НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDG-E1-D01-0SDIVЛінза, для серії Golden Dragon, овал 11х20 градусів 35 deg
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
15+41.61 грн
100+ 11.58 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDG-M1-D01-0SDIVЛінза, для серії Golden Dragon, 21 градус 35 deg
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
20+31.2 грн
100+ 11.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDG-W1-D01-0SDIVЛінза для серії Golden Dragon; Кут розс.,°= 35; 35 deg
на замовлення 621 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
33+18.97 грн
37+ 17.28 грн
100+ 15.62 грн
Мінімальне замовлення: 33
FDG.1B.110.CZZLEMODescription: CONN INSERT SHELL PLUG CABLE
товар відсутній
FDG.1B.155.LNNLEMODescription: MIDPIECE PAIR FOR FDG.1B.
товар відсутній
FDG.1B.304.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 4PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.1B.304.CLAD52LEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4118.86 грн
5+ 3939.27 грн
10+ 3322.43 грн
25+ 3218.09 грн
FDG.1B.306.CLAD62ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.1B.306.CLAD72LEMOStandard Circular Connector LBP KeyG 6C CHR 7.2mm D
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4034.64 грн
5+ 3859.28 грн
10+ 3254.18 грн
25+ 3151.81 грн
50+ 2949.04 грн
100+ 2786.3 грн
250+ 2704.93 грн
FDG.1B.306.CLAD76LEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.1B.306.CLAD76LEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
товар відсутній
FDG.1B.307.CLAD42LEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.1B.307.CLAD42ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.1B.307.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.1B.307.CLAD52ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.1B.307.CLAM27ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN
товар відсутній
FDG.1B.307.CYCD42ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN CRIMP
товар відсутній
FDG.1B.308.CYCD72ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 8PIN CRIMP
товар відсутній
FDG.1B.310.CLAD62LEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG.1B.310.CLAD62LEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.1B.310.CLAD72ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.1B.310.CYCD62LEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN CRIMP
товар відсутній
FDG.1B.310.CYCD72ZLEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
товар відсутній
FDG.1B.310.CYCD72ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN CRIMP
товар відсутній
FDG.1B.314.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 14PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.2B.110.CZZLEMODescription: CONN INSERT SHELL PLUG CABLE
товар відсутній
FDG.2B.155.LNNLEMODescription: MIDPIECE PAIR FOR FDG.2B.
товар відсутній
FDG.2B.306.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.2B.306.CLAZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.2B.306.CYCD52ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN CRIMP
товар відсутній
FDG.2B.308.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 8PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.2B.310.CLAD62ZLEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
товар відсутній
FDG.2B.310.CLAD62ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.2B.310.CLAD82LEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.2B.312.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.2B.312.CLAD52ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.2B.312.CLAD62LEMODescription: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.2B.319.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 19PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG.2B.326.CLAD82LEMODescription: CONN INLINE PLUG 26PIN SLD CUP
товар відсутній
FDG1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 218
FDG1024NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 16219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.17 грн
10+ 34.31 грн
100+ 23.78 грн
500+ 18.65 грн
1000+ 15.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDG1024NZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 389mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDG1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG1024NZonsemi / FairchildMOSFET Dual PT4 N 20/8V
на замовлення 16421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.86 грн
10+ 38.19 грн
100+ 23.03 грн
500+ 19.62 грн
1000+ 16.73 грн
3000+ 14.9 грн
6000+ 14.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDG1024NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.64 грн
6000+ 14.27 грн
9000+ 13.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG1024NZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 389mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
товар відсутній
FDG1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+47.74 грн
14+ 42.12 грн
25+ 41.31 грн
100+ 31.39 грн
250+ 28.44 грн
500+ 21.47 грн
1000+ 17.38 грн
3000+ 16.17 грн
6000+ 15.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDG30014EUPECMODULE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG311NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товар відсутній
FDG311NFSC
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG311NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG311NON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 20V
на замовлення 5592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG311NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товар відсутній
FDG311NFAI0452+
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG311NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 65240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1466+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 1466
FDG311N_QON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 20V
товар відсутній
FDG312PFAIRCHILDSOT-6
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG312PNAS12/363
на замовлення 7580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG312PON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 P-CH -20V
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG312PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 140570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1787+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 1787
FDG312PFAI2002 TO23-6
на замовлення 25675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG312PFAIRCHILDSOT363
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG313NFAI0701+P
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG313NON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 4092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG313NFairchild
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG313NFairchild SemiconductorDescription: 0.95A, 25V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
FDG313NFAIRCHILDSOT363
на замовлення 471000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG313NFAI09+
на замовлення 60018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG313NFAIRCHILD02+ SOT-323-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG313NNAS12/363
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG313N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG313N_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
FDG314PRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
на замовлення 335960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG314PFAIRCHILDSOT23-6
на замовлення 22380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG314PFSCSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG314PON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
товар відсутній
FDG314PFairchildSOT363
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG314P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG315NFairchild SemiconductorDescription: 2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 15935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1075+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 1075
FDG315NON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 30V
на замовлення 7813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG315NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG315NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG316PON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG316PON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 P-CH -30V
на замовлення 4038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG316PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.6A; 0.75W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.75W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDG316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG316PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.6A; 0.75W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.75W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDG316PON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
на замовлення 10702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG316P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG318P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG326PFAIRCHILDSOT23-6
на замовлення 32193 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG326PFSCSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG326PFAIRCH0349+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG326PRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 690814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG326PFAIRCHILD09+
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG326PFAIRCHILDSOT363
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG326PFAIRCHILD
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG326P-NL
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG327NONSEMIFDG327N SMD N channel transistors
товар відсутній
FDG327NON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG327NON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG327NON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
товар відсутній
FDG327N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG327NZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
на замовлення 18460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG327NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
на замовлення 7573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG327NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG327NZ-NLFAIRCHILDSOT-363 09+
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG328PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG328PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88
товар відсутній
FDG328PON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG328P-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG329NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
на замовлення 389160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG329N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG330P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG330PonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V
на замовлення 30250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 807
FDG330Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
товар відсутній
FDG330PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG330P - MOSFET, P, SMD, SC70-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 219496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG330PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG330PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG330PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V
на замовлення 219496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 807
FDG330P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG330P_Qonsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
товар відсутній
FDG332PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
товар відсутній
FDG332PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+11.8 грн
Мінімальне замовлення: 1665
FDG332PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
товар відсутній
FDG332PZonsemi / FairchildMOSFET -20V P-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDG332PZ-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG332PZ_Gonsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
FDG361NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG361N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 98273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
821+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 821
FDG361NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 600MA SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153 pF @ 50 V
на замовлення 98273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 683
FDG361N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG410NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
товар відсутній
FDG410NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V Single NChannel PowerTrench MOSFET
на замовлення 13975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.63 грн
6000+ 9.42 грн
9000+ 9.28 грн
15000+ 8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.22 грн
6000+ 8.43 грн
9000+ 7.82 грн
30000+ 7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+42.94 грн
16+ 37.22 грн
30+ 19.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.89 грн
500+ 13.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6301Nonsemi / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 108473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.93 грн
13+ 23.92 грн
100+ 15.16 грн
500+ 11.81 грн
1000+ 9.65 грн
3000+ 8.4 грн
9000+ 7.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.85 грн
6000+ 16.55 грн
12000+ 9.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 72330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.68 грн
13+ 22.56 грн
100+ 15.65 грн
500+ 11.46 грн
1000+ 9.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6301NONSEMIFDG6301N Multi channel transistors
на замовлення 155 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+23.14 грн
69+ 14.03 грн
188+ 13.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDG6301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.98 грн
29+ 26.21 грн
100+ 17 грн
500+ 12.3 грн
Мінімальне замовлення: 23
FDG6301N-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual N-Chan Digital MOSFET; Automotive
на замовлення 251908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG6301N-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
товар відсутній
FDG6301N-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDG6301N-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
товар відсутній
FDG6301N-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
FDG6301N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG6301N-F085PonsemiDescription: DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
товар відсутній
FDG6301N-F085PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG6301N-F085PON SemiconductorMOSFET N-Channel Power Mosfet
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG6301N-GON SemiconductorDUAL N-CHANNEL, DIGITAL FET
товар відсутній
FDG6301N-NLFAIRCHIL09+ LQFP64
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6301N-NLFSC
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6301N/01FAIR
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6301NSOT363-01PB-FREEFAIRCHLD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6301N_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
товар відсутній
FDG6301N_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+36.29 грн
20+ 28.17 грн
25+ 27.13 грн
100+ 16.26 грн
250+ 14.91 грн
500+ 13.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDG6301N_F085
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6301N_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG6301N_Qonsemi / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 25V
товар відсутній
FDG6302PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 416384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1312+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 1312
FDG6302PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
товар відсутній
FDG6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.14A 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG6302P
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6302PNLFAIRCHILD
на замовлення 6437 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6303/03FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6303H07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6303H07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.07 грн
27+ 27.68 грн
100+ 13.69 грн
500+ 12.44 грн
Мінімальне замовлення: 21
FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 41265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.81 грн
13+ 22.69 грн
100+ 13.64 грн
500+ 11.85 грн
1000+ 8.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDG6303NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.73 грн
30+ 12.85 грн
85+ 9.31 грн
235+ 8.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDG6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.45 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 500
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDG6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.21 грн
6000+ 7.57 грн
9000+ 6.82 грн
30000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6303Nonsemi / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 64553 шт:
термін постачання 422-431 дні (днів)
10+33.46 грн
12+ 26.41 грн
100+ 14.63 грн
1000+ 8.79 грн
3000+ 7.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDG6303NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+29.68 грн
25+ 16.01 грн
85+ 11.18 грн
235+ 10.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6303N-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG6303N-F169onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
товар відсутній
FDG6303N-NL
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6303N_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
товар відсутній
FDG6303N_GonsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
товар відсутній
FDG6303N_NLFSC07+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6304PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+24.22 грн
25+ 19.28 грн
62+ 12.74 грн
170+ 12.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDG6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.6 грн
27+ 27.68 грн
100+ 21.13 грн
500+ 15.72 грн
1000+ 11.17 грн
Мінімальне замовлення: 22
FDG6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 9775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.2 грн
10+ 29.6 грн
100+ 22.1 грн
500+ 16.29 грн
1000+ 12.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDG6304Ponsemi / FairchildMOSFET SC70-6 P-CH -25V
на замовлення 17432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+38.43 грн
10+ 32.9 грн
100+ 21.39 грн
500+ 16.8 грн
1000+ 12.99 грн
3000+ 11.81 грн
9000+ 10.3 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDG6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6304PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+29.06 грн
25+ 24.02 грн
62+ 15.29 грн
170+ 14.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDG6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6304P(PBF)Fairchild
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6304P-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG6304P-F169onsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
товар відсутній
FDG6304P-F169ON SemiconductorP-Channel MOSFET
товар відсутній
FDG6304P-XonsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
товар відсутній
FDG6304P/.04FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6304P_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
товар відсутній
FDG6306Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 113789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
товар відсутній
FDG6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
товар відсутній
FDG6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SC-70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 300mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 111530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.29 грн
19+ 39.6 грн
100+ 26.72 грн
500+ 15.18 грн
3000+ 13.76 грн
9000+ 13.44 грн
24000+ 13.19 грн
45000+ 12.87 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDG6306PonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6308PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6308P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.27 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 600
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDG6308PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.6A; 0.3W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 2.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -0.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDG6308PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6308Ponsemi / FairchildMOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
9+37.05 грн
10+ 35.09 грн
3000+ 10.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDG6308PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.6A; 0.3W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 2.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -0.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
FDG6308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6308P_NL
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6313NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-70
товар відсутній
FDG6313NFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
FDG6314PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V SC70-6
товар відсутній
FDG6316PFSCSOT
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6316PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6316P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 700
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.221
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDG6316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6316Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 33133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.17 грн
14+ 22.34 грн
100+ 14.83 грн
500+ 11.68 грн
1000+ 9.45 грн
3000+ 7.42 грн
9000+ 7.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDG6316PFAIRCHIL09+ SOP
на замовлення 833 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6316PFAIRCHILDSOT363
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6316PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6316PON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6316PFAISOT-363 2010+
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6316PFAIRCHILD09+
на замовлення 48018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6316PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6316P-NL
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6316P/16FAIRCHIL09+
на замовлення 5218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6316P\16FAIRCHILSOT-363
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6317NZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.56Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
FDG6317NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.56 грн
6000+ 6.18 грн
9000+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6317NZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.56Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6317NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6317NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SC-70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 300mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 53305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.81 грн
28+ 26.72 грн
100+ 14.87 грн
500+ 9.64 грн
1000+ 6.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6317NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 9843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.81 грн
14+ 20.3 грн
100+ 10.24 грн
500+ 8.51 грн
1000+ 6.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6317NZonsemi / FairchildMOSFET Dual 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 43417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.62 грн
13+ 23.32 грн
100+ 12.6 грн
1000+ 6.56 грн
3000+ 5.91 грн
9000+ 5.12 грн
24000+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDG6318PFAIRCHILDSOT-363 0245+
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
товар відсутній
FDG6318PON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual PCh Digital
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6318PFAIRCHILD05+
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6318P/.38FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6318PZON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual PCh Digital
на замовлення 79730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG6318PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
товар відсутній
FDG6318PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6318PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6318PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6318PZ-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6320CFAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6320CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6320CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6320CFAIRCHLDSOT-363
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6320CON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88
товар відсутній
FDG6320CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6320C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 220
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDG6320CON SemiconductorDescription: DUAL N & P CHANNEL DIGITAL FET 2
товар відсутній
FDG6320CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6320CFAIRCHILD2004
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6320CON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG6320CON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88
товар відсутній
FDG6320C-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6320C_D87ZON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
товар відсутній
FDG6321Consemi / FairchildMOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 13798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.74 грн
10+ 31.85 грн
100+ 19.29 грн
500+ 15.09 грн
1000+ 12.27 грн
3000+ 10.37 грн
9000+ 9.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDG6321ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 33244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.07 грн
10+ 28.37 грн
100+ 19.75 грн
500+ 14.47 грн
1000+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDG6321CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6321CONSEMIFDG6321C Multi channel transistors
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+36.75 грн
61+ 15.85 грн
166+ 14.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDG6321ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.64 грн
6000+ 10.64 грн
9000+ 9.88 грн
30000+ 9.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6321CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6321CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6321C-F169onsemiDescription: DUAL N & P CHANNEL DIGITAL FET 2
товар відсутній
FDG6321C_NLFairchild
на замовлення 1270000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6322FAIRCHILD00+
на замовлення 12010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6322ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 34924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.1 грн
12+ 23.86 грн
100+ 16.6 грн
500+ 12.17 грн
1000+ 9.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.55 грн
6000+ 10.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6322C
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.7 грн
6000+ 10.99 грн
9000+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6322ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
6000+ 8.94 грн
9000+ 8.3 грн
30000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6322CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.85 грн
500+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+28.69 грн
23+ 24.79 грн
25+ 24.57 грн
100+ 18.3 грн
250+ 16.81 грн
500+ 12.88 грн
1000+ 10.08 грн
3000+ 9.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+29.63 грн
508+ 22.4 грн
514+ 22.17 грн
643+ 17.06 грн
1000+ 12.27 грн
3000+ 10.66 грн
Мінімальне замовлення: 385
FDG6322CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 0.4/1.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.22/0.41A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
On-state resistance: 7/1.9Ω
Gate-source voltage: ±8/±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+37.45 грн
25+ 21.3 грн
64+ 14.4 грн
176+ 13.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDG6322Consemi / FairchildMOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 90432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.31 грн
12+ 25.88 грн
100+ 16.14 грн
500+ 12.6 грн
1000+ 10.17 грн
3000+ 8.6 грн
9000+ 8.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDG6322CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.53 грн
27+ 28.27 грн
100+ 18.85 грн
500+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 22
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6322CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 0.4/1.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.22/0.41A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
On-state resistance: 7/1.9Ω
Gate-source voltage: ±8/±8V
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.21 грн
25+ 17.09 грн
64+ 12 грн
176+ 11.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDG6322C-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG6322C/22FAIRCHIL09+
на замовлення 227418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6322C_D87ZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDG6322C_Qonsemi / FairchildMOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
товар відсутній
FDG6323fairchild04+ SOT363
на замовлення 66100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6323LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution SC70-6 LD SW 2.5-8V
на замовлення 8011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG6323LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 0.27A 0.58Ohm 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG6323LFSC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6323LON SemiconductorDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
товар відсутній
FDG6323LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 0.27A 0.58Ohm 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG6323LFairchildSO363
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6323LFSC0345+ SOT
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6323LON SemiconductorDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
товар відсутній
FDG6323L-F169ON SemiconductorDescription: IC PWR DRIVER P-CHANNEL 1:1 SC88
товар відсутній
FDG6323L_D87ZON SemiconductorDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
товар відсутній
FDG6324LFAI05+
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6324LFairchild SemiconductorDescription: BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL
товар відсутній
FDG6324LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution SC70-6 LD SW 3-20V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG6324LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 0.27A 0.58Ohm 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG6331LFSCSO-6 05+ LF
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6331LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6331LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution Integ. Load Switch
на замовлення 14999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG6331LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 0.8A 0.38Ohm 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG6331LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6
на замовлення 13543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6331LFSC05+ LF SO-6
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6331LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6
на замовлення 13543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6331LFAIRCHILD
на замовлення 44999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6331L/.31FAIR
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.55 грн
9000+ 10.29 грн
24000+ 9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6332CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6332C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+43.95 грн
25+ 30.26 грн
100+ 20.1 грн
500+ 15.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6332ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 57461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.23 грн
11+ 25.91 грн
100+ 18 грн
500+ 13.19 грн
1000+ 10.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.51 грн
9000+ 10.25 грн
24000+ 9.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6332Consemi / FairchildMOSFET 20V N&P-Channel Power Trench
на замовлення 8783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.89 грн
11+ 27.77 грн
100+ 17.91 грн
500+ 15.03 грн
1000+ 12.07 грн
3000+ 10.24 грн
9000+ 9.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6332ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
товар відсутній
FDG6332C-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG6332C-F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDG6332C-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDG6332C-F085onsemi / FairchildMOSFET 20V N&P Chan PowerTrench
на замовлення 17960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG6332C-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 700
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1
Bauform - Transistor: SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDG6332C-F085PON SemiconductorMOSFET DUAL NP MOS SC70-6 20V
товар відсутній
FDG6332C-F085PON SemiconductorP Channel MOSFET
товар відсутній
FDG6332C-F085PonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDG6332C-PGON Semiconductor20V/12V 300/400/420/630MO
товар відсутній
FDG6332C-PGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDG6332C_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG6332C_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 315
FDG6335NONSEMIFDG6335N Multi channel transistors
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+26.24 грн
55+ 17.72 грн
149+ 16.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.01 грн
6000+ 11.99 грн
9000+ 11.22 грн
24000+ 10.58 грн
30000+ 9.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+33.58 грн
20+ 29.34 грн
25+ 27.55 грн
100+ 20.63 грн
250+ 18.91 грн
500+ 14.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDG6335NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.17 грн
10+ 33.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDG6335Nonsemi / FairchildMOSFET FDG6335N
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.2 грн
10+ 32.83 грн
100+ 21.39 грн
500+ 16.86 грн
1000+ 13.52 грн
3000+ 11.81 грн
9000+ 9.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.07 грн
18000+ 16.51 грн
36000+ 15.37 грн
54000+ 13.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.76 грн
6000+ 13.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.9 грн
20+ 37.03 грн
100+ 24.96 грн
500+ 14.97 грн
3000+ 10.73 грн
9000+ 9.91 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDG6335NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
товар відсутній
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6335N/35FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6342LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6342LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution Integ Load Switch
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG6342LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6
на замовлення 20237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6342LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6
на замовлення 20237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG6342LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1.5A 3.3Ohm 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG8842CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG8842CZON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6
товар відсутній
FDG8842CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FDG8842CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDG8842CZonsemi / FairchildMOSFET Q1:30V/Q2: -25V Cmpl PowerTrench MOSFET
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 607-616 дні (днів)
8+42.03 грн
3000+ 13.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDG8842CZON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6
товар відсутній
FDG8850NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.53 грн
500+ 16.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDG8850NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.11 грн
6000+ 11.07 грн
9000+ 10.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG8850NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG8850NZonsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 131557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.2 грн
10+ 30.41 грн
100+ 19.69 грн
500+ 15.49 грн
1000+ 12.34 грн
3000+ 10.7 грн
9000+ 9.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDG8850NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.09 грн
23+ 33.05 грн
100+ 22.53 грн
500+ 16.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDG8850NZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.75A; 0.36W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.44nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDG8850NZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.75A; 0.36W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.44nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
товар відсутній
FDG8850NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 21730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.2 грн
10+ 29.53 грн
100+ 20.55 грн
500+ 15.06 грн
1000+ 12.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDG901DFairchild
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG901DFAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG901DFairchild SemiconductorDescription: IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5
товар відсутній
FDG901DFairchild SemiconductorDescription: IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5
товар відсутній
FDG901DFAIRCHILD06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG901DFairchild SemiconductorDescription: IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5
товар відсутній