Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25879) > Сторінка 372 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 367 368 369 370 371 372 373 374 375 376 377 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BAT5406E6327HTSA1 BAT5406E6327HTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BAT5406E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+13.43 грн
113+7.63 грн
124+6.95 грн
500+5.24 грн
1000+3.53 грн
5000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406E6327HTSA1 BAT5406E6327HTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BAT5406E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.24 грн
1000+3.53 грн
5000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 BAT5405WH6327XTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT5405WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+26.60 грн
53+16.27 грн
100+10.24 грн
500+7.03 грн
1000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404WH6327XTSA1 BAT5404WH6327XTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT5404WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+26.43 грн
59+14.80 грн
100+9.64 грн
500+6.98 грн
1000+5.31 грн
5000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IR35412MTRPBFAUMA1 IR35412MTRPBFAUMA1 INFINEON LatestGeneration_IntegratedPwrStages_25V_PB_v01_3-21-16.pdf Description: INFINEON - IR35412MTRPBFAUMA1 - DC/DC-Schaltregler, einstellbar, 4.25V bis 16Vin, 250mV bis 5.5V/50Aout, QFN
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 250mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50A
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Topologie: -
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.33 грн
250+130.59 грн
500+129.85 грн
1000+129.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR35412MTRPBFAUMA1 IR35412MTRPBFAUMA1 INFINEON LatestGeneration_IntegratedPwrStages_25V_PB_v01_3-21-16.pdf Description: INFINEON - IR35412MTRPBFAUMA1 - DC/DC-Schaltregler, einstellbar, 4.25V bis 16Vin, 250mV bis 5.5V/50Aout, QFN
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 250mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50A
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Topologie: -
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.66 грн
10+155.80 грн
25+154.94 грн
50+143.07 грн
100+131.33 грн
250+130.59 грн
500+129.85 грн
1000+129.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33 Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.04 грн
10+123.95 грн
100+98.13 грн
500+77.05 грн
1000+70.46 грн
5000+63.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-040T CY8CPROTO-040T INFINEON Infineon-CY8CPROTO-040T_User_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c838583641ee7 Description: INFINEON - CY8CPROTO-040T - Prototyping-Kit, PSoC 4-Familie, ARM, Cortex-M0, kapazitiver Sensor
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Prototyping
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Prototyping-Board PSoC 4000T, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: Cortex-M0
Unterart Anwendung: Kapazitiver Sensor
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: PSoC 4
euEccn: NLR
Prozessorkern: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1559.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 INFINEON 3208415.pdf Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 0.00105 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+652.45 грн
10+456.20 грн
100+342.58 грн
500+299.73 грн
1000+271.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9877QTW40XUMA1 TLE9877QTW40XUMA1 INFINEON 3177156.pdf Description: INFINEON - TLE9877QTW40XUMA1 - MCU, anwendungsspezifisch, 32 Bit, 40MHz, 6kB-RAM/64kB-Programmspeicher, 5.5V bis 27Vin, TQFP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 5Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: TLE987x
RAM-Speichergröße: 6KB
MCU-Baureihe: TLE9877QTW40
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 10I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: TLE987x Family TLE9877QTW40 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 27V
Schnittstellen: LIN, SPI, SSC, UART
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+458.78 грн
10+352.05 грн
25+318.48 грн
50+271.75 грн
100+233.14 грн
250+222.81 грн
500+216.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9140EQWEVALTOBO1 TLE9140EQWEVALTOBO1 INFINEON 4180408.pdf Description: INFINEON - TLE9140EQWEVALTOBO1 - Evaluationsboard, TLE9140EQW, 3-phasiger BLDC-Motortreiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9140EQW
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9140EQW
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24768.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC4400DCV1TOBO1 KITXMC4400DCV1TOBO1 INFINEON 4146098.pdf Description: INFINEON - KITXMC4400DCV1TOBO1 - Anwendungskit für Motorsteuerungen, XMC4400, 3-Phasen-BLDC-Motor & PMSM-Motor, Treiberkarte
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC4400
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Steuerkarte XMC4400
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasiger bürstenloser DC-Motor & PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA7H1BN6E6327XTSA1 BGA7H1BN6E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0003271596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGA7H1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.805GHz bis 2.69GHz, 1.5V bis 3.6V, 0.85dB Verstärkung, TSNP-6, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.85dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 12.3dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.805GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.58 грн
500+23.02 грн
1000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGA7H1BN6E6327XTSA1 BGA7H1BN6E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0003271596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGA7H1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.805GHz bis 2.69GHz, 1.5V bis 3.6V, 0.85dB Verstärkung, TSNP-6, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.85dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 12.3dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.805GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.76 грн
22+39.42 грн
100+28.58 грн
500+23.02 грн
1000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 IPP051N15N5XKSA1 INFINEON 4098634.pdf Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 5100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+421.77 грн
10+236.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 IKY140N120CH7XKSA1 INFINEON 4098632.pdf Description: INFINEON - IKY140N120CH7XKSA1 - IGBT, 232 A, 1.7 V, 962 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 962W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 232A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1074.22 грн
5+863.34 грн
10+651.59 грн
50+561.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY100N120CH7XKSA1 IKY100N120CH7XKSA1 INFINEON 3974494.pdf Description: INFINEON - IKY100N120CH7XKSA1 - IGBT, 212 A, 1.7 V, 721 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 721W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 212A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+921.87 грн
5+736.81 грн
10+550.88 грн
50+501.94 грн
100+453.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 IAUTN06S5N008ATMA1 INFINEON Infineon-IAUTN06S5N008_Datasheet-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186314156af0dfa Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+253.92 грн
500+231.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 IAUTN06S5N008ATMA1 INFINEON Infineon-IAUTN06S5N008_Datasheet-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186314156af0dfa Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.58 грн
10+349.47 грн
100+253.92 грн
500+231.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRUSTMEXPSHIELDTOBO1 TRUSTMEXPSHIELDTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - TRUSTMEXPSHIELDTOBO1 - Shield, OPTIGA Trust M Express, I2C, PSoC 62S2 WiFi BT Pioneer-Kit, SBC
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: OPTIGA Trust M Express-Shield
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: PSoC 62S2 Wi-Fi BT Pioneer-Kits von Infineon, Einplatinencomputer
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2015.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN9550BXTSA1 1EDN9550BXTSA1 INFINEON Infineon-1EDN9550B-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dbca96b017dbd1b161e061e Description: INFINEON - 1EDN9550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.02 грн
500+26.54 грн
1000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN9550BXTSA1 1EDN9550BXTSA1 INFINEON Infineon-1EDN9550B-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dbca96b017dbd1b161e061e Description: INFINEON - 1EDN9550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.50 грн
22+40.71 грн
100+32.02 грн
500+26.54 грн
1000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN6550BXTSA1 1EDN6550BXTSA1 INFINEON 4098590.pdf Description: INFINEON - 1EDN6550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.17 грн
22+39.16 грн
100+30.73 грн
500+25.42 грн
1000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN6550BXTSA1 1EDN6550BXTSA1 INFINEON 4098590.pdf Description: INFINEON - 1EDN6550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.73 грн
500+25.42 грн
1000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1 IAUCN04S7N005ATMA1 INFINEON 3988461.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.15 грн
500+82.33 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N004ATMA1 IAUCN04S7N004ATMA1 INFINEON 3988460.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.14 грн
500+108.70 грн
1000+99.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TRPBF INFINEON irlhs6276pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663ae1f25ab Description: INFINEON - IRLHS6276TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.71 грн
21+41.32 грн
100+26.77 грн
500+18.94 грн
1000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4040DEPDXUMA1 ITS4040DEPDXUMA1 INFINEON 2792932.pdf Description: INFINEON - ITS4040DEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 2 Ausgänge, 4.1A, 0.04 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 4.1A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.10 грн
10+276.30 грн
25+254.78 грн
50+225.40 грн
100+197.73 грн
250+187.40 грн
500+182.23 грн
1000+177.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4060SSJNXUMA1 ITS4060SSJNXUMA1 INFINEON Infineon-ITS4060S-SJ-N-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c904943b2231b Description: INFINEON - ITS4060SSJNXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 17A/0.05 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 17A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.81 грн
250+63.23 грн
500+60.79 грн
1000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SSJDXUMA1 ITS4200SSJDXUMA1 INFINEON Infineon-ITS4200S-SJ-D-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c90492f772315 Description: INFINEON - ITS4200SSJDXUMA1 - Leistungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 6A/0.15 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 6A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.99 грн
250+51.06 грн
500+48.99 грн
1000+45.67 грн
2500+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4300SSJDXUMA1 ITS4300SSJDXUMA1 INFINEON Infineon-ITS4300S-SJ-D-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c904925722312 Description: INFINEON - ITS4300SSJDXUMA1 - Leistungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 1A/0.3 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.3ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.35 грн
250+43.60 грн
500+41.76 грн
1000+39.55 грн
2500+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4040DEPDXUMA1 ITS4040DEPDXUMA1 INFINEON Infineon-ITS4040D-EP-D-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462647040d101647051ca191fbd Description: INFINEON - ITS4040DEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 2 Ausgänge, 4.1A, 0.04 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 4.1A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+197.73 грн
250+187.40 грн
500+182.23 грн
1000+177.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PROF2BTS70041EPRDBTOBO1 PROF2BTS70041EPRDBTOBO1 INFINEON 4180409.pdf Description: INFINEON - PROF2BTS70041EPRDBTOBO1 - Erweiterungsboard, BTS7004-1EPR, Schaltleistungs-Management-Plattform, PROFET ONE4ALL-Hauptplatine
tariffCode: 85437090
Art des Zubehörs: PROFET+2 12V-Tochterplatine mit intelligentem High-Side-Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: PROFET ONE4ALL Hauptplatine von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: Infineon
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3846.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IST011N06NM5AUMA1 IST011N06NM5AUMA1 INFINEON 3974495.pdf Description: INFINEON - IST011N06NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 399 A, 900 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 399A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+229.82 грн
500+159.06 грн
1000+143.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IST011N06NM5AUMA1 IST011N06NM5AUMA1 INFINEON 3974495.pdf Description: INFINEON - IST011N06NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 399 A, 900 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 399A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+385.62 грн
10+285.77 грн
100+229.82 грн
500+159.06 грн
1000+143.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+193.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PP IRFS7430TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012812980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.27 грн
250+132.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF INFINEON IRSDS11704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.48 грн
250+117.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+180.64 грн
250+163.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DTRLP INFINEON INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.35 грн
500+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WCDSC006XUMA1 WCDSC006XUMA1 INFINEON INFN-S-A0010773126-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - WCDSC006XUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 4A, 4.75V-5.5V, 40ns Verzögerung, WSON-10, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.01 грн
13+69.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WCDSC006XUMA1 WCDSC006XUMA1 INFINEON INFN-S-A0010773126-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - WCDSC006XUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 4A, 4.75V-5.5V, 40ns Verzögerung, WSON-10, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSON
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.25 грн
10+196.25 грн
50+194.53 грн
200+178.24 грн
500+161.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1 IPB144N12N3GATMA1 INFINEON IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01 Description: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.96 грн
10+134.28 грн
100+99.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1 IPB144N12N3GATMA1 INFINEON IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01 Description: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA1 IPD35N12S3L24ATMA1 INFINEON Infineon-IPD35N12S3L-24-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0752f7fdf Description: INFINEON - IPD35N12S3L24ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.86 грн
10+103.29 грн
100+76.35 грн
500+60.11 грн
1000+42.57 грн
5000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 INFINEON 2849742.pdf Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+253.06 грн
500+215.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 INFINEON 2849742.pdf Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+271.14 грн
10+218.63 грн
100+181.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA1 IPD35N12S3L24ATMA1 INFINEON Infineon-IPD35N12S3L-24-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0752f7fdf Description: INFINEON - IPD35N12S3L24ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.35 грн
500+60.11 грн
1000+42.57 грн
5000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+194.53 грн
200+178.24 грн
500+161.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003258002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.96 грн
250+76.09 грн
1000+65.94 грн
5000+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N12S3L-31-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158bae780ec7fd2 Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.50 грн
500+45.16 грн
1000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002837959-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.29 грн
11+83.75 грн
100+57.76 грн
500+43.16 грн
1000+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 INFINEON Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6 Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+168.71 грн
10+124.81 грн
100+93.82 грн
500+70.50 грн
1000+60.72 грн
5000+57.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLS205B0LDV50XUMA1 TLS205B0LDV50XUMA1 INFINEON Infineon-TLS205B0V50-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969dadc094224 Description: INFINEON - TLS205B0LDV50XUMA1 - LDO-FESTSP.REGL 5V 0.5A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 20V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 500mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSON-EP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 5.5V
IC-Gehäuse / Bauform: TSON-EP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 350mV
Nennausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, nom.: 5V
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.71 грн
250+51.79 грн
500+49.80 грн
1000+48.18 грн
2500+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1 INFINEON 2576639.pdf Description: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+446.73 грн
10+313.32 грн
100+268.56 грн
500+226.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1 INFINEON 2576639.pdf Description: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+313.32 грн
100+268.56 грн
500+226.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 INFINEON 3437297.pdf Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.05 грн
50+108.46 грн
250+82.20 грн
1000+64.02 грн
3000+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 INFINEON 3437297.pdf Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.46 грн
250+82.20 грн
1000+64.02 грн
3000+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 INFINEON 3328488.pdf Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 348A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+237.57 грн
500+207.01 грн
1000+163.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406E6327HTSA1 INFNS15399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT5406E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5406E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+13.43 грн
113+7.63 грн
124+6.95 грн
500+5.24 грн
1000+3.53 грн
5000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406E6327HTSA1 INFNS15399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT5406E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5406E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.24 грн
1000+3.53 грн
5000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT5405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5405WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+26.60 грн
53+16.27 грн
100+10.24 грн
500+7.03 грн
1000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404WH6327XTSA1 INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT5404WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5404WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+26.43 грн
59+14.80 грн
100+9.64 грн
500+6.98 грн
1000+5.31 грн
5000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IR35412MTRPBFAUMA1 LatestGeneration_IntegratedPwrStages_25V_PB_v01_3-21-16.pdf
IR35412MTRPBFAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR35412MTRPBFAUMA1 - DC/DC-Schaltregler, einstellbar, 4.25V bis 16Vin, 250mV bis 5.5V/50Aout, QFN
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 250mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50A
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Topologie: -
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+131.33 грн
250+130.59 грн
500+129.85 грн
1000+129.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR35412MTRPBFAUMA1 LatestGeneration_IntegratedPwrStages_25V_PB_v01_3-21-16.pdf
IR35412MTRPBFAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR35412MTRPBFAUMA1 - DC/DC-Schaltregler, einstellbar, 4.25V bis 16Vin, 250mV bis 5.5V/50Aout, QFN
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 250mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50A
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.25V
Topologie: -
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.66 грн
10+155.80 грн
25+154.94 грн
50+143.07 грн
100+131.33 грн
250+130.59 грн
500+129.85 грн
1000+129.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33
BSC037N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.04 грн
10+123.95 грн
100+98.13 грн
500+77.05 грн
1000+70.46 грн
5000+63.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-040T Infineon-CY8CPROTO-040T_User_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c838583641ee7
CY8CPROTO-040T
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CPROTO-040T - Prototyping-Kit, PSoC 4-Familie, ARM, Cortex-M0, kapazitiver Sensor
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Prototyping
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Prototyping-Board PSoC 4000T, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: Cortex-M0
Unterart Anwendung: Kapazitiver Sensor
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: PSoC 4
euEccn: NLR
Prozessorkern: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1559.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 3208415.pdf
IPT010N08NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 0.00105 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+652.45 грн
10+456.20 грн
100+342.58 грн
500+299.73 грн
1000+271.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9877QTW40XUMA1 3177156.pdf
TLE9877QTW40XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9877QTW40XUMA1 - MCU, anwendungsspezifisch, 32 Bit, 40MHz, 6kB-RAM/64kB-Programmspeicher, 5.5V bis 27Vin, TQFP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 5Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Betriebsfrequenz, max.: 40MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: TLE987x
RAM-Speichergröße: 6KB
MCU-Baureihe: TLE9877QTW40
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 10I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: TLE987x Family TLE9877QTW40 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 27V
Schnittstellen: LIN, SPI, SSC, UART
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+458.78 грн
10+352.05 грн
25+318.48 грн
50+271.75 грн
100+233.14 грн
250+222.81 грн
500+216.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9140EQWEVALTOBO1 4180408.pdf
TLE9140EQWEVALTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9140EQWEVALTOBO1 - Evaluationsboard, TLE9140EQW, 3-phasiger BLDC-Motortreiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9140EQW
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9140EQW
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24768.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC4400DCV1TOBO1 4146098.pdf
KITXMC4400DCV1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITXMC4400DCV1TOBO1 - Anwendungskit für Motorsteuerungen, XMC4400, 3-Phasen-BLDC-Motor & PMSM-Motor, Treiberkarte
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC4400
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Steuerkarte XMC4400
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasiger bürstenloser DC-Motor & PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA7H1BN6E6327XTSA1 INFN-S-A0003271596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGA7H1BN6E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA7H1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.805GHz bis 2.69GHz, 1.5V bis 3.6V, 0.85dB Verstärkung, TSNP-6, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.85dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 12.3dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.805GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.58 грн
500+23.02 грн
1000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGA7H1BN6E6327XTSA1 INFN-S-A0003271596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGA7H1BN6E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA7H1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.805GHz bis 2.69GHz, 1.5V bis 3.6V, 0.85dB Verstärkung, TSNP-6, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.85dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 12.3dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.805GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.76 грн
22+39.42 грн
100+28.58 грн
500+23.02 грн
1000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 4098634.pdf
IPP051N15N5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 5100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+421.77 грн
10+236.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 4098632.pdf
IKY140N120CH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKY140N120CH7XKSA1 - IGBT, 232 A, 1.7 V, 962 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 962W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 232A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1074.22 грн
5+863.34 грн
10+651.59 грн
50+561.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY100N120CH7XKSA1 3974494.pdf
IKY100N120CH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKY100N120CH7XKSA1 - IGBT, 212 A, 1.7 V, 721 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 721W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 212A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+921.87 грн
5+736.81 грн
10+550.88 грн
50+501.94 грн
100+453.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon-IAUTN06S5N008_Datasheet-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186314156af0dfa
IAUTN06S5N008ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+253.92 грн
500+231.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon-IAUTN06S5N008_Datasheet-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186314156af0dfa
IAUTN06S5N008ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+478.58 грн
10+349.47 грн
100+253.92 грн
500+231.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRUSTMEXPSHIELDTOBO1
TRUSTMEXPSHIELDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TRUSTMEXPSHIELDTOBO1 - Shield, OPTIGA Trust M Express, I2C, PSoC 62S2 WiFi BT Pioneer-Kit, SBC
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: OPTIGA Trust M Express-Shield
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: PSoC 62S2 Wi-Fi BT Pioneer-Kits von Infineon, Einplatinencomputer
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2015.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN9550BXTSA1 Infineon-1EDN9550B-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dbca96b017dbd1b161e061e
1EDN9550BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN9550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.02 грн
500+26.54 грн
1000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN9550BXTSA1 Infineon-1EDN9550B-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dbca96b017dbd1b161e061e
1EDN9550BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN9550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.50 грн
22+40.71 грн
100+32.02 грн
500+26.54 грн
1000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN6550BXTSA1 4098590.pdf
1EDN6550BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN6550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+55.17 грн
22+39.16 грн
100+30.73 грн
500+25.42 грн
1000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN6550BXTSA1 4098590.pdf
1EDN6550BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN6550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.73 грн
500+25.42 грн
1000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1 3988461.pdf
IAUCN04S7N005ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.15 грн
500+82.33 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N004ATMA1 3988460.pdf
IAUCN04S7N004ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+135.14 грн
500+108.70 грн
1000+99.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBF irlhs6276pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663ae1f25ab
IRLHS6276TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHS6276TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.71 грн
21+41.32 грн
100+26.77 грн
500+18.94 грн
1000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4040DEPDXUMA1 2792932.pdf
ITS4040DEPDXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4040DEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 2 Ausgänge, 4.1A, 0.04 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 4.1A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+364.10 грн
10+276.30 грн
25+254.78 грн
50+225.40 грн
100+197.73 грн
250+187.40 грн
500+182.23 грн
1000+177.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4060SSJNXUMA1 Infineon-ITS4060S-SJ-N-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c904943b2231b
ITS4060SSJNXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4060SSJNXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 17A/0.05 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 17A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.81 грн
250+63.23 грн
500+60.79 грн
1000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SSJDXUMA1 Infineon-ITS4200S-SJ-D-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c90492f772315
ITS4200SSJDXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4200SSJDXUMA1 - Leistungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 6A/0.15 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 6A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.99 грн
250+51.06 грн
500+48.99 грн
1000+45.67 грн
2500+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4300SSJDXUMA1 Infineon-ITS4300S-SJ-D-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c904925722312
ITS4300SSJDXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4300SSJDXUMA1 - Leistungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 1A/0.3 Ohm Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.3ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.35 грн
250+43.60 грн
500+41.76 грн
1000+39.55 грн
2500+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4040DEPDXUMA1 Infineon-ITS4040D-EP-D-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462647040d101647051ca191fbd
ITS4040DEPDXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4040DEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 2 Ausgänge, 4.1A, 0.04 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 4.1A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+197.73 грн
250+187.40 грн
500+182.23 грн
1000+177.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PROF2BTS70041EPRDBTOBO1 4180409.pdf
PROF2BTS70041EPRDBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PROF2BTS70041EPRDBTOBO1 - Erweiterungsboard, BTS7004-1EPR, Schaltleistungs-Management-Plattform, PROFET ONE4ALL-Hauptplatine
tariffCode: 85437090
Art des Zubehörs: PROFET+2 12V-Tochterplatine mit intelligentem High-Side-Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: PROFET ONE4ALL Hauptplatine von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: Infineon
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3846.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IST011N06NM5AUMA1 3974495.pdf
IST011N06NM5AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IST011N06NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 399 A, 900 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 399A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+229.82 грн
500+159.06 грн
1000+143.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IST011N06NM5AUMA1 3974495.pdf
IST011N06NM5AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IST011N06NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 399 A, 900 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 399A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+385.62 грн
10+285.77 грн
100+229.82 грн
500+159.06 грн
1000+143.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF INFN-S-A0012838297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3006TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+193.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PP INFN-S-A0012812980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7430TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+146.27 грн
250+132.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRSDS11704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4010TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.48 грн
250+117.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3107TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+180.64 грн
250+163.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLP INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS38N20DTRLP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+152.35 грн
500+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WCDSC006XUMA1 INFN-S-A0010773126-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
WCDSC006XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - WCDSC006XUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 4A, 4.75V-5.5V, 40ns Verzögerung, WSON-10, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.01 грн
13+69.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WCDSC006XUMA1 INFN-S-A0010773126-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
WCDSC006XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - WCDSC006XUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 4A, 4.75V-5.5V, 40ns Verzögerung, WSON-10, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSON
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+332.25 грн
10+196.25 грн
50+194.53 грн
200+178.24 грн
500+161.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1 IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01
IPB144N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.96 грн
10+134.28 грн
100+99.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1 IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01
IPB144N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA1 Infineon-IPD35N12S3L-24-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0752f7fdf
IPD35N12S3L24ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD35N12S3L24ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+136.86 грн
10+103.29 грн
100+76.35 грн
500+60.11 грн
1000+42.57 грн
5000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 2849742.pdf
IPB100N12S305ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+253.06 грн
500+215.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 2849742.pdf
IPB100N12S305ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+271.14 грн
10+218.63 грн
100+181.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA1 Infineon-IPD35N12S3L-24-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0752f7fdf
IPD35N12S3L24ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD35N12S3L24ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.35 грн
500+60.11 грн
1000+42.57 грн
5000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+194.53 грн
200+178.24 грн
500+161.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 INFN-S-A0003258002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.96 грн
250+76.09 грн
1000+65.94 грн
5000+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1 Infineon-IPD30N12S3L-31-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158bae780ec7fd2
IPD30N12S3L31ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.50 грн
500+45.16 грн
1000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1 INFN-S-A0002837959-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD30N12S3L31ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.29 грн
11+83.75 грн
100+57.76 грн
500+43.16 грн
1000+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+168.71 грн
10+124.81 грн
100+93.82 грн
500+70.50 грн
1000+60.72 грн
5000+57.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLS205B0LDV50XUMA1 Infineon-TLS205B0V50-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969dadc094224
TLS205B0LDV50XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS205B0LDV50XUMA1 - LDO-FESTSP.REGL 5V 0.5A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 20V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 500mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSON-EP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 5.5V
IC-Gehäuse / Bauform: TSON-EP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 350mV
Nennausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, nom.: 5V
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.71 грн
250+51.79 грн
500+49.80 грн
1000+48.18 грн
2500+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 2576639.pdf
IPB60R080P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+446.73 грн
10+313.32 грн
100+268.56 грн
500+226.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 2576639.pdf
IPB60R080P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+313.32 грн
100+268.56 грн
500+226.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0802NLSATMA1 3437297.pdf
ISC0802NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.05 грн
50+108.46 грн
250+82.20 грн
1000+64.02 грн
3000+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0802NLSATMA1 3437297.pdf
ISC0802NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.46 грн
250+82.20 грн
1000+64.02 грн
3000+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 3328488.pdf
ISC009N06LM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 348A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+237.57 грн
500+207.01 грн
1000+163.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 367 368 369 370 371 372 373 374 375 376 377 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]