Продукція > SCT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCT3060ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1277.03 грн
13+1129.18 грн
25+981.33 грн
30+898.29 грн
50+809.36 грн
100+757.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11ROHM - JapanSiC-N-Ch 650V 39A 165W 0,078R TO247 SCT3060ALGC11 : Rohm SCT3060ALGC11 TSCT3060algc11
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+1172.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1277.03 грн
13+1129.18 грн
25+981.33 грн
30+898.29 грн
50+809.36 грн
100+757.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1612.99 грн
10+1563.77 грн
20+1467.42 грн
50+1326.49 грн
100+1246.68 грн
250+1223.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1646.79 грн
30+1043.39 грн
120+1017.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1455.18 грн
30+1423.35 грн
120+1345.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1455.18 грн
30+1423.35 грн
120+1345.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1798.19 грн
30+1638.82 грн
120+1442.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3060ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 97A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 97A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ARC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 650V 39A N-CH SIC
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ARC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1462.60 грн
30+891.38 грн
120+813.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ARC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 650V 39A N-CH SIC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ARC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 39A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1035.42 грн
10+697.50 грн
50+569.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ARC15ROHMDescription: ROHM - SCT3060ARC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ARHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3060ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ARHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ARHRC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 39A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.79 грн
10+672.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1154.56 грн
10+880.76 грн
100+857.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+827.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 38A; Idm: 95A; 159W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 159W
Gate charge: 58nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...22V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 78mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3060AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 134W
Gate-source voltage: -4...22V
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.104Ω
Pulsed drain current: 75A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3080ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30A, 650V, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 134W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALGC11ROHM - JapanSiC-N-Ch 650V 30A 134W 0,104R TO247 SCT3080ALGC11 : Rohm SCT3080ALGC11 TSCT3080algc11
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+957.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+711.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.12 грн
30+536.93 грн
60+494.93 грн
120+431.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1360.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1310.27 грн
25+1249.78 грн
50+1199.48 грн
100+1115.86 грн
250+1001.16 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1432.03 грн
30+971.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1102.75 грн
25+1091.70 грн
50+1042.24 грн
100+851.54 грн
250+809.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALHRC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 30A; 134W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 134W
Gate-source voltage: -4...22V
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 892 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+1531.76 грн
5+993.80 грн
10+932.58 грн
30+892.32 грн
50+795.88 грн
100+790.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1131.02 грн
10+1111.75 грн
25+1100.60 грн
50+1050.74 грн
100+858.49 грн
250+815.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3080ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 134W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1268.71 грн
13+1149.51 грн
60+1101.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC14ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1074.53 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC14ROHMDescription: ROHM - SCT3080ARC14 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 134W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1171.79 грн
25+1117.69 грн
50+1072.71 грн
100+997.93 грн
250+895.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1482.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1051.33 грн
16+893.40 грн
50+845.58 грн
100+741.90 грн
200+694.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC15ROHMDescription: ROHM - SCT3080ARC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+953.61 грн
19+776.20 грн
25+741.08 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+825.36 грн
10+550.39 грн
50+446.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1166.84 грн
17+881.61 грн
50+781.43 грн
100+708.06 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARHRC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+788.52 грн
10+526.92 грн
450+449.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3080ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1145.94 грн
10+779.01 грн
100+595.97 грн
500+509.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080AW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3080AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080AW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080AW7TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 29A; 125W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Power dissipation: 125W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+896.84 грн
10+771.56 грн
30+730.46 грн
50+649.95 грн
100+644.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2210.31 грн
30+1402.36 грн
120+1225.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1358.36 грн
30+1296.37 грн
120+1174.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2210.31 грн
30+1402.36 грн
120+1225.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2210.31 грн
30+1402.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1639.74 грн
30+1001.62 грн
60+933.08 грн
120+821.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3080KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 31A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 165W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11ROHM - JapanSiC-N-Ch 1200V 31A 165W 0,104T TO247 SCT3080KLGC11 : Rohm SCT3080KLGC11 TSCT3080klgc11
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+1154.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1347.38 грн
30+1285.88 грн
120+1164.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2047.68 грн
10+1891.51 грн
25+1734.43 грн
30+1653.23 грн
50+1407.51 грн
120+1303.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1972.08 грн
30+1224.54 грн
60+1144.50 грн
120+1019.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3080KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2063.20 грн
10+1686.45 грн
25+1645.52 грн
50+1451.10 грн
100+1336.16 грн
250+1258.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2080.02 грн
10+1700.21 грн
25+1658.94 грн
50+1462.94 грн
100+1347.06 грн
250+1269.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2047.68 грн
10+1891.51 грн
25+1734.43 грн
30+1653.23 грн
50+1407.51 грн
120+1303.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRC14ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 31A; 165W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-4
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 744 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+1371.00 грн
9+1218.56 грн
10+1211.85 грн
20+1181.66 грн
30+1054.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1303.48 грн
30+780.65 грн
120+676.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3080KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRC15ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 31A; 165W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...22V
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+781.23 грн
10+664.21 грн
30+623.96 грн
50+554.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 80m 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1470.44 грн
10+1013.75 грн
100+787.47 грн
500+701.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 30A N-CH SIC
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3080KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KW7TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+1355.89 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1580.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120STMMOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.