Продукція > SSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM6N7002BFE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N7002BFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFU(T5L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFU,LF(TToshibaMOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.2A 60V 2-in-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET 2-in-1
на замовлення 138773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 5059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.83 грн
100+5.47 грн
500+3.76 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF транзистор
Код товару: 214008
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N7002CFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N7002CFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1795+7.88 грн
2193+6.45 грн
2270+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 1795 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFULF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002FUTOSHIBA
на замовлення 189950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002FU(LFT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002FUTE85LFToshibaMOSFET SMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A Automotive 6-Pin US T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 272740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
33+9.21 грн
50+6.60 грн
100+5.38 грн
500+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A Automotive 6-Pin US T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.39 грн
9000+2.42 грн
24000+2.39 грн
45000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.17 грн
9000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.05 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.05 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXHToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXHToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.77 грн
100+9.94 грн
500+6.95 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXHToshibaMOSFETs SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXH(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LXH(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXH(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LXH(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFULF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFULXG(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFULXH(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET Dual N-ch VDSS=100V, VGSS=+/-20V, RDS(@4.5V)=0.154Ohm, ID=3.5A
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
13+23.47 грн
100+16.73 грн
500+14.30 грн
1000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.80 грн
100+30.74 грн
500+22.38 грн
1000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LXHFToshibaMOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F
на замовлення 4562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N813R,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N813R,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.112ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815RToshibaTransistor MOSFET N-CH; 1,8W; 100V; 2A; -55°C ~ 150°C; Replacement: SSM6N815R,LF(T; SSM6N815R,LF; SSM6N815RLFT-TOS-0; SSM6N815R TSSM6n815r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815RToshibaTransistor MOSFET N-CH; 1,8W; 100V; 2A; -55°C ~ 150°C; Replacement: SSM6N815R,LF(T; SSM6N815R,LF; SSM6N815RLFT-TOS-0; SSM6N815R TSSM6n815r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
на замовлення 6957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.85 грн
50+23.31 грн
100+19.25 грн
500+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V
на замовлення 74148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 2A 6-Pin TSOP-F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 2A 6-Pin TSOP-F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815R,LF
Код товару: 149006
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N951L,EFFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N951L,EFFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N951L,EFFToshibaMOSFETs N-ch x 2 Common-drain MOSFET, 12V, 8A, 0.0051 Ohm@4.5V, TCSP6A-172101
на замовлення 5888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P05FUTOSHIBA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.90 грн
12000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F)ToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 34620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+22.12 грн
50+15.97 грн
100+13.13 грн
500+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6P15FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 12ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TR3SONYF)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 8505 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE-TE85L
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FUTOSHIBA
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/PwrMgmt2n1 US6 (SOT-363)
на замовлення 8187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.07 грн
6000+3.62 грн
9000+3.26 грн
15000+3.01 грн
21000+3.00 грн
30000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 49726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+13.06 грн
100+8.16 грн
500+5.67 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P16FE
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P16FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: ES6
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35A
Код товару: 177705
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.57 грн
100+9.11 грн
500+6.34 грн
1000+5.63 грн
2000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFE,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A
на замовлення 5070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFE,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFELF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 6-Pin US T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.03 грн
44+17.40 грн
46+16.49 грн
100+8.30 грн
250+7.60 грн
500+6.40 грн
1000+5.79 грн
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.72 грн
100+11.83 грн
500+8.29 грн
1000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35FE,LMToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LMToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+16.00 грн
100+10.02 грн
500+6.99 грн
1000+6.20 грн
2000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FELM(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36TU,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/HiSpeed2n1 UF6 (SOT-363F)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
6000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 6466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+22.12 грн
100+14.05 грн
500+9.91 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TUToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+26.34 грн
100+16.82 грн
500+11.93 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-1.5A, RDS(ON)=0.213Ohm at 4V, in UF6 package
на замовлення 5711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TU,LF(BToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TU,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A 6-Pin UF
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TU,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A 6-Pin UF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+18.62 грн
788+17.95 грн
1000+17.37 грн
2500+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6P39TU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 1.5 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.213ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.