Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTP06N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP06N120PIXYSMOSFETs 0.6 Amps 1200V 32 Rds
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP06N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS 1000V 800MA
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
10+215.91 грн
50+168.57 грн
100+143.91 грн
500+118.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.62 грн
50+100.36 грн
100+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N120PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1200V 25 Rds
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+181.47 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.8A; 50W; TO220AB; 900ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 25Ω
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 50W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.8A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2
Код товару: 208088
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+230.88 грн
10+133.79 грн
25+119.66 грн
50+113.01 грн
100+110.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+297.95 грн
58+244.58 грн
73+196.79 грн
100+165.10 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP08N50D2. - MOSFET, N-CH, 500V, 0.8A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.38 грн
10+172.76 грн
50+133.69 грн
100+113.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N04T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 34ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+244.30 грн
10+142.10 грн
50+124.64 грн
100+115.50 грн
250+103.04 грн
300+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N04T2IXYSMOSFETs 100 Amps 40V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N04T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP100N04T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 7000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchT2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N15X4IXYSMOSFETs TO220 150V 100A N-CH HIPER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+691.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP102N15TIXYSMOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP102N15TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB; 97ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 87nC
Reverse recovery time: 97ns
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 455W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10N60PIXYSMOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10N60PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.84 грн
50+196.29 грн
100+168.25 грн
500+140.35 грн
1000+120.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P15TIXYSMOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+679.81 грн
50+562.70 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50PMOSFET P-CH 500V 10A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 12276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.13 грн
10+439.90 грн
50+353.35 грн
100+305.50 грн
500+259.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+401.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055PIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+216.79 грн
77+184.55 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.64 грн
10+201.25 грн
50+156.24 грн
100+133.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2IXYSMOSFETs 110 Amps 55V 0.0066 Rds
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.57 грн
3+186.14 грн
5+165.36 грн
10+132.95 грн
15+116.34 грн
25+112.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N04T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO220AB; 35ns
Reverse recovery time: 35ns
Mounting: THT
Power dissipation: 200W
Gate charge: 58nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.1mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N04T2IXYSMOSFET 120 Amps 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N075T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO220AB; 50ns
Reverse recovery time: 50ns
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Gate charge: 78nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.7mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N075T2
Код товару: 207087
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N075T2IXYSMOSFETs 120 Amps 75V
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N075T2IXYS/LittelfuseP-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4740, Qg, нКл = 78, Rds = 7,7 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 250, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N20X4IXYSMOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N20X4LittelfuseIXTP120N20X4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N20X4IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X4-Class; N; 200V; 120A; 417W; TO220-3; 190ns
Reverse recovery time: 190ns
Mounting: THT
Power dissipation: 417W
Gate charge: 108nC
Polarisation: N
Technology: X4-Class
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: TO220-3
On-state resistance: 9.5mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N20X4IXYSDescription: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 (IXTP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+766.54 грн
10+509.75 грн
50+411.96 грн
100+357.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10mΩ
Reverse recovery time: 53ns
Power dissipation: 298W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -65V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065TIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065TIXYSMOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50PIXYSMOSFETs 12 Amps 500V 0.5 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+223.72 грн
3+186.14 грн
10+164.53 грн
50+148.74 грн
250+146.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.65 грн
50+196.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50PMIXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 6 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 1830, Qg, нКл = 29, Rds = 0,5 Ом, Ugs(th) = 5,5 В, Р, Вт = 50 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
50+159.71 грн
100+136.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50PMLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50PMIXYSMOSFETs 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2MIXYSMOSFETs TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2MLittelfuseX2-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 17.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Gate charge: 19nC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+298.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2IXYSMOSFETs TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 19nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2MIXYSMOSFETs TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N065T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 65V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N065T2IXYSMOSFET 130 Amps 65V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.78 грн
50+187.40 грн
100+170.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N10TIXYSMOSFETs MOSFET Id130 BVdass100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 67ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.41 грн
50+367.49 грн
100+328.81 грн
500+272.27 грн
1000+245.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N055T2IXYSMOSFETs 140 Amps 0V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N12T2IXYSMOSFETs TO220 120V 140A N-CH TRENCH
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N12T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.91 грн
50+304.89 грн
100+260.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.