Продукція > SQ4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQ4917CEY-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.27 грн
10+86.37 грн
25+78.66 грн
100+70.95 грн
500+62.41 грн
1000+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.07 грн
10+98.35 грн
100+60.48 грн
500+44.46 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+75.03 грн
100+50.42 грн
500+37.45 грн
1000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.48 грн
500+44.46 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.37 грн
180+78.66 грн
193+73.57 грн
500+67.40 грн
1000+59.52 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 9578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.99 грн
10+104.04 грн
25+96.73 грн
50+84.54 грн
100+71.76 грн
250+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.93 грн
165+85.92 грн
250+82.47 грн
500+76.66 грн
1000+68.66 грн
2500+63.97 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.65 грн
5000+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.60 грн
10+79.96 грн
25+79.54 грн
50+76.27 грн
100+62.29 грн
250+55.98 грн
500+53.82 грн
1000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+79.96 грн
178+79.54 грн
179+79.09 грн
203+67.27 грн
250+58.32 грн
500+53.82 грн
1000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFET Dual P-CHANNEL 60 V
на замовлення 41589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.60 грн
10+101.59 грн
100+69.09 грн
500+51.79 грн
1000+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+70.25 грн
204+69.43 грн
205+69.30 грн
209+65.46 грн
1000+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4917EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.10 грн
500+57.59 грн
1000+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 62467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+113.10 грн
149+95.20 грн
150+94.67 грн
151+90.78 грн
178+71.04 грн
250+65.21 грн
500+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4917EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.39 грн
10+121.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET Automotive Dual P-Channel 60, SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.10 грн
10+95.20 грн
25+94.67 грн
50+90.78 грн
100+71.04 грн
250+65.21 грн
500+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
10+115.41 грн
100+79.07 грн
500+59.61 грн
1000+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920CEY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual N-CHANNEL 30 V
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+109.97 грн
100+75.00 грн
500+56.34 грн
1000+51.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 4.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.94 грн
5000+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Power - Max: 4.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+109.97 грн
100+75.00 грн
500+56.34 грн
1000+51.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 18970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4936EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4937EY-T1/BE3VishayArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4937EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4937EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V
на замовлення 10853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4937EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4937EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+81.06 грн
100+54.40 грн
500+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4937EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4937EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4937EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4937EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
на замовлення 8302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4937EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+81.06 грн
100+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4937EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.78 грн
5000+30.24 грн
7500+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.79 грн
5000+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_BE3Vishay Siliconix2N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 741 @ 20, Qg, нКл = 43 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 4, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual N-CHANNEL 40 V
на замовлення 6662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+75.10 грн
100+50.29 грн
500+37.21 грн
1000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.79 грн
5000+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.71 грн
10+73.74 грн
100+49.31 грн
500+36.47 грн
1000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.22 грн
205+69.22 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 8A 4W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Application: automotive industry
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5.3A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 40V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.32 грн
9+51.66 грн
25+46.29 грн
100+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940CEY-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940CEY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.92 грн
500+23.62 грн
1000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940CEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.88 грн
17+50.23 грн
100+32.92 грн
500+23.62 грн
1000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940CEY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4942EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946AEY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946AEY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946AEY-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CH 60V (D-S)
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946AEY-T1_BE3VishaySQ4946AEY-T1_BE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946AEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946AEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946AEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946AEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946AEY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V 7A 4W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4946CEY-T1"GE3 - DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE 42AJ0901
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.66 грн
16+51.13 грн
100+39.26 грн
500+32.15 грн
1000+25.92 грн
2500+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V 175C MOSFET
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4946CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 14784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.16 грн
500+36.46 грн
1000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 100025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+38.58 грн
373+37.99 грн
379+37.39 грн
385+35.48 грн
500+32.32 грн
1000+30.52 грн
3000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.58 грн
25+37.99 грн
100+36.05 грн
250+32.85 грн
500+31.03 грн
1000+30.52 грн
3000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4946CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 14784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.99 грн
50+53.57 грн
100+43.16 грн
500+36.46 грн
1000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+67.18 грн
100+44.71 грн
500+32.92 грн
1000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949DY-T1-E3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+99.48 грн
100+67.75 грн
500+50.85 грн
1000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.67 грн
5000+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.67 грн
5000+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949EY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
на замовлення 31319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4949EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 45414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.55 грн
10+97.74 грн
100+66.56 грн
500+49.95 грн
1000+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]