Продукція > RGT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RGT60TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGT60TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 55A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A IGBT Stop Trench
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11
Код товару: 174167
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+511.92 грн
50+506.38 грн
100+481.31 грн
600+463.34 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+798.71 грн
10+532.05 грн
100+398.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+869.83 грн
24+602.28 грн
50+486.77 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+272.99 грн
54+262.59 грн
100+253.68 грн
250+237.20 грн
500+213.65 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGT60TS65DGC13 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 40A IGBT Stop Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.14 грн
79+180.33 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGT80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 234W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.09 грн
10+567.30 грн
100+426.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 40A TRNCH
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DGTL1Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DGTL1ROHMDescription: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252GE
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DGTL1ROHM SemiconductorIGBT Transistors 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-252, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DGTL1Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+96.39 грн
100+65.36 грн
500+48.88 грн
1000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DGTL1ROHMDescription: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252GE
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DTLROHM SemiconductorIGBTs 650V 4A IGBT Stop Trench
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 31W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 158ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
10+127.86 грн
100+101.75 грн
500+80.80 грн
1000+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.47 грн
10+118.80 грн
100+81.80 грн
500+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT8NL65DGTL - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT8NL65DGTL - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGC9ROHMDescription: ROHM - RGT8NS65DGC9 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-262
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGC9Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
50+46.77 грн
100+41.67 грн
500+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.02 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 650V 4A IGBT Stop Trench
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTL
Код товару: 204222
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT8NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8TM65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs RGT8TM65D is a Field Stop Trench IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for General Inverter, UPS, Power Conditioner, Welder.
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8TM65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 5A TO-220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 16 W
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
50+96.14 грн
100+86.60 грн
500+65.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTA-OAAALCATEL99
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBS-CPanduit CorpDescription: MACH SCREW BINDING COMBO #12-24
Features: Pilot Point
Packaging: Bulk
Thread Size: #12-24
Type: Machine Screw
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Binding Head
Drive Type: Combination
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBS-CPANDUITDescription: PANDUIT - RGTBS-C - Schraube, 12-24, 12.7 mm, Kombischlitz
tariffCode: 73182200
Gewindemaß - Imperial: 12-24
Schraubenlänge: 12.7
Befestigungsüberzug: -
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
Schraubenkopf: Kombischlitz
Befestigungsmaterial: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: RGTB
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBS-CPanduitScrews & Fasteners Bonding Screw Black
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBS1032GPanduit CorpDescription: MACH SCR BINDING COMBO 10-32 4PK
Features: Pilot Point
Packaging: Bulk
Thread Size: #10-32
Type: Machine Screw
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Binding Head
Drive Type: Combination
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBS1032GPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories Bonding Screw Green, 4 Pk.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBS1032G-CPanduit CorpDescription: MACH SCREW BINDING COMBO #10-32
Features: Pilot Point
Packaging: Bulk
Thread Size: #10-32
Type: Machine Screw
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Binding Head
Drive Type: Combination
Part Status: Active
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+109.82 грн
25+106.67 грн
50+97.95 грн
100+95.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBS1032G-CPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories Bonding Screw Green
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBSGPANDUITDescription: PANDUIT - RGTBSG - Schraube, 12-24, 12.7 mm, Kohlenstoffstahl, Zink, Flachkopf, Phillips-Kreuzschlitz
tariffCode: 73181562
Gewindemaß - Imperial: 12-24
Schraubenlänge: 12.7
Befestigungsüberzug: Zink
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
Schraubenkopf: Flachkopf, Phillips-Kreuzschlitz
Befestigungsmaterial: Kohlenstoffstahl
usEccn: EAR99
Produktpalette: RGTB
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBSGPanduit CorpDescription: MACH SCR BINDING COMBO 12-24 4PK
Features: Pilot Point
Packaging: Bulk
Thread Size: #12-24
Type: Machine Screw
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Binding Head
Drive Type: Combination
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBSGPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories Bonding Screw Green, 4 Pk.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBSG-CPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories GRN BONDING SCREWS #12-24X1/2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBSG-CPANDUITDescription: PANDUIT - RGTBSG-C - Schraube, 12-24, 12.7 mm, Kohlenstoffstahl, Zink, Flachkopf, Phillips-Kreuzschlitz
tariffCode: 73181410
Gewindemaß - Imperial: 12-24
Schraubenlänge: 12.7
Befestigungsüberzug: Zink
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
Schraubenkopf: Flachkopf, Phillips-Kreuzschlitz
Befestigungsmaterial: Kohlenstoffstahl
usEccn: EAR99
Produktpalette: RGTB
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBSG-CPanduit CorpDescription: MACH SCREW BINDING COMBO #12-24
Features: Pilot Point
Packaging: Bulk
Thread Size: #12-24
Type: Machine Screw
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Binding Head
Drive Type: Combination
Part Status: Active
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+70.57 грн
25+68.78 грн
50+62.86 грн
100+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBSM5GPanduit CorpDescription: MACH SCREW BINDING COMBO M5 4PK
Features: Pilot Point
Packaging: Bulk
Thread Size: M5
Type: Machine Screw
Length - Below Head: 0.591" (15.00mm)
Screw Head Type: Binding Head
Drive Type: Combination
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBSM5GPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories Bonding Screw Green, 4 Pk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBSM5G-CPanduit CorpDescription: MACH SCREW BINDING COMBO M5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBSM6-CPanduit CorpDescription: BONDING SCREW BLACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBSM6GPanduit CorpDescription: MACH SCREW BINDING COMBO M6 4PK
Features: Pilot Point
Packaging: Bulk
Thread Size: M6
Type: Machine Screw
Length - Below Head: 0.591" (15.00mm)
Screw Head Type: Binding Head
Drive Type: Combination
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBSM6G-CPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories GRN BONDING SCREWS M6 X 15mm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 199-208 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTBSM6G-CPanduit CorpDescription: MACH SCREW BINDING HEAD COMBO M6
Features: Pilot Point
Packaging: Bulk
Thread Size: M6
Type: Machine Screw
Length - Below Head: 0.591" (15.00mm)
Screw Head Type: Binding Head
Drive Type: Combination
Part Status: Active
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+77.52 грн
100+71.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTCM0806350H0TWalsin Technology CorporationDescription: RF FILTER BAND PASS 8GHZ 0302
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0302 (0806 Metric), 4 Lead
Filter Type: Band Pass
Size / Dimension: 0.035" L x 0.027" W (0.88mm x 0.68mm)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 8GHz
Height (Max): 0.022" (0.55mm)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTCM0806650H0TWalsin Technology CorporationDescription: RF FILTER BAND PASS 5GHZ 0302
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0302 (0806 Metric), 4 Lead
Filter Type: Band Pass
Size / Dimension: 0.035" L x 0.027" W (0.88mm x 0.68mm)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 5GHz
Height (Max): 0.022" (0.55mm)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTCM0806900H0TWalsin Technology CorporationDescription: RF FILTER BAND PASS 4GHZ 0302
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0302 (0806 Metric), 4 Lead
Filter Type: Band Pass
Size / Dimension: 0.035" L x 0.027" W (0.88mm x 0.68mm)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 4GHz
Height (Max): 0.022" (0.55mm)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTE-069
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TK65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 225 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 72 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.66 грн
30+168.37 грн
120+138.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TK65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTH00TK65DGC11 - IGBT, 35 A, 1.6 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TK65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TK65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TK65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 72 W
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.74 грн
30+149.82 грн
120+122.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TK65GC11ROHMDescription: ROHM - RGTH00TK65GC11 - IGBT, 35 A, 1.6 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 72W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65ROHM SemiconductorIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 277 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 50A IGBT Stop Trench
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+709.66 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+718.49 грн
50+492.19 грн
100+483.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 277 W
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.10 грн
10+357.54 грн
100+261.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGTH00TS65GC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 277
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65GC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.99 грн
10+310.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 50A IGBT Stop Trench
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65GC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65GC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 85A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 277 W
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.14 грн
30+93.04 грн
120+78.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 50A TRNCH
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65GC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+321.53 грн
53+271.56 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TK65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Switching Type, 650V 20A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TK65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 23A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 56 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.32 грн
30+252.73 грн
120+210.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TK65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/73ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 56 W
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.71 грн
30+123.36 грн
120+100.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TK65GC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Switching Type, 650V 20A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TK65GC11ROHMDescription: ROHM - RGTH40TK65GC11 - IGBT, 23 A, 1.6 V, 56 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 23A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DROHM SemiconductorIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 72W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 141ns
Turn-on time: 47ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.