Продукція > SCT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCT3060ARHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ARHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3060ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ARHRC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 39A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.79 грн
10+672.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3060AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+827.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 38A; Idm: 95A; 159W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 159W
Gate charge: 58nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...22V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 78mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1154.56 грн
10+880.76 грн
100+857.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALGC11ROHM - JapanSiC-N-Ch 650V 30A 134W 0,104R TO247 SCT3080ALGC11 : Rohm SCT3080ALGC11 TSCT3080algc11
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+957.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+898.25 грн
30+521.91 грн
120+446.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3080ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30A, 650V, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 134W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+958.61 грн
30+773.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3080ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 134W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1051.33 грн
16+893.40 грн
50+845.58 грн
100+741.90 грн
200+694.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC14ROHMDescription: ROHM - SCT3080ARC14 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1268.71 грн
13+1149.51 грн
60+1101.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1074.53 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1171.79 грн
25+1117.69 грн
50+1072.71 грн
100+997.93 грн
250+895.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1368.54 грн
30+829.06 грн
120+746.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.92 грн
10+551.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+953.61 грн
19+776.20 грн
25+741.08 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC15ROHMDescription: ROHM - SCT3080ARC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1166.84 грн
17+881.61 грн
50+781.43 грн
100+708.06 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3080ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARHRC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+783.81 грн
10+590.17 грн
450+421.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 125W
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+923.33 грн
10+651.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080AW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 125W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080AW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3080AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2210.31 грн
30+1402.36 грн
120+1225.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1403.29 грн
30+1339.50 грн
120+1213.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3080KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 31A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 165W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2210.31 грн
30+1402.36 грн
120+1225.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1639.74 грн
30+1001.62 грн
60+933.08 грн
120+821.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11ROHM - JapanSiC-N-Ch 1200V 31A 165W 0,104T TO247 SCT3080KLGC11 : Rohm SCT3080KLGC11 TSCT3080klgc11
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+1154.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2210.31 грн
30+1402.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1403.29 грн
30+1339.50 грн
120+1213.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3080KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2047.68 грн
10+1891.51 грн
25+1734.43 грн
30+1653.23 грн
50+1407.51 грн
120+1303.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1972.08 грн
30+1224.54 грн
60+1144.50 грн
120+1019.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2149.76 грн
10+1758.77 грн
25+1716.30 грн
50+1514.04 грн
100+1394.07 грн
250+1313.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2149.76 грн
10+1758.77 грн
25+1716.30 грн
50+1514.04 грн
100+1394.07 грн
250+1313.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2047.68 грн
10+1891.51 грн
25+1734.43 грн
30+1653.23 грн
50+1407.51 грн
120+1303.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1303.48 грн
30+780.65 грн
120+676.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3080KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 80m 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1470.44 грн
10+1013.75 грн
100+787.47 грн
500+701.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3080KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KW7TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 30A N-CH SIC
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; SiCFET
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: tube
Case: HIP247™
Mounting: THT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1580.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120STMMOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+1355.89 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1541.76 грн
30+943.51 грн
120+869.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+1355.89 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120
Код товару: 167630
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120D2STMicroelectronicsMOSFET PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120D2STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120D2STMicroelectronicsSilicon carbide Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120HSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 42A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120HSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120HSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120HSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: reel; tape
Case: H2PAK-2
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120HSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Nch 1200V 24A SiC TO-247N
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Power Dissipation (Max): 134W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tube
Grade: Automotive
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+897.47 грн
30+842.54 грн
120+807.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1450.06 грн
30+882.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105mohm 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3105KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.95 грн
10+564.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3105KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+725.81 грн
10+599.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105mohm 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Power Dissipation (Max): 125W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+734.43 грн
10+707.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+700.42 грн
25+597.86 грн
30+582.15 грн
50+551.55 грн
100+490.07 грн
250+465.72 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+477.15 грн
32+454.19 грн
120+423.14 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]