Продукція > IXY

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXYN100N65C3H1IXYSIGBTs 650V/166A XPT Copacked SOT-227B
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 600W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN100N65C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 600W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 160A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98 nF @ 25 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2501.15 грн
10+1781.06 грн
100+1481.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120A4IXYSIGBTs SOT227 1200V 110A GENX4
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN110N120A4 - IGBT-Modul, Einfach, 275 A, 1.7 V, 830 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 275A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 830W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 275A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 275A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 275A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/550ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 8.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 950 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2289.52 грн
10+1630.94 грн
100+1439.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120B4H1IXYSIGBT Modules IXYN110N120B4H1
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120B4H1IXYSDescription: 1200V,110A, XPT GEN4 B4 CO-PACK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5460 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Power - Max: 830 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 218 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: SOT-227B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2472.15 грн
10+2045.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 220A 830W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.42 nF @ 25 V
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2774.70 грн
10+1988.63 грн
100+1686.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN110N120C4 - IGBT-Modul, Einfach, 220 A, 1.9 V, 830 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Dauer-Kollektorstrom: 220A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Produktpalette: XPT Gen4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT SOT227B
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4H1IXYSIGBT Modules IXYN110N120C4H1
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4H1IXYSDescription: 1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5420 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Power - Max: 830 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: SOT-227B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2997.31 грн
10+2164.95 грн
100+1994.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 240A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 120A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2983.20 грн
10+2147.29 грн
100+1845.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3IXYSIGBTs SOT227 1200V 120A XPT
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 650V 250A 830000mW
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5726.37 грн
10+5391.31 грн
25+5143.00 грн
50+4650.87 грн
100+4107.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 250A SOT227B
Power - Max: 830 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 770 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Gate Charge: 250 nC
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: SOT-227B
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 190A SOT-227B
Packaging: Tube
Power - Max: 830 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 620 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 190 A
Gate Charge: 265 nC
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 1.25mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/127ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: SOT-227B
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 380A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1070 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.3 nF @ 25 V
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3956.70 грн
10+2895.66 грн
100+2614.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN140N120A4 - IGBT-MODUL, 1.2KV, 380A, 1.07KW, SOT227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.34V
Verlustleistung Pd: 1.07kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.07kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 380A
Dauerkollektorstrom: 380A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 380A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4IXYSIGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3IXYSIGBTs SOT227 600V 140A GENX3
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 750A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 250A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/167ns
Switching Energy: 4.2mJ (on), 2.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2153.14 грн
10+1520.21 грн
100+1228.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN180N65A5IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 180A; SOT227B; tube; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN180N65A5IXYSDescription: IGBT MOD 650V 340A 940W SOT-227B
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8640 pF @ 25 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2543.48 грн
10+1812.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN180N65A5IXYSIGBTs 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN200N65B5IXYSIGBTs 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in SOT-227
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN200N65B5IXYSDescription: 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 390 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1.2 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11700 pF @ 25 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2456.48 грн
10+1753.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN220N65A5IXYSIGBTs 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN220N65A5IXYSDescription: IGBT MODULE 650V 510A SOT-227B
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.7 pF @ 25 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2951.85 грн
10+2123.13 грн
100+1821.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN300N65A3IXYSDescription: IGBT PT 650V 470A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/190ns
Switching Energy: 7.8mJ (on), 4.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 565 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 470 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1600 A
Power - Max: 1500 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN300N65A3IXYSIGBTs SOT227 650V 270A GENX3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN30N170CV1IXYSIGBT Modules 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN30N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 88A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 275 A
Power - Max: 680 W
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3966.10 грн
10+2900.79 грн
100+2590.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN50N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 120A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/236ns
Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 485 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3880.67 грн
10+2852.63 грн
100+2763.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN50N170CV1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V 120A 880000mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN50N170CV1IXYSIGBTs 1700V/120A High Volt
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 360A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/93ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN80N90C3H1IXYSIGBT Modules 900V 70A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN80N90C3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 70A; SOT227B; 500W
Collector current: 70A
Power dissipation: 500W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 340A
Semiconductor module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 900V
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN80N90C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 900V 115A 500W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.55 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 105A SOT-227B
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
NTC Thermistor: No
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Power - Max: 500 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2355.36 грн
10+1671.47 грн
100+1374.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3IXYSIGBT Transistors 1200V XPT IGBT GenX3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3H1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/105A; Copack
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3H1IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 105A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.06 nF @ 25 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2281.86 грн
10+1624.78 грн
100+1431.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 105A 500000mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN85N120C4H1IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 85A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4030 pF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2287.17 грн
10+1629.35 грн
100+1437.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN85N120C4H1IXYSIGBT Modules IXYN85N120C4H1
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 30A TO-220-3
Power - Max: 160 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 18 nC
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Switching Energy: 240µJ (on), 110µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/77ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1MIXYSDescription: IGBT 650V 15A TO220 ISOLATED TAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/77ns
Switching Energy: 240µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 53 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65B3D1IXYSDescription: IGBT TO220AB
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 38A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3IXYSIGBTs TO220 650V 15A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 122ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 36ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 38A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1IXYSIGBTs TO220 650V 15A DIODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 36ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1MIXYSDescription: IGBT PT 650V 16A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 48 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1MIXYSIGBTs 650V/16A XPT IGBT C3 Copacked TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 122ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 36ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 80A TO-220
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 135 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.6mJ (on), 2.75mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/275ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120A4IXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120A4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 375W; TO220-3
Transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 135A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120B4IXYSIGBTs TO220 1200V 20A IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 76A; 375W; TO220-3
Transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 76A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 130A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120B4IXYSDescription: IGBT 1200V 76A TO-220
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Part Status: Active
Gate Charge: 44 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.9mJ (on), 1.6mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/200ns
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3IXYS/LittelfuseТранзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic = 40 А, tз, мс = 0,02, Р, Вт = 278, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 90,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+384.51 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-220-3
Part Status: Active
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 278 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.29 грн
50+272.15 грн
100+249.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+384.51 грн
10+380.74 грн
25+376.88 грн
50+329.32 грн
100+260.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3IXYSIGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 96A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3 транзистор
Код товару: 203199
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 68A TO-220
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Part Status: Active
Gate Charge: 44 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/160ns
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C4IXYSIGBTs TO247 1200V 20A IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; TO220-3
Transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 160ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 58A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/103ns
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 39ns
Gate charge: 29nC
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3IXYSIGBTs TO220 650V 20A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 200W; TO220AB
Transistor: IGBT
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+320.62 грн
10+201.28 грн
50+157.67 грн
100+144.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+196.66 грн
81+174.84 грн
88+161.14 грн
100+147.82 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYP20N65C3D1 - IGBT, 50 A, 2.27 V, 200 W, 650 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.27V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 50A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.79 грн
10+173.17 грн
50+159.61 грн
100+146.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]