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REF5QR4780BG115W1TOBO1 REF5QR4780BG115W1TOBO1 INFINEON Infineon-12V_and_5V_SMPS_reference_board_with_CoolSET_ICE5QR4780BG-1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019488aa02184f30 Description: INFINEON - REF5QR4780BG115W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR4780BG-1, CoolSET, 15W, AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR4780BG-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
Prozessorfamilie: CoolSET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5QR4780BG-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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REF5QR0680BG142W1TOBO1 REF5QR0680BG142W1TOBO1 INFINEON Infineon-12V_and_5V_SMPS_reference_board_with_ICE5QR0680BG-1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019488aa24c94f57 Description: INFINEON - REF5QR0680BG142W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR0680BG-1, CoolSET, 42W, AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR0680BG-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
Prozessorfamilie: CoolSET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5QR0680BG-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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REF5QR2280BG124W1TOBO1 REF5QR2280BG124W1TOBO1 INFINEON Infineon-12V_and_5V_SMPS_reference_board_with_CoolSET_ICE5QR2280BG-1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019488aa1f324f4f Description: INFINEON - REF5QR2280BG124W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR2280BG-1, CoolSET, 24W, AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR2280BG-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
Prozessorfamilie: CoolSET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5QR2280BG-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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KITCSKBGT60UTR11AIPTOBO1 KITCSKBGT60UTR11AIPTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - KITCSKBGT60UTR11AIPTOBO1 - Evaluationsboard, BGT60UTR11AIP, Internet of Things (IoT)
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BGT60UTR11AIP
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT60UTR11AIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON fundamentals-of-power-semiconductors Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON fundamentals-of-power-semiconductors Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPT60R022S7XTMA1 IPT60R022S7XTMA1 INFINEON 3092711.pdf Description: INFINEON - IPT60R022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPT60R022S7XTMA1 IPT60R022S7XTMA1 INFINEON 3092711.pdf Description: INFINEON - IPT60R022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPT65R125CFD7XTMA1 IPT65R125CFD7XTMA1 INFINEON Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0 Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
товару немає в наявності
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IPT65R125CFD7XTMA1 IPT65R125CFD7XTMA1 INFINEON Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0 Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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ISC023N03LF2SATMA1 ISC023N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC023N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912f66941021 Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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BTS500051LUAAUMA1 BTS500051LUAAUMA1 INFINEON 3938577.pdf Description: INFINEON - BTS500051LUAAUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, AEC-Q100, 1 Ausgang, 150A, 0.0006 Ohm
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 600µohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 150A
IC-Gehäuse / Bauform: HSOF
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 18V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: HSOF
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYTVII-B-H-8M-176-CPU CYTVII-B-H-8M-176-CPU INFINEON infineon-002-25907-0c-cytvii-b-h-8m-176-cpu-evaluation-board-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - CYTVII-B-H-8M-176-CPU - Evaluationsboard, CYT4BF8C, 32 Bit, ARM Cortex-M0+/Cortex-M7F
tariffCode: 84715000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BF8C
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
Prozessorfamilie: Traveo II
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT4BF8C
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYTVII-B-H-4M-176-CPU CYTVII-B-H-4M-176-CPU INFINEON Description: INFINEON - CYTVII-B-H-4M-176-CPU - Evaluationsboard, CYT4BB, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 84715000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BB
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
Prozessorfamilie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT4BB
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 INFINEON 3180285.pdf Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 51.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 11.7A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 INFINEON 3180285.pdf Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 INFINEON 2354721.pdf Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0924NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceae245448f5 Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPD15N06S2L64ATMA2 IPD15N06S2L64ATMA2 INFINEON Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 15885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPD15N06S2L64ATMA2 IPD15N06S2L64ATMA2 INFINEON Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 15885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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TLE824533SAAUMA1 TLE824533SAAUMA1 INFINEON INFN-S-A0001300163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE824533SAAUMA1 - LEISTUNGSSCHALTER HIGH/LOW-SIDE, 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.25ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4.3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 3Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side, Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 17V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 INFINEON INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 INFINEON INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IKP20N65F5XKSA1 IKP20N65F5XKSA1 INFINEON 4162914.pdf Description: INFINEON - IKP20N65F5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.6 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPP023N10N5XKSA1 IPP023N10N5XKSA1 INFINEON 4425947.pdf Description: INFINEON - IPP023N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IAUCN10S7N040ATMA1 IAUCN10S7N040ATMA1 INFINEON 4426401.pdf Description: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 INFINEON Infineon-IGD08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb76e273270 Description: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 INFINEON 4406523.pdf Description: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CY15B256Q-SXAT CY15B256Q-SXAT INFINEON CYPR-S-A0002475405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15B256Q-SXAT - FRAM, 256kB, SPI, 40MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPB95R130PFD7ATMA1 IPB95R130PFD7ATMA1 INFINEON 4162919.pdf Description: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPB95R130PFD7ATMA1 IPB95R130PFD7ATMA1 INFINEON 4162919.pdf Description: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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EVALM3CM615PNTOBO2 EVALM3CM615PNTOBO2 INFINEON 3600262.pdf Description: INFINEON - EVALM3CM615PNTOBO2 - Evaluationsboard, IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF, 3-Phasen-Motorsteuerung, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TPM9673FW2624RPIEBTOBO1 INFINEON 4520223.pdf Description: INFINEON - TPM9673FW2624RPIEBTOBO1 - DEVELOPMENT BOARDS AND EVALUATION KITS
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL064LABMFM013 S25FL064LABMFM013 INFINEON infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - S25FL064LABMFM013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Taktfrequenz: 108MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz, max.: 108MHz
MSL: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
usEccn: 3A991.b.1.a
Speichergröße: 64Mbit
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schnittstellen: SPI
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
IC-Schnittstelle: SPI
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Flash-Speicher: Serial-NOR
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 64Mbit
Zugriffszeit: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL064LABMFM013 S25FL064LABMFM013 INFINEON infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - S25FL064LABMFM013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON 3959527.pdf Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 INFINEON BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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BSC070N10LS5ATMA1 BSC070N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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BSC070N10LS5ATMA1 BSC070N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
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BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03LSCGATMA1 INFINEON INFNS13688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 5791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03LSCGATMA1 INFINEON INFNS13688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 5791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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BSC0704LSATMA1 BSC0704LSATMA1 INFINEON 3049652.pdf Description: INFINEON - BSC0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.0077 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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CY8CPROTO-040T-MS CY8CPROTO-040T-MS INFINEON Infineon-CY8CPROTO-040T-MS_release_notes-UserManual-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019466a755f979fd Description: INFINEON - CY8CPROTO-040T-MS - Prototyping-Kit CY8C4046LQI-T452, mehrere Sensoren, kapazitiv/induktiv/Flüssigkeitsstand/Hover Touch
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Prototyping-Kit mit mehreren Sensoren
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Multi-Sense-Steuerplatine PSOC 4000T, induktives Tastenfeld-2/4 & Flüssigkeitsstandssensor/Hover Touch-Exp.-Board
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Kapazitive/induktive/Flüssigkeitsstandserkennung, Hover-Touch-Technologie
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: CY8C4046LQI-T452
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSZ033NE2LS5ATMA1 BSZ033NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820 Description: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2700 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPT65R040CFD7XTMA1 IPT65R040CFD7XTMA1 INFINEON 3968268.pdf Description: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 347W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPT65R040CFD7XTMA1 IPT65R040CFD7XTMA1 INFINEON 3968268.pdf Description: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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ISZ113N10NM5LF2ATMA1 ISZ113N10NM5LF2ATMA1 INFINEON 4032189.pdf Description: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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ISZ113N10NM5LF2ATMA1 ISZ113N10NM5LF2ATMA1 INFINEON 4032189.pdf Description: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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XMC1100T016F0064ABXUMA1 XMC1100T016F0064ABXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002364739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1100T016F0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC™, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 64KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 16KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 6Kanäle
MCU-Familie: XMC
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: XMC11xx
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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XMC1100T016F0064ABXUMA1 XMC1100T016F0064ABXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002364739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1100T016F0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC™, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 64KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 16KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 6Kanäle
MCU-Familie: XMC
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: XMC11xx
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 87 шт
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XMC1301T038F0032ABXUMA1 XMC1301T038F0032ABXUMA1 INFINEON INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1301T038F0032ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 32KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 38Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 16KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 16Kanäle
MCU-Familie: XMC
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: XMC13xx
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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TLE9241QUXUMA1 TLE9241QUXUMA1 INFINEON 3760040.pdf Description: INFINEON - TLE9241QUXUMA1 - IC ÜBERTRAGUNGSSTEUERUNG, 150°C, TQFP-48
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Automatikgetriebesteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9241QUXUMA1 TLE9241QUXUMA1 INFINEON 3760040.pdf Description: INFINEON - TLE9241QUXUMA1 - IC ÜBERTRAGUNGSSTEUERUNG, 150°C, TQFP-48
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Automatikgetriebesteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IDV30E65D2XKSA1 IDV30E65D2XKSA1 INFINEON Infineon-IDV30E65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c4f02e53ec6 Description: INFINEON - IDV30E65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.2 V, 42 ns, 180 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.2V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IDW30G65C5XKSA1 IDW30G65C5XKSA1 INFINEON IDW30G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4b3a2b221ca Description: INFINEON - IDW30G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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REF5QR4780BG115W1TOBO1 Infineon-12V_and_5V_SMPS_reference_board_with_CoolSET_ICE5QR4780BG-1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019488aa02184f30
REF5QR4780BG115W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5QR4780BG115W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR4780BG-1, CoolSET, 15W, AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR4780BG-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
Prozessorfamilie: CoolSET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5QR4780BG-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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REF5QR0680BG142W1TOBO1 Infineon-12V_and_5V_SMPS_reference_board_with_ICE5QR0680BG-1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019488aa24c94f57
REF5QR0680BG142W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5QR0680BG142W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR0680BG-1, CoolSET, 42W, AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR0680BG-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
Prozessorfamilie: CoolSET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5QR0680BG-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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REF5QR2280BG124W1TOBO1 Infineon-12V_and_5V_SMPS_reference_board_with_CoolSET_ICE5QR2280BG-1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019488aa1f324f4f
REF5QR2280BG124W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5QR2280BG124W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR2280BG-1, CoolSET, 24W, AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR2280BG-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
Prozessorfamilie: CoolSET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5QR2280BG-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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KITCSKBGT60UTR11AIPTOBO1
KITCSKBGT60UTR11AIPTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITCSKBGT60UTR11AIPTOBO1 - Evaluationsboard, BGT60UTR11AIP, Internet of Things (IoT)
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BGT60UTR11AIP
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT60UTR11AIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSZ036NE2LSATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BSZ036NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSZ036NE2LSATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BSZ036NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPT60R022S7XTMA1 3092711.pdf
IPT60R022S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPT60R022S7XTMA1 3092711.pdf
IPT60R022S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0
IPT65R125CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
товару немає в наявності
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IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0
IPT65R125CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
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ISC023N03LF2SATMA1 Infineon-ISC023N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912f66941021
ISC023N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
IRLL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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BTS500051LUAAUMA1 3938577.pdf
BTS500051LUAAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS500051LUAAUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, AEC-Q100, 1 Ausgang, 150A, 0.0006 Ohm
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 600µohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 150A
IC-Gehäuse / Bauform: HSOF
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 18V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: HSOF
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IAUC100N04S6L014ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def
IAUC100N04S6L014ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IAUC100N04S6L014ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def
IAUC100N04S6L014ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYTVII-B-H-8M-176-CPU infineon-002-25907-0c-cytvii-b-h-8m-176-cpu-evaluation-board-usermanual-en.pdf
CYTVII-B-H-8M-176-CPU
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYTVII-B-H-8M-176-CPU - Evaluationsboard, CYT4BF8C, 32 Bit, ARM Cortex-M0+/Cortex-M7F
tariffCode: 84715000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BF8C
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
Prozessorfamilie: Traveo II
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT4BF8C
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYTVII-B-H-4M-176-CPU
CYTVII-B-H-4M-176-CPU
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYTVII-B-H-4M-176-CPU - Evaluationsboard, CYT4BB, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 84715000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BB
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
Prozessorfamilie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT4BB
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IKD06N60RC2ATMA1 3180285.pdf
IKD06N60RC2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 51.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 11.7A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IKD06N60RC2ATMA1 3180285.pdf
IKD06N60RC2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSC0924NDIATMA1 2354721.pdf
BSC0924NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSC0924NDIATMA1 Infineon-BSC0924NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceae245448f5
BSC0924NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t
IPD15N06S2L64ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 15885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t
IPD15N06S2L64ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 15885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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TLE824533SAAUMA1 INFN-S-A0001300163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE824533SAAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE824533SAAUMA1 - LEISTUNGSSCHALTER HIGH/LOW-SIDE, 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.25ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4.3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 3Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side, Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 17V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IDK08G65C5XTMA2 INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK08G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IDK08G65C5XTMA2 INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK08G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IKP20N65F5XKSA1 4162914.pdf
IKP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP20N65F5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.6 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPP023N10N5XKSA1 4425947.pdf
IPP023N10N5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP023N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IAUCN10S7N040ATMA1 4426401.pdf
IAUCN10S7N040ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IGD08N120S7ATMA1 Infineon-IGD08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb76e273270
IGD08N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IGD08N120S7ATMA1 4406523.pdf
IGD08N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CY15B256Q-SXAT CYPR-S-A0002475405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY15B256Q-SXAT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B256Q-SXAT - FRAM, 256kB, SPI, 40MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPB95R130PFD7ATMA1 4162919.pdf
IPB95R130PFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPB95R130PFD7ATMA1 4162919.pdf
IPB95R130PFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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EVALM3CM615PNTOBO2 3600262.pdf
EVALM3CM615PNTOBO2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM3CM615PNTOBO2 - Evaluationsboard, IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF, 3-Phasen-Motorsteuerung, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TPM9673FW2624RPIEBTOBO1 4520223.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TPM9673FW2624RPIEBTOBO1 - DEVELOPMENT BOARDS AND EVALUATION KITS
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL064LABMFM013 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
S25FL064LABMFM013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFM013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Taktfrequenz: 108MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz, max.: 108MHz
MSL: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
usEccn: 3A991.b.1.a
Speichergröße: 64Mbit
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schnittstellen: SPI
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
IC-Schnittstelle: SPI
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Flash-Speicher: Serial-NOR
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 64Mbit
Zugriffszeit: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL064LABMFM013 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
S25FL064LABMFM013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFM013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSC0503NSIATMA1 INFN-S-A0001299545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0503NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSC0503NSIATMA1 INFN-S-A0001299545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0503NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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BSC060N10NS3GATMA1 3959527.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39
BSC077N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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BSC070N10LS5ATMA1 Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d
BSC070N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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BSC070N10LS5ATMA1 Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d
BSC070N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 21 шт
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BSC079N03LSCGATMA1 INFNS13688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC079N03LSCGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 5791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSC079N03LSCGATMA1 INFNS13688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC079N03LSCGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 5791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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BSC0704LSATMA1 3049652.pdf
BSC0704LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.0077 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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CY8CPROTO-040T-MS Infineon-CY8CPROTO-040T-MS_release_notes-UserManual-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019466a755f979fd
CY8CPROTO-040T-MS
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CPROTO-040T-MS - Prototyping-Kit CY8C4046LQI-T452, mehrere Sensoren, kapazitiv/induktiv/Flüssigkeitsstand/Hover Touch
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Prototyping-Kit mit mehreren Sensoren
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Multi-Sense-Steuerplatine PSOC 4000T, induktives Tastenfeld-2/4 & Flüssigkeitsstandssensor/Hover Touch-Exp.-Board
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Kapazitive/induktive/Flüssigkeitsstandserkennung, Hover-Touch-Technologie
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: CY8C4046LQI-T452
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820
BSZ033NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2700 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPT65R040CFD7XTMA1 3968268.pdf
IPT65R040CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 347W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPT65R040CFD7XTMA1 3968268.pdf
IPT65R040CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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ISZ113N10NM5LF2ATMA1 4032189.pdf
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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ISZ113N10NM5LF2ATMA1 4032189.pdf
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1100T016F0064ABXUMA1 INFN-S-A0002364739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1100T016F0064ABXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1100T016F0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC™, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 64KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 16KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 6Kanäle
MCU-Familie: XMC
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: XMC11xx
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1100T016F0064ABXUMA1 INFN-S-A0002364739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1100T016F0064ABXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1100T016F0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC™, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 64KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 16KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 6Kanäle
MCU-Familie: XMC
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: XMC11xx
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 87 шт
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XMC1301T038F0032ABXUMA1 INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1301T038F0032ABXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1301T038F0032ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 32KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 38Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 16KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 16Kanäle
MCU-Familie: XMC
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: XMC13xx
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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TLE9241QUXUMA1 3760040.pdf
TLE9241QUXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9241QUXUMA1 - IC ÜBERTRAGUNGSSTEUERUNG, 150°C, TQFP-48
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Automatikgetriebesteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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TLE9241QUXUMA1 3760040.pdf
TLE9241QUXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9241QUXUMA1 - IC ÜBERTRAGUNGSSTEUERUNG, 150°C, TQFP-48
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Automatikgetriebesteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IDV30E65D2XKSA1 Infineon-IDV30E65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c4f02e53ec6
IDV30E65D2XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDV30E65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.2 V, 42 ns, 180 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.2V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IDW30G65C5XKSA1 IDW30G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4b3a2b221ca
IDW30G65C5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW30G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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