Продукція > APT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|
| APTC60DSKM35T3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 Package / Case: SP3 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SP3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Power - Max: 416W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Chassis Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60DSKM45CT1G | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60DSKM45T1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60DSKM70CT1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60DSKM70T1G | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60DSKM70T3G | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM24T3G | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM24T3G | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM24T3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM35T3G | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 416W Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Supplier Device Package: SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM35T3G | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM45SCTG | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM45SCTG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM45T1G | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules DOR CC8019 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM45T1G | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM70BT3G | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 Packaging: Tray Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250W Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM70BT3G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM70RT3G | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) + Bridge Rectifier Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250W Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM70RT3G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM70SCT | K3-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| APTC60HM70SCTG | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4 Packaging: Bulk Package / Case: SP4 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250W Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: SP4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM70SCTG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM70T1G | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250W Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: SP1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM70T1G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM70T3G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM70T3G | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250W Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM83FT2G | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60HM83FT2G | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules DOR CC20002 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60SKM24CT1G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 95A SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Power Dissipation (Max): 462W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA Supplier Device Package: SP1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60SKM24CT1G | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60SKM24CT1G | MICROSEMI | SP1/Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module APTC60SKM24 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60SKM24T1G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 95A SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Power Dissipation (Max): 462W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA Supplier Device Package: SP1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60SKM24T1G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60SKM35T1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 72A SP1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 518 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SP1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP1 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60TAM21SCTPAG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP6P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60TAM21SCTPAG | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules DOR CC6537 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60TAM21SCTPAG | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60TAM24TPG | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60TAM24TPG | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60TAM35PG | Microchip Technology | Description: MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P Supplier Device Package: SP6-P Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Power - Max: 416W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP6 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60TAM35PG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules DOR CC6505 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60TDUM35PG | Microchip Technology | Description: MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P Supplier Device Package: SP6-P Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Power - Max: 416W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP6 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60TDUM35PG | Microchip Technology | Microphones | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60VDAM24T3G | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60VDAM24T3G | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60VDAM24T3G | MICROSEMI | SP3/95 A, 600 V, 0.024 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APTC60VDAM24 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60VDAM45T1G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60VDAM45T1G | MICROSEMI | SP1/49 A, 600 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APTC60VDAM45 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC60VDAM45T1G | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 Supplier Device Package: SP1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Power - Max: 250W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP1 Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC80A10SCTG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4 Supplier Device Package: SP4 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6761pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Power - Max: 416W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP4 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC80A10SCTG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC80A15SCTG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC80A15SCTG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4 Supplier Device Package: SP4 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Power - Max: 277W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP4 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC80A15T1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SP1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Power - Max: 277W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP1 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC80AM75SCG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6 Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP6 Packaging: Bulk Supplier Device Package: SP6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 364nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 28A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9015pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Power - Max: 568W Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC80AM75SCG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC80DA15T1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 28A SP1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SP1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP1 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC80DDA15T3G | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 Power - Max: 277W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP3 Packaging: Bulk Supplier Device Package: SP3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Drain to Source Voltage (Vdss): 800V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC80DDA15T3G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC80DDA29T3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 156W Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: SP3 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC80DSK15T3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 277W Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Supplier Device Package: SP3 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC80DSK29T3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SP3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Power - Max: 156W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC80H15T1G | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 277W Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Supplier Device Package: SP1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC80H15T1G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC80H15T3G | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3 Part Status: Active Supplier Device Package: SP3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Power - Max: 277W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC80H15T3G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC80H29SCTG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC80H29SCTG | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 Supplier Device Package: SP4 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Power - Max: 156W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP4 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC80H29T1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SP1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Power - Max: 156W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 4 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP1 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC80H29T3G | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3 Supplier Device Package: SP3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Power - Max: 156W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC80H29T3G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC80SK15T1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 28A SP1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SP1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP1 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC80TA15PG | Microchip Technology | Description: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P Package / Case: SP6 Packaging: Bulk Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Power - Max: 277W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Supplier Device Package: SP6-P Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC80TA15PG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP6P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC80TDU15PG | Microchip Technology | Description: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P Supplier Device Package: SP6-P Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Power - Max: 277W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP6 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC80TDU15PG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP6P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC90AM602G | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC90AM60SCTG | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC90AM60SCTG | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90AM60T1G | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90AM60T1G | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC90DAM60CT1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90DAM60CT1G | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90DAM60T1G | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90DAM60T1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90DDA12T1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 Supplier Device Package: SP1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA FET Feature: Super Junction Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Power - Max: 250W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N Channel (Dual Buck Chopper) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP1 Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90DSK12T1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 Supplier Device Package: SP1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA FET Feature: Super Junction Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Power - Max: 250W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N Channel (Dual Buck Chopper) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP1 Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90H12SCTG | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC90H12SCTG | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90H12T1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90H12T1G | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90H12T2G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP2 Packaging: Tray Supplier Device Package: SP2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA FET Feature: Super Junction Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Power - Max: 250W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90HM60T3G | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90HM60T3G | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC90SKM60CT1G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 900V 59A SP1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SP1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA Power Dissipation (Max): 462W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP1 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90SKM60CT1G | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90SKM60T1G | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90SKM60T1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 900V 59A SP1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SP1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA Power Dissipation (Max): 462W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP1 Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| APTC90TAM60TPG | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC90TAM60TPG | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |