Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTQ76N25T (транзистор)
Код товару: 87316
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ80N28TIXYS06+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ80N28TIXYSDescription: MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 82A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+652.08 грн
5+509.90 грн
10+452.03 грн
30+435.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 82A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+688.97 грн
30+393.09 грн
120+333.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25PIXYSMOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+926.68 грн
18+821.08 грн
30+790.72 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ86N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 86A TO3P
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ86N20TIXYSMOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ86N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 86A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ86N25TIXYSMOSFETs TO3P 250V 86A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N15IXYSMOSFET 88 Amps 450V 0.022 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N28TLittelfuseArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N28TТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1103.61 грн
30+650.95 грн
60+602.00 грн
120+526.35 грн
510+485.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ88N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30PIXYSMOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
на замовлення 538 шт:
термін постачання 308-317 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ90N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 96A TO3P
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N15PIXYSMOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 96A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+688.97 грн
30+393.09 грн
120+333.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N20PIXYSMOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 96A TO3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N25TIXYSMOSFET 96 Amps 250V 36 Rds
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ98N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 98A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ98N20TIXYSMOSFET 98 Amps 200V 26 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR102N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; 330W; ISOPLUS247™; 450ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 450ns
Power dissipation: 330W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 54A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 33mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR102N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1753.39 грн
30+1079.59 грн
120+946.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR102N65X2IXYSMOSFETs ISOPLUS 650V 54A N-CH X2CLASS
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR120P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR120P20TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR140P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 110A ISOPLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR140P10TIXYSMOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR140P10TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -110A; 270W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -110A
Power dissipation: 270W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Technology: TrenchP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR16P60PIXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR16P60PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -600V 0.790 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR170P10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1804.34 грн
30+1110.39 грн
120+1033.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR170P10PIXYSMOSFETs -108.0 Amps -100V 0.013 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR200N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR200N10PIXYSMOSFETs 133 Amps 100V 0.008 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR20P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR20P50PIXYSMOSFETs -13 Amps -500V 0.490 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR20P50PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -13A; 190W; 406ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: PolarP™
Drain current: -13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -500V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.49Ω
Reverse recovery time: 406ns
Power dissipation: 190W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+639.44 грн
3+528.35 грн
10+475.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10TIXYSMOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 390W
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -195A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 8mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2480.08 грн
3+2037.08 грн
10+1830.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 195A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1747.77 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR30N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR30N25IXYSMOSFETs 25 Amps 250V 0.075 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR32P60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR32P60PIXYSMOSFETs -18 Amps -600V 0.385 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR32P60PMOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR36P15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR36P15PIXYSMOSFETs -22.0 Amps -150V 0.120 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR40P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1610.27 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR40P50PIXYSMOSFET -22.0 Amps -500V 0.260 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR40P50PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -22A; 312W; 477ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 312W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarP™
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -22A
Reverse recovery time: 477ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 0.26Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1137.98 грн
3+940.96 грн
10+835.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20PIXYSMOSFETs -30.0 Amps -200V 0.093 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Drain current: -30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 93mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Power dissipation: 190W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+639.44 грн
3+528.35 грн
10+475.51 грн
30+443.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR62N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 36A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR62N15PIXYSMOSFETs 62 Amps 150V 0.045 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P10PIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P10PIXYSMOSFET -57.0 Amps -100V 0.270 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P20PMOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P20PIXYSMOSFETs -90.0 Amps -200V 0.048 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Mounting: THT
Power dissipation: 312W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -53A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 48mΩ
Reverse recovery time: 315ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+643.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTS01N90P-223IXYSDescription: MOSFET N-CH SMD
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTS01N90P-89IXYSDescription: MOSFET N-CH SMD
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT02N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HVIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3186.62 грн
10+2972.78 грн
30+2894.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HVIXYSMOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HV
Код товару: 147874
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2235.32 грн
5+1841.67 грн
10+1693.23 грн
30+1595.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
на замовлення 7327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2752.76 грн
30+1754.57 грн
60+1648.30 грн
120+1534.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT100N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT100N25PIXYSMOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT100N25PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100DIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 850ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100DIXYSMOSFETs 10 Amps 1000V 1.4 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 10A, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D2IXYSMOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D2-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 10A; 695W; D3PAK,TO268; 1.2us
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: D3PAK; TO268
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Reverse recovery time: 1.2µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D2-TRLLittelfuseMOSFETs IXTT10N100D2-TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P50IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P60IXYSMOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P60IXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 10A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1033.07 грн
30+607.40 грн
120+522.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO268; 230ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 230ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT110N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-268
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2IXYSMOSFETs Linear Extended FBSOA Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.