Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTP130N10TIXYSMOSFETs MOSFET Id130 BVdass100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.84 грн
10+468.72 грн
50+355.33 грн
100+318.40 грн
250+310.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.83 грн
50+370.89 грн
100+331.85 грн
500+274.79 грн
1000+247.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N055T2IXYSMOSFETs 140 Amps 0V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N12T2IXYSMOSFETs TO220 120V 140A N-CH TRENCH
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+600.69 грн
10+416.64 грн
100+292.62 грн
500+243.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N12T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 140A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.94 грн
50+307.71 грн
100+263.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP140P05T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 140 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+559.24 грн
5+467.39 грн
10+376.35 грн
50+264.17 грн
100+232.71 грн
250+227.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
Reverse recovery time: 53ns
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+541.90 грн
5+426.03 грн
50+365.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05TMOSFET P-CH 50V 140A TO-220B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+659.19 грн
50+351.85 грн
100+337.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T
Код товару: 124450
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05TIXYSMOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+572.24 грн
10+561.66 грн
50+282.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.48 грн
50+230.36 грн
100+210.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60PIXYSMOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.82 грн
10+245.98 грн
100+193.69 грн
500+184.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60PMIXYSMOSFETs TO220 600V 7A N-CH POLAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60PMIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 75W; TO220FP; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+418.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.83 грн
50+217.39 грн
100+200.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.19 грн
10+328.39 грн
100+214.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2IXYSMOSFETs TO220 600V 14A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP150N15X4 - MOSFET, N-CH, 150V, 150A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 150
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 480
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: X4-Class Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4IXYSMOSFETs TO220 150V 150A N-CH HIPER
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+620.20 грн
10+588.91 грн
50+326.76 грн
100+312.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+659.31 грн
3+553.51 грн
10+453.71 грн
25+387.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+642.73 грн
50+364.70 грн
100+339.23 грн
500+308.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP152N085T
Код товару: 94750
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP152N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+767.69 грн
5+596.28 грн
10+540.93 грн
50+437.78 грн
100+431.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+778.33 грн
50+419.12 грн
100+387.30 грн
500+311.24 грн
1000+309.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1002.24 грн
5+861.62 грн
10+720.99 грн
50+538.92 грн
100+473.77 грн
250+449.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+897.38 грн
10+499.97 грн
100+406.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 116ns
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+239.34 грн
50+177.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.47 грн
50+146.76 грн
100+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15TIXYSMOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.45 грн
10+159.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+325.93 грн
46+311.93 грн
50+300.04 грн
100+279.51 грн
250+250.95 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+325.93 грн
46+311.93 грн
50+300.04 грн
100+279.51 грн
250+250.95 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N04T2IXYSMOSFETs 160 Amps 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N04T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N075TIXYSMOSFETs MOSFET Id160 BVdass75
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 160A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+424.86 грн
50+377.16 грн
100+356.09 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10TMOSFET N-CH 100V 160A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10TIXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.14 грн
10+255.59 грн
100+195.08 грн
500+189.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+402.81 грн
10+259.98 грн
50+215.53 грн
100+209.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+203.90 грн
72+199.19 грн
100+192.72 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 6100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 430W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+434.06 грн
10+343.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+270.14 грн
56+255.62 грн
100+236.76 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.53 грн
50+201.83 грн
100+186.01 грн
500+153.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+264.58 грн
50+255.62 грн
100+236.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.94 грн
50+198.24 грн
100+191.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T
Код товару: 202698
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.93 грн
50+192.91 грн
100+176.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50PMOSFET N-CH 500V 16A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50PIXYSMOSFETs 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.15 грн
10+204.31 грн
100+162.34 грн
500+156.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP170N075T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+262.90 грн
55+260.68 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP170N075T2IXYSMOSFETs 170 Amps 75V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.71 грн
10+178.67 грн
100+151.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP170N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP170N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.98 грн
50+161.78 грн
100+146.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP170N075T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+307.98 грн
10+170.25 грн
50+169.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP170N13X4IXYSMOSFET IXTP170N13X4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP180N055TIXYSMOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP180N10TIXYSMOSFETs MOSFET Id180 BVdass100
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+536.48 грн
10+316.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP180N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP180N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.78 грн
50+293.43 грн
100+269.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP180N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP182N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18N60PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Gate charge: 39nC
Reverse recovery time: 62ns
On-state resistance: 0.12Ω
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+226.69 грн
10+181.15 грн
25+147.60 грн
50+117.41 грн
100+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10TIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+285.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.90 грн
50+135.02 грн
100+122.32 грн
500+93.91 грн
1000+87.21 грн
2000+81.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T
Код товару: 210499
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10TIXYSMOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.86 грн
10+129.00 грн
100+100.33 грн
500+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP18P10T. - MOSFET, P-CH, 100V, 18A, TO-220
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.24 грн
25+209.71 грн
100+134.93 грн
250+115.48 грн
500+97.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N100IXYSMOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.01 грн
50+156.51 грн
100+128.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N100PIXYSMOSFETs 1 Amps 1000V 14 Rds
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.22 грн
10+173.87 грн
100+121.23 грн
250+117.75 грн
500+100.33 грн
1000+85.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N120PIXYSMOSFETs 1 Amps 1200V 20 Rds
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.15 грн
10+191.49 грн
100+153.28 грн
500+151.19 грн
1000+148.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N80PIXYSMOSFETs Polar Power Mosfet 800V 1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R4N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]