+1025.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1 IGLR60R340D1XUMA1 INFINEON 3974487.pdf Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+231.89 грн
500+190.89 грн
1000+151.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1 IGLR60R190D1XUMA1 INFINEON 3974485.pdf Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+419.37 грн
500+355.06 грн
1000+298.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1 IGLR60R340D1XUMA1 INFINEON 3974487.pdf Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.05 грн
10+286.16 грн
100+231.89 грн
500+190.89 грн
1000+151.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1 IGLR60R260D1XUMA1 INFINEON 3974486.pdf Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+335.50 грн
500+284.04 грн
1000+238.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1 IGLR60R260D1XUMA1 INFINEON 3974486.pdf Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+428.42 грн
10+381.55 грн
100+335.50 грн
500+284.04 грн
1000+238.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1 IGLR60R190D1XUMA1 INFINEON 3974485.pdf Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+535.32 грн
10+476.93 грн
100+419.37 грн
500+355.06 грн
1000+298.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1 INFINEON INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1 IRF7821TRPBFXTMA1 INFINEON 3980135.pdf Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.80 грн
500+40.85 грн
1000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1 IRF7821TRPBFXTMA1 INFINEON 3980135.pdf Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.65 грн
13+66.61 грн
100+51.80 грн
500+40.85 грн
1000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA06N60TXKSA1 IKA06N60TXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002220186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKA06N60TXKSA1 - IGBT, 10 A, 1.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.17 грн
11+78.53 грн
100+69.90 грн
500+52.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R06W1E3BOMA1 FP15R06W1E3BOMA1 INFINEON Infineon-FP15R06W1E3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43321b15a77 Description: INFINEON - FP15R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 22 A, 1.55 V, 81 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 81W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 22A
Produktpalette: EasyPIM 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 22A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2659.31 грн
5+2225.13 грн
10+1790.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R180P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b8e590481 Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.26 грн
10+141.44 грн
100+98.68 грн
500+75.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R180P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b8e590481 Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.68 грн
500+75.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 INFINEON 3980137.pdf Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.14 грн
17+49.26 грн
100+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 INFINEON 3980137.pdf Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB30N65DF5ATMA1 AIKB30N65DF5ATMA1 INFINEON 3159546.pdf Description: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+199.00 грн
500+167.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 INFINEON 1926778.pdf Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.93 грн
500+50.93 грн
1000+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 INFINEON 1926778.pdf Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.88 грн
10+93.74 грн
100+66.93 грн
500+50.93 грн
1000+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD09SG60CXTMA2 IDD09SG60CXTMA2 INFINEON INFNS19738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD09SG60CXTMA2 IDD09SG60CXTMA2 INFINEON INFNS19738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.19 грн
10+274.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 44GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FESDH6327XTSA1 BFP740FESDH6327XTSA1 INFINEON Infineon-BFP740FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638969e2f4ead Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 160mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1 IRL40T209ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008597390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.09 грн
10+158.70 грн
100+117.59 грн
500+93.15 грн
1000+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1 IRL40T209ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008597390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+93.15 грн
1000+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XDPE152C4D0000XUMA1 XDPE152C4D0000XUMA1 INFINEON 3919294.pdf Description: INFINEON - XDPE152C4D0000XUMA1 - PWM-Controller, 12Vin, 3.04Vout, 1MHz, VQFN-48
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: -
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+394.70 грн
25+365.10 грн
50+323.75 грн
100+284.75 грн
250+271.36 грн
500+263.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7235KXUMA1 2EDF7235KXUMA1 INFINEON INFN-S-A0008993695-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2EDF7235KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, GaN HEMT, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.91 грн
10+163.64 грн
25+149.66 грн
50+127.51 грн
100+106.43 грн
250+100.79 грн
500+97.27 грн
1000+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 INFINEON 3974501.pdf Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.89 грн
10+204.75 грн
100+145.55 грн
500+123.70 грн
1000+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 INFINEON 3974501.pdf Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.55 грн
500+123.70 грн
1000+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 IRF150P221AKMA1 INFINEON 3204915.pdf Description: INFINEON - IRF150P221AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 186 A, 3600 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 186A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+708.00 грн
10+457.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 INFINEON 3092712.pdf Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 7428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.53 грн
10+117.59 грн
100+84.70 грн
500+66.35 грн
1000+55.68 грн
5000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.74 грн
500+46.42 грн
1000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4 Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 7428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.70 грн
500+66.35 грн
1000+55.68 грн
5000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1 INFINEON 3982294.pdf Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+411.97 грн
10+264.78 грн
50+230.24 грн
200+181.73 грн
500+142.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 INFINEON INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+297.67 грн
50+259.02 грн
200+204.63 грн
500+174.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 INFINEON 3204747.pdf Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH40N65WR6XKSA1 IKWH40N65WR6XKSA1 INFINEON 3437289.pdf Description: INFINEON - IKWH40N65WR6XKSA1 - IGBT, 75 A, 1.55 V, 175 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.45 грн
10+136.50 грн
100+111.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 INFINEON 3983223.pdf Description: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.75 грн
10+286.16 грн
100+268.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62147EV30LL-45ZSXIT CYPRS13569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62147EV30LL-45ZSXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62147EV30LL-45ZSXIT - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+333.03 грн
10+310.83 грн
25+301.78 грн
50+274.12 грн
100+247.39 грн
250+238.94 грн
500+233.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N02PRXUMA1 INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
6EDL04N02PRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6EDL04N02PRXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 10V-17.5V Versorgungsspannung, 530ns/530ns Verzögerung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: Advanced Smart Rectifier Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 530ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+132.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3584MTRPBF 2290962.pdf
IR3584MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR3584MTRPBF - Power-Management, digital, 3.3V Versorgung, zwei Ausgänge, 5 Phasen, 194kHz-2MHz-PWM-Eingang, QFN-40
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.3V
Eingangskapazität: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+170.57 грн
250+168.45 грн
500+167.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR35215MTRPBF Infineon-IR35215MTRPBF-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d175c99a8448b
IR35215MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR35215MTRPBF - DIG. MEHRPHASEN-CONTROLLER -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.3V
Eingangskapazität: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+364.28 грн
25+337.14 грн
50+287.86 грн
100+242.46 грн
250+231.18 грн
500+224.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1 INFNS16146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC028N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+180.08 грн
50+132.39 грн
250+111.01 грн
1000+82.46 грн
3000+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+134.86 грн
50+102.79 грн
250+78.28 грн
1000+60.32 грн
3000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 INFNS27232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 7500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+27.46 грн
31+27.14 грн
100+21.79 грн
500+17.03 грн
1000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLP INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS38N20DTRLP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+292.74 грн
10+189.13 грн
100+145.55 грн
500+128.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376
BSC0901NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+39.88 грн
250+32.56 грн
1000+26.80 грн
3000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2aa7bdc30067
BSC0901NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+38.65 грн
500+29.09 грн
1000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42062GXUMA2 INFNS15182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE42062GXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE42062GXUMA2 - Motortreiber, DC-Servo, 8V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-14, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 800mA
Motortyp: DC-Servomotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Ausgangsspannung: 18V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+150.48 грн
10+111.83 грн
50+101.14 грн
100+77.88 грн
250+67.45 грн
500+65.48 грн
1000+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BE9000XUMA1 INFNS30105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE5012BE9000XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5012BE9000XUMA1 - GMR-Sensor, magnetoresistiv (Giant Magneto Resistance), PG-DSO-8, 3V bis 5.5V, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: PG-DSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: PG-DSO
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+264.78 грн
10+226.95 грн
25+213.80 грн
50+175.62 грн
100+155.06 грн
250+147.31 грн
500+139.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2052MTRPBF IRSDS11522-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2052MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2052MTRPBF - Audioleistungsverstärker, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, MLPQ, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: MLPQ
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: -
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+395.52 грн
25+366.74 грн
50+325.28 грн
100+285.45 грн
250+272.77 грн
500+265.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-214015-01 INFN-S-A0018545200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CYBLE-214015-01
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-214015-01 - BLUETOOTH-MODUL, V4.2, 1MBPS, 1.71-5.5V
tariffCode: 85176200
Empfangsempfindlichkeit: -87dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 4.2
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: 3A991.a.2
Signalbereich, max.: 50m
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: EZ-BLE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+895.48 грн
50+788.00 грн
100+673.11 грн
250+635.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe
IPD096N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+124.17 грн
10+82.23 грн
100+59.21 грн
500+46.12 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe
IPD096N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+59.21 грн
500+46.12 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6
IAUC60N04S6L039ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+123.34 грн
50+76.14 грн
250+51.31 грн
1000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6
IAUC60N04S6L039ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+76.14 грн
250+51.31 грн
1000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 2577583.pdf
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
21+41.03 грн
24+34.45 грн
100+27.14 грн
500+23.29 грн
1000+20.51 грн
5000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 2577583.pdf
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+27.14 грн
500+23.29 грн
1000+20.51 грн
5000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t
IPD90N04S4L04ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+87.99 грн
50+65.04 грн
100+47.36 грн
500+34.74 грн
1000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t
IPD90N04S4L04ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+35.11 грн
500+31.92 грн
1000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1 INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGOT60R070D1AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1269.63 грн
5+1025.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1 3974487.pdf
IGLR60R340D1XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+231.89 грн
500+190.89 грн
1000+151.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1 3974485.pdf
IGLR60R190D1XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+419.37 грн
500+355.06 грн
1000+298.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1 3974487.pdf
IGLR60R340D1XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+356.05 грн
10+286.16 грн
100+231.89 грн
500+190.89 грн
1000+151.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1 3974486.pdf
IGLR60R260D1XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+335.50 грн
500+284.04 грн
1000+238.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1 3974486.pdf
IGLR60R260D1XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+428.42 грн
10+381.55 грн
100+335.50 грн
500+284.04 грн
1000+238.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1 3974485.pdf
IGLR60R190D1XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+535.32 грн
10+476.93 грн
100+419.37 грн
500+355.06 грн
1000+298.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1 INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGOT60R070D1AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1 3980135.pdf
IRF7821TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+51.80 грн
500+40.85 грн
1000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1 3980135.pdf
IRF7821TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+81.65 грн
13+66.61 грн
100+51.80 грн
500+40.85 грн
1000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA06N60TXKSA1 INFN-S-A0002220186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKA06N60TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKA06N60TXKSA1 - IGBT, 10 A, 1.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+161.17 грн
11+78.53 грн
100+69.90 грн
500+52.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R06W1E3BOMA1 Infineon-FP15R06W1E3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43321b15a77
FP15R06W1E3BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP15R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 22 A, 1.55 V, 81 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 81W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 22A
Produktpalette: EasyPIM 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 22A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2659.31 грн
5+2225.13 грн
10+1790.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 Infineon-IPB60R180P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b8e590481
IPB60R180P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+216.26 грн
10+141.44 грн
100+98.68 грн
500+75.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 Infineon-IPB60R180P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b8e590481
IPB60R180P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+98.68 грн
500+75.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1 3980137.pdf
IRF8721TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+76.14 грн
17+49.26 грн
100+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1 3980137.pdf
IRF8721TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB30N65DF5ATMA1 3159546.pdf
AIKB30N65DF5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+199.00 грн
500+167.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 1926778.pdf
IDD03SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+66.93 грн
500+50.93 грн
1000+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 1926778.pdf
IDD03SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+157.88 грн
10+93.74 грн
100+66.93 грн
500+50.93 грн
1000+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD09SG60CXTMA2 INFNS19738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDD09SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD09SG60CXTMA2 INFNS19738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDD09SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+346.19 грн
10+274.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 INFN-S-A0009690864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP740H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 44GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon-BFP740FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638969e2f4ead
BFP740FESDH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 160mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1 INFN-S-A0008597390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL40T209ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+217.09 грн
10+158.70 грн
100+117.59 грн
500+93.15 грн
1000+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1 INFN-S-A0008597390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL40T209ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+93.15 грн
1000+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XDPE152C4D0000XUMA1 3919294.pdf
XDPE152C4D0000XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XDPE152C4D0000XUMA1 - PWM-Controller, 12Vin, 3.04Vout, 1MHz, VQFN-48
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: -
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+394.70 грн
25+365.10 грн
50+323.75 грн
100+284.75 грн
250+271.36 грн
500+263.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7235KXUMA1 INFN-S-A0008993695-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2EDF7235KXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7235KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, GaN HEMT, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+217.91 грн
10+163.64 грн
25+149.66 грн
50+127.51 грн
100+106.43 грн
250+100.79 грн
500+97.27 грн
1000+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 3974501.pdf
IST026N10NM5AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+305.89 грн
10+204.75 грн
100+145.55 грн
500+123.70 грн
1000+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 3974501.pdf
IST026N10NM5AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+145.55 грн
500+123.70 грн
1000+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 3204915.pdf
IRF150P221AKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF150P221AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 186 A, 3600 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 186A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+708.00 грн
10+457.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 3092712.pdf
IQE006NE2LM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 7428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+196.53 грн
10+117.59 грн
100+84.70 грн
500+66.35 грн
1000+55.68 грн
5000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926
BSC0910NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+62.74 грн
500+46.42 грн
1000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4
IQE006NE2LM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 7428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+84.70 грн
500+66.35 грн
1000+55.68 грн
5000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1 3982294.pdf
IPB033N10N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+411.97 грн
10+264.78 грн
50+230.24 грн
200+181.73 грн
500+142.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB020N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+297.67 грн
50+259.02 грн
200+204.63 грн
500+174.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 3204747.pdf
IKW75N65ET7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH40N65WR6XKSA1 3437289.pdf
IKWH40N65WR6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH40N65WR6XKSA1 - IGBT, 75 A, 1.55 V, 175 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+252.45 грн
10+136.50 грн
100+111.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH75N65EH7XKSA1 3983223.pdf
IKWH75N65EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+440.75 грн
10+286.16 грн
100+268.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 329 330 331 332 333 334 335 336 337 338 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]