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BAS5202VH6433XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAS5202VH6433XTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 45 V, 500 mA, 600 mV, 2 A, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BAS52 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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BAS5202VH6433XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAS5202VH6433XTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 45 V, 500 mA, 600 mV, 2 A, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BAS52 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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FF2MR12KM1HPHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KITT2GC-2D-4MLITE | INFINEON |
Description: INFINEON - KITT2GC-2D-4MLITE - Evaluationskit, CYT3DLBBHBES, Traveo T2G, 32 Bit, ARM Cortex-M7F, Cortex-M0+ tariffCode: 84715000 Prozessorkern: CYT3DLBBHBES productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorarchitektur: ARM Prozessorfamilie: Traveo T2G Anzahl der Bits: 32bit Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT3DLBBHBES, 4M Lite, USB-C-Kabel euEccn: NLR isCanonical: Y Prozessorserie: Cortex-M7F, Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF039N08NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF039N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0035 ohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF039N08NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF039N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0035 ohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF067N20NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 138 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 138A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF067N20NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 138 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 138A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF017N08NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF017N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 259 A, 0.0014 ohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 259A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF024N10NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF024N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 227 A, 0.0021 ohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 227A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF021N13NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 2050 µohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF129N20NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF014N08NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 282A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF129N20NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF014N08NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 282A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF012N06NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 282A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF010N06NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 293A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF017N08NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF017N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 259 A, 0.0014 ohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 259A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF024N10NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF024N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 227 A, 0.0021 ohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 227A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF010N06NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 293A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF012N06NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 282A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF010N04NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 289A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF010N04NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 289A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF021N13NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 2050 µohm, TO-263, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF031N13NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 0.003 ohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 207A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IQD005N04NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IQD005N04NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S2GOMEMSMICIM69DTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - S2GOMEMSMICIM69DTOBO1 - Evaluationsboard, Shield2Go MEMS-Mikrofon, 2 x XENSIV IM69D130tariffCode: 84733020 Prozessorkern: IM69D130 Module Kit-Anwendungsbereich: Audio, Video productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IM69D130-Modul euEccn: NLR Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KITIM73A135V01FLEXTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITIM73A135V01FLEXTOBO1 - Evaluationskit, IM73A135V01, MEMS-Mikrofon, AudiotariffCode: 84733020 Prozessorkern: IM73A135V01 Kit-Anwendungsbereich: Audio productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: 5 x Flex Board IM73A135V01, 1 x Adapter Board euEccn: NLR Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVALIM69D120FLEXKITTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALIM69D120FLEXKITTOBO1 - Evaluationsboard, IM69D120, MEMS-Mikrofon, Audio, 5 x Flex-Board, AdapterplatinetariffCode: 84733020 Prozessorkern: IM69D120 Kit-Anwendungsbereich: Audio productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: 5x Flex-Board IM69D120, Adapterplatine euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IM63D135AXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IM63D135AXTMA1 - Audiosteuerung, MEMS-Mikrofon, 1.62V bis 3.6V, PDM, TLGA, 5 Pin(s), -40 °C tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Audiosteuerung: MEMS-Mikrofon Versorgungsspannung: 1.62V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Steuer-/Bedienschnittstelle: PDM Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q103 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Bauform - Audio-IC: TLGA Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IM63D135AXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IM63D135AXTMA1 - Audiosteuerung, MEMS-Mikrofon, 1.62V bis 3.6V, PDM, TLGA, 5 Pin(s), -40 °C tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 5Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebstemperatur, max.: 105°C usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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24VBATTSWITCHDEMOTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 24VBATTSWITCHDEMOTOBO1 - Evaluationsboard, 24V ADR Switch-Demoboard, KfztariffCode: 84733020 Prozessorkern: AUIR3242S Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Demoboard AUIR3242S euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Batterieschalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IR35204MTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR35204MTRPBF - Power-Management-IC, digital, 4 Phasen, 2 Ausgänge, 2.9V bis 3.63V Eingangsspannung, 2MHz, QFN-40tariffCode: 85423990 IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 3.63V Eingangskapazität: - euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 2.9V Anzahl der Pins: 40Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangskapazität: - Betriebstemperatur, max.: 85°C PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IR35204MTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR35204MTRPBF - Power-Management-IC, digital, 4 Phasen, 2 Ausgänge, 2.9V bis 3.63V Eingangsspannung, 2MHz, QFN-40tariffCode: 85423990 IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 3.63V Eingangskapazität: - euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 2.9V Anzahl der Pins: 40Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangskapazität: - Betriebstemperatur, max.: 85°C PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD227U1W01005E6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD227U1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8.4 V, WLL-2-7, 2 Pin(s), 5.5 V, ESD227-U1-W01005 SeriestariffCode: 85411000 Bauform - Diode: WLL-2-7 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 8.4V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ESD227-U1-W01005 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD227U1W01005E6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD227U1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8.4 V, WLL-2-7, 2 Pin(s), 5.5 V, ESD227-U1-W01005 SeriestariffCode: 85411000 Bauform - Diode: WLL-2-7 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 8.4V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ESD227-U1-W01005 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF7103TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IR2010STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2010STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns Verzögerung, WSOIC-16tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 95ns Ausgabeverzögerung: 65ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IR2010STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2010STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns Verzögerung, WSOIC-16tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 95ns Ausgabeverzögerung: 65ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE49641MXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE49641MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.018 T, -0.0125 T, 3 V, 32 VtariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Unipolar rohsCompliant: YES Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Ausschaltpunkt, typ.: -0.0125T Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23 Bauform - Sensor: SOT-23 euEccn: NLR Schaltpunkt, typ.: 0.018T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Hysterese, typ.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 32V Betriebstemperatur, max.: 170°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC600N25NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPB600N25N3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.051 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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BFS17PE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFS17PE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, SOT-23tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 25mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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IMZA65R010M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 144A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 440W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMZA65R026M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMZA65R060M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMZA65R033M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFR4615TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYBT-243053-EVAL. | INFINEON |
Description: INFINEON - CYBT-243053-EVAL. - Evaluationsboard, CYBT-243053-02, ARM Cortex-M4FtariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: 1 x Module Arduino-Evaluationsboard, USB-Kabel, praktische, benutzerdefinierte Taste, Bluetooth & Bluetooth-Modul Prozessorhersteller: Cypress hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Anzahl der Bits: - Prozessorserie: Cortex-M4F usEccn: 5A992.c Prozessorfamilie: ARM euEccn: NLR Prozessorkern: CYBT-243053-02 Produktpalette: Startech Laptop Privacy Filter productTraceability: No Prozessorarchitektur: ARM SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLS850F3TUV33BOARDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLS850F3TUV33BOARDTOBO1 - Demoboard, TLS850F3TUV33, linearer Spannungsregler, Power-Management tariffCode: 84733020 Prozessorkern: TLS850F3TUV33 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Demoboard TLS850F3TUV33 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Linearer Spannungsregler hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLS850F3TUV50BOARDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLS850F3TUV50BOARDTOBO1 - Demoboard, TLS850F3TUV50, linearer Spannungsregler, Power-ManagementtariffCode: 84733020 Prozessorkern: TLS850F3TUV50 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Demoboard TLS850F3TUV50 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Linearer Spannungsregler hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLS830A4EPV50BOARDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLS830A4EPV50BOARDTOBO1 - Demonstration Board, TLS830A4EPV50, Linear Voltage Regulator, Power ManagementtariffCode: 84733020 Prozessorkern: TLS830A4EPV50 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Demoboard TLS830A4EPV50 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Linearer Spannungsregler hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KP236XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KP236XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 40 kPa, 115 kPa, 4.5 V, 5.5 V, SOFLtariffCode: 90258040 Genauigkeit: ±1kPa rohsCompliant: YES Empfindlichkeit, V/P: 53.3mV/kPa hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Druckmessung: Absolutdruck MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebsdruck, max.: 115kPa Sensormontage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung, min.: 4.5V Sensorgehäuse/-bauform: SOFL Bauform - Sensor: SOFL euEccn: NLR Sensorausgang: Analog Betriebsdruck, min.: 40kPa Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Druckanschluss: - Versorgungsspannung, max.: 5.5V Medium: Luft Betriebstemperatur, max.: 125°C Ausgangsschnittstelle: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVAL600WFBFBXDPPTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL600WFBFBXDPPTOBO1 - Evaluationskit, XDPP1100-Q024, digitaler Leistungsregler, Power-ManagementtariffCode: 84733020 Prozessorkern: XDPP1100-Q024 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Power-Board XDPP1100-Q024, Tochterplatine EVAL_XDPP1100_Q024_DB, USB/I2C-Dongle USB007A1, GUI euEccn: NLR isCanonical: Y Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Unterart Anwendung: Digitaler Leistungsregler hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8CKIT-037 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8CKIT-037 - Evaluationsboard, PSoC 4, PMSM- und Schrittmotorsteuerung, BLY172S-24V-4000 Motor, 24V/2.0A-AdaptertariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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TLE49611KXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE49611KXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Genauigkeit, Bipolarer Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 3 V, 32 VtariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Bipolar rohsCompliant: YES Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Latch hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Sensorgehäuse/-bauform: SC-59 Bauform - Sensor: SC-59 euEccn: NLR Schaltpunkt, typ.: 0.002T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Hysterese, typ.: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 32V Betriebstemperatur, max.: 170°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE9564QXXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE9564QXXUMA1 - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, AEC-Q100, 3 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°CtariffCode: 85423990 IC-Typ: Motorsteuerung rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Motortyp: Bürstenloser DC-Motor Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: VQFN MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 28V Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE49611MXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE49611MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, Bipolarer Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 3 V, 32 VtariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Latch, bipolar rohsCompliant: YES Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Latch hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23 Bauform - Sensor: SOT-23 euEccn: NLR Schaltpunkt, typ.: 0.002T Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Hysterese, typ.: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 32V Betriebstemperatur, max.: 170°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8CKIT-024 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8CKIT-024 - Capsense Proximity-Shield, für PSOC Pioneer-Entwicklungsboards von CypresstariffCode: 84733080 productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplatte: Evaluationskit euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Näherungssensor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: PSoC 4000, PSoC 4200 rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BAS5202VH6433XTMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS5202VH6433XTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 45 V, 500 mA, 600 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BAS52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAS5202VH6433XTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 45 V, 500 mA, 600 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BAS52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BAS5202VH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS5202VH6433XTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 45 V, 500 mA, 600 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BAS52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAS5202VH6433XTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 45 V, 500 mA, 600 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BAS52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FF2MR12KM1HPHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 33345.58 грн |
| 5+ | 32678.58 грн |
| KITT2GC-2D-4MLITE |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITT2GC-2D-4MLITE - Evaluationskit, CYT3DLBBHBES, Traveo T2G, 32 Bit, ARM Cortex-M7F, Cortex-M0+
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: CYT3DLBBHBES
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo T2G
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT3DLBBHBES, 4M Lite, USB-C-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M7F, Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - KITT2GC-2D-4MLITE - Evaluationskit, CYT3DLBBHBES, Traveo T2G, 32 Bit, ARM Cortex-M7F, Cortex-M0+
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: CYT3DLBBHBES
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo T2G
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT3DLBBHBES, 4M Lite, USB-C-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M7F, Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 23999.37 грн |
| IPF039N08NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF039N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0035 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPF039N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0035 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 79.98 грн |
| 500+ | 72.61 грн |
| IPF039N08NF2SATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF039N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0035 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPF039N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0035 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 118.99 грн |
| 10+ | 81.76 грн |
| 100+ | 79.98 грн |
| 500+ | 72.61 грн |
| IPF067N20NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 138 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPF067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 138 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 410.40 грн |
| 50+ | 349.52 грн |
| 100+ | 293.49 грн |
| 250+ | 287.94 грн |
| IPF067N20NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 138 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPF067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 138 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 603.06 грн |
| 5+ | 506.73 грн |
| 10+ | 410.40 грн |
| 50+ | 349.52 грн |
| 100+ | 293.49 грн |
| 250+ | 287.94 грн |
| IPF017N08NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF017N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 259 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPF017N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 259 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 173.23 грн |
| IPF024N10NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF024N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 227 A, 0.0021 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPF024N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 227 A, 0.0021 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 164.32 грн |
| IPF021N13NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 2050 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 2050 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 374.79 грн |
| 50+ | 337.55 грн |
| 200+ | 278.86 грн |
| 500+ | 253.25 грн |
| IPF129N20NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 356.98 грн |
| 10+ | 300.32 грн |
| 100+ | 248.51 грн |
| 500+ | 208.21 грн |
| IPF014N08NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 186.99 грн |
| IPF129N20NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 248.51 грн |
| 500+ | 208.21 грн |
| IPF014N08NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 388.55 грн |
| 10+ | 246.08 грн |
| 100+ | 186.99 грн |
| IPF012N06NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 289.79 грн |
| 10+ | 203.99 грн |
| 100+ | 145.71 грн |
| IPF010N06NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 117.37 грн |
| 500+ | 107.49 грн |
| IPF017N08NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF017N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 259 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPF017N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 259 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 337.55 грн |
| 10+ | 237.99 грн |
| 100+ | 173.23 грн |
| IPF024N10NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF024N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 227 A, 0.0021 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPF024N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 227 A, 0.0021 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 331.89 грн |
| 10+ | 226.65 грн |
| 100+ | 164.32 грн |
| IPF010N06NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 237.99 грн |
| 10+ | 120.61 грн |
| 100+ | 117.37 грн |
| 500+ | 107.49 грн |
| IPF012N06NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 145.71 грн |
| IPF010N04NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 289A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 289A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 142.47 грн |
| 10+ | 130.33 грн |
| 100+ | 118.99 грн |
| 500+ | 99.22 грн |
| IPF010N04NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 289A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 289A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 99.22 грн |
| IPF021N13NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 2050 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 2050 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 522.92 грн |
| 10+ | 374.79 грн |
| 50+ | 337.55 грн |
| 200+ | 278.86 грн |
| 500+ | 253.25 грн |
| IPF031N13NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 0.003 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 0.003 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 361.03 грн |
| 10+ | 281.70 грн |
| 50+ | 280.89 грн |
| 200+ | 205.95 грн |
| 500+ | 158.19 грн |
| IQD005N04NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 259.84 грн |
| 10+ | 194.27 грн |
| 100+ | 148.94 грн |
| 500+ | 123.27 грн |
| IQD005N04NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 148.94 грн |
| 500+ | 123.27 грн |
| S2GOMEMSMICIM69DTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S2GOMEMSMICIM69DTOBO1 - Evaluationsboard, Shield2Go MEMS-Mikrofon, 2 x XENSIV IM69D130
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IM69D130 Module
Kit-Anwendungsbereich: Audio, Video
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IM69D130-Modul
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - S2GOMEMSMICIM69DTOBO1 - Evaluationsboard, Shield2Go MEMS-Mikrofon, 2 x XENSIV IM69D130
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IM69D130 Module
Kit-Anwendungsbereich: Audio, Video
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IM69D130-Modul
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3997.20 грн |
| KITIM73A135V01FLEXTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITIM73A135V01FLEXTOBO1 - Evaluationskit, IM73A135V01, MEMS-Mikrofon, Audio
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IM73A135V01
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: 5 x Flex Board IM73A135V01, 1 x Adapter Board
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - KITIM73A135V01FLEXTOBO1 - Evaluationskit, IM73A135V01, MEMS-Mikrofon, Audio
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IM73A135V01
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: 5 x Flex Board IM73A135V01, 1 x Adapter Board
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4958.05 грн |
| EVALIM69D120FLEXKITTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALIM69D120FLEXKITTOBO1 - Evaluationsboard, IM69D120, MEMS-Mikrofon, Audio, 5 x Flex-Board, Adapterplatine
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IM69D120
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: 5x Flex-Board IM69D120, Adapterplatine
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - EVALIM69D120FLEXKITTOBO1 - Evaluationsboard, IM69D120, MEMS-Mikrofon, Audio, 5 x Flex-Board, Adapterplatine
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IM69D120
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: 5x Flex-Board IM69D120, Adapterplatine
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5546.53 грн |
| IM63D135AXTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM63D135AXTMA1 - Audiosteuerung, MEMS-Mikrofon, 1.62V bis 3.6V, PDM, TLGA, 5 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Audiosteuerung: MEMS-Mikrofon
Versorgungsspannung: 1.62V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: PDM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q103
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Bauform - Audio-IC: TLGA
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IM63D135AXTMA1 - Audiosteuerung, MEMS-Mikrofon, 1.62V bis 3.6V, PDM, TLGA, 5 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Audiosteuerung: MEMS-Mikrofon
Versorgungsspannung: 1.62V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: PDM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q103
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Bauform - Audio-IC: TLGA
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 133.56 грн |
| 10+ | 105.23 грн |
| 50+ | 89.85 грн |
| 100+ | 77.42 грн |
| 250+ | 64.94 грн |
| 500+ | 62.79 грн |
| 1000+ | 60.57 грн |
| 2500+ | 59.39 грн |
| IM63D135AXTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM63D135AXTMA1 - Audiosteuerung, MEMS-Mikrofon, 1.62V bis 3.6V, PDM, TLGA, 5 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 105°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IM63D135AXTMA1 - Audiosteuerung, MEMS-Mikrofon, 1.62V bis 3.6V, PDM, TLGA, 5 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 105°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 77.42 грн |
| 250+ | 64.94 грн |
| 500+ | 62.79 грн |
| 1000+ | 60.57 грн |
| 2500+ | 59.39 грн |
| 24VBATTSWITCHDEMOTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 24VBATTSWITCHDEMOTOBO1 - Evaluationsboard, 24V ADR Switch-Demoboard, Kfz
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: AUIR3242S
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard AUIR3242S
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Batterieschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - 24VBATTSWITCHDEMOTOBO1 - Evaluationsboard, 24V ADR Switch-Demoboard, Kfz
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: AUIR3242S
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard AUIR3242S
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Batterieschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 18781.48 грн |
| IR35204MTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR35204MTRPBF - Power-Management-IC, digital, 4 Phasen, 2 Ausgänge, 2.9V bis 3.63V Eingangsspannung, 2MHz, QFN-40
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.63V
Eingangskapazität: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.9V
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IR35204MTRPBF - Power-Management-IC, digital, 4 Phasen, 2 Ausgänge, 2.9V bis 3.63V Eingangsspannung, 2MHz, QFN-40
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.63V
Eingangskapazität: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.9V
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 293.49 грн |
| 250+ | 278.92 грн |
| 500+ | 273.37 грн |
| IR35204MTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR35204MTRPBF - Power-Management-IC, digital, 4 Phasen, 2 Ausgänge, 2.9V bis 3.63V Eingangsspannung, 2MHz, QFN-40
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.63V
Eingangskapazität: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.9V
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IR35204MTRPBF - Power-Management-IC, digital, 4 Phasen, 2 Ausgänge, 2.9V bis 3.63V Eingangsspannung, 2MHz, QFN-40
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.63V
Eingangskapazität: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.9V
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 530.21 грн |
| 10+ | 407.17 грн |
| 25+ | 377.22 грн |
| 50+ | 334.49 грн |
| 100+ | 293.49 грн |
| 250+ | 278.92 грн |
| 500+ | 273.37 грн |
| ESD227U1W01005E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD227U1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8.4 V, WLL-2-7, 2 Pin(s), 5.5 V, ESD227-U1-W01005 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-2-7
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8.4V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD227-U1-W01005 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ESD227U1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8.4 V, WLL-2-7, 2 Pin(s), 5.5 V, ESD227-U1-W01005 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-2-7
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8.4V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD227-U1-W01005 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.37 грн |
| 1000+ | 2.58 грн |
| 5000+ | 2.45 грн |
| ESD227U1W01005E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD227U1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8.4 V, WLL-2-7, 2 Pin(s), 5.5 V, ESD227-U1-W01005 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-2-7
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8.4V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD227-U1-W01005 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ESD227U1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8.4 V, WLL-2-7, 2 Pin(s), 5.5 V, ESD227-U1-W01005 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-2-7
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8.4V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD227-U1-W01005 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 13.92 грн |
| 87+ | 9.31 грн |
| 202+ | 4.02 грн |
| 500+ | 3.37 грн |
| 1000+ | 2.58 грн |
| 5000+ | 2.45 грн |
| IRF7103TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 18.86 грн |
| 12000+ | 18.13 грн |
| IR2010STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2010STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 95ns
Ausgabeverzögerung: 65ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IR2010STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 95ns
Ausgabeverzögerung: 65ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 254.99 грн |
| 10+ | 191.85 грн |
| 50+ | 175.66 грн |
| 200+ | 148.08 грн |
| IR2010STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2010STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 95ns
Ausgabeverzögerung: 65ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IR2010STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 95ns
Ausgabeverzögerung: 65ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 175.66 грн |
| 200+ | 148.08 грн |
| TLE49641MXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49641MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.018 T, -0.0125 T, 3 V, 32 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.0125T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.018T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLE49641MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.018 T, -0.0125 T, 3 V, 32 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.0125T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.018T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 35.46 грн |
| 29+ | 28.41 грн |
| 100+ | 27.28 грн |
| 500+ | 22.10 грн |
| 1000+ | 19.36 грн |
| 2500+ | 18.53 грн |
| 5000+ | 17.62 грн |
| BSC600N25NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 199.13 грн |
| IPB600N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.051 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.051 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BFS17PE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFS17PE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BFS17PE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IMZA65R010M2HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - IMZA65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2336.96 грн |
| 5+ | 2009.93 грн |
| 10+ | 1711.23 грн |
| 50+ | 1500.31 грн |
| 100+ | 1298.86 грн |
| 250+ | 1263.48 грн |
| IMZA65R026M2HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - IMZA65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1153.50 грн |
| 5+ | 992.42 грн |
| 10+ | 845.09 грн |
| 50+ | 740.38 грн |
| 100+ | 641.11 грн |
| 250+ | 623.76 грн |
| IMZA65R060M2HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - IMZA65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 606.30 грн |
| 5+ | 521.30 грн |
| 10+ | 443.59 грн |
| 50+ | 389.36 грн |
| 100+ | 337.20 грн |
| 250+ | 327.49 грн |
| IMZA65R033M2HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 961.66 грн |
| 5+ | 827.29 грн |
| 10+ | 704.24 грн |
| 50+ | 617.11 грн |
| 100+ | 534.25 грн |
| 250+ | 519.68 грн |
| IRFR4615TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 81.76 грн |
| 500+ | 62.46 грн |
| 1500+ | 50.30 грн |
| CYBT-243053-EVAL. |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBT-243053-EVAL. - Evaluationsboard, CYBT-243053-02, ARM Cortex-M4F
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: 1 x Module Arduino-Evaluationsboard, USB-Kabel, praktische, benutzerdefinierte Taste, Bluetooth & Bluetooth-Modul
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: Cortex-M4F
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: ARM
euEccn: NLR
Prozessorkern: CYBT-243053-02
Produktpalette: Startech Laptop Privacy Filter
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CYBT-243053-EVAL. - Evaluationsboard, CYBT-243053-02, ARM Cortex-M4F
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: 1 x Module Arduino-Evaluationsboard, USB-Kabel, praktische, benutzerdefinierte Taste, Bluetooth & Bluetooth-Modul
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: Cortex-M4F
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: ARM
euEccn: NLR
Prozessorkern: CYBT-243053-02
Produktpalette: Startech Laptop Privacy Filter
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3017.73 грн |
| TLS850F3TUV33BOARDTOBO1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS850F3TUV33BOARDTOBO1 - Demoboard, TLS850F3TUV33, linearer Spannungsregler, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLS850F3TUV33
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLS850F3TUV33
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Linearer Spannungsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLS850F3TUV33BOARDTOBO1 - Demoboard, TLS850F3TUV33, linearer Spannungsregler, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLS850F3TUV33
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLS850F3TUV33
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Linearer Spannungsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6415.91 грн |
| TLS850F3TUV50BOARDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS850F3TUV50BOARDTOBO1 - Demoboard, TLS850F3TUV50, linearer Spannungsregler, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLS850F3TUV50
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLS850F3TUV50
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Linearer Spannungsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLS850F3TUV50BOARDTOBO1 - Demoboard, TLS850F3TUV50, linearer Spannungsregler, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLS850F3TUV50
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLS850F3TUV50
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Linearer Spannungsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6415.91 грн |
| TLS830A4EPV50BOARDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS830A4EPV50BOARDTOBO1 - Demonstration Board, TLS830A4EPV50, Linear Voltage Regulator, Power Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLS830A4EPV50
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLS830A4EPV50
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Linearer Spannungsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - TLS830A4EPV50BOARDTOBO1 - Demonstration Board, TLS830A4EPV50, Linear Voltage Regulator, Power Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLS830A4EPV50
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLS830A4EPV50
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Linearer Spannungsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2596.80 грн |
| KP236XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP236XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 40 kPa, 115 kPa, 4.5 V, 5.5 V, SOFL
tariffCode: 90258040
Genauigkeit: ±1kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 53.3mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 115kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOFL
Bauform - Sensor: SOFL
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 40kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - KP236XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 40 kPa, 115 kPa, 4.5 V, 5.5 V, SOFL
tariffCode: 90258040
Genauigkeit: ±1kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 53.3mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 115kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOFL
Bauform - Sensor: SOFL
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 40kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 271.29 грн |
| 250+ | 252.56 грн |
| 500+ | 233.13 грн |
| EVAL600WFBFBXDPPTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL600WFBFBXDPPTOBO1 - Evaluationskit, XDPP1100-Q024, digitaler Leistungsregler, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XDPP1100-Q024
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Power-Board XDPP1100-Q024, Tochterplatine EVAL_XDPP1100_Q024_DB, USB/I2C-Dongle USB007A1, GUI
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: Digitaler Leistungsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - EVAL600WFBFBXDPPTOBO1 - Evaluationskit, XDPP1100-Q024, digitaler Leistungsregler, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XDPP1100-Q024
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Power-Board XDPP1100-Q024, Tochterplatine EVAL_XDPP1100_Q024_DB, USB/I2C-Dongle USB007A1, GUI
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: Digitaler Leistungsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 67116.15 грн |
| CY8CKIT-037 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CKIT-037 - Evaluationsboard, PSoC 4, PMSM- und Schrittmotorsteuerung, BLY172S-24V-4000 Motor, 24V/2.0A-Adapter
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8CKIT-037 - Evaluationsboard, PSoC 4, PMSM- und Schrittmotorsteuerung, BLY172S-24V-4000 Motor, 24V/2.0A-Adapter
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| TLE49611KXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49611KXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Genauigkeit, Bipolarer Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 3 V, 32 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Bipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - TLE49611KXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Genauigkeit, Bipolarer Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 3 V, 32 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Bipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.36 грн |
| 500+ | 25.03 грн |
| 1000+ | 22.62 грн |
| 2500+ | 19.57 грн |
| TLE9564QXXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9564QXXUMA1 - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, AEC-Q100, 3 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLE9564QXXUMA1 - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, AEC-Q100, 3 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 271.17 грн |
| 10+ | 200.75 грн |
| 25+ | 185.37 грн |
| 50+ | 158.60 грн |
| 100+ | 133.91 грн |
| 250+ | 127.67 грн |
| 500+ | 123.50 грн |
| 1000+ | 120.03 грн |
| TLE49611MXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49611MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, Bipolarer Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 3 V, 32 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Latch, bipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - TLE49611MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, Bipolarer Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 3 V, 32 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Latch, bipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.31 грн |
| 500+ | 20.29 грн |
| 1000+ | 17.97 грн |
| 2500+ | 16.79 грн |
| 5000+ | 15.96 грн |
| CY8CKIT-024 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CKIT-024 - Capsense Proximity-Shield, für PSOC Pioneer-Entwicklungsboards von Cypress
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Näherungssensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: PSoC 4000, PSoC 4200
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY8CKIT-024 - Capsense Proximity-Shield, für PSOC Pioneer-Entwicklungsboards von Cypress
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Näherungssensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: PSoC 4000, PSoC 4200
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4684.44 грн |































