Продукція > FDG
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDG-E1-D01-0S | DIV | Лінза, для серії Golden Dragon, овал 11х20 градусів 35 deg | на замовлення 15 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG-M1-D01-0S | DIV | Лінза, для серії Golden Dragon, 21 градус 35 deg | на замовлення 20 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG-W1-D01-0S | DIV | Лінза для серії Golden Dragon; Кут розс.,°= 35; 35 deg | на замовлення 621 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG.1B.110.CZZ | LEMO | Description: CONN INSERT SHELL PLUG CABLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.155.LNN | LEMO | Description: MIDPIECE PAIR FOR FDG.1B. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.304.CLAD52 | LEMO | Circular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG.1B.304.CLAD52 | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 4PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.306.CLAD62Z | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.306.CLAD72 | LEMO | Standard Circular Connector LBP KeyG 6C CHR 7.2mm D | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG.1B.306.CLAD76 | LEMO | Circular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.306.CLAD76 | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.307.CLAD42 | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.307.CLAD42Z | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.307.CLAD52 | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.307.CLAD52Z | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.307.CLAM27Z | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 7PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.307.CYCD42Z | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 7PIN CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.308.CYCD72Z | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 8PIN CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.310.CLAD62 | LEMO | Circular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.310.CLAD62 | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.310.CLAD72Z | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.310.CYCD62 | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 10PIN CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.310.CYCD72Z | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 10PIN CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.310.CYCD72Z | LEMO | Circular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.1B.314.CLAD52 | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 14PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.2B.110.CZZ | LEMO | Description: CONN INSERT SHELL PLUG CABLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.2B.155.LNN | LEMO | Description: MIDPIECE PAIR FOR FDG.2B. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.2B.306.CLAD52 | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.2B.306.CLAZ | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.2B.306.CYCD52Z | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 6PIN CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.2B.308.CLAD52 | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 8PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.2B.310.CLAD62Z | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.2B.310.CLAD62Z | LEMO | Circular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.2B.310.CLAD82 | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.2B.312.CLAD52 | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.2B.312.CLAD52Z | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.2B.312.CLAD62 | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.2B.319.CLAD52 | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 19PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG.2B.326.CLAD82 | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 26PIN SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG1024NZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs Dual PT4 N 20/8V | на замовлення 21481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG1024NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG1024NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 37591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG1024NZ | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG1024NZ | ONSEMI | FDG1024NZ Multi channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG1024NZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm Verlustleistung, p-Kanal: 360mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.16ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 360mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG1024NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG1024NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG1024NZ | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 9232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG1024NZ | On Semiconductor/Fairchild | MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6 | на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG30014 | EUPEC | MODULE | на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG311N | FAI | 0452+ | на замовлення 834 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG311N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG311N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V | на замовлення 62108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG311N | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SC70-6 N-CH 20V | на замовлення 5592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG311N | FSC | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG311N_Q | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SC70-6 N-CH 20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG312P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V | на замовлення 83949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG312P | NAS | 12/363 | на замовлення 7580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG312P | FAI | 2002 TO23-6 | на замовлення 25675 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG312P | FAIRCHILD | SOT363 | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG312P | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SC70-6 P-CH -20V | на замовлення 3578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG312P | FAIRCHILD | SOT-6 | на замовлення 2012 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG313N | FAIRCHILD | SOT363 | на замовлення 471000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG313N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG313N | FAI | 09+ | на замовлення 60018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG313N | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SC70-6 N-CH 25V | на замовлення 4092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG313N | FAIRCHILD | 02+ SOT-323-6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG313N | NAS | 12/363 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG313N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG313N | FAI | 0701+P | на замовлення 51000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG313N | Fairchild | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG313N-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG313N_D87Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG314P | FSC | SOT23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG314P | Fairchild | SOT363 | на замовлення 174000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG314P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 25V 650MA SC88 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V | на замовлення 332532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG314P | FAIRCHILD | SOT23-6 | на замовлення 22380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG314P-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG315N | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SC70-6 N-CH 30V | на замовлення 7813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG315N | Fairchild Semiconductor | Description: 2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V | на замовлення 15935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG315N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG315N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG316P | ONSEMI | FDG316P SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG316P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG316P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG316P | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SC70-6 P-CH -30V | на замовлення 4038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG316P | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 15 V | на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG316P-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG318P-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG326P | FSC | SOT23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG326P | FAIRCH | 0349+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG326P | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 2978 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG326P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467 pF @ 10 V | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG326P | FAIRCHILD | SOT363 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG326P | FAIRCHILD | на замовлення 51000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG326P | FAIRCHILD | SOT23-6 | на замовлення 32193 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG326P-NL | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG327N | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.42W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.115Ω Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG327N | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 20V N-Ch PowerTrench | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG327N | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88 | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG327N | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.42W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.115Ω Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG327N | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG327N-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG327NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG327NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG327NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG327NZ | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 20V N-Ch PowerTrench | на замовлення 7573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG327NZ-NL | FAIRCHILD | SOT-363 09+ | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG328P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG328P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG328P | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V | на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG328P-NL | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG329N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 10 V | на замовлення 398935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG329N-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG330P | onsemi | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V | на замовлення 30040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG330P | onsemi / Fairchild | MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG330P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG330P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG330P - MOSFET, P, SMD, SC70-6 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 219496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG330P | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG330P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 12V 2A SC88 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V | на замовлення 219496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG330P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG330P-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG330P_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG332PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG332PZ | onsemi / Fairchild | MOSFET -20V P-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG332PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG332PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V | на замовлення 2618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG332PZ-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG332PZ_G | onsemi / Fairchild | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG361N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 600MA SC88 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153 pF @ 50 V | на замовлення 98270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG361N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG361N - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 98270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG361N-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG410NZ | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 20V Single NChannel PowerTrench MOSFET | на замовлення 13975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG410NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG410NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N | onsemi / Fairchild | MOSFETs SC70-6 N-CH 25V | на замовлення 82622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.4nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD | на замовлення 273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6301N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6301N | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.4nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 273 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | на замовлення 61073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6301N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N 01. | ON-Semicoductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG6301N TFDG6301N | на замовлення 480 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N-F085 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Dual N-Chan Digital MOSFET; Automotive | на замовлення 251908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N-F085 | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Application: automotive industry Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N-F085 | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Application: automotive industry Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N-F085P | ON Semiconductor | MOSFET N-Channel Power Mosfet | на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N-F085P | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N-F085P | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N-G | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N-G | ON Semiconductor | DUAL N-CHANNEL, DIGITAL FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N-NL | FAIRCHIL | 09+ LQFP64 | на замовлення 830 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N-NL | FSC | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6301N/01 | FAIR | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6301NSOT363-01PB-FREE | FAIRCHLD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6301N_D87Z | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N_F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6301N_F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6301N_F085 | на замовлення 8800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG6301N_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SC70-6 N-CH 25V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6302P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6302P | на замовлення 105000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG6302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 25V 0.14A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6302P | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | на замовлення 416384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6302PNL | FAIRCHILD | на замовлення 6437 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6303/03 | FAIR | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6303H | 07+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6303H | 07+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6303N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6303N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 17505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6303N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6303N | ONSEMI | FDG6303N Multi channel transistors | на замовлення 1040 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6303N | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6303N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6303N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6303N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6303N | ON-Semicoductor | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6303N TFDG6303n | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6303N | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | на замовлення 54810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6303N | onsemi / Fairchild | MOSFET SC70-6 N-CH 25V | на замовлення 64553 шт: термін постачання 422-431 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6303N-D87Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6303N-F169 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6303N-NL | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG6303N_D87Z | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6303N_G | onsemi | Description: INTEGRATED CIRCUIT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6303N_NL | FSC | 07+; | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6304P | TECH PUBLIC | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p | на замовлення 439 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6304P | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6304P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 10973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6304P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SC70-6 P-CH -25V | на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6304P | ONSEMI | FDG6304P Multi channel transistors | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6304P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 10973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6304P | TECH PUBLIC | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p | на замовлення 61 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6304P | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6304P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6304P(PBF) | Fairchild | на замовлення 201000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6304P-D87Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6304P-F169 | ON Semiconductor | P-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6304P-F169 | onsemi | Description: INTEGRATED CIRCUIT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6304P-X | onsemi | Description: INTEGRATED CIRCUIT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6304P/.04 | FAIR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6304P_D87Z | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6306P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 45719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6306P | onsemi / Fairchild | MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6306P | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6306P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 45719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 14197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6306P | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6308P | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 | на замовлення 5928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6308P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6308P | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6308P | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.6A; 0.3W Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.6A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.5nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6308P | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.6A; 0.3W Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.6A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.5nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6308P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6308P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.27 ohm, SC-70, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 600 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 900 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6308P | onsemi / Fairchild | MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench | на замовлення 2910 шт: термін постачання 336-345 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6308P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6308P_NL | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG6313N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-70 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6313N | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6314P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 25V SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6316P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6316P | FSC | SOT | на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6316P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6316P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 700 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.221 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 600 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6316P | onsemi / Fairchild | MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V | на замовлення 33133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6316P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6316P | FAIRCHIL | 09+ SOP | на замовлення 833 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6316P | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6 | на замовлення 3620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6316P | FAIRCHILD | SOT363 | на замовлення 27500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6316P | ON Semiconductor | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6316P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6316P | FAI | SOT-363 2010+ | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6316P | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6316P | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 48018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6316P-NL | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG6316P/16 | FAIRCHIL | 09+ | на замовлення 5218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6316P\16 | FAIRCHIL | SOT-363 | на замовлення 5300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6317NZ | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6317NZ | ONSEMI | FDG6317NZ Multi channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6317NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6317NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6317NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6317NZ | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 3536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6317NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6317NZ | ON-Semicoductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 FDG6317NZ TFDG6317NZ кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6317NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6317NZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6317NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Anzahl der Pins: 6Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: - Bauform - Transistor: SC-70 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds: 20V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm Dauer-Drainstrom Id: 700mA rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 300mW SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 53305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6317NZ | onsemi / Fairchild | MOSFET Dual 20V N-Channel PowerTrench | на замовлення 43417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6317NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6318P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6318P | FAIRCHILD | 05+ | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6318P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6 | на замовлення 2312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6318P | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Dual PCh Digital | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6318P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6 | на замовлення 2312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6318P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6318P | FAIRCHILD | SOT-363 0245+ | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6318P/.38 | FAIR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6318PZ | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Dual PCh Digital | на замовлення 79730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6318PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6318PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6318PZ | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6318PZ | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6318PZ-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6320C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6320C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 140mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6320C | FAIRCHILD | 2004 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6320C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6320C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SC-70, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 220 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850 Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6320C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6320C | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6320C | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6320C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 140mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6320C | FAIRCHLD | SOT-363 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6320C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6320C-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6320C_D87Z | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 140mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6321C | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 25/-25V Drain current: 0.5/-0.41A On-state resistance: 720/1800mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 2.3/1.5nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8/±8V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2588 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6321C | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 25/-25V Drain current: 0.5/-0.41A On-state resistance: 720/1800mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 2.3/1.5nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8/±8V | на замовлення 2588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6321C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6321C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6321C | onsemi / Fairchild | MOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6321C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | на замовлення 14740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6321C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6321C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6321C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6321C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | на замовлення 14600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6321C 21. | ON-Semicoductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG6321C TFDG6321C | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6321C-F169 | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC70-6 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 410mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V, 62pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6321C_NL | Fairchild | на замовлення 1270000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6321C_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6322 | FAIRCHILD | 00+ | на замовлення 12010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6322C | ONSEMI | FDG6322C Multi channel transistors | на замовлення 1501 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6322C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6322C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 11997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6322C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6322C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6322C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 5836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6322C | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDG6322C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6322C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6322C | onsemi / Fairchild | MOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH | на замовлення 25600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6322C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6322C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 11997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6322C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6322C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6322C-D87Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6322C/22 | FAIRCHIL | 09+ | на замовлення 227418 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6322C_D87Z | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6322C_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6323 | fairchild | 04+ SOT363 | на замовлення 66100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6323L | FSC | 0345+ SOT | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6323L | onsemi | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 Features: Slew Rate Controlled Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 410mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 2.5V ~ 8V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V Current - Output (Max): 600mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6323L | ON Semiconductor | Power Switch Hi Side 1-OUT 0.27A 0.58Ohm 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6323L | FSC | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6323L | onsemi | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 Features: Slew Rate Controlled Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 410mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 2.5V ~ 8V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V Current - Output (Max): 600mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6323L | ON Semiconductor / Fairchild | Power Switch ICs - Power Distribution SC70-6 LD SW 2.5-8V | на замовлення 8011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6323L | Fairchild | SO363 | на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6323L | ON Semiconductor | Power Switch Hi Side 1-OUT 0.27A 0.58Ohm 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6323L-F169 | ON Semiconductor | Description: IC PWR DRIVER P-CHANNEL 1:1 SC88 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6323L_D87Z | onsemi | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 Features: Slew Rate Controlled Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 410mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 2.5V ~ 8V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V Current - Output (Max): 600mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6324L | onsemi | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 Features: Slew Rate Controlled Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 370mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 3V ~ 20V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 600mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6324L | ON Semiconductor / Fairchild | Power Switch ICs - Power Distribution SC70-6 LD SW 3-20V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6324L | onsemi | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 Features: Slew Rate Controlled Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 370mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 3V ~ 20V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 600mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6324L | ON Semiconductor | Power Switch Hi Side 1-OUT 0.27A 0.58Ohm 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6324L | FAI | 05+ | на замовлення 6609 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6324L | onsemi | Description: BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL Features: Slew Rate Controlled Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 370mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 3V ~ 20V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 600mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | на замовлення 70313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6331L | ON Semiconductor | Power Switch Hi Side 1-OUT 0.8A 0.38Ohm 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6331L | FAIRCHILD | на замовлення 44999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6331L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6 | на замовлення 13543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6331L | FSC | SO-6 05+ LF | на замовлення 1851 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6331L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6331L | FSC | 05+ LF SO-6 | на замовлення 1851 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6331L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6 | на замовлення 13543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6331L | ON Semiconductor / Fairchild | Power Switch ICs - Power Distribution Integ. Load Switch | на замовлення 14999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6331L/.31 | FAIR | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6332C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 7520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6332C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6332C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6332C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6332C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6332C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6332C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6332C | onsemi / Fairchild | MOSFETs 20V N&P-Channel Power Trench | на замовлення 50175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6332C | ONSEMI | FDG6332C Multi channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6332C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6332C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6332C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6332C 32. | ON-Semicoductor | Transistor N/P-MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: FDG6332C-F085; FDG6332C_F085; FDG6332C TFDG6332c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6332C-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 20V N&P Chan PowerTrench | на замовлення 17960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6332C-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6332C-F085 | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6332C-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 700 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1 Bauform - Transistor: SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6332C-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6332C-F085P | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 600mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Obsolete Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6332C-F085P | ON Semiconductor | P Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6332C-F085P | ON Semiconductor | MOSFET DUAL NP MOS SC70-6 20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6332C-PG | ON Semiconductor | 20V/12V 300/400/420/630MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6332C-PG | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 600mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6332C_F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6332C_F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6335N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6335N | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 46979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6335N | onsemi / Fairchild | MOSFETs FDG6335N | на замовлення 12279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6335N | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6335N | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 442mΩ Gate charge: 1.4nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.7A | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6335N | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 442mΩ Gate charge: 1.4nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.7A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 477 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG6335N 35. | ON-Semicoductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG6335N TFDG6335N | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6335N/35 | FAIR | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG6342L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6 | на замовлення 20237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6342L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6342L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6 | на замовлення 20237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6342L | ON Semiconductor / Fairchild | Power Switch ICs - Power Distribution Integ Load Switch | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG6342L | ON Semiconductor | Power Switch Hi Side 1-OUT 1.5A 3.3Ohm 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG8842CZ | ON Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG8842CZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG8842CZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG8842CZ | onsemi / Fairchild | MOSFET Q1:30V/Q2: -25V Cmpl PowerTrench MOSFET | на замовлення 14500 шт: термін постачання 607-616 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG8842CZ | ON Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG8842CZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG8850NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG8850NZ | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | на замовлення 4382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG8850NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG8850NZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 360mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG8850NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG8850NZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET | на замовлення 95783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG8850NZ | ONSEMI | FDG8850NZ Multi channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG8850NZ | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG8850NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG8850NZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 360mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG8850NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG8850NZ | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDG8850NZ 50. | ON-Semicoductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG8850NZ TFDG8850NZ | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG901D | FAIRCHILD | 06+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG901D | Fairchild Semiconductor | Description: IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG901D | Fairchild | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDG901D | Fairchild Semiconductor | Description: IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG901D | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDG901D | Fairchild Semiconductor | Description: IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |