Продукція > NSF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NSF017120T2A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1457.58 грн
10+1181.53 грн
100+888.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJNexperiaSiC MOSFETs NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIANSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1118.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1504.17 грн
10+1331.13 грн
25+1275.96 грн
100+1055.04 грн
250+1003.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs 1200 V, 30 mΩ, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1653.98 грн
10+1389.88 грн
100+1045.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1505.68 грн
50+1303.77 грн
100+1116.38 грн
250+1081.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIANSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1038.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1419.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIANSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1708.07 грн
5+1607.30 грн
10+1505.68 грн
50+1303.77 грн
100+1116.38 грн
250+1081.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1705.53 грн
5+1604.76 грн
10+1503.14 грн
50+1394.99 грн
100+1113.47 грн
250+1087.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1503.14 грн
50+1394.99 грн
100+1113.47 грн
250+1087.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperia USA Inc.Description: NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1865.92 грн
10+1564.84 грн
450+1379.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperiaMOSFETs 1200 V, 30 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1653.98 грн
10+1389.88 грн
30+1208.59 грн
100+1050.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1614.08 грн
5+1577.66 грн
10+1541.25 грн
50+1215.70 грн
100+1098.96 грн
250+1075.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperia USA Inc.Description: NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1423.32 грн
10+1264.37 грн
30+1207.52 грн
120+1013.22 грн
270+966.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaMOSFETs 1200 V, 40 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1646.05 грн
10+1327.37 грн
120+1019.11 грн
510+970.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 195090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+820.12 грн
97560+764.17 грн
146340+721.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1541.25 грн
50+1215.70 грн
100+1098.96 грн
250+1075.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T2A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1018.10 грн
10+749.20 грн
100+563.15 грн
500+533.71 грн
800+453.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20-TE16L
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20G-TE16L
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40-TE16LNIECDO214AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40-TE16LNIHON06+
на замовлення 6374 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40-TE16LNIHON06+
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40-TE16LNIHON09+
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40G-TE16L
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60SHINDENGEN
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60-TE16LNIHON08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60-TE16L-R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60-TE16L3
на замовлення 3906 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60G-TE16L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0NEXPERIASiC MOSFET / TO263-7L - not released yet, April 2024
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1279.57 грн
50+1107.97 грн
100+948.70 грн
250+919.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1067.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1452.33 грн
5+1365.95 грн
10+1279.57 грн
50+1107.97 грн
100+948.70 грн
250+919.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1278.79 грн
10+1131.48 грн
25+1084.57 грн
100+896.78 грн
250+852.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs 1200 V, 40 mΩ, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1457.58 грн
10+1181.53 грн
100+888.51 грн
800+852.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNEXPERIASiC MOSFET / TO263-7L - not released yet, April 2024
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+951.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+882.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1-QJNexperiaSiC MOSFETs NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1JNexperiaSiC MOSFETs NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNEXPERIANSF040120L3A0Q THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1616.42 грн
2+1528.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO
Packaging: Tube
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1678.10 грн
10+1162.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1314.05 грн
180+1232.71 грн
270+1169.77 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1389.76 грн
10+985.33 грн
120+808.49 грн
510+749.61 грн
1020+714.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1481.12 грн
5+1290.58 грн
10+1100.04 грн
50+1020.68 грн
100+923.30 грн
250+904.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1486.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs 1200 V, 40 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1577.36 грн
10+1188.47 грн
120+832.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1625.08 грн
5+1456.56 грн
10+1287.20 грн
50+1169.30 грн
100+1056.13 грн
250+1032.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNEXPERIAN-channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+1570.11 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperia USA Inc.Description: NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1717.30 грн
10+1191.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1584.44 грн
5+1481.97 грн
10+1376.11 грн
50+1206.26 грн
100+1030.72 грн
250+1004.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNexperiaSiC MOSFETs 1200 V, 60 mΩ, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1475.19 грн
10+1197.15 грн
30+1041.00 грн
100+899.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1376.11 грн
50+1206.26 грн
100+1030.72 грн
250+1004.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120T2A1JNexperiaSiC MOSFETs NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0-QJNexperiaSiC MOSFETs NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+961.16 грн
50+832.75 грн
100+712.80 грн
250+691.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIANSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+717.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+666.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs 1200 V, 60 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1170.47 грн
10+892.44 грн
100+671.10 грн
800+670.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1091.58 грн
5+1026.37 грн
10+961.16 грн
50+832.75 грн
100+712.80 грн
250+691.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIANSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+965.22 грн
10+854.37 грн
25+818.87 грн
100+677.11 грн
250+643.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperiaMOSFETs 1200 V, 60 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1170.47 грн
10+892.44 грн
30+776.03 грн
100+674.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1091.58 грн
5+1027.22 грн
10+962.01 грн
50+892.51 грн
100+712.07 грн
250+691.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperia USA Inc.Description: NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+965.22 грн
10+854.37 грн
30+818.88 грн
120+677.11 грн
270+643.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+962.01 грн
50+892.51 грн
100+712.07 грн
250+691.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperia USA Inc.Description: NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1040.34 грн
10+920.27 грн
30+882.13 грн
120+729.39 грн
270+693.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1177.95 грн
5+1025.52 грн
10+872.24 грн
50+793.43 грн
100+717.88 грн
250+702.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+870.14 грн
30+857.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+872.24 грн
50+793.43 грн
100+717.88 грн
250+702.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120T2A0JNexperiaSiC MOSFETs SOT8107 1200V 36A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF0610
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+934.06 грн
5+877.33 грн
10+819.74 грн
50+710.07 грн
100+608.27 грн
250+588.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+947.25 грн
10+716.13 грн
25+667.14 грн
100+575.57 грн
250+551.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIANSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+819.74 грн
50+710.07 грн
100+608.27 грн
250+588.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs 1200 V, 80 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1030.43 грн
10+758.75 грн
100+570.70 грн
500+540.51 грн
800+458.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIANSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+610.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+514.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNEXPERIANSF080120L3A0Q THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1387.12 грн
2+1037.04 грн
3+981.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+942.36 грн
10+630.26 грн
120+506.54 грн
510+458.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+923.90 грн
5+796.03 грн
10+668.16 грн
50+604.70 грн
100+547.30 грн
250+535.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO
Packaging: Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1001.15 грн
10+684.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+480.66 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1002.66 грн
5+941.69 грн
10+880.71 грн
50+817.02 грн
100+703.36 грн
250+651.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperia USA Inc.Description: NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1268.17 грн
10+863.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNEXPERIAN-channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs 1200 V, 80 mOhm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1109.70 грн
10+817.78 грн
120+614.49 грн
510+581.27 грн
1020+494.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF150
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF2250WT1
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF2250WT1G
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF2250WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSF2250WT1G - NSF2250WT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 32950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3210+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 3210
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2002 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2003 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2004 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2005 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF250
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF350
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF360
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF460
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 800 Volt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC102J100TRB2F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC103J100TRC3F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC104J16TRC3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC104J16TRC3F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC104J50TRD2NIC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC123J100TRD1F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC123J16TRB2F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC124J16TRD1F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC224J16TRD2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC224J16TRD3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC224J50TRE4F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.