Продукція > NVM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMJST1D4N06CLTXGonsemiDescription: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.12 грн
10+192.92 грн
50+149.78 грн
100+127.53 грн
500+107.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D4N06CLTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 58W
Case: TCPAK10
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D4N06CLTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
на замовлення 5782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D6N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 314A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D6N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 314A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D6N04CTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D1N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V SG TCPAK 5X7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D1N08XTXGonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWERTRENCH T10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 40 V
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.28 грн
10+167.86 грн
50+129.39 грн
100+109.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D1N08XTXGonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWERTRENCH T10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXGonsemiDescription: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.69 грн
10+232.47 грн
50+181.83 грн
100+155.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 131.5A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 131.5A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 58W
Case: TCPAK10
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXGonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXGonsemiDescription: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D8N08XTXGonsemiDescription: T10 80V SG TCPAK 5X7
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.42 грн
6000+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D8N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V SG TCPAK 5X7
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D8N08XTXGonsemiDescription: T10 80V SG TCPAK 5X7
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.79 грн
10+126.35 грн
50+96.28 грн
100+81.26 грн
500+65.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.87 грн
10+142.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N04CTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N08XTXGonsemiDescription: T10 80V SG TCPAK 5X7
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.09 грн
10+123.26 грн
50+93.82 грн
100+79.16 грн
500+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N08XTXGonsemiDescription: T10 80V SG TCPAK 5X7
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.75 грн
6000+52.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V SG TCPAK 5X7
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMK48PanduitRacks & Rack Cabinet Accessories Net-Verse Front/Rear Door Mounting Kit,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMK48Panduit CorpDescription: NET-VERSE FRONT/REAR DOOR MOUNTI
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Cabinets
Accessory Type: Locking Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMS10P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMS4816NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMS5P02R2GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.4A; Idm: -20A; 1.47W; SO8
Case: SO8
Power dissipation: 1.47W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMS5P02R2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMS5P02R2GonsemiMOSFETs PFET S08S 20V 5.4A 0.033R
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMS5P02R2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+78.20 грн
100+60.99 грн
500+47.28 грн
1000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMSD6N303R2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
на замовлення 24568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMSTOR-ULTRA-1-1.5TMobiveil TechnologiesDescription: NVME SSD EVALUATION BOARD, 8 NAN
Packaging: Box
For Use With/Related Products: XCZU19EG
Type: FPGA
Contents: Board(s)
Platform: Zynq UltraScale+ MPSoC NVMStor-Ultra PCIe Card
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+849106.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS001N06CLTXGonsemiMOSFETs T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS001N06CLTXGonsemiDescription: T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.9A (Ta), 398.2A (Tc)
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.03 грн
10+440.19 грн
100+330.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS001N06CLTXGonsemiDescription: T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.9A (Ta), 398.2A (Tc)
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+280.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS001N06CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 376A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.27 грн
10+392.94 грн
100+309.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS001N06CTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 376A; Idm: 900A; 122W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 376A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 122W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 910µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 113nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS001N06CTXGonsemiMOSFETs T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS001N06CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 376A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+262.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 553.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+367.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGOn SemiconductorMOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 553.8A; Idm: 900A; 122W; DFNW8
Drain current: 553.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFNW8
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 122W
Gate charge: 163nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 79.8A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL NCH
на замовлення 17923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 553.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.57 грн
10+549.86 грн
100+433.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 79.8A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 79.8A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+507.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 79.8A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 79.8A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+512.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 79.8A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.60 грн
10+563.60 грн
50+457.63 грн
100+421.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04Consemi T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXGonsemiDescription: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.03 грн
10+440.19 грн
100+330.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXGonsemiMOSFETs T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 78.9A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXGonsemiDescription: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+679.57 грн
10+449.02 грн
100+338.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 76A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CTXGonsemiMOSFETs T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 3162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 76A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N04CLTXG - Single N-Channel Power MOSFET 40V, 433A, 0.63m / REEL
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL NCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXGonsemiDescription: AFSM T6 40V LL NCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.63mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12238 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.00 грн
10+655.08 грн
100+545.88 грн
500+452.02 грн
1000+406.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXGonsemiDescription: AFSM T6 40V LL NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.63mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12238 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+421.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N04CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 512 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 512A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 205W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 433A; Idm: 900A; 103W; DFNW8
Case: DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 900A
Drain current: 433A
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 630µΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A/430A 8DFNW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 273W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 570µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 273W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 420A; Idm: 900A; 103W; DFNW8
Case: DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 900A
Drain current: 420A
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 670µΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A/430A 8DFNW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 62.2A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXGonsemiDescription: AFSM T6 60V LL NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.2A (Ta), 477A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 16300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL NCH
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 16300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXGonsemiDescription: AFSM T6 60V LL NCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.2A (Ta), 477A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+889.63 грн
10+596.88 грн
100+481.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V SG NCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60.5A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11535 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D0N04CLTXGonsemiDescription: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.3A (Ta), 291A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7408 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+186.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D0N04CLTXGonsemiDescription: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.3A (Ta), 291A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7408 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.72 грн
10+303.95 грн
50+240.60 грн
100+206.66 грн
500+194.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D0N04CLTXGonsemiMOSFETs T6 40V LL AIZU, SINGLE NCH, PQFN 8X8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D1N04CETXGonsemiDescription: T6 40V SL EFK SINGLE NCH PQFN 8X
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+253.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D1N04CETXGonsemiDescription: T6 40V SL EFK SINGLE NCH PQFN 8X
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.43 грн
10+406.53 грн
50+325.64 грн
100+281.20 грн
500+280.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D1N04CTXGonsemiDescription: T6 40V SL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.8A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.75 грн
10+415.21 грн
50+332.60 грн
100+287.22 грн
500+286.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D1N04CTXGonsemiMOSFETs T6 40V SL AIZU, SINGLE NCH, PQFN 8X8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D1N04CTXGonsemiDescription: T6 40V SL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.8A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D2N08HonsemiMOSFETs 80V 337A 1.1mOhms
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D2N08HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 337A; Idm: 900A; 150W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 147nC
Drain current: 337A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D2N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Ta), 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.56 грн
10+348.48 грн
50+277.14 грн
100+238.55 грн
500+229.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D2N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Ta), 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+207.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D2N08HON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D5N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 38A/273A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 258W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.05 грн
10+331.35 грн
50+262.36 грн
100+225.39 грн
500+200.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D5N08HonsemiMOSFETs T8-80V IN PQFN88 FOR AUTOMOTIVE
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.