Продукція > FCD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FCD-1.25AOptiFuseDescription: FUSE CERM 1.25A 250VAC 250VDC
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: BSI, CCC, CE, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 1.25 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 0.4489
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.42 грн
10+105.91 грн
25+103.26 грн
50+81.78 грн
100+66.57 грн
250+60.18 грн
500+49.83 грн
1000+43.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-1.6AOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 1.6A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-10AOptiFuseDescription: CERAMIC - 5X20MM (IEC), FAST 10A
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-10AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 10A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 10A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 200A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 204.7A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+97.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-12.5AOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 12.5A
на замовлення 3683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-12.5AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 12.5A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 12.5A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 750A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 407.6A2s
Kind of package: bulk
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-15AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 15A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 15A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 750A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 602.5A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.86 грн
20+99.26 грн
100+90.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-15AOptiFuseDescription: FUSE CERM 15A 250VAC 250VDC 5X20
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: CE, cURus, PSE/JET, SEMKO
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Current Rating (Amps): 15 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 602.5
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.78 грн
10+107.58 грн
25+105.08 грн
50+83.05 грн
100+67.57 грн
250+61.24 грн
500+50.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-16AOptiFuseDescription: FUSE CERM 16A 250VAC 250VDC 5X20
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: CE, cURus, SEMKO
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 16 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 642.7
на замовлення 5682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.78 грн
10+107.58 грн
25+105.08 грн
50+83.05 грн
100+67.57 грн
250+61.24 грн
500+50.73 грн
1000+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-16AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 16A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 16A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 1kA / 250V DC; 1.5kA / 250V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 642.7A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.14 грн
20+97.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-1AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 1A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass; bulk
Type of fuse: fuse
Current rating: 1A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Breaking capacity: 35A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 0.2019A2s
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Manufacturer series: FCD
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.32 грн
30+56.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-1AOptiFuseDescription: FUSE CERM 1A 250VAC 250VDC 5X20
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: BSI, CCC, CE, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 1 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 0.2019
на замовлення 6206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.42 грн
10+105.91 грн
25+103.26 грн
50+81.78 грн
100+66.57 грн
250+60.18 грн
500+49.83 грн
1000+43.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-2.5AOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 2.5A
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-200MAOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 200MA
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-250MAOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 250MA
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-250MAOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 250mA; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.25A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 35A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 0.004A2s
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.91 грн
20+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-2839-GRAYGlobal IndustrialDescription: SINGLE PEDESTAL SHOP DESK W/ FIL
Features: 1 Shelf
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Steel
Type: Pedestal Shop Desk with Filing Cabinet
Height: 53-1/2"
Part Status: Active
Depth (Inches): 24
Width (Inches): 39
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+153326.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-2AOptiFuseDescription: FUSE CERM 2A 250VAC 250VDC 5X20
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: BSI, CCC, CE, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 2.204
на замовлення 7892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.42 грн
10+105.91 грн
25+103.26 грн
50+81.78 грн
100+66.57 грн
250+60.18 грн
500+49.83 грн
1000+43.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-3.15AOptiFuseDescription: FUSE CERM 3.15A 250VAC 250VDC
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: BSI, CCC, CE, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 3.15 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 4.271
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.42 грн
10+105.91 грн
25+103.26 грн
50+81.78 грн
100+66.57 грн
250+60.18 грн
500+49.83 грн
1000+43.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-3.15AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 3.15A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 3.15A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 100A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 4.217A2s
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.79 грн
20+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-301B-RSIEIUSB Cables / IEEE 1394 Cables 3.5" compact drive bay with two USB port,Black color;;RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-301B-RSIEI Technology3.5 INCH COMPACT DRIVE BAY WITH USB PORT, BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-301W-RSIEIUSB Cables / IEEE 1394 Cables 3.5" compact drive bay with two USB port,White color,,,RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-315MAOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 315MA
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-315MAOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 315mA; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.315A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 35A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Energy I2t: 0.0142A2s
Contact plating: nickel plated
Kind of package: bulk
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.20 грн
20+105.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-400MAOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 400MA
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-4AOptiFuseDescription: CERAMIC - 5X20MM (IEC), FAST 4A
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-500MAOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 500mA; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.5A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 35A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 0.0309A2s
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.93 грн
20+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-500MAOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 500MA
на замовлення 6912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-5AOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 5A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass; bulk
Type of fuse: fuse
Current rating: 5A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 200A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 24.2A2s
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-5AOptiFuseDescription: FUSE CERM 5A 250VAC 250VDC 5X20
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: BSI, CCC, CE, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 5 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 24.2
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.42 грн
10+105.91 грн
25+103.26 грн
50+81.78 грн
100+66.57 грн
250+60.18 грн
500+49.83 грн
1000+43.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-6.3AOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 6.3A
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-61414Quest Technology International Inc.Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-61424Quest Technology International Inc.Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-62414Quest Technology International Inc.Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1
Packaging: Bulk
Color: White
For Use With/Related Products: Raceway On-A-Roll®, Latching Duct WireHider®, WireHider® Raceways
Accessory Type: Fitting - Drop Ceiling
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+211.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-62424Quest Technology International Inc.Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-630MAOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 630mA; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.63A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 35A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 0.0672A2s
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.93 грн
20+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-630MAOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 630MA
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-63414Quest Technology International Inc.Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-63424Quest Technology International Inc.Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-800MAOPTIFUSECategory: Fuses 5x20mm - Fast
Description: Fuse: fuse; 800mA; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.8A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: ceramic
Fuse size: 5x20mm
Manufacturer series: FCD
Breaking capacity: 35A / 250V AC; 10kA / 125V AC
Contact material: brass
Kind of package: bulk
Contact plating: nickel plated
Energy I2t: 0.121A2s
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.98 грн
20+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-800MAOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 800MA
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-8AOptiFuseDescription: FUSE CERM 8A 250VAC 250VDC 5X20
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: BSI, CE, CQC, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 8 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Voltage Rating - DC: 250 V
Melting I²t: 102.2
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.42 грн
10+105.91 грн
25+103.26 грн
50+81.78 грн
100+66.57 грн
250+60.18 грн
500+49.83 грн
1000+43.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-P-2.5AOptiFuseDescription: Ceramic-5x20mm (IEC), Fast 2.5A
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.08 грн
10+133.55 грн
25+130.34 грн
50+103.10 грн
100+83.95 грн
250+75.99 грн
500+62.89 грн
1000+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD-P-3.15AOptiFuseDescription: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 3.15A
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD060250TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 250MA 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD060315TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 315MA 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD060400TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 400MA 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD060500TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 500MA 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD060630TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 630MA 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD060800TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 800MA 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061100TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 1A 32VDC 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.032" W x 0.018" H (1.60mm x 0.80mm x 0.45mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A
Current Rating (Amps): 1 A
Voltage Rating - DC: 32 V
Melting I²t: 0.002
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061125TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 1.25A 32VDC 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.032" W x 0.018" H (1.60mm x 0.80mm x 0.45mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A
Current Rating (Amps): 1.25 A
Voltage Rating - DC: 32 V
Melting I²t: 0.0064
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061160TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 1.6A 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061200TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 2A 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061250TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 2.5A 32VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061315TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 3.15A 24VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061400TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 4A 24VDC 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD061500TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 5A 24VDC 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.032" W x 0.018" H (1.60mm x 0.80mm x 0.45mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A
Current Rating (Amps): 5 A
Voltage Rating - DC: 24 V
Melting I²t: 0.58
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD120500TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 500MA 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD120500TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 500MA 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD120630TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 630MA 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD120630TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 630MA 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD120800TPWICKMANN
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD120800TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 800MA 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD120800TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 800MA 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121100TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 1A 50VDC 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.024" H (3.20mm x 1.60mm x 0.60mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A
Current Rating (Amps): 1 A
Voltage Rating - DC: 50 V
Melting I²t: 0.0056
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121125TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 1.25A 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121125TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 1.25A 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121160TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 1.6A 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121160TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 1.6A 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121160TPWICKMANN
на замовлення 7572 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121200TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 2A 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121200TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 2A 50VDC 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121250TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 2.5A 50VDC 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.024" H (3.20mm x 1.60mm x 0.60mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A
Current Rating (Amps): 2.5 A
Voltage Rating - DC: 50 V
Melting I²t: 0.078
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121250TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 2.5A 50VDC 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.024" H (3.20mm x 1.60mm x 0.60mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A
Current Rating (Amps): 2.5 A
Voltage Rating - DC: 50 V
Melting I²t: 0.078
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121315TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MNT 3.15A 32VDC 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.026" H (3.20mm x 1.60mm x 0.65mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A
Current Rating (Amps): 3.15 A
Voltage Rating - DC: 32 V
Melting I²t: 0.28
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121400TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 4A 32VDC 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.026" H (3.20mm x 1.60mm x 0.65mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A
Current Rating (Amps): 4 A
Voltage Rating - DC: 32 V
Melting I²t: 0.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121400TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 4A 32VDC 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.026" H (3.20mm x 1.60mm x 0.65mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A
Current Rating (Amps): 4 A
Voltage Rating - DC: 32 V
Melting I²t: 0.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121500TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 5A 32VDC 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.026" H (3.20mm x 1.60mm x 0.65mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A
Current Rating (Amps): 5 A
Voltage Rating - DC: 32 V
Melting I²t: 0.97
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121500TP
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD121500TPLittelfuse Inc.Description: FUSE BOARD MOUNT 5A 32VDC 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.026" H (3.20mm x 1.60mm x 0.65mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: cULus
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A
Current Rating (Amps): 5 A
Voltage Rating - DC: 32 V
Melting I²t: 0.97
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80ZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 12A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80ZonsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 9260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.68 грн
10+134.21 грн
100+83.86 грн
500+67.30 грн
1000+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.21 грн
5000+54.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
на замовлення 19411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.25 грн
10+118.25 грн
100+81.41 грн
500+62.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
на замовлення 9463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.88 грн
10+95.54 грн
100+65.06 грн
500+48.82 грн
1000+47.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 39
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 39
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.87
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+89.30 грн
159+81.57 грн
161+80.76 грн
180+69.46 грн
250+63.67 грн
500+55.53 грн
1000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.96 грн
5000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Verlustleistung: 39
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZonsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 O
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.66 грн
10+108.49 грн
100+68.48 грн
500+54.58 грн
1000+47.03 грн
2500+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.68 грн
10+87.40 грн
25+86.53 грн
100+74.42 грн
250+68.22 грн
500+59.50 грн
1000+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3ON Semiconductor
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.10 грн
10+109.24 грн
100+74.66 грн
500+56.18 грн
1000+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3onsemiMOSFETs SUPERFET3 260MOHM TO252
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.07 грн
10+117.33 грн
100+70.58 грн
500+55.98 грн
1000+51.57 грн
2500+50.73 грн
5000+48.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD32-4R7M 4,7 мкГнCjiang4.7uH 20% 0.17Ohm 1.3A SMD 3.5x3mm Група товару: Індуктивності Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD34-100(4/4/8/8/) 2896Amtekшлейф, 34 конт., 0.5mm, lengh 100мм Група товару: Розніми під надплоський кабель FFC/FPC Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.78 грн
500+52.69 грн
1000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.2A; Idm: 4A; 32W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.6nC
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 3.4Ω
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+106.93 грн
10+97.69 грн
25+96.69 грн
100+81.87 грн
250+75.59 грн
500+59.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.81 грн
10+105.46 грн
100+72.20 грн
500+54.42 грн
1000+54.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.05 грн
12+71.99 грн
100+58.78 грн
500+52.69 грн
1000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZONN
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+99.81 грн
142+91.18 грн
144+90.24 грн
164+76.42 грн
250+70.56 грн
500+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80ZonsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.12 грн
10+126.17 грн
100+74.77 грн
500+61.29 грн
1000+56.95 грн
2500+53.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.16 грн
500+75.40 грн
1000+68.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0ONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.90 грн
10+135.01 грн
100+91.55 грн
500+76.17 грн
1000+73.38 грн
2500+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.06 грн
10+139.90 грн
100+96.90 грн
500+73.70 грн
1000+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.88 грн
10+90.50 грн
100+83.16 грн
500+75.40 грн
1000+68.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 10A; 83W; DPAK; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: DPAK
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 83W
Technology: PowerTrench®
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EonsemiMOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.88 грн
10+152.69 грн
100+97.14 грн
500+81.76 грн
1000+75.47 грн
2500+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.91 грн
10+131.12 грн
100+90.87 грн
500+72.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EONSEMIDescription: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.80 грн
500+68.36 грн
1000+61.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60EONSEMIDescription: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.82 грн
10+103.54 грн
100+80.80 грн
500+68.36 грн
1000+61.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4A14CC
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60onsemi / FairchildMOSFETs SF1 600V 1.2OHM E DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 13156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+203.82 грн
50+129.63 грн
100+90.50 грн
500+68.82 грн
1000+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+150.38 грн
5+111.04 грн
10+97.58 грн
50+71.50 грн
100+63.93 грн
250+61.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMOn SemiconductorMOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMonsemiMOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.63 грн
10+111.71 грн
100+53.25 грн
500+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.89 грн
10+109.40 грн
100+74.69 грн
500+56.17 грн
1000+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 13713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.00 грн
500+54.21 грн
1000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+101.07 грн
500+90.97 грн
1000+83.89 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM_WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD5N60-F085 - FCD5N60-F085, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60-F085onsemiDescription: FCD5N60_F085 - N-CHANNEL SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel SuperFET 600 V, 4.6 A, 0.86 O
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.38 грн
10+122.15 грн
100+85.26 грн
500+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMonsemi / FairchildMOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.87 грн
10+71.20 грн
100+52.83 грн
500+48.29 грн
1000+47.66 грн
2500+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.97 грн
10+114.16 грн
100+78.20 грн
500+58.95 грн
1000+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.31 грн
500+49.44 грн
1000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMonsemiMOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 6852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.24 грн
10+107.69 грн
100+69.11 грн
500+58.70 грн
1000+51.29 грн
2500+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.95 грн
5+95.05 грн
10+85.80 грн
25+72.34 грн
100+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.60 грн
10+127.73 грн
25+126.46 грн
100+98.49 грн
250+90.04 грн
500+73.59 грн
1000+57.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.29 грн
10+85.61 грн
100+65.31 грн
500+49.44 грн
1000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSonsemi / FairchildMOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.74 грн
10+73.29 грн
100+58.21 грн
500+52.06 грн
1000+47.45 грн
2500+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.97 грн
10+114.16 грн
100+78.20 грн
500+58.95 грн
1000+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSonsemiMOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.61 грн
10+113.31 грн
100+73.38 грн
500+58.70 грн
1000+51.29 грн
2500+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD600N60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.4 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.51ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Zonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.43 грн
10+101.26 грн
100+65.48 грн
500+57.86 грн
1000+56.46 грн
2500+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.12 грн
5000+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.41 грн
10+143.69 грн
25+142.92 грн
100+108.11 грн
250+94.45 грн
500+80.20 грн
1000+65.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 22.2A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+162.79 грн
97+133.40 грн
124+100.91 грн
250+88.16 грн
500+74.85 грн
1000+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZonsemiMOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.73 грн
10+126.17 грн
100+81.06 грн
500+66.11 грн
1000+58.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 15045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.98 грн
10+128.32 грн
100+88.36 грн
500+66.91 грн
1000+63.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
на замовлення 5054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.73 грн
10+113.31 грн
100+67.93 грн
500+54.09 грн
1000+53.74 грн
2500+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.86 грн
5000+47.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 15A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ONSEMIDescription: ONSEMI - FCD600N65S3R0 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 6520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.17 грн
10+106.67 грн
100+73.00 грн
500+55.00 грн
1000+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0ONN
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21.9A
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.44 грн
10+103.31 грн
25+102.84 грн
100+87.08 грн
250+78.40 грн
500+69.00 грн
1000+63.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.51 грн
5000+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+105.88 грн
135+95.99 грн
154+81.27 грн
250+73.17 грн
500+64.40 грн
1000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFonsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.35 грн
10+134.21 грн
100+80.36 грн
500+64.92 грн
1000+60.73 грн
2500+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 9763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.26 грн
10+125.14 грн
100+86.10 грн
500+65.13 грн
1000+61.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD655PFAIRCHLD
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD7N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+238.88 грн
50+155.72 грн
100+107.62 грн
500+84.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMonsemiMOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
на замовлення 11166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.88 грн
10+153.50 грн
100+92.24 грн
500+75.47 грн
1000+73.38 грн
2500+68.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 4058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.99 грн
10+142.55 грн
100+98.82 грн
500+75.22 грн
1000+73.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD7N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.57 грн
500+79.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TMonsemi / FairchildMOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
на замовлення 13698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.08 грн
10+137.42 грн
100+75.47 грн
500+69.74 грн
1000+69.11 грн
2500+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSonsemi / FairchildMOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.19 грн
10+94.03 грн
100+66.11 грн
500+59.61 грн
1000+58.14 грн
2500+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSonsemiMOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.73 грн
10+135.82 грн
100+88.75 грн
500+71.98 грн
1000+69.74 грн
2500+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.13 грн
10+137.33 грн
100+95.00 грн
500+72.20 грн
1000+69.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+92.49 грн
10+88.62 грн
25+88.22 грн
100+84.40 грн
250+77.52 грн
500+73.81 грн
1000+73.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+86.33 грн
157+82.71 грн
158+82.34 грн
159+78.77 грн
250+72.35 грн
500+68.89 грн
1000+68.34 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.71
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80ZON Semiconductor
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 75
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80ZonsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 10457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.70 грн
2500+72.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
на замовлення 18066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.56 грн
10+137.10 грн
100+95.13 грн
500+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD880
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD890DIP
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60ZonsemiMOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.33 грн
10+88.40 грн
100+56.05 грн
500+50.59 грн
1000+48.92 грн
2500+42.77 грн
5000+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.69 грн
5000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCD900N60Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 11542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.74 грн
10+100.84 грн
100+68.82 грн
500+51.71 грн
1000+50.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Zonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.76 грн
10+83.58 грн
100+64.78 грн
250+64.15 грн
500+56.46 грн
1000+49.62 грн
2500+45.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD9N60NTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 92.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD9N60NTMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD9N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.70 грн
10+181.00 грн
100+150.01 грн
500+96.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD9N60NTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 92.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD9N60NTMonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel SupreMOS
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD9N60NTMONSEMIDescription: ONSEMI - FCD9N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 83.3W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+150.01 грн
500+96.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCDA2LSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1110Arbor TechnologyAudio Modules Audio (Realtek ALC655) daughter board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1111Arbor TechnologyAudio Modules HD Audio (Realtek ALC888) daughter board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1225Arbor TechnologyDisplay Modules TV-out, Analog RGB, DVI daughter board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1293Arbor Solution Inc.Description: DAUGHTERBOARD 4XCOM PORTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1293Arbor TechnologyModules Accessories 4x COM, 8-bit Dig I/O daughterboard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1424Arbor Solution Inc.Description: DAUGHTERBOARD DISPLAYPORT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1424Arbor TechnologyModules Accessories DisplayPort daughterboard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-1477Arbor TechnologyPower Supplies - Chassis Mount DC 10~30V Input, 60W Power Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-349RArbor TechnologyModules Accessories SMBus 16-bit Digital I/O board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDB-349RArbor Solution Inc.Description: DAUGHTERBOARD SBC DISPLAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDC7104F93 DIP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCDH-750-240OMEGADescription: OMEGA - FCDH-750-240 - HEIZELEMENT, FASS, 750W, 240V, 71°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDH-750-240OmegaDescription: FCDH-750-240
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCDP-16-01-L-DV-S1SamtecStandard Card Edge Connectors 0.50 mm High-Speed Vertical Edge Card Socket for FEDP Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.