Продукція > SIH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SiHFR020-E3Vishay SiliconixSiHFR020-E3 IRFR020PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR020NT-
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR020NT-E3
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR024-E3Vishay SiliconixSiHFR024-E3 IRFR024PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
на замовлення 2568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024NT-E3
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024T-E3
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR110-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR110-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR110NT-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR110TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR110TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR110TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120-E3Vishay SiliconixSiHFR120-E3 IRFR120PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120-E3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 100V 7.7A N-CH MOSFET
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.58 грн
75+29.67 грн
150+26.37 грн
525+20.34 грн
1050+18.42 грн
2025+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120NT-E3
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120T-E3
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120TR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120TRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR1N60A-E3Vishay SiliconixSiHFR1N60A-E3 IRFR1N60APBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.24 грн
29+26.44 грн
30+25.53 грн
100+24.10 грн
500+21.92 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds TO-252 DPAK
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
551+25.53 грн
563+24.99 грн
573+24.55 грн
1000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 551 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR1N60AT-E3Vishay SiliconixSiHFR1N60AT-E3 IRFR1N60ATRPBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60ATR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60ATR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60ATR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60ATRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60ATRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60ATRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR210-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR210T-E3
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR210TRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.7A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR210TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR210TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR214-E3Vishay SiliconixSiHFR214-E3 IRFR214PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR214T-E3
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR220-E3Vishay SiliconixSiHFR220-E3 IRFR220PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 4736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR220TRVishay SiliconixSiHFR220TR IRFR220TRR DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR224T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR310-E3Vishay SiliconixSiHFR310-E3 IRFR310PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR310-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR310T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR310T-E3Vishay SiliconixSiHFR310T-E3 IRFR310TRPBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR310TR-E3Vishay SiliconixSiHFR310TR-E3 IRFR310TRRPBF N-CH 400V 1.7A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR310TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CH 400V TO252 SINGLE POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR310TRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR310TRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR320-E3Vishay SiliconixSiHFR320-E3 IRFR320PBF 400V 3.1A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 8135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.29 грн
10+54.26 грн
100+35.83 грн
500+26.17 грн
1000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320T-E3Vishay SiliconixSiHFR320T-E3 IRFR320TRPBF 400V 3.1A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320TR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.13 грн
10+50.18 грн
100+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320TRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320TRL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.29 грн
10+54.41 грн
100+36.02 грн
500+26.39 грн
1000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR420-E3Vishay SiliconixSiHFR420-E3 IRFR420PBF N-CH 500V 2.4A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420A-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420A-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420ATR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420ATRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR420T-E3Vishay SiliconixSiHFR420T-E3 IRFR420TRPBF N-CH 500V 2.4A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420TRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 4698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.20 грн
10+53.22 грн
100+35.22 грн
500+25.79 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR430A-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR430A-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR430ATR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR430ATR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]