НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FDG-E1-D01-0SDIVЛінза, для серії Golden Dragon, овал 11х20 градусів 35 deg
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
15+41.61 грн
100+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDG-M1-D01-0SDIVЛінза, для серії Golden Dragon, 21 градус 35 deg
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
20+31.20 грн
100+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDG-W1-D01-0SDIVЛінза для серії Golden Dragon; Кут розс.,°= 35; 35 deg
на замовлення 621 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
33+18.97 грн
37+17.28 грн
100+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.110.CZZLEMODescription: CONN INSERT SHELL PLUG CABLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.155.LNNLEMODescription: MIDPIECE PAIR FOR FDG.1B.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.304.CLAD52LEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4617.63 грн
5+4416.30 грн
10+3724.76 грн
25+3607.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.304.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 4PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.306.CLAD62ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.306.CLAD72LEMOStandard Circular Connector LBP KeyG 6C CHR 7.2mm D
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4693.16 грн
5+4550.82 грн
10+3712.25 грн
25+3678.41 грн
50+3547.46 грн
100+3242.15 грн
250+3189.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.306.CLAD76LEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.306.CLAD76LEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.307.CLAD42LEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.307.CLAD42ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.307.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.307.CLAD52ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.307.CLAM27ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.307.CYCD42ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.308.CYCD72ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 8PIN CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.310.CLAD62LEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.310.CLAD62LEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.310.CLAD72ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.310.CYCD62LEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.310.CYCD72ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.310.CYCD72ZLEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.314.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 14PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.110.CZZLEMODescription: CONN INSERT SHELL PLUG CABLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.155.LNNLEMODescription: MIDPIECE PAIR FOR FDG.2B.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.306.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.306.CLAZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.306.CYCD52ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.308.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 8PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.310.CLAD62ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.310.CLAD62ZLEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.310.CLAD82LEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.312.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.312.CLAD52ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.312.CLAD62LEMODescription: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.319.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 19PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.326.CLAD82LEMODescription: CONN INLINE PLUG 26PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZonsemi / FairchildMOSFETs Dual PT4 N 20/8V
на замовлення 21481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.87 грн
10+47.29 грн
100+27.29 грн
500+21.19 грн
1000+19.20 грн
3000+16.33 грн
6000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 37591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1533+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 1533
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.65 грн
6000+16.55 грн
9000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZONSEMIFDG1024NZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 360mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.16ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.25 грн
18+48.11 грн
100+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 9232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.60 грн
10+45.52 грн
100+29.72 грн
500+21.51 грн
1000+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZOn Semiconductor/FairchildMOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG30014EUPECMODULE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG311NFAI0452+
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG311NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG311NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 62108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1466+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 1466
В кошику  од. на суму  грн.
FDG311NON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 20V
на замовлення 5592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG311NFSC
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG311N_QON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG312PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 83949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1649+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 1649
В кошику  од. на суму  грн.
FDG312PNAS12/363
на замовлення 7580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG312PFAI2002 TO23-6
на замовлення 25675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG312PFAIRCHILDSOT363
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG312PON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 P-CH -20V
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG312PFAIRCHILDSOT-6
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313NFAIRCHILDSOT363
на замовлення 471000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313NFAI09+
на замовлення 60018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313NON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 4092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313NFAIRCHILD02+ SOT-323-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313NNAS12/363
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313NFAI0701+P
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313NFairchild
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313N_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG314PFSCSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG314PFairchildSOT363
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG314PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
на замовлення 332532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 2664
В кошику  од. на суму  грн.
FDG314PFAIRCHILDSOT23-6
на замовлення 22380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG314P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG315NON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 30V
на замовлення 7813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG315NFairchild SemiconductorDescription: 2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 15935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1075+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 1075
В кошику  од. на суму  грн.
FDG315NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG315NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG316PONSEMIFDG316P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG316PON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 P-CH -30V
на замовлення 4038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG316PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 15 V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1466+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 1466
В кошику  од. на суму  грн.
FDG316P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG318P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG326PFSCSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG326PFAIRCH0349+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG326PFAIRCHILD09+
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG326PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467 pF @ 10 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 2959
В кошику  од. на суму  грн.
FDG326PFAIRCHILDSOT363
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG326PFAIRCHILD
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG326PFAIRCHILDSOT23-6
на замовлення 32193 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG326P-NL
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.42W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.115Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.42W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.115Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
на замовлення 7573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NZ-NLFAIRCHILDSOT-363 09+
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG328PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG328PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG328PON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG328P-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG329NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 10 V
на замовлення 398935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 1665
В кошику  од. на суму  грн.
FDG329N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330PonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V
на замовлення 30040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 807
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG330P - MOSFET, P, SMD, SC70-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 219496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V
на замовлення 219496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 807
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330P_Qonsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG332PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG332PZonsemi / FairchildMOSFET -20V P-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG332PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG332PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1366+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 1366
В кошику  од. на суму  грн.
FDG332PZ-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG332PZ_Gonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG361NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 600MA SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153 pF @ 50 V
на замовлення 98270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 683
В кошику  од. на суму  грн.
FDG361NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG361N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 98270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 822
В кошику  од. на суму  грн.
FDG361N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG410NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V Single NChannel PowerTrench MOSFET
на замовлення 13975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG410NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG410NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301Nonsemi / FairchildMOSFETs SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 82622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.56 грн
13+28.09 грн
100+16.99 грн
500+13.17 грн
1000+10.81 грн
3000+8.61 грн
9000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.05 грн
6000+9.19 грн
9000+8.53 грн
30000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+26.41 грн
19+21.07 грн
25+19.24 грн
79+11.65 грн
218+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.69 грн
11+26.26 грн
25+23.08 грн
79+13.98 грн
218+13.15 грн
1000+12.97 грн
3000+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 61073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
13+24.60 грн
100+17.07 грн
500+12.50 грн
1000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N 01.ON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG6301N TFDG6301N
на замовлення 480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual N-Chan Digital MOSFET; Automotive
на замовлення 251908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085PON SemiconductorMOSFET N-Channel Power Mosfet
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085PonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-GON SemiconductorDUAL N-CHANNEL, DIGITAL FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-NLFAIRCHIL09+ LQFP64
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-NLFSC
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N/01FAIR
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NSOT363-01PB-FREEFAIRCHLD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.91 грн
20+30.21 грн
25+29.09 грн
100+17.44 грн
250+15.99 грн
500+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_F085
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_Qonsemi / FairchildMOSFETs SC70-6 N-CH 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302P
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.14A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 416384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1312+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 1312
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302PNLFAIRCHILD
на замовлення 6437 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303/03FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303H07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303H07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.19 грн
500+9.73 грн
1500+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NONSEMIFDG6303N Multi channel transistors
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.28 грн
90+12.49 грн
240+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.95 грн
6000+8.26 грн
9000+7.43 грн
30000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.90 грн
50+26.82 грн
100+14.19 грн
500+12.57 грн
1500+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NON-SemicoductorMosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6303N TFDG6303n
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 54810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
13+24.75 грн
100+14.87 грн
500+12.92 грн
1000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303Nonsemi / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 64553 шт:
термін постачання 422-431 дні (днів)
10+37.51 грн
12+29.61 грн
100+16.41 грн
1000+9.86 грн
3000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N-F169onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N-NL
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N_GonsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N_NLFSC07+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PTECH PUBLICMosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p
на замовлення 439 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.20 грн
500+16.94 грн
1500+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304Ponsemi / FairchildMOSFETs SC70-6 P-CH -25V
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.23 грн
10+39.93 грн
100+22.73 грн
500+17.51 грн
1000+15.74 грн
3000+12.73 грн
9000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMIFDG6304P Multi channel transistors
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.14 грн
64+17.01 грн
174+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.10 грн
50+27.15 грн
100+22.20 грн
500+16.94 грн
1500+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PTECH PUBLICMosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p
на замовлення 61 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.59 грн
10+33.49 грн
100+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P(PBF)Fairchild
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P-F169ON SemiconductorP-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P-F169onsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P-XonsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P/.04FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.67 грн
500+23.45 грн
3000+12.24 грн
9000+11.46 грн
24000+11.39 грн
45000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.90 грн
20+42.01 грн
100+33.67 грн
500+23.45 грн
3000+12.24 грн
9000+11.46 грн
24000+11.39 грн
45000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 14197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.94 грн
22+27.80 грн
25+27.47 грн
50+25.67 грн
100+19.58 грн
250+18.59 грн
500+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.6A; 0.3W
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.6A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.6A; 0.3W
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.6A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6308P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.27 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 600
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308Ponsemi / FairchildMOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
9+41.54 грн
10+39.34 грн
3000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308P_NL
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6313NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6313NFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6314PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PFSCSOT
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6316P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 700
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.221
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 33133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.70 грн
14+25.04 грн
100+16.63 грн
500+13.10 грн
1000+10.59 грн
3000+8.31 грн
9000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PFAIRCHIL09+ SOP
на замовлення 833 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PFAIRCHILDSOT363
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PFAISOT-363 2010+
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PFAIRCHILD09+
на замовлення 48018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316P-NL
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316P/16FAIRCHIL09+
на замовлення 5218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316P\16FAIRCHILSOT-363
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZONSEMIFDG6317NZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
14+22.45 грн
100+11.33 грн
500+9.42 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 FDG6317NZ TFDG6317NZ
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6317NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SC-70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 300mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 53305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.26 грн
28+29.96 грн
100+16.67 грн
500+10.81 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZonsemi / FairchildMOSFET Dual 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 43417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.33 грн
13+26.14 грн
100+14.13 грн
1000+7.36 грн
3000+6.62 грн
9000+5.74 грн
24000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFAIRCHILD05+
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual PCh Digital
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFAIRCHILDSOT-363 0245+
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318P/.38FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual PCh Digital
на замовлення 79730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZ-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 140mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320CFAIRCHILD2004
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6320C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 220
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320CFAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320CON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 140mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320CFAIRCHLDSOT-363
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320C-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320C_D87ZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 140mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.5/-0.41A
On-state resistance: 720/1800mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.50 грн
10+37.24 грн
61+17.66 грн
167+16.74 грн
3000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.5/-0.41A
On-state resistance: 720/1800mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±8V
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+42.91 грн
13+29.89 грн
61+14.71 грн
167+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321Consemi / FairchildMOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.89 грн
11+32.32 грн
100+19.13 грн
500+16.77 грн
1000+13.68 грн
3000+11.99 грн
9000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 14740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.77 грн
11+28.28 грн
100+19.30 грн
500+14.24 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 14600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.51 грн
6000+11.15 грн
9000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321C 21.ON-SemicoductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG6321C TFDG6321C
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321C-F169onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 410mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V, 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321C_NLFairchild
на замовлення 1270000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321C_Qonsemi / FairchildMOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322FAIRCHILD00+
на замовлення 12010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CONSEMIFDG6322C Multi channel transistors
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.07 грн
64+16.88 грн
176+15.96 грн
3000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.95 грн
50+34.83 грн
100+22.45 грн
500+15.86 грн
1500+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+23.86 грн
30+20.44 грн
100+16.15 грн
250+14.82 грн
500+11.60 грн
1000+9.63 грн
3000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
12+26.06 грн
100+18.11 грн
500+13.27 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.51 грн
6000+14.10 грн
9000+13.74 грн
12000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322Consemi / FairchildMOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.93 грн
13+26.06 грн
100+17.66 грн
500+13.90 грн
1000+11.26 грн
3000+9.64 грн
9000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
573+21.29 грн
665+18.36 грн
671+18.20 грн
828+14.22 грн
1000+10.92 грн
3000+10.19 грн
6000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 573
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C/22FAIRCHIL09+
на замовлення 227418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C_D87ZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C_Qonsemi / FairchildMOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323fairchild04+ SOT363
на замовлення 66100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323LFSC0345+ SOT
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323LonsemiDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 410mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 0.27A 0.58Ohm 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323LFSC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323LonsemiDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 410mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution SC70-6 LD SW 2.5-8V
на замовлення 8011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323LFairchildSO363
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 0.27A 0.58Ohm 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323L-F169ON SemiconductorDescription: IC PWR DRIVER P-CHANNEL 1:1 SC88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323L_D87ZonsemiDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 410mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6324LonsemiDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 370mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6324LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution SC70-6 LD SW 3-20V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6324LonsemiDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 370mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6324LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 0.27A 0.58Ohm 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6324LFAI05+
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6324LonsemiDescription: BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 370mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 70313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
989+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 989
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6331LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 0.8A 0.38Ohm 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6331LFAIRCHILD
на замовлення 44999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6331LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6
на замовлення 13543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6331LFSCSO-6 05+ LF
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6331LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6331LFSC05+ LF SO-6
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6331LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6
на замовлення 13543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6331LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution Integ. Load Switch
на замовлення 14999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6331L/.31FAIR
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 7520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.22 грн
11+28.20 грн
100+19.63 грн
500+14.38 грн
1000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6332C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.42 грн
50+33.26 грн
100+21.70 грн
500+19.16 грн
1500+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.39 грн
9000+11.03 грн
24000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.56 грн
6000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332Consemi / FairchildMOSFETs 20V N&P-Channel Power Trench
на замовлення 50175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.28 грн
11+31.13 грн
100+19.27 грн
500+15.23 грн
1000+12.36 грн
3000+10.45 грн
9000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332CONSEMIFDG6332C Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.34 грн
9000+10.99 грн
24000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C 32.ON-SemicoductorTransistor N/P-MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: FDG6332C-F085; FDG6332C_F085; FDG6332C TFDG6332c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085onsemi / FairchildMOSFET 20V N&P Chan PowerTrench
на замовлення 17960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 700
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1
Bauform - Transistor: SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085PonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085PON SemiconductorP Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085PON SemiconductorMOSFET DUAL NP MOS SC70-6 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-PGON Semiconductor20V/12V 300/400/420/630MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-PGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.93 грн
50+42.17 грн
100+27.81 грн
500+20.00 грн
1500+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.83 грн
6000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 46979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.59 грн
10+33.57 грн
100+23.33 грн
500+17.09 грн
1000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335Nonsemi / FairchildMOSFETs FDG6335N
на замовлення 12279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.91 грн
10+38.49 грн
100+22.73 грн
500+17.88 грн
1000+16.26 грн
3000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
946+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 946
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.74 грн
6000+12.56 грн
9000+11.66 грн
30000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+31.37 грн
22+28.35 грн
25+27.15 грн
100+20.30 грн
250+18.46 грн
500+15.10 грн
1000+12.07 грн
3000+10.33 грн
6000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.47 грн
12+34.64 грн
50+26.90 грн
55+17.01 грн
149+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.36 грн
10+43.16 грн
50+32.28 грн
55+20.42 грн
149+19.31 грн
1000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.38 грн
18000+17.71 грн
36000+16.48 грн
54000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N 35.ON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG6335N TFDG6335N
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N/35FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6342LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6
на замовлення 20237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6342LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6342LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6
на замовлення 20237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6342LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution Integ Load Switch
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6342LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1.5A 3.3Ohm 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8842CZON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8842CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8842CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8842CZonsemi / FairchildMOSFET Q1:30V/Q2: -25V Cmpl PowerTrench MOSFET
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 607-616 дні (днів)
8+47.12 грн
3000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8842CZON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8842CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 4382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.87 грн
10+37.70 грн
100+24.38 грн
500+17.51 грн
1000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.36 грн
6000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.60 грн
500+17.24 грн
1500+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.72 грн
6000+17.26 грн
9000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 95783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.30 грн
10+35.70 грн
100+20.97 грн
500+16.48 грн
1000+14.93 грн
3000+13.02 грн
9000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZONSEMIFDG8850NZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+24.15 грн
643+18.99 грн
648+18.85 грн
740+15.91 грн
1000+13.17 грн
3000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 506
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.30 грн
50+35.40 грн
100+23.60 грн
500+17.24 грн
1500+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.07 грн
27+22.42 грн
100+17.01 грн
250+15.63 грн
500+13.14 грн
1000+11.74 грн
3000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.53 грн
6000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ 50.ON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG8850NZ TFDG8850NZ
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG901DFAIRCHILD06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG901DFairchild SemiconductorDescription: IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG901DFairchild
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG901DFairchild SemiconductorDescription: IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG901DFAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG901DFairchild SemiconductorDescription: IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.