Продукція > FCD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FCD-1.25AOPTIFUSEFCD-1.25A Fuses 5x20mm - Fast
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.24 грн
18+63.12 грн
49+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-1.25AOptiFuseDescription: FUSE CERM 1.25A 250VAC 250VDC
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: BSI, CCC, CE, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 1.25 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 0.4489
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+111.50 грн
25+108.71 грн
50+86.09 грн
100+70.09 грн
250+63.35 грн
500+52.46 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-1.6AOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 1.6A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-1.6AOPTIFUSEFCD-1.6A Fuses 5x20mm - Fast
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.24 грн
18+63.12 грн
49+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-10AOPTIFUSEFCD-10A Fuses 5x20mm - Fast
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.24 грн
19+60.26 грн
51+57.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-10AOptiFuseDescription: CERAMIC - 5X20MM (IEC), FAST 10A
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-12.5AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 12.5A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 12.5A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 750A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 407.6A2s
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.97 грн
18+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-12.5AOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 12.5A
на замовлення 3683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-12.5AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 12.5A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 12.5A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 750A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 407.6A2s
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.76 грн
18+65.55 грн
50+59.30 грн
500+57.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-15AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 15A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 15A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 750A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 602.5A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.15 грн
16+60.57 грн
43+57.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-15AOptiFuseDescription: FUSE CERM 15A 250VAC 250VDC 5X20
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: CE, cURus, PSE/JET, SEMKO
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Current Rating (Amps): 15 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 602.5
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.84 грн
10+113.26 грн
25+110.63 грн
50+87.44 грн
100+71.13 грн
250+64.48 грн
500+53.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-15AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 15A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 15A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 750A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 602.5A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.78 грн
16+75.48 грн
43+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-16AOPTIFUSEFCD-16A Fuses 5x20mm - Fast
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-16AOptiFuseDescription: FUSE CERM 16A 250VAC 250VDC 5X20
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: CE, cURus, SEMKO
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 16 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 642.7
на замовлення 5682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.84 грн
10+113.26 грн
25+110.63 грн
50+87.44 грн
100+71.13 грн
250+64.48 грн
500+53.41 грн
1000+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-1AOptiFuseDescription: FUSE CERM 1A 250VAC 250VDC 5X20
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: BSI, CCC, CE, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 1 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 0.2019
на замовлення 6206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+111.50 грн
25+108.71 грн
50+86.09 грн
100+70.09 грн
250+63.35 грн
500+52.46 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-1AOPTIFUSEFCD-1A Fuses 5x20mm - Fast
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.57 грн
17+65.99 грн
47+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-2.5AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 2.5A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 2.5A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 100A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 1.995A2s
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.76 грн
18+65.55 грн
49+60.26 грн
500+57.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-2.5AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 2.5A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 2.5A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 100A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 1.995A2s
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.97 грн
18+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-2.5AOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 2.5A
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-200MAOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 200MA
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-250MAOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 250MA
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-250MAOPTIFUSEFCD-250MA Fuses 5x20mm - Fast
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.29 грн
17+69.82 грн
45+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-2839-GRAYGlobal IndustrialDescription: SINGLE PEDESTAL SHOP DESK W/ FIL
Packaging: Bulk
Features: 1 Shelf
Color: Gray
Material: Steel
Type: Pedestal Shop Desk with Filing Cabinet
Height: 53-1/2"
Part Status: Active
Depth (Inches): 24
Width (Inches): 39
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+161420.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-2AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 2A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass; bulk
Type of fuse: fuse
Current rating: 2A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 100A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 2.204A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+103.00 грн
17+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-2AOptiFuseDescription: FUSE CERM 2A 250VAC 250VDC 5X20
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: BSI, CCC, CE, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 2.204
на замовлення 7892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+111.50 грн
25+108.71 грн
50+86.09 грн
100+70.09 грн
250+63.35 грн
500+52.46 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-2AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 2A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass; bulk
Type of fuse: fuse
Current rating: 2A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 100A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 2.204A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.60 грн
17+72.50 грн
45+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-3.15AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 3.15A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 3.15A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 100A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 4.217A2s
Kind of package: bulk
Contact material: brass
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.04 грн
19+62.57 грн
40+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-3.15AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 3.15A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 3.15A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 100A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 4.217A2s
Kind of package: bulk
Contact material: brass
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+58.37 грн
19+50.21 грн
40+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-3.15AOptiFuseDescription: FUSE CERM 3.15A 250VAC 250VDC
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: BSI, CCC, CE, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 3.15 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 4.271
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+111.50 грн
25+108.71 грн
50+86.09 грн
100+70.09 грн
250+63.35 грн
500+52.46 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-301B-RSIEIUSB Cables / IEEE 1394 Cables 3.5" compact drive bay with two USB port,Black color;;RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-301B-RSIEI Technology3.5 INCH COMPACT DRIVE BAY WITH USB PORT, BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-301W-RSIEIUSB Cables / IEEE 1394 Cables 3.5" compact drive bay with two USB port,White color,,,RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-315MAOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 315mA; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.315A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 35A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 0.0142A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.45 грн
14+66.95 грн
39+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-315MAOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 315MA
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-315MAOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 315mA; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.315A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 35A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 0.0142A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.14 грн
14+83.43 грн
39+76.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-400MAOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 400MA
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-400MAOPTIFUSEFCD-400MA Fuses 5x20mm - Fast
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.57 грн
16+69.82 грн
44+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-4AOptiFuseDescription: CERAMIC - 5X20MM (IEC), FAST 4A
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-4AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 4A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass; bulk
Type of fuse: fuse
Current rating: 4A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 200A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 12.22A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.27 грн
18+66.55 грн
49+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-4AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 4A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass; bulk
Type of fuse: fuse
Current rating: 4A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 200A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 12.22A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.56 грн
18+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-500MAOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 500MA
на замовлення 6912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-500MAOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 500mA; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.5A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 35A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 0.0309A2s
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.76 грн
20+61.58 грн
53+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-500MAOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 500mA; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.5A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 35A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 0.0309A2s
Kind of package: bulk
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-5AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 5A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass; bulk
Type of fuse: fuse
Current rating: 5A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 200A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 24.2A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.27 грн
18+66.55 грн
49+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-5AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 5A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass; bulk
Type of fuse: fuse
Current rating: 5A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 200A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 24.2A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-5AOptiFuseDescription: FUSE CERM 5A 250VAC 250VDC 5X20
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: BSI, CCC, CE, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 5 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 24.2
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+111.50 грн
25+108.71 грн
50+86.09 грн
100+70.09 грн
250+63.35 грн
500+52.46 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-6.3AOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 6.3A
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-6.3AOPTIFUSEFCD-6.3A Fuses 5x20mm - Fast
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.24 грн
19+59.30 грн
52+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-61414Quest Technology International Inc.Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-61424Quest Technology International Inc.Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-62414Quest Technology International Inc.Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1
Packaging: Bulk
Color: White
For Use With/Related Products: Raceway On-A-Roll®, Latching Duct WireHider®, WireHider® Raceways
Accessory Type: Fitting - Drop Ceiling
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+222.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-62424Quest Technology International Inc.Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-630MAOPTIFUSEFCD-630MA Fuses 5x20mm - Fast
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.24 грн
19+61.21 грн
51+57.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-630MAOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 630MA
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-63414Quest Technology International Inc.Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-63424Quest Technology International Inc.Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-800MAOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 800MA
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-800MAOPTIFUSEFCD-800MA Fuses 5x20mm - Fast
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.24 грн
18+63.12 грн
49+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-8AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 8A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass; bulk
Type of fuse: fuse
Current rating: 8A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 200A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 102.2A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.27 грн
18+66.55 грн
49+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-8AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 8A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass; bulk
Type of fuse: fuse
Current rating: 8A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 200A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 102.2A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.56 грн
18+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-8AOptiFuseDescription: FUSE CERM 8A 250VAC 250VDC 5X20
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: BSI, CE, CQC, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 8 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 102.2
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+111.50 грн
25+108.71 грн
50+86.09 грн
100+70.09 грн
250+63.35 грн
500+52.46 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-P-2.5AOptiFuseDescription: Ceramic-5x20mm (IEC), Fast 2.5A
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.64 грн
10+140.60 грн
25+137.22 грн
50+108.55 грн
100+88.38 грн
250+80.00 грн
500+66.21 грн
1000+57.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-P-3.15AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 3.15A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 3.15A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 1kA / 250V DC; 1.5kA / 250V AC
Contact material: brass
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 4.271A2s
Manufacturer series: FCD
Leads: for soldering
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-P-3.15AOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 3.15A
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-P-3.15AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 3.15A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 3.15A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 1kA / 250V DC; 1.5kA / 250V AC
Contact material: brass
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 4.271A2s
Manufacturer series: FCD
Leads: for soldering
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD060250TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 250MA 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD060315TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 315MA 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD060400TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 400MA 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD060500TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 500MA 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD060630TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 630MA 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD060800TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 800MA 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061100TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 1A 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061125TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 1.25A 32VDC 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.032" W x 0.018" H (1.60mm x 0.80mm x 0.45mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A
Current Rating (Amps): 1.25 A
Voltage Rating - DC: 32 V
Melting I²t: 0.0064
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061160TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 1.6A 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061200TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 2A 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061250TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 2.5A 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061315TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 3.15A 24VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061400TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 4A 24VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061500TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 5A 24VDC 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.032" W x 0.018" H (1.60mm x 0.80mm x 0.45mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A
Current Rating (Amps): 5 A
Voltage Rating - DC: 24 V
Melting I²t: 0.58
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD120500TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 500MA 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD120500TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 500MA 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD120630TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 630MA 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD120630TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 630MA 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD120800TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 800MA 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD120800TPWICKMANN
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD120800TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 800MA 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121100TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 1A 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121100TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 1A 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121125TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 1.25A 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121125TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 1.25A 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121160TPWICKMANN
на замовлення 7572 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121160TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 1.6A 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121160TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 1.6A 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121200TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 2A 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121200TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 2A 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121250TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 2.5A 50VDC 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.024" H (3.20mm x 1.60mm x 0.60mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A
Current Rating (Amps): 2.5 A
Voltage Rating - DC: 50 V
Melting I²t: 0.078
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121250TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 2.5A 50VDC 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.024" H (3.20mm x 1.60mm x 0.60mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A
Current Rating (Amps): 2.5 A
Voltage Rating - DC: 50 V
Melting I²t: 0.078
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121315TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 3.15A 32VDC 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.026" H (3.20mm x 1.60mm x 0.65mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A
Current Rating (Amps): 3.15 A
Voltage Rating - DC: 32 V
Melting I²t: 0.28
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121400TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 4A 32VDC 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.026" H (3.20mm x 1.60mm x 0.65mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A
Current Rating (Amps): 4 A
Voltage Rating - DC: 32 V
Melting I²t: 0.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121400TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 4A 32VDC 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.026" H (3.20mm x 1.60mm x 0.65mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A
Current Rating (Amps): 4 A
Voltage Rating - DC: 32 V
Melting I²t: 0.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121500TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 5A 32VDC 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.026" H (3.20mm x 1.60mm x 0.65mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A
Current Rating (Amps): 5 A
Voltage Rating - DC: 32 V
Melting I²t: 0.97
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121500TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 5A 32VDC 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.026" H (3.20mm x 1.60mm x 0.65mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A
Current Rating (Amps): 5 A
Voltage Rating - DC: 32 V
Melting I²t: 0.97
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121500TP
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80ZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 12A; 52W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Zonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 10620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.71 грн
10+127.59 грн
100+79.57 грн
500+67.10 грн
1000+62.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
на замовлення 6946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.74 грн
10+117.48 грн
100+84.01 грн
500+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80ZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 12A; 52W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Zonsemi / FairchildMOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 O
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.22 грн
10+112.63 грн
100+81.11 грн
500+66.49 грн
1000+52.95 грн
2500+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+89.59 грн
10+81.84 грн
25+81.03 грн
100+69.68 грн
250+63.88 грн
500+55.71 грн
1000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Verlustleistung: 39
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+83.62 грн
159+76.38 грн
161+75.62 грн
180+65.04 грн
250+59.62 грн
500+52.00 грн
1000+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 39
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 39
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.87
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZONSEMIFCD2250N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.53 грн
10+94.29 грн
100+73.10 грн
500+54.91 грн
1000+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3ON Semiconductor
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3onsemiMOSFETs SUPERFET3 260MOHM TO252
на замовлення 3057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.89 грн
10+109.11 грн
100+69.09 грн
500+54.94 грн
1000+52.95 грн
2500+50.19 грн
5000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+93.45 грн
142+85.38 грн
144+84.50 грн
164+71.55 грн
250+66.07 грн
500+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Zonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.41 грн
10+77.17 грн
100+54.78 грн
500+50.73 грн
1000+50.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+100.13 грн
10+91.48 грн
25+90.53 грн
100+76.66 грн
250+70.78 грн
500+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.16 грн
10+122.10 грн
100+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.53 грн
500+58.50 грн
1000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZONSEMIFCD3400N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.18 грн
10+97.85 грн
100+75.53 грн
500+58.50 грн
1000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.63 грн
10+108.15 грн
100+83.43 грн
500+70.22 грн
1000+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.91 грн
10+94.29 грн
100+79.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.43 грн
500+70.22 грн
1000+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
на замовлення 2526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.01 грн
10+87.82 грн
100+70.39 грн
500+68.40 грн
2500+63.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 5796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.95 грн
10+102.50 грн
100+88.06 грн
500+76.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EONSEMIDescription: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.92 грн
10+119.31 грн
100+102.14 грн
500+71.97 грн
1000+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60Eonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 6968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.15 грн
10+110.87 грн
100+77.28 грн
500+74.37 грн
1000+72.38 грн
2500+67.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EONSEMIDescription: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.14 грн
500+71.97 грн
1000+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4A14CC
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMonsemi / FairchildMOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 3131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.50 грн
10+114.39 грн
100+63.20 грн
500+54.33 грн
1000+52.18 грн
2500+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.76 грн
5000+54.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.99 грн
500+59.86 грн
1000+50.91 грн
5000+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 7668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.95 грн
10+100.58 грн
100+65.80 грн
500+52.99 грн
1000+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.18 грн
5000+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+169.95 грн
10+115.02 грн
100+76.99 грн
500+59.86 грн
1000+50.91 грн
5000+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.24 грн
5000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.22 грн
10+117.20 грн
15+76.51 грн
41+71.73 грн
250+69.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.35 грн
10+94.05 грн
15+63.76 грн
41+59.78 грн
250+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM_WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM_WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60-F085onsemiDescription: FCD5N60_F085 - N-CHANNEL SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+64.72 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel SuperFET 600 V, 4.6 A, 0.86 O
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.47 грн
10+133.75 грн
100+93.35 грн
500+78.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD5N60-F085 - FCD5N60-F085, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+142.89 грн
10+119.61 грн
25+118.41 грн
100+92.22 грн
250+84.31 грн
500+68.91 грн
1000+53.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMonsemi / FairchildMOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.33 грн
10+81.74 грн
100+59.91 грн
500+54.17 грн
1000+53.25 грн
2500+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.80 грн
10+114.16 грн
100+81.46 грн
500+63.92 грн
1000+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 16735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+85.92 грн
100+69.08 грн
500+55.85 грн
1000+55.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.59 грн
5000+48.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.46 грн
500+63.92 грн
1000+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.08 грн
10+76.91 грн
100+67.64 грн
500+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSonsemi / FairchildMOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.13 грн
10+80.25 грн
100+63.74 грн
500+57.00 грн
1000+51.95 грн
2500+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.32 грн
10+134.55 грн
25+133.83 грн
100+101.23 грн
250+88.44 грн
500+75.09 грн
1000+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 15282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.19 грн
10+101.94 грн
100+76.12 грн
500+63.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 22.2A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+152.43 грн
97+124.91 грн
124+94.49 грн
250+82.55 грн
500+70.09 грн
1000+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Zonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.75 грн
10+110.87 грн
100+71.69 грн
500+63.35 грн
1000+61.82 грн
2500+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD600N60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.4 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.51ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 22.2A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.55 грн
5000+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD600N65S3R0 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 15A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.45 грн
5000+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 15A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
на замовлення 6813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.67 грн
10+120.55 грн
100+72.38 грн
500+59.15 грн
1000+53.56 грн
2500+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 6872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.47 грн
10+111.03 грн
100+76.72 грн
500+57.81 грн
1000+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+99.14 грн
135+89.88 грн
154+76.10 грн
250+68.52 грн
500+60.30 грн
1000+55.75 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 7301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.67 грн
10+68.07 грн
100+65.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 21.9A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.09 грн
10+71.01 грн
100+59.45 грн
500+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.48 грн
5000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 21.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+106.22 грн
10+96.74 грн
25+96.30 грн
100+81.54 грн
250+73.41 грн
500+64.61 грн
1000+59.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FCD655PFAIRCHLD
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMonsemi / FairchildMOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
на замовлення 13858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.24 грн
10+147.83 грн
100+73.68 грн
500+71.69 грн
1000+69.78 грн
2500+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD7N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.28 грн
500+82.89 грн
1000+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 6758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.78 грн
10+136.53 грн
100+95.78 грн
500+76.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD7N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+223.17 грн
50+155.36 грн
100+109.01 грн
500+82.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+86.61 грн
10+82.98 грн
25+82.61 грн
100+79.02 грн
250+72.58 грн
500+69.12 грн
1000+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+80.83 грн
157+77.45 грн
158+77.10 грн
159+73.76 грн
250+67.75 грн
500+64.51 грн
1000+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+73.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.57 грн
10+99.39 грн
100+81.48 грн
500+72.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSonsemi / FairchildMOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.47 грн
10+105.59 грн
100+79.57 грн
500+73.07 грн
1000+70.39 грн
2500+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80ZON Semiconductor
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Zonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 10578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.36 грн
2500+83.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.71
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80ZONSEMIFCD850N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 75
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
на замовлення 65888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.03 грн
10+150.16 грн
100+104.20 грн
500+79.33 грн
1000+73.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD880
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD89091
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD890DIP
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD900N60Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 14297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.12 грн
10+100.03 грн
100+70.85 грн
500+56.55 грн
1000+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.76 грн
5000+51.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60ZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+61.55 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Zonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.66 грн
10+91.51 грн
100+70.93 грн
250+70.24 грн
500+61.82 грн
1000+54.33 грн
2500+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60ZONSEMIFCD900N60Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD9N60NTMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD9N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 83.3W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.93 грн
500+102.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD9N60NTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 92.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD9N60NTMonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel SupreMOS
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD9N60NTMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD9N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.35 грн
10+190.55 грн
100+157.93 грн
500+102.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD9N60NTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD9N60NTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 92.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDA2LSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1110Arbor TechnologyAudio Modules Audio (Realtek ALC655) daughter board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1111Arbor TechnologyAudio Modules HD Audio (Realtek ALC888) daughter board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1225Arbor TechnologyDisplay Modules TV-out, Analog RGB, DVI daughter board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1293Arbor Solution Inc.Description: DAUGHTERBOARD 4XCOM PORTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1293Arbor TechnologyModules Accessories 4x COM, 8-bit Dig I/O daughterboard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1424Arbor Solution Inc.Description: DAUGHTERBOARD DISPLAYPORT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1424Arbor TechnologyModules Accessories DisplayPort daughterboard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1477Arbor TechnologySwitching Power Supplies DC 10~30V Input, 60W Power Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-349RArbor Solution Inc.Description: DAUGHTERBOARD SBC DISPLAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-349RArbor TechnologyModules Accessories SMBus 16-bit Digital I/O board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDC7104F93 DIP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCDH-750-240OMEGADescription: OMEGA - FCDH-750-240 - HEIZELEMENT, FASS, 750W, 240V, 71°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDP-16-01-L-DV-S1SamtecStandard Card Edge Connectors 0.50 mm High-Speed Vertical Edge Card Socket for FEDP Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.