Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTT140P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain current: -140A
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 400nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 568W
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1310.51 грн
12+1270.51 грн
20+1236.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N10D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N10D2MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N10D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT16N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.064 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 830
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 830
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N10D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N10D2IXYSMOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N10D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 16A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT16N20D2 - MOSFET, N-CH, 200V, 16A, TO-268
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1307.16 грн
5+1245.14 грн
10+1183.93 грн
25+1041.03 грн
100+907.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2IXYSMOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
на замовлення 330 шт:
термін постачання 434-443 дні (днів)
1+1133.19 грн
10+1116.21 грн
30+804.94 грн
60+774.56 грн
120+688.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2TRLIxys CorporationIXTT16N20D2TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8A, 0V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1485.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N50D2IXYSMOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1539.92 грн
10+1240.06 грн
120+949.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P20IXYSMOSFET -16 Amps -200V 0.16 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P20IXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 16A TO268
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: TO-268AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1425.72 грн
840+1411.74 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PIXYSMOSFETs -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1083.26 грн
10+964.58 грн
30+720.72 грн
60+720.03 грн
120+673.08 грн
270+645.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1425.72 грн
840+1411.74 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1042.24 грн
30+653.19 грн
120+564.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1767.53 грн
10+1459.27 грн
30+1185.41 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PP-Channel 600 V 16A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1396.98 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1385.11 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT170N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 170
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 715
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10PIXYSMOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO268
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1018.94 грн
30+596.53 грн
120+512.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P-TRIXYSMOSFETs IXTT170N10P TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P-TRLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N100IXYSMOSFET 1 Amps 1000V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HVIXYSMOSFETs DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2936.48 грн
10+2661.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3035.34 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2930.24 грн
10+2107.05 грн
100+2065.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3035.34 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT1N250HV - MOSFET, N-CH, 2.5KV, 1.5A, TO-268
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 40
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV-TRLIXYSMOSFETs IXTT1N250HV TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+2144.99 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N300P3HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 1A; 195W; TO268HV; 1.8us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
On-state resistance: 50Ω
Power dissipation: 195W
Drain-source voltage: 3kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 1.8µs
Drain current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N300P3HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT1N300P3HV - MOSFET, N-CH, 3KV, 1A, TO-268HV
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 3
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-268HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 50
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N300P3HVIXYSMOSFETs TO268 3KV 1A N-CH POLAR
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3310.99 грн
10+2634.93 грн
120+2136.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 1A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 25 V
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2951.21 грн
30+1921.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N450HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO268HV; 1.75us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 1.75µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 80Ω
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N450HVIXYSMOSFETs 4500V 1A HV Power MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4055.98 грн
10+3746.38 грн
120+2725.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N450HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N450HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 4.5KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N450HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 4.5KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N450HV.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT1N450HV. - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 1A, TO-268HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 hours
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85ohm
directShipCharge: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20N50DIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20N50DIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20N50DIXYSMOSFETs 20 Amps 500V 0.33 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1046.65 грн
10+960.74 грн
25+943.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1425.21 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50PIXYSMOSFETs -20.0 Amps -500V 0.450 Rds
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1061.51 грн
10+718.47 грн
120+595.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+709.24 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 20A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1180.12 грн
10+1064.45 грн
25+1044.13 грн
50+996.73 грн
100+820.46 грн
500+621.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1180.12 грн
14+1064.45 грн
25+1044.13 грн
50+996.73 грн
100+820.46 грн
500+621.68 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT20P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 20A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1190.38 грн
5+1084.07 грн
10+977.75 грн
25+810.69 грн
100+657.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT220N20X4HVIXYSMOSFETs TO268 200V 220A N-CH X4CLASS
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1349.85 грн
10+834.38 грн
120+675.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT220N20X4HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1297.75 грн
30+783.29 грн
120+700.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT220N20X4HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT220N20X4HV - Leistungs-MOSFET, Klasse X4, n-Kanal, 200 V, 220 A, 4100 µohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1359.51 грн
5+1190.38 грн
10+1021.24 грн
50+791.25 грн
100+711.74 грн
250+693.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT240N15X4HVIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT240N15X4HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 240A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1611.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24N50QIXYSMOSFETs 24 Amps 500V 0.23 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24P20IXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 24A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.04 грн
30+558.11 грн
120+478.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24P20LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24P20IXYSMOSFET 24 Amps 200V 11 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+852.92 грн
10+741.50 грн
30+627.52 грн
60+591.62 грн
120+557.11 грн
270+545.37 грн
510+534.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+743.24 грн
30+426.98 грн
120+363.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PIXYSMOSFETs 26 Amps 500V 0.23 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+294.08 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N60PIXYSMOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT2N170D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2015.36 грн
30+1265.97 грн
120+1228.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT2N170D2IXYSMOSFETs 1700V 2A
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2135.11 грн
10+1596.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT2N300P3HVIXYSMOSFETs TO268 3KV 30A N-CH POLAR
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3315.02 грн
10+3197.80 грн
30+2353.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT2N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 2A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3272.73 грн
30+2455.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT2N300P3HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT2N300P3HV - MOSFET, N-CH, 3KV, 2A, TO-268HV
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 3
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 520
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 520
Bauform - Transistor: TO-268HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 21
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50LIXYSMOSFETs 30 Amps 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1291.86 грн
10+795.48 грн
120+675.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1240.28 грн
30+745.70 грн
120+661.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50PIXYSMOSFETs 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]