Продукція > IAU

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IAUTN15S6N038TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N038TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N038TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.94 грн
10+347.65 грн
25+321.81 грн
100+275.38 грн
250+262.68 грн
500+255.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ18N10S5L420ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ18N10S5L420ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+50.04 грн
100+32.97 грн
500+24.05 грн
1000+21.83 грн
2000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ18N10S5L420ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ20N08S5L300ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+48.46 грн
100+31.87 грн
500+23.24 грн
1000+21.09 грн
2000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ20N08S5L300ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 6449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ20N08S5L300ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N06S5L140ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZ30N06S5L140ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0112 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.06 грн
500+26.64 грн
1000+20.41 грн
5000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N06S5L140ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N06S5L140ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TSDSON-8-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+48.91 грн
100+32.15 грн
500+23.38 грн
1000+21.19 грн
2000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N06S5L140ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZ30N06S5L140ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0112 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.77 грн
18+46.33 грн
100+34.06 грн
500+26.64 грн
1000+20.41 грн
5000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N06S5L140ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TSDSON-8-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.20 грн
10000+17.18 грн
15000+16.51 грн
25000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N08S5N186ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N08S5N186ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.68 грн
100+34.78 грн
500+25.43 грн
1000+23.11 грн
2000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N08S5N186ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45.5W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.66 грн
500+44.53 грн
1000+34.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 17381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 120A; 45.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 45.5W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45.5W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.79 грн
11+78.11 грн
100+56.66 грн
500+44.53 грн
1000+34.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+57.97 грн
100+38.37 грн
500+28.10 грн
1000+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050Infineon Technologies MOSFET_)40V 60V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050Infineon TechnologiesIAUZ40N06S5L050
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.12 грн
136+104.24 грн
250+100.06 грн
500+93.00 грн
1000+83.30 грн
2500+77.60 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+75.18 грн
100+50.38 грн
500+37.30 грн
1000+34.09 грн
2000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+60.91 грн
1000+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 252A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+60.91 грн
1000+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.51 грн
10000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.69 грн
50+92.66 грн
250+61.86 грн
1000+37.89 грн
3000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 10981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.66 грн
250+61.86 грн
1000+37.89 грн
3000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.19 грн
19+43.73 грн
100+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 9529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+74.50 грн
100+49.88 грн
500+36.91 грн
1000+33.73 грн
2000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.5nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 241A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1099 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+59.40 грн
100+39.35 грн
500+28.85 грн
1000+26.25 грн
2000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1099 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.34 грн
10000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+84.91 грн
100+56.77 грн
500+41.96 грн
1000+38.32 грн
2000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5L120ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5L120ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1589 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5L120ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1589 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+71.78 грн
100+48.13 грн
500+35.65 грн
1000+32.59 грн
2000+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZ40N10S5N130ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.32 грн
20+41.94 грн
100+40.24 грн
500+33.81 грн
1000+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.12 грн
10000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 8088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZ40N10S5N130ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0108ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.55 грн
500+31.70 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L012ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L012ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 199A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3686 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+70.80 грн
100+47.47 грн
500+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L012ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 199A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3686 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L019ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L025ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L025ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1954 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+54.27 грн
100+35.91 грн
500+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L025ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1954 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L030ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L030ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L030ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+68.84 грн
100+45.56 грн
500+33.38 грн
1000+30.36 грн
2000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L046ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.70 грн
500+24.98 грн
1000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L046ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj)
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.49 грн
10000+21.94 грн
15000+21.10 грн
25000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L046ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.87 грн
18+45.84 грн
100+31.70 грн
500+24.98 грн
1000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L046ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj)
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+61.82 грн
100+40.69 грн
500+29.68 грн
1000+26.94 грн
2000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N013ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.33 грн
500+38.57 грн
1000+33.37 грн
5000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N013ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N013ATMA2Infineon Technologies 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology
на замовлення 3088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N013ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.31 грн
14+58.20 грн
100+46.33 грн
500+38.57 грн
1000+33.37 грн
5000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N013ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+70.80 грн
100+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N020ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IAUZN04S7N020ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.92 грн
12+68.52 грн
100+45.68 грн
500+33.29 грн
1000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N026ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N026ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.10 грн
15+55.52 грн
100+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N032ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N049ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.93mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.66 грн
100+32.70 грн
500+23.85 грн
1000+21.65 грн
2000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N049ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.87 грн
18+45.84 грн
100+31.70 грн
500+24.98 грн
1000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N049ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.93mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.68 грн
10000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N049ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.70 грн
500+24.98 грн
1000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN08S7L177ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 3493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN08S7N046ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN10S7L289ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 3493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN10S7N078ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1839 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.06 грн
10+111.86 грн
100+75.88 грн
500+56.75 грн
1000+52.10 грн
2000+48.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN10S7N078ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN10S7N078ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1839 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11