Продукція > APT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| APTM100DAM90G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Supplier Device Package: SP6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 744 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100DAM90G | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100DDA35T3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100DSK35T3G | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 390W Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100DSK35T3G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100DU18TG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100DUM90G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H18FG | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules CC6154 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H18FG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H18FG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-7-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H18FG | Microsemi | Trans MOSFET N-CH 1KV 43A 12-Pin Case SP-6 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H35FT3G | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules DOR CC3015 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H35FT3G | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 390W Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H35FT3G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-7-SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H35FTG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-7-SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H35FTG | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4 Packaging: Bulk Package / Case: SP4 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 390W Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H35FTG | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules DOR CC4103 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H45FT3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H45FT3G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-7-SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H45FT3G | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules DOR CC3030 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H45SCTG | Microsemi | Trans MOSFET N-CH 1KV 18A 20-Pin Case SP-4 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H45SCTG | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 Packaging: Bulk Package / Case: SP4 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 357W Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: SP4 Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| APTM100H45SCTG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SBD-SP4 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H45STG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H45STG | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H45STG | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules DOR CC4043 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H46FT3G | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules DOR CC3061 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H46FT3G | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100H80FT1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 208W Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3876pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: SP1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100SK18TG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 Packaging: Bulk Package / Case: SP4 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Power Dissipation (Max): 780W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: SP4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 372 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100SK33T1G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-8-SP1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100SK33T1G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: SP1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7868 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100SK40T1G | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100SKM90G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100TA35FPG | Microchip Technology | Description: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 390W Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: SP6-P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100TA35FPG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-7-SP6P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100TA35FPG | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules DOR CC6516 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100TA35SCTPG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules CC6538 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100TA35SCTPG | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100TA35SCTPG | Microchip Technology | Description: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 390W Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: SP6-P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100TDU35PG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100U13SG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1000V 65A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: J3 Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: Module Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2000 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM45 F-ALN | APT | Силові MOSFET-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM45DAG | Microsemi | Trans MOSFET N-CH 1KV 215A 5-Pin Case SP-6 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM45DAG | MICROSEMI | SP6CMOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM45DAG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM45DAG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 107.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5000W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 30mA Supplier Device Package: SP6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1602 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42700 pF @ 25 V | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| APTM100UM45FAG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 107.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5000W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 30mA Supplier Device Package: SP6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1602 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM45FAG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-7-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM60FAG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-7-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM60FAG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 129A SP6 Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 64.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 15mA Supplier Device Package: SP6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM65DAG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA Supplier Device Package: SP6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1068 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM65DAG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM65DAG | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules DOR CC6028 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM65SAG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA Supplier Device Package: SP6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1068 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM65SAG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP6C | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM65SAG | Microsemi | Trans MOSFET N-CH 1KV 145A 4-Pin Case SP-6 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM65SAG | Microsemi | MOSFET N-Channel, 145A, 1000V, 65mOhm, -40...+150 Силові MOSFET-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM65SCAVG | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM65SCAVG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA Supplier Device Package: SP6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1068 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100UM65SCAVG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SBD-SP6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM100VDA35T3G | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10AM02FG | Microsemi | Trans MOSFET N-CH 100V 495A 7-Pin Case SP-6 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10AM02FG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-5-SP6C | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10AM02FG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1250W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: SP6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10AM02FG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 100V 495A 7-Pin Case SP-6 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10AM02FG | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules CC6034 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10AM05FTG | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules DOR CC4117 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10AM05FTG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DAM02G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 100V 495A SP6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DAM02G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DAM02G | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules DOR CC6110 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DAM05TG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 278A SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DAM05TG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-5-SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DDAM09T3G | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DDAM19T3G | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DHM05G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-5-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DHM05G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DHM05G | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules DOR CC6186 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DHM09T3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 390W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 139A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DHM09T3G | MICROSEMI | SP3/Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module APTM10DHM09 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DHM09TG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DSKM09T3G | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 390W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 139A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DSKM09T3G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-5-SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DSKM19T3G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-5-SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DSKM19T3G | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 208W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DUM02G | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1250W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: SP6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DUM02G | Microsemi | Trans MOSFET N-CH 100V 495A 7-Pin Case SP-6 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DUM02G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-5-SP6C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DUM02G | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules DOR CC6143 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10DUM05TG | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10HM05FG | Microsemi | Trans MOSFET N-CH 100V 278A 12-Pin Case SP-6 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10HM05FG | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules CC6077 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10HM05FG | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6 Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 780W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: SP6 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| APTM10HM05FG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-5-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10HM09FT3G | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 390W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 139A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10HM09FT3G | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules CC3027 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10HM09FT3G | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-5-SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10HM09FTG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| APTM10HM19FT3G | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 208W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SP3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |