НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FDG-E1-D01-0SDIVЛінза, для серії Golden Dragon, овал 11х20 градусів... Група товару: Оптоелектроніка Корпус: 35 deg Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
15+41.61 грн
100+10.68 грн
1000+9.92 грн
5000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDG-M1-D01-0SDIVЛінза, для серії Golden Dragon, 21 градус... Група товару: Оптоелектроніка Корпус: 35 deg Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
20+31.20 грн
100+10.68 грн
1000+9.92 грн
5000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDG-W1-D01-0SDIVЛінза для серії Golden Dragon, Кут розс.,°= 35,... Група товару: Оптоелектроніка Корпус: 35 deg Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 621 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
33+18.95 грн
37+17.28 грн
100+14.41 грн
1000+13.38 грн
5000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.110.CZZLEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.110.CZZLEMODescription: CONN INSERT SHELL PLUG CABLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.155.LNNLEMODescription: MIDPIECE PAIR FOR FDG.1B.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.304.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 4PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.304.CLAD52LEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4376.31 грн
5+4185.50 грн
10+3530.10 грн
25+3419.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.306.CLAD62ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.306.CLAD72LEMOStandard Circular Connector LBP KeyG 6C CHR 7.2mm D
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4447.90 грн
5+4312.99 грн
10+3518.25 грн
25+3486.18 грн
50+3362.07 грн
100+3072.72 грн
250+3023.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.306.CLAD76LEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.306.CLAD76LEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.307.CLAD42LEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.307.CLAD42ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.307.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.307.CLAD52ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.307.CLAM27ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.307.CYCD42ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.308.CYCD72ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 8PIN CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.310.CLAD62LEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.310.CLAD62LEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.310.CLAD72ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.310.CYCD62LEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.310.CYCD72ZLEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.310.CYCD72ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.1B.314.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 14PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.110.CZZLEMODescription: CONN INSERT SHELL PLUG CABLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.155.LNNLEMODescription: MIDPIECE PAIR FOR FDG.2B.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.306.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.306.CLAZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.306.CYCD52ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.308.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 8PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.310.CLAD62ZLEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.310.CLAD62ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.310.CLAD82LEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.312.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.312.CLAD52ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.312.CLAD62LEMODescription: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.319.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 19PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG.2B.326.CLAD82LEMODescription: CONN INLINE PLUG 26PIN SLD CUP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZonsemi / FairchildMOSFETs Dual PT4 N 20/8V
на замовлення 21481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.91 грн
10+44.82 грн
100+25.87 грн
500+20.08 грн
1000+18.20 грн
3000+15.48 грн
6000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.6nC
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 389mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZONS/FAIMOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 37591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1533+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 1533
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 360mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.16ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.14 грн
18+47.42 грн
100+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDG30014EUPECMODULE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG311NFSC
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG311NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 58505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1047+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 1047
В кошику  од. на суму  грн.
FDG311NON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 20V
на замовлення 5592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG311N_QON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG312PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 83949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1649+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 1649
В кошику  од. на суму  грн.
FDG312PFAI2002 TO23-6
на замовлення 25675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG312PON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 P-CH -20V
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313NFAIRCHILDSOT363
на замовлення 471000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313NON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 4092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG313N_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG314PFairchildSOT363
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG314PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
на замовлення 332532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 2664
В кошику  од. на суму  грн.
FDG314P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG315NFairchild SemiconductorDescription: 2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 15935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1075+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 1075
В кошику  од. на суму  грн.
FDG315NON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 30V
на замовлення 7813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG315NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG316PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 15 V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1466+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 1466
В кошику  од. на суму  грн.
FDG316PON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 P-CH -30V
на замовлення 4038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG316P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG318P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG326PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467 pF @ 10 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2019+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 2019
В кошику  од. на суму  грн.
FDG326PFAIRCHILD
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG326P-NL
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
на замовлення 7573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG327NZ-NLFAIRCHILDSOT-363 09+
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG328PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG328PON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG328P-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG329NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 10 V
на замовлення 398935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 1665
В кошику  од. на суму  грн.
FDG329N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330PonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V
на замовлення 27128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V
на замовлення 219496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG330P - MOSFET, P, SMD, SC70-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 219496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG330P_Qonsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG332PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG332PZonsemi / FairchildMOSFET -20V P-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG332PZ-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG332PZ_Gonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG361NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG361N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 98270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 822
В кошику  од. на суму  грн.
FDG361NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 600MA SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153 pF @ 50 V
на замовлення 98270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 466
В кошику  од. на суму  грн.
FDG361N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG410NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG410NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG410NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V Single NChannel PowerTrench MOSFET
на замовлення 13975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301Nonsemi / FairchildMOSFETs SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 82622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.81 грн
13+26.62 грн
100+16.11 грн
500+12.48 грн
1000+10.25 грн
3000+8.16 грн
9000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 61073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.81 грн
13+24.25 грн
100+16.82 грн
500+12.32 грн
1000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.91 грн
6000+9.06 грн
9000+8.41 грн
30000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NONN
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.85 грн
50+33.35 грн
100+21.39 грн
500+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N 01.ON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG6301N TFDG6301N
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual N-Chan Digital MOSFET; Automotive
на замовлення 251908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085PON SemiconductorMOSFET N-Channel Power Mosfet
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-F085PonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N-NLFSC
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N/01FAIR
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301NSOT363-01PB-FREEFAIRCHLD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.50 грн
20+36.88 грн
25+35.51 грн
100+21.28 грн
250+19.52 грн
500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_F085
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N_Qonsemi / FairchildMOSFETs SC70-6 N-CH 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 416384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1312+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 1312
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302P
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6302PNLFAIRCHILD
на замовлення 6437 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303/03FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303H07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303Nonsemi / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 64553 шт:
термін постачання 422-431 дні (днів)
10+35.55 грн
12+28.06 грн
100+15.55 грн
1000+9.34 грн
3000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 54810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.16 грн
13+24.40 грн
100+14.65 грн
500+12.73 грн
1000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NON-SemiconductorMosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6303N TFDG6303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.82 грн
6000+8.14 грн
9000+7.33 грн
30000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N-F169onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N-NL
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N_GonsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N_NLFSC07+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PTECH PUBLICMosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 439 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.64 грн
50+26.76 грн
100+21.88 грн
500+16.69 грн
1500+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.00 грн
10+33.01 грн
100+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PTECH PUBLICMosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Gate charge: 1.5nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 1.9Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.46 грн
12+35.42 грн
100+23.50 грн
250+20.14 грн
500+18.13 грн
1000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304Ponsemi / FairchildMOSFETs SC70-6 P-CH -25V
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.82 грн
10+37.85 грн
100+21.54 грн
500+16.59 грн
1000+14.92 грн
3000+12.06 грн
9000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.88 грн
500+16.69 грн
1500+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P(PBF)Fairchild
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P-F169onsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P-XonsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P/.04FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 14197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.76 грн
22+33.93 грн
25+33.53 грн
50+31.34 грн
100+23.90 грн
250+22.69 грн
500+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.19 грн
500+23.11 грн
3000+12.06 грн
9000+11.30 грн
24000+11.23 грн
45000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.25 грн
20+41.40 грн
100+33.19 грн
500+23.11 грн
3000+12.06 грн
9000+11.30 грн
24000+11.23 грн
45000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6308P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.27 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 600
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308Ponsemi / FairchildMOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
9+39.37 грн
10+37.28 грн
3000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308P_NL
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6313NFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6314PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PFSCSOT
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 33133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.99 грн
14+23.73 грн
100+15.76 грн
500+12.41 грн
1000+10.04 грн
3000+7.88 грн
9000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6316P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 700
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.221
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316P-NL
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316P/16FAIRCHIL09+
на замовлення 5218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316P\16FAIRCHILSOT-363
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZonsemi / FairchildMOSFETs Dual 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.00 грн
13+25.34 грн
100+13.74 грн
500+9.48 грн
1000+7.67 грн
3000+6.48 грн
6000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.16 грн
14+22.13 грн
100+11.16 грн
500+9.28 грн
1000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.91 грн
6000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6317NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SC-70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 300mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 53305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.67 грн
28+29.53 грн
100+16.43 грн
500+10.65 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+38.89 грн
29+25.74 грн
50+24.57 грн
100+14.98 грн
250+14.29 грн
500+10.49 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 FDG6317NZ TFDG6317NZ
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFAIRCHILD05+
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual PCh Digital
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318P/.38FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual PCh Digital
на замовлення 79730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6318PZ-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320CFAIRCHLDSOT-363
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 140mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 140mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320CON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6320C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 220
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320C-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6320C_D87ZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 140mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 14740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.14 грн
11+27.87 грн
100+19.02 грн
500+14.03 грн
1000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321COn SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321Consemi / FairchildMOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.39 грн
11+30.63 грн
100+18.13 грн
500+15.90 грн
1000+12.97 грн
3000+11.36 грн
9000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 14600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.33 грн
6000+10.99 грн
9000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321C 21.ON-SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG6321C TFDG6321C
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321C-F169onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 410mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V, 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321C_NLFairchild
на замовлення 1270000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6321C_Qonsemi / FairchildMOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322FAIRCHILD00+
на замовлення 12010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.09 грн
500+14.20 грн
1000+11.23 грн
5000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
573+22.53 грн
665+19.42 грн
671+19.26 грн
828+15.04 грн
1000+11.55 грн
3000+10.78 грн
6000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 573
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.12 грн
30+24.95 грн
100+19.71 грн
250+18.09 грн
500+14.16 грн
1000+11.76 грн
3000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322Consemi / FairchildMOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.26 грн
13+24.70 грн
100+16.73 грн
500+13.18 грн
1000+10.67 грн
3000+9.13 грн
9000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.38 грн
12+25.68 грн
100+17.85 грн
500+13.08 грн
1000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.35 грн
6000+14.92 грн
9000+14.53 грн
12000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C/22FAIRCHIL09+
на замовлення 227418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C_D87ZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C_Qonsemi / FairchildMOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323fairchild04+ SOT363
на замовлення 66100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323LonsemiDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 410mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323LFSC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323LonsemiDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 410mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution SC70-6 LD SW 2.5-8V
на замовлення 8011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323L-F169ON SemiconductorDescription: IC PWR DRIVER P-CHANNEL 1:1 SC88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323L_D87ZonsemiDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 410mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6324LONSEMICategory: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.6A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.6A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC70-6
On-state resistance: 0.75Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 2.5...8V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6324LFAI05+
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6324LonsemiPower Switch ICs - Power Distribution SC70-6 LD SW 3-20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6324LonsemiDescription: BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL
Packaging: Bulk
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 370mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 70313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
989+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 989
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6324LonsemiDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 370mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6324LonsemiDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 370mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 20V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6331LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6331LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6
на замовлення 13543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6331LFAIRCHILD
на замовлення 44999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6331LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6
на замовлення 13543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6331LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution Integ. Load Switch
на замовлення 14999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6331L/.31FAIR
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.06 грн
9000+13.41 грн
24000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332ConsemiMOSFETs 20V N&P-Channel Power Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.7/-0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 442/700mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/0.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6332C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.70 грн
50+32.78 грн
100+22.04 грн
500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.10 грн
9000+11.67 грн
24000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332COn SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C 32.ON-SemiconductorTransistor N/P-MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: FDG6332C-F085; FDG6332C_F085; FDG6332C TFDG6332c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085onsemi / FairchildMOSFET 20V N&P Chan PowerTrench
на замовлення 17960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 700
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1
Bauform - Transistor: SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085PonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085PON SemiconductorMOSFET DUAL NP MOS SC70-6 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-PGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.29 грн
22+34.60 грн
25+33.14 грн
100+24.78 грн
250+22.53 грн
500+18.44 грн
1000+14.73 грн
3000+12.60 грн
6000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.50 грн
18000+18.73 грн
36000+17.43 грн
54000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335Nonsemi / FairchildMOSFETs FDG6335N
на замовлення 12279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.78 грн
10+36.48 грн
100+21.54 грн
500+16.94 грн
1000+15.41 грн
3000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.74 грн
6000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 46979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.00 грн
10+33.08 грн
100+22.99 грн
500+16.85 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
946+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 946
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
6000+12.38 грн
9000+11.50 грн
30000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N 35.ON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG6335N TFDG6335N
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N/35FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6342LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6342LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6
на замовлення 20237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6342LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6
на замовлення 20237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6342LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution Integ Load Switch
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8842CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8842CZON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8842CZonsemi / FairchildMOSFET Q1:30V/Q2: -25V Cmpl PowerTrench MOSFET
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 607-616 дні (днів)
8+44.66 грн
3000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8842CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8842CZON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+25.55 грн
643+20.09 грн
648+19.94 грн
740+16.83 грн
1000+13.94 грн
3000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 506
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 95783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.36 грн
10+33.84 грн
100+19.87 грн
500+15.62 грн
1000+14.15 грн
3000+12.34 грн
9000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.26 грн
27+27.37 грн
100+20.76 грн
250+19.08 грн
500+16.03 грн
1000+14.33 грн
3000+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZTECH PUBLICКод виробника: FDG8850NZ-TP MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC-88, SOT-363 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.31 грн
6000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.08 грн
6000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.89 грн
50+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 4382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.97 грн
10+37.16 грн
100+24.03 грн
500+17.26 грн
1000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.75 грн
6000+18.26 грн
9000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZOn SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ 50.ON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG8850NZ TFDG8850NZ
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG901DFAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG901DFairchild SemiconductorDescription: IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG901DFairchild SemiconductorDescription: IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG901DFairchild SemiconductorDescription: IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDGA05---0.5mm, InGaAs, 800-1800nm Група товару: Датчики оптичних величин та зображень Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.