Продукція > NVM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMFS9D6P04M8LT1GonsemiMOSFETs MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EXPANSION
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS9D6P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.02 грн
3000+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS9D6P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+82.12 грн
25+69.14 грн
100+51.09 грн
250+44.31 грн
500+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04CONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFSC0D9N04C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 690 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 690µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04ConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48.9A/313A 8DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48.9A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04CONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFSC0D9N04C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 166W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 690µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04ConsemiMOSFETs 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04CONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 310A; Idm: 900A; 166W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 310A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 166W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 870µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48.9A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+335.91 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04ConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48.9A/313A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04CLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04CLonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/316A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 316A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04CLonsemiMOSFETs 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04CLONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 316A; Idm: 900A; 83W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 316A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC0D9N04CLonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/316A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 316A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC1D6N06CLON SemiconductorDescription: 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC1D6N06CLONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFSC1D6N06CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 224 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 166W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC1D6N06CLON SemiconductorDescription: 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC1D6N06CLONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFSC1D6N06CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 224 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSC1D6N06CLonsemiMOSFETs 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSW6D1N08HT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+92.76 грн
100+72.16 грн
500+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSW6D1N08HT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+219.47 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSW6D1N08HT1GonsemiMOSFETs T8 80V 1 PART PROLI FERATI
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSW6D1N08HT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSW6D1N08HT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 89A; Idm: 468A; 104W; DFNW5
Case: DFNW5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Pulsed drain current: 468A
Power dissipation: 104W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 89A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD010N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD010N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 84W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 61A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 97µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.33 грн
10+153.98 грн
50+118.50 грн
100+100.49 грн
500+81.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD010N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 84W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 61A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 97µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+80.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.20 грн
10+151.86 грн
100+105.56 грн
500+80.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD016N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+75.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD020N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.23 грн
10+144.84 грн
50+111.32 грн
100+94.33 грн
500+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD020N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD020N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.01 грн
10+107.56 грн
50+81.74 грн
100+68.89 грн
500+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD020N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD024N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD024N06CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 24A; Idm: 85A; 14W; DFN8
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 14W
Gate charge: 5.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.74 грн
10+140.77 грн
50+108.01 грн
100+91.45 грн
500+74.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD027N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD027N10MCLT1GonsemiDescription: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET100 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.18 грн
3000+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD027N10MCLT1GonsemiDescription: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET100 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.47 грн
10+99.71 грн
50+75.51 грн
100+63.54 грн
500+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD030N06CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD030N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD040N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.09 грн
10+86.57 грн
50+65.29 грн
100+54.82 грн
500+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+42.05 грн
3000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS002N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS002N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 177A; Idm: 900A; 97W; DFN5
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 97W
Gate charge: 97nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 177A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS002N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS002N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL HE
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS003N10MCT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 169A; Idm: 900A; 97W; DFNW5
Kind of package: reel; tape
Case: DFNW5
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 97W
Gate charge: 62nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 169A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS003N10MCT1GonsemiDescription: PTNG 100V STD SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS003N10MCT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V STD SO8FL HE
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS003N10MCT1GonsemiDescription: PTNG 100V STD SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS003P03P8ZT1GonsemiDescription: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.60 грн
10+139.71 грн
100+97.16 грн
500+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS003P03P8ZT1GonsemiDescription: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS004N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFWS004N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 66 A, 4700 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS004N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+74.04 грн
100+49.50 грн
500+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS004N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.87 грн
3000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS004N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS004N10MCT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5DFN
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.98 грн
10+171.71 грн
100+120.12 грн
500+92.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS004N10MCT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V STD SO8FL
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS004N10MCT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 138A; Idm: 900A; 82W; DFN5
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 82W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 138A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS004N10MCT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+84.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS005N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS005N10MCLT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel100 V, 5.1 mohm, 108A Wettable flank option.
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS005N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; Idm: 695A; 65W; DFN5
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 695A
Power dissipation: 65W
Gate charge: 55nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 108A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 18.4A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS005N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS014N08XT1GonsemiDescription: POWERTRENCH T10 80V 13.8 M SO-8F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 32µA
Supplier Device Package: SO-8FL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS014N08XT1GonsemiMOSFETs T10 80V SG SO8FL PWF
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS014N08XT1GonsemiDescription: POWERTRENCH T10 80V 13.8 M SO-8F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 32µA
Supplier Device Package: SO-8FL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+44.76 грн
100+29.36 грн
500+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS014P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+70.19 грн
100+46.79 грн
500+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS014P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 12.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS014P04M8LT1GonsemiMOSFETs MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
на замовлення 17401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS014P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.94 грн
3000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS015N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47.1A; Idm: 259A; 23.8W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47.1A
Pulsed drain current: 259A
Power dissipation: 23.8W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS015N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 77µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.09 грн
10+86.57 грн
50+65.29 грн
100+54.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS015N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 77µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS015N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE FLANK FOR AUTOMOTIVE MARKET
на замовлення 8592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+102.35 грн
100+69.60 грн
500+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS016N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS016N06CT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 226A; 18W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 18W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 226A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.33 грн
3000+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS016N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 64µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.39 грн
3000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS016N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS016N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 243A; 32W; DFN5
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 243A
Power dissipation: 32W
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS016N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 64µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+79.18 грн
50+59.49 грн
100+49.86 грн
500+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS020N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.33 грн
10+97.67 грн
50+73.98 грн
100+62.26 грн
500+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS021N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS021N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 42µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS021N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; Idm: 159A; 24W; DFNW5
Kind of package: reel; tape
Case: DFNW5
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 159A
Power dissipation: 24W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.