Продукція > NVM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMTS001N06CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 376A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.27 грн
10+392.94 грн
100+309.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS001N06CTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 376A; Idm: 900A; 122W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 376A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 122W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 910µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 113nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 553.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
на замовлення 17242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.76 грн
10+537.41 грн
100+423.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 79.8A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL NCH
на замовлення 8753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 553.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+359.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 79.8A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGOn SemiconductorMOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 553.8A; Idm: 900A; 122W; DFNW8
Gate charge: 163nC
On-state resistance: 0.4mΩ
Power dissipation: 122W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 553.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 900A
Case: DFNW8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 79.8A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+507.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CLTXGONN
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXGON Semiconductor
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+812.82 грн
10+542.16 грн
100+427.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 79.8A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+512.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 79.8A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 79.8A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04Consemi T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 78.9A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXGonsemiDescription: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.03 грн
10+440.19 грн
100+330.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXGONN
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXGonsemiDescription: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXGonsemiMOSFETs T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 76A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CTXGonsemiMOSFETs T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 3162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+679.57 грн
10+449.02 грн
100+338.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 76A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL NCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 433A; Idm: 900A; 103W; DFNW8
Case: DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 900A
Drain current: 433A
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 630µΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXGonsemiDescription: AFSM T6 40V LL NCH
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.63mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 433A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12238 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+421.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXGON Semiconductor
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N04CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 512 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 512A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 205W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 205W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 570µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+644.59 грн
50+480.80 грн
100+410.37 грн
250+376.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXGonsemiDescription: AFSM T6 40V LL NCH
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12238 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.63mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 433A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.00 грн
10+655.08 грн
100+545.88 грн
500+452.02 грн
1000+406.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N04CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 512 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 512A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 205W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+900.63 грн
5+716.12 грн
10+644.59 грн
50+480.80 грн
100+410.37 грн
250+376.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A/430A 8DFNW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 273W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+717.74 грн
5+666.53 грн
10+552.73 грн
50+426.45 грн
100+368.57 грн
250+343.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A/430A 8DFNW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 420A; Idm: 900A; 103W; DFNW8
Case: DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 900A
Drain current: 420A
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 670µΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 273W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 570µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+552.73 грн
50+426.45 грн
100+368.57 грн
250+343.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXGONN
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXGonsemiDescription: AFSM T6 60V LL NCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.2A (Ta), 477A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+889.63 грн
10+596.88 грн
100+481.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 16300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+864.05 грн
5+734.00 грн
10+603.13 грн
50+522.31 грн
100+447.30 грн
250+438.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXGonsemiDescription: AFSM T6 60V LL NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.2A (Ta), 477A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 62.2A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 16300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+603.13 грн
50+522.31 грн
100+447.30 грн
250+438.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+603.94 грн
50+517.03 грн
100+436.85 грн
250+427.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+872.18 грн
5+738.06 грн
10+603.94 грн
50+517.03 грн
100+436.85 грн
250+427.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60.5A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11535 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V SG NCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D0N04CLTXGonsemiDescription: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.3A (Ta), 291A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7408 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.56 грн
10+270.82 грн
100+195.75 грн
500+183.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D0N04CLTXGonsemiDescription: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.3A (Ta), 291A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7408 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+165.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D0N04CLTXGonsemiMOSFETs T6 40V LL AIZU, SINGLE NCH, PQFN 8X8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D1N04CTXGonsemiMOSFETs T6 40V SL AIZU, SINGLE NCH, PQFN 8X8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D1N04CTXGonsemiDescription: T6 40V SL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.8A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+551.81 грн
10+361.99 грн
100+282.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D1N04CTXGonsemiDescription: T6 40V SL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.8A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D2N08HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 337A; Idm: 900A; 150W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 337A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 150W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 147nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D2N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Ta), 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.21 грн
10+308.40 грн
100+229.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D2N08HON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D2N08HONN
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D2N08HonsemiMOSFETs 80V 337A 1.1mOhms
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D2N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Ta), 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+194.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D5N08HonsemiMOSFETs T8-80V IN PQFN88 FOR AUTOMOTIVE
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D5N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 38A/273A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 258W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.69 грн
10+272.70 грн
100+197.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D5N08HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 273A; Idm: 900A; 129W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 273A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 129W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D5N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 38A/273A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 258W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8220 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D6N10MCTXGONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D6N10MCTXGonsemiDescription: PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+208.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D6N10MCTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 273A; Idm: 900A; 146W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 273A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 146W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D6N10MCTXGonsemiDescription: PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.78 грн
10+347.96 грн
100+254.08 грн
500+230.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D6N10MCTXGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 273A, 1.7mohm
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS4D3N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 4450 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 292W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+400.73 грн
50+328.33 грн
100+261.97 грн
250+256.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS4D3N15MConsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 292W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+216.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS4D3N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS4D3N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 4450 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+581.18 грн
5+490.96 грн
10+400.73 грн
50+328.33 грн
100+261.97 грн
250+256.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS4D3N15MConsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 292W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.67 грн
10+358.15 грн
100+261.96 грн
500+239.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS6D0N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS6D0N15MConsemiDescription: PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4815 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.45 грн
10+279.42 грн
100+201.33 грн
500+157.70 грн
1000+157.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS6D0N15MConsemiDescription: PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4815 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+173.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTSC1D3N08M7TXGON SemiconductorN Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTSC1D3N08M7TXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 287W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14530 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.94 грн
10+284.18 грн
100+206.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTSC1D3N08M7TXGonsemiMOSFETs PT7 80V DC PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 9444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTSC1D3N08M7TXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14530 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 287W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 348A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+175.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTSC4D3N15MCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 165A; Idm: 900A; 146W; TDFNW8
Power dissipation: 146W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TDFNW8
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 4.45mΩ
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTSC4D3N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL COOL FOR AUTOMOTIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTSC4D3N15MConsemiDescription: PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 292W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTSC4D3N15MConsemiDescription: PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 292W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS003N08LHTWGonsemiDescription: T8 80V LL LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3735 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 183µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 132A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS003N08LHTWGonsemiDescription: T8 80V LL LFPAK
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 183µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 132A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3735 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 14610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.31 грн
10+127.56 грн
100+89.92 грн
500+70.51 грн
1000+65.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS003N08LHTWGonsemiMOSFETs T8 80V LL LFPAK
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS005N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V LL LFPAK4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS005N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.17 грн
10+155.64 грн
25+132.57 грн
100+99.95 грн
250+87.94 грн
500+80.54 грн
1000+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS006N08LHTWGonsemiDescription: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.68 грн
10+86.65 грн
100+60.99 грн
500+48.54 грн
1000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS006N08LHTWGonsemiMOSFET MOSFET - Power, Single N-Channel, 80 V, 6.2 mohm, 77 A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS006N08LHTWGonsemiDescription: T8 80V LL LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS007N10MCLTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single N-Channel 100 V, 7 mohm, 83 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS007N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 141µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.68 грн
10+132.84 грн
25+112.73 грн
100+84.45 грн
250+73.97 грн
500+67.52 грн
1000+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]