Продукція > SiH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHFPS37N50A-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 144A; 446W; SUPER247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 446W
Case: SUPER247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+501.19 грн
5+400.35 грн
10+360.65 грн
30+321.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS37N50A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS37N50A-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFPS37N50A-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.13 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 446W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS37N50A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS37N50A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+548.87 грн
30+490.33 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS37N50A-GE3Vishay SiliconixDescription: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5579 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.57 грн
30+325.25 грн
60+297.15 грн
120+256.66 грн
510+221.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFPS38N60L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.12 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin Super-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin Super-247
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+376.98 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3Vishay SiliconixDescription: POWER MOSFET SUPER-247, 150 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin Super-247
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+376.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SPR247 600V 38A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N50L-GE3Vishay SiliconixDescription: POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N50L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SPR247 500V 46A N-CH MOSFET
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N50L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFPS40N50L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 46 A, 0.1 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N60K-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFPS40N60K-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.11 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 570W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N60K-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 40A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N60K-GE3Vishay SiliconixDescription: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.15 грн
30+344.71 грн
120+290.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N60K-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SPR247 600V 470 N-CH
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFPS43N50KVishay SiliconixSiHFPS43N50K IRFPS43N50KPBF TO-247AA(Super) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS43N50K-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V SUPER-247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS43N50K-GE3VishayMOSFETs SPR247 500V 47A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS43N50K-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin Super-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR010-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR014-E3Vishay SiliconixSiHFR014-E3 IRFR014PBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR014-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR014NT-
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR014NT-E3
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR014TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR014TR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR014TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR020-E3Vishay SiliconixSiHFR020-E3 IRFR020PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR020NT-
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR020NT-E3
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR024-E3Vishay SiliconixSiHFR024-E3 IRFR024PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
на замовлення 2568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.94 грн
10+56.78 грн
100+37.46 грн
500+27.37 грн
1000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024NT-E3
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024T-E3
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR110-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR110-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR110NT-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR110TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR110TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR110TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120-E3Vishay SiliconixSiHFR120-E3 IRFR120PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120-E3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120NT-E3
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120T-E3
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120TR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120TRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR1N60A-E3Vishay SiliconixSiHFR1N60A-E3 IRFR1N60APBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds TO-252 DPAK
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
551+25.59 грн
563+25.04 грн
573+24.60 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 551 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR1N60AT-E3Vishay SiliconixSiHFR1N60AT-E3 IRFR1N60ATRPBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60ATR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60ATR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60ATR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60ATRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60ATRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60ATRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR210-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR210T-E3
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR210TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR210TRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.7A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR210TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR214-E3Vishay SiliconixSiHFR214-E3 IRFR214PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR214T-E3
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR220-E3Vishay SiliconixSiHFR220-E3 IRFR220PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR220TRVishay SiliconixSiHFR220TR IRFR220TRR DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR224T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR310-E3Vishay SiliconixSiHFR310-E3 IRFR310PBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR310-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR310-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR310T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR310T-E3Vishay SiliconixSiHFR310T-E3 IRFR310TRPBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFR310TR-E3Vishay SiliconixSiHFR310TR-E3 IRFR310TRRPBF N-CH 400V 1.7A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR310TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 400V 1.7A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR310TR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR310TR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR310TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]