Продукція > FCD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FCD-1.25A | OPTIFUSE | FCD-1.25A Fuses 5x20mm - Fast | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-1.25A | OptiFuse | Description: FUSE CERM 1.25A 250VAC 250VDC Packaging: Bulk Package / Case: 5mm x 20mm Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm) Fuse Type: Cartridge, Ceramic Mounting Type: Requires Holder Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: BSI, CCC, CE, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC Part Status: Active Current Rating (Amps): 1.25 A Voltage Rating - AC: 250 V Voltage Rating - DC: 250 V Melting I²t: 0.4489 | на замовлення 2677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-1.6A | OptiFuse | Description: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 1.6A | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-1.6A | OPTIFUSE | FCD-1.6A Fuses 5x20mm - Fast | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-10A | OPTIFUSE | FCD-10A Fuses 5x20mm - Fast | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-10A | OptiFuse | Description: CERAMIC - 5X20MM (IEC), FAST 10A | на замовлення 2447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-12.5A | OptiFuse | Description: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 12.5A | на замовлення 3683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-12.5A | OPTIFUSE | FCD-12.5A Fuses 5x20mm - Fast | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-15A | OptiFuse | Description: FUSE CERM 15A 250VAC 250VDC 5X20 Packaging: Bulk Package / Case: 5mm x 20mm Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm) Fuse Type: Cartridge, Ceramic Mounting Type: Requires Holder Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: CE, cURus, PSE/JET, SEMKO Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC Current Rating (Amps): 15 A Voltage Rating - AC: 250 V Voltage Rating - DC: 250 V Melting I²t: 602.5 | на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-15A | OPTIFUSE | Category: Fuses 5x20mm - Fast Description: Fuse: fuse; 15A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass Type of fuse: fuse Current rating: 15A Manufacturer series: FCD Kind of package: bulk Contact plating: nickel plated Fuse characteristics: quick blow Fuse size: 5x20mm Rated voltage: 250V AC Breaking capacity: 750A / 250V AC; 10kA / 125V AC Energy I2t: 602.5A2s Kind of fuse: ceramic Contact material: brass кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-15A | OPTIFUSE | Category: Fuses 5x20mm - Fast Description: Fuse: fuse; 15A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass Type of fuse: fuse Current rating: 15A Manufacturer series: FCD Kind of package: bulk Contact plating: nickel plated Fuse characteristics: quick blow Fuse size: 5x20mm Rated voltage: 250V AC Breaking capacity: 750A / 250V AC; 10kA / 125V AC Energy I2t: 602.5A2s Kind of fuse: ceramic Contact material: brass | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-16A | OPTIFUSE | FCD-16A Fuses 5x20mm - Fast | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-16A | OptiFuse | Description: FUSE CERM 16A 250VAC 250VDC 5X20 Packaging: Bulk Package / Case: 5mm x 20mm Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm) Fuse Type: Cartridge, Ceramic Mounting Type: Requires Holder Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: CE, cURus, SEMKO Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC Part Status: Active Current Rating (Amps): 16 A Voltage Rating - AC: 250 V Voltage Rating - DC: 250 V Melting I²t: 642.7 | на замовлення 5682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-1A | OptiFuse | Description: FUSE CERM 1A 250VAC 250VDC 5X20 Packaging: Bulk Package / Case: 5mm x 20mm Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm) Fuse Type: Cartridge, Ceramic Mounting Type: Requires Holder Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: BSI, CCC, CE, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC Part Status: Active Current Rating (Amps): 1 A Voltage Rating - AC: 250 V Voltage Rating - DC: 250 V Melting I²t: 0.2019 | на замовлення 6206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-1A | OPTIFUSE | FCD-1A Fuses 5x20mm - Fast | на замовлення 78 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-2.5A | OPTIFUSE | FCD-2.5A Fuses 5x20mm - Fast | на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-2.5A | OptiFuse | Description: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 2.5A | на замовлення 2638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-200MA | OptiFuse | Description: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 200MA | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-250MA | OptiFuse | Description: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 250MA | на замовлення 5253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-250MA | OPTIFUSE | FCD-250MA Fuses 5x20mm - Fast | на замовлення 129 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-2839-GRAY | Global Industrial | Description: SINGLE PEDESTAL SHOP DESK W/ FIL Packaging: Bulk Features: 1 Shelf Color: Gray Material: Steel Type: Pedestal Shop Desk with Filing Cabinet Height: 53-1/2" Part Status: Active Depth (Inches): 24 Width (Inches): 39 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-2A | OptiFuse | Description: FUSE CERM 2A 250VAC 250VDC 5X20 Packaging: Bulk Package / Case: 5mm x 20mm Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm) Fuse Type: Cartridge, Ceramic Mounting Type: Requires Holder Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: BSI, CCC, CE, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC Part Status: Active Current Rating (Amps): 2 A Voltage Rating - AC: 250 V Voltage Rating - DC: 250 V Melting I²t: 2.204 | на замовлення 7892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-2A | OPTIFUSE | FCD-2A Fuses 5x20mm - Fast | на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-3.15A | OPTIFUSE | Category: Fuses 5x20mm - Fast Description: Fuse: fuse; 3.15A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass Type of fuse: fuse Current rating: 3.15A Rated voltage: 250V AC Fuse characteristics: quick blow Kind of fuse: ceramic Fuse size: 5x20mm Manufacturer series: FCD Breaking capacity: 100A / 250V AC; 10kA / 125V AC Contact material: brass Contact plating: nickel plated Energy I2t: 4.217A2s Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-3.15A | OPTIFUSE | Category: Fuses 5x20mm - Fast Description: Fuse: fuse; 3.15A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass Type of fuse: fuse Current rating: 3.15A Rated voltage: 250V AC Fuse characteristics: quick blow Kind of fuse: ceramic Fuse size: 5x20mm Manufacturer series: FCD Breaking capacity: 100A / 250V AC; 10kA / 125V AC Contact material: brass Contact plating: nickel plated Energy I2t: 4.217A2s Kind of package: bulk | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-3.15A | OptiFuse | Description: FUSE CERM 3.15A 250VAC 250VDC Packaging: Bulk Package / Case: 5mm x 20mm Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm) Fuse Type: Cartridge, Ceramic Mounting Type: Requires Holder Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: BSI, CCC, CE, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC Part Status: Active Current Rating (Amps): 3.15 A Voltage Rating - AC: 250 V Voltage Rating - DC: 250 V Melting I²t: 4.271 | на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-301B-RS | IEI | USB Cables / IEEE 1394 Cables 3.5" compact drive bay with two USB port,Black color;;RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-301B-RS | IEI Technology | 3.5 INCH COMPACT DRIVE BAY WITH USB PORT, BLACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-301W-RS | IEI | USB Cables / IEEE 1394 Cables 3.5" compact drive bay with two USB port,White color,,,RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-315MA | OptiFuse | Description: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 315MA | на замовлення 1553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-315MA | OPTIFUSE | Category: Fuses 5x20mm - Fast Description: Fuse: fuse; 315mA; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass Type of fuse: fuse Current rating: 0.315A Rated voltage: 250V AC Fuse characteristics: quick blow Kind of fuse: ceramic Fuse size: 5x20mm Breaking capacity: 35A / 250V AC; 10kA / 125V AC Contact material: brass Energy I2t: 0.0142A2s Kind of package: bulk Contact plating: nickel plated Manufacturer series: FCD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-315MA | OPTIFUSE | Category: Fuses 5x20mm - Fast Description: Fuse: fuse; 315mA; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass Type of fuse: fuse Current rating: 0.315A Rated voltage: 250V AC Fuse characteristics: quick blow Kind of fuse: ceramic Fuse size: 5x20mm Breaking capacity: 35A / 250V AC; 10kA / 125V AC Contact material: brass Energy I2t: 0.0142A2s Kind of package: bulk Contact plating: nickel plated Manufacturer series: FCD | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-400MA | OptiFuse | Description: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 400MA | на замовлення 4921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-400MA | OPTIFUSE | FCD-400MA Fuses 5x20mm - Fast | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-4A | OptiFuse | Description: CERAMIC - 5X20MM (IEC), FAST 4A | на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-4A | OPTIFUSE | FCD-4A Fuses 5x20mm - Fast | на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-500MA | OptiFuse | Description: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 500MA | на замовлення 6912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-500MA | OPTIFUSE | FCD-500MA Fuses 5x20mm - Fast | на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-5A | OPTIFUSE | FCD-5A Fuses 5x20mm - Fast | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-5A | OptiFuse | Description: FUSE CERM 5A 250VAC 250VDC 5X20 Packaging: Bulk Package / Case: 5mm x 20mm Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm) Fuse Type: Cartridge, Ceramic Mounting Type: Requires Holder Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: BSI, CCC, CE, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC Part Status: Active Current Rating (Amps): 5 A Voltage Rating - AC: 250 V Voltage Rating - DC: 250 V Melting I²t: 24.2 | на замовлення 1591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-6.3A | OPTIFUSE | Category: Fuses 5x20mm - Fast Description: Fuse: fuse; 6.3A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass Fuse size: 5x20mm Rated voltage: 250V AC Contact material: brass Breaking capacity: 200A / 250V AC; 10kA / 125V AC Type of fuse: fuse Kind of package: bulk Manufacturer series: FCD Kind of fuse: ceramic Fuse characteristics: quick blow Contact plating: nickel plated Current rating: 6.3A | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-6.3A | OptiFuse | Description: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 6.3A | на замовлення 3226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-6.3A | OPTIFUSE | Category: Fuses 5x20mm - Fast Description: Fuse: fuse; 6.3A; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass Fuse size: 5x20mm Rated voltage: 250V AC Contact material: brass Breaking capacity: 200A / 250V AC; 10kA / 125V AC Type of fuse: fuse Kind of package: bulk Manufacturer series: FCD Kind of fuse: ceramic Fuse characteristics: quick blow Contact plating: nickel plated Current rating: 6.3A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 76 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-61414 | Quest Technology International Inc. | Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1 | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-61424 | Quest Technology International Inc. | Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1 | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-62414 | Quest Technology International Inc. | Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1 Packaging: Bulk Color: White For Use With/Related Products: Raceway On-A-Roll®, Latching Duct WireHider®, WireHider® Raceways Accessory Type: Fitting - Drop Ceiling | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-62424 | Quest Technology International Inc. | Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1 | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-630MA | OPTIFUSE | Category: Fuses 5x20mm - Fast Description: Fuse: fuse; 630mA; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass Type of fuse: fuse Current rating: 0.63A Rated voltage: 250V AC Fuse characteristics: quick blow Kind of fuse: ceramic Fuse size: 5x20mm Manufacturer series: FCD Breaking capacity: 35A / 250V AC; 10kA / 125V AC Contact material: brass Kind of package: bulk Contact plating: nickel plated Energy I2t: 0.0672A2s кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-630MA | OptiFuse | Description: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 630MA | на замовлення 3007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-630MA | OPTIFUSE | Category: Fuses 5x20mm - Fast Description: Fuse: fuse; 630mA; 250VAC; quick blow; ceramic; 5x20mm; FCD; brass Type of fuse: fuse Current rating: 0.63A Rated voltage: 250V AC Fuse characteristics: quick blow Kind of fuse: ceramic Fuse size: 5x20mm Manufacturer series: FCD Breaking capacity: 35A / 250V AC; 10kA / 125V AC Contact material: brass Kind of package: bulk Contact plating: nickel plated Energy I2t: 0.0672A2s | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-63414 | Quest Technology International Inc. | Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1 | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-63424 | Quest Technology International Inc. | Description: RACEWAY CEILING DROP ACCESORY 1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-800MA | OptiFuse | Description: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 800MA | на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-800MA | OPTIFUSE | FCD-800MA Fuses 5x20mm - Fast | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-8A | OPTIFUSE | FCD-8A Fuses 5x20mm - Fast | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-8A | OptiFuse | Description: FUSE CERM 8A 250VAC 250VDC 5X20 Packaging: Bulk Package / Case: 5mm x 20mm Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.787" L (5.20mm x 20.00mm) Fuse Type: Cartridge, Ceramic Mounting Type: Requires Holder Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: BSI, CE, CQC, cURus, KC, PSE/JET, SEMKO, VDE Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA AC, 1kA DC Part Status: Active Current Rating (Amps): 8 A Voltage Rating - AC: 250 V Voltage Rating - DC: 250 V Melting I²t: 102.2 | на замовлення 4815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-P-2.5A | OptiFuse | Description: Ceramic-5x20mm (IEC), Fast 2.5A | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD-P-3.15A | OptiFuse | Description: CERAMIC-5X20MM (IEC), FAST 3.15A | на замовлення 863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD-P-3.15A | OPTIFUSE | FCD-P-3.15A Fuses 5x20mm - Fast | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD060250TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 250MA 32VDC 0603 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD060315TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 315MA 32VDC 0603 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD060400TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 400MA 32VDC 0603 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD060500TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 500MA 32VDC 0603 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD060630TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 630MA 32VDC 0603 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD060800TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 800MA 32VDC 0603 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD061100TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 1A 32VDC 0603 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD061125TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 1.25A 32VDC 0603 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.032" W x 0.018" H (1.60mm x 0.80mm x 0.45mm) Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: cULus Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A Current Rating (Amps): 1.25 A Voltage Rating - DC: 32 V Melting I²t: 0.0064 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD061160TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 1.6A 32VDC 0603 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD061200TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 2A 32VDC 0603 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD061250TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 2.5A 32VDC 0603 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD061315TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 3.15A 24VDC 0603 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD061400TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 4A 24VDC 0603 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD061500TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 5A 24VDC 0603 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.032" W x 0.018" H (1.60mm x 0.80mm x 0.45mm) Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: cULus Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A Current Rating (Amps): 5 A Voltage Rating - DC: 24 V Melting I²t: 0.58 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD120500TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 500MA 50VDC 1206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD120500TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 500MA 50VDC 1206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD120630TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 630MA 50VDC 1206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD120630TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 630MA 50VDC 1206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD120800TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 800MA 50VDC 1206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD120800TP | WICKMANN | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FCD120800TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 800MA 50VDC 1206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121100TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 1A 50VDC 1206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121100TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 1A 50VDC 1206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121125TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 1.25A 50VDC 1206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121125TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 1.25A 50VDC 1206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121160TP | WICKMANN | на замовлення 7572 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FCD121160TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 1.6A 50VDC 1206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121160TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 1.6A 50VDC 1206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121200TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 2A 50VDC 1206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121200TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 2A 50VDC 1206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121250TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 2.5A 50VDC 1206 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1206 (3216 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.024" H (3.20mm x 1.60mm x 0.60mm) Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: cULus Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A Current Rating (Amps): 2.5 A Voltage Rating - DC: 50 V Melting I²t: 0.078 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121250TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 2.5A 50VDC 1206 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1206 (3216 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.024" H (3.20mm x 1.60mm x 0.60mm) Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: cULus Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A Current Rating (Amps): 2.5 A Voltage Rating - DC: 50 V Melting I²t: 0.078 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121315TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MNT 3.15A 32VDC 1206 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1206 (3216 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.026" H (3.20mm x 1.60mm x 0.65mm) Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: cULus Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A Current Rating (Amps): 3.15 A Voltage Rating - DC: 32 V Melting I²t: 0.28 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121400TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 4A 32VDC 1206 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1206 (3216 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.026" H (3.20mm x 1.60mm x 0.65mm) Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: cULus Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A Current Rating (Amps): 4 A Voltage Rating - DC: 32 V Melting I²t: 0.5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121400TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 4A 32VDC 1206 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1206 (3216 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.026" H (3.20mm x 1.60mm x 0.65mm) Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: cULus Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A Current Rating (Amps): 4 A Voltage Rating - DC: 32 V Melting I²t: 0.5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121500TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 5A 32VDC 1206 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1206 (3216 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.026" H (3.20mm x 1.60mm x 0.65mm) Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: cULus Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A Current Rating (Amps): 5 A Voltage Rating - DC: 32 V Melting I²t: 0.97 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121500TP | Littelfuse Inc. | Description: FUSE BOARD MOUNT 5A 32VDC 1206 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1206 (3216 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W x 0.026" H (3.20mm x 1.60mm x 0.65mm) Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: cULus Breaking Capacity @ Rated Voltage: 50A Current Rating (Amps): 5 A Voltage Rating - DC: 32 V Melting I²t: 0.97 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD121500TP | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FCD1300N80Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD1300N80Z | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 12A; 52W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A On-state resistance: 1.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 52W кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD1300N80Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 4 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 52 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 52 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD1300N80Z | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET | на замовлення 10620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD1300N80Z | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 12A; 52W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A On-state resistance: 1.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 52W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD1300N80Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 4 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 52 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 52 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD1300N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD1300N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD1300N80Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V | на замовлення 6946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD2250N80Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 2.6 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 39 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 39 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.87 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD2250N80Z | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 O | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD2250N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD2250N80Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD2250N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD2250N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD2250N80Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD2250N80Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK) Verlustleistung: 39 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87 Qualifikation: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD2250N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD2250N80Z | ONSEMI | FCD2250N80Z SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD260N65S3 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD260N65S3 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD260N65S3 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD260N65S3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 90 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 90 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD260N65S3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V | на замовлення 2353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD260N65S3 | ON Semiconductor | на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FCD260N65S3 | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 260MOHM TO252 | на замовлення 3087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD260N65S3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD260N65S3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 90 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 90 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD3400N80Z | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET | на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD3400N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD3400N80Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD3400N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD3400N80Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD3400N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD3400N80Z | ONSEMI | FCD3400N80Z SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD3400N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD3400N80Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD3400N80Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD360N65S3R0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD360N65S3R0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD360N65S3R0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD360N65S3R0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD360N65S3R0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V | на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD360N65S3R0 | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm | на замовлення 2556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD380N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD380N60E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | на замовлення 5852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD380N60E | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; 106W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.4A Power dissipation: 106W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD380N60E | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD380N60E | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V N-Channel MOSFET | на замовлення 7306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD380N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD380N60E | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; 106W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.4A Power dissipation: 106W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD380N60E | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD380N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD380N60E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD4A14CC | на замовлення 1401 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FCD4N60 | fairchild | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD4N60 | fairchild | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD4N60TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD4N60TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD4N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD4N60TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET | на замовлення 3133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD4N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD4N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD4N60TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | на замовлення 7668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD4N60TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD4N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD4N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD4N60TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 15209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD4N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD4N60TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD4N60TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2497 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD4N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD4N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD4N60TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 15166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD4N60TM_WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD4N60TM_WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD5N60 | fairchild | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD5N60 | fairchild | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD5N60-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD5N60-F085 | onsemi | Description: FCD5N60_F085 - N-CHANNEL SUPERFE Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD5N60-F085 - FCD5N60-F085, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel SuperFET 600 V, 4.6 A, 0.86 O | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD5N60TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD5N60TM | Fairchild | Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD5N60TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 650V SUPERFET | на замовлення 4764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 4062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | на замовлення 17029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 54W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD5N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD5N60TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD5N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 4062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 54W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD5N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60TM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60TM-WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD5N60TM-WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD5N60TM-WS | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.6A Pulsed drain current: 13.8A Power dissipation: 54W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD5N60TM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | на замовлення 2931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60TM-WS | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.6A Pulsed drain current: 13.8A Power dissipation: 54W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD5N60TM-WS | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V 4.6A N-Channel | на замовлення 2135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD5N60TM-WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD600N60Z | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.4A Pulsed drain current: 22.2A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD600N60Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD600N60Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V | на замовлення 15392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD600N60Z | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.4A Pulsed drain current: 22.2A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD600N60Z | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V N-Channel MOSFET | на замовлення 5432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD600N60Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD600N60Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD600N60Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD600N60Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD600N60Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD600N60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.4 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 89W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.51ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD600N65S3R0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD600N65S3R0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD600N65S3R0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD600N65S3R0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD600N65S3R0 - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD600N65S3R0 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 15A; 54W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 54W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD600N65S3R0 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 15A; 54W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 54W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD600N65S3R0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD600N65S3R0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V | на замовлення 6879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD600N65S3R0 | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm | на замовлення 6938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD620N60ZF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD620N60ZF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V | на замовлення 7301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD620N60ZF | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.3A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 620mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 20nC Pulsed drain current: 21.9A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD620N60ZF | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.3A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 620mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 20nC Pulsed drain current: 21.9A кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD620N60ZF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD620N60ZF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD620N60ZF | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO | на замовлення 4738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD620N60ZF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD620N60ZF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD655P | FAIRCHLD | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FCD7N60 | fairchild | to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60 | fairchild | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD7N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD7N60TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET | на замовлення 16359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD7N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V | на замовлення 6758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD7N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD7N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD7N60TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.4A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.4A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD7N60TM-WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TM-WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TM-WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TM-WS | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 21A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TM-WS | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 21A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TM-WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD7N60TM-WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD7N60TM-WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD7N60TM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V | на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD7N60TM-WS | onsemi / Fairchild | MOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab | на замовлення 1804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD7N60TM-WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD850N80Z | ON Semiconductor | на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FCD850N80Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Verlustleistung: 75 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71 Qualifikation: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD850N80Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD850N80Z | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET | на замовлення 10578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD850N80Z | ONSEMI | FCD850N80Z SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD850N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD850N80Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 6 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 75 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 75 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.71 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD850N80Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V | на замовлення 65888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD880 | на замовлення 132 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FCD890 | 91 | на замовлення 193 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FCD890 | DIP | на замовлення 193 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FCD900N60Z | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 13.5A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Power dissipation: 52W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Pulsed drain current: 13.5A | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD900N60Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V | на замовлення 14297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD900N60Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD900N60Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD900N60Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD900N60Z - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD900N60Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD900N60Z | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V | на замовлення 1213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD900N60Z | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V N-Channel MOSFET | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD900N60Z | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 13.5A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Power dissipation: 52W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Pulsed drain current: 13.5A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD9N60NTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD9N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD9N60NTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 92.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD9N60NTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel SupreMOS | на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD9N60NTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCD9N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 83.3W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FCD9N60NTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 92.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCD9N60NTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCDA2L | SILICON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FCDB-1110 | Arbor Technology | Audio Modules Audio (Realtek ALC655) daughter board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCDB-1111 | Arbor Technology | Audio Modules HD Audio (Realtek ALC888) daughter board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCDB-1225 | Arbor Technology | Display Modules TV-out, Analog RGB, DVI daughter board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCDB-1293 | Arbor Solution Inc. | Description: DAUGHTERBOARD 4XCOM PORTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCDB-1293 | Arbor Technology | Modules Accessories 4x COM, 8-bit Dig I/O daughterboard | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCDB-1424 | Arbor Solution Inc. | Description: DAUGHTERBOARD DISPLAYPORT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCDB-1424 | Arbor Technology | Modules Accessories DisplayPort daughterboard | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCDB-349R | Arbor Technology | Modules Accessories SMBus 16-bit Digital I/O board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCDB-349R | Arbor Solution Inc. | Description: DAUGHTERBOARD SBC DISPLAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCDC7104 | F | 93 DIP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCDH-750-240 | OMEGA | Description: OMEGA - FCDH-750-240 - HEIZELEMENT, FASS, 750W, 240V, 71°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FCDP-16-01-L-DV-S1 | Samtec | Standard Card Edge Connectors 0.50 mm High-Speed Vertical Edge Card Socket for FEDP Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |