Продукція > NSF

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSF017120T1A0-QHPNexperiaSiC MOSFETs NSF080120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF017120T1A0-QHPNexperia USA Inc.Description: NSF017120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF017120T1A0HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 17 M, N-CHANNEL SIC MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF017120T1A0HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 17 M, N-CHANNEL SIC MOSF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF017120T1A0HPNexperiaSiC MOSFETs NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF017120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1205.34 грн
10+923.77 грн
25+864.42 грн
100+750.07 грн
250+720.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF017120T2A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1254.81 грн
10+921.71 грн
100+761.45 грн
800+723.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF017120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+724.05 грн
50+624.47 грн
100+531.56 грн
250+521.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJNexperia USA Inc.Description: NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-236-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+795.27 грн
10+530.01 грн
100+397.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1043.80 грн
5+884.33 грн
10+724.05 грн
50+624.47 грн
100+531.56 грн
250+521.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJNexperiaSiC MOSFETs NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+827.95 грн
10+565.25 грн
100+367.95 грн
800+362.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1267.70 грн
5+1102.59 грн
10+936.68 грн
50+835.37 грн
100+738.66 грн
250+724.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1517.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1135.61 грн
10+802.62 грн
100+615.78 грн
800+345.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+936.68 грн
50+835.37 грн
100+738.66 грн
250+724.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1536.96 грн
10+1064.59 грн
100+976.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1210.51 грн
10+866.14 грн
30+753.16 грн
100+587.48 грн
500+554.34 грн
1000+522.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1545.56 грн
5+1342.60 грн
10+1138.83 грн
50+955.03 грн
100+786.30 грн
250+770.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1536.96 грн
10+1064.59 грн
450+798.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1138.83 грн
50+955.03 грн
100+786.30 грн
250+770.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1237.09 грн
50+1079.92 грн
100+934.03 грн
250+870.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO247-4
Packaging: Tube
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1572.68 грн
10+1090.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 195090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+939.23 грн
97560+875.16 грн
146340+826.60 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1676.84 грн
5+1456.96 грн
10+1237.09 грн
50+1079.92 грн
100+934.03 грн
250+870.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1227.43 грн
10+878.84 грн
120+597.84 грн
510+542.61 грн
1020+508.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T1A0-QHPNexperiaSiC MOSFETs NSF080120T1A1/SOT8114/QDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T1A0-QHPNexperia USA Inc.Description: NSF030120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T1A0HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 30 M, N-CHANNEL SIC MOSF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+524.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T1A0HPNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120T1A0HP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, QDPAK-EP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: QDPAK-EP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+833.59 грн
5+785.26 грн
10+768.35 грн
50+655.88 грн
100+549.51 грн
250+538.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T1A0HPNexperiaSiC MOSFETs NSF030120T1A0/SOT8114/QDPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T1A0HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 30 M, N-CHANNEL SIC MOSF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: X.PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+950.60 грн
10+640.18 грн
100+526.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T2A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+972.92 грн
10+682.75 грн
100+488.07 грн
500+458.39 грн
800+436.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: X.PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20KYOCERA AVXDescription: DIODE STANDARD 200V 3A NSMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20-TE16L
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20G-TE16L
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40KYOCERA AVXDescription: DIODE STANDARD 400V 3A NSMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40-TE16LNIHON06+
на замовлення 6374 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40G-TE16L
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60SHINDENGEN
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60-TE16LNIHON08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60-TE16L-R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60-TE16L3
на замовлення 3906 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60G-TE16L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03B60KYOCERA AVXDescription: DIODE STANDARD 600V 3A NSMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0Nexperia NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1141.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1353.67 грн
10+930.42 грн
100+830.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1278.97 грн
5+1104.20 грн
10+928.62 грн
50+811.44 грн
100+675.84 грн
250+662.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263
Supplier Device Package: TO-236-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1011.58 грн
10+703.39 грн
100+529.49 грн
800+307.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+928.62 грн
50+811.44 грн
100+675.84 грн
250+662.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A1-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+658.82 грн
50+587.08 грн
100+519.14 грн
250+508.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1-QJNexperiaSiC MOSFETs NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+756.27 грн
10+514.44 грн
100+381.76 грн
800+323.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A1-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+947.15 грн
5+802.98 грн
10+658.82 грн
50+587.08 грн
100+519.14 грн
250+508.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1-QJNexperia USA Inc.Description: NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+726.93 грн
10+482.00 грн
100+359.06 грн
800+284.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A1J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+633.04 грн
50+517.53 грн
100+412.82 грн
250+404.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1JNexperia USA Inc.Description: NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+699.75 грн
10+463.45 грн
100+344.45 грн
800+270.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A1J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+917.35 грн
5+775.60 грн
10+633.04 грн
50+517.53 грн
100+412.82 грн
250+404.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1JNexperiaSiC MOSFETs NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+728.08 грн
10+494.59 грн
100+345.86 грн
800+307.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1130.78 грн
10+962.99 грн
510+430.08 грн
1020+410.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1653.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1211.96 грн
100+1151.72 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 319W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1659.92 грн
5+1494.82 грн
10+1329.71 грн
50+1210.05 грн
100+1094.19 грн
250+1071.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1536.96 грн
10+1064.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1146.89 грн
10+1007.45 грн
510+539.85 грн
1020+512.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1516.26 грн
10+1265.27 грн
120+1117.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1547.97 грн
5+1394.14 грн
10+1240.31 грн
50+1130.03 грн
100+1023.78 грн
250+1003.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1572.68 грн
10+1090.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+939.90 грн
50+849.58 грн
100+762.14 грн
250+740.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 53A TO247-4
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+708.29 грн
10+471.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 234W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+991.44 грн
5+965.67 грн
10+939.90 грн
50+849.58 грн
100+762.14 грн
250+740.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNexperiaSiC MOSFETs NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+737.74 грн
10+502.53 грн
30+436.99 грн
100+341.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120T1A1-QHPNexperiaSiC MOSFETs PSC2065T2A0-Q/SOT8107/X.PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120T1A1-QHPNexperia USA Inc.Description: NSF040120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120T1A1HPNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120T1A1HP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, QDPAK-EP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 217W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: QDPAK-EP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+716.80 грн
5+675.73 грн
10+661.23 грн
50+563.89 грн
100+472.88 грн
250+463.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120T1A1HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 40 M, N-CHANNEL SIC MOSF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+450.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120T1A1HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 40 M, N-CHANNEL SIC MOSF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120T1A1HPNexperiaSiC MOSFETs NSF040120T1A1/SOT8114/QDPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120T2A1JNexperia USA Inc.Description: NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+815.47 грн
10+544.82 грн
100+431.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120T2A1JNexperia USA Inc.Description: NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120T2A1JNexperiaSiC MOSFETs NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+848.89 грн
10+581.13 грн
100+400.40 грн
500+375.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0-QJNexperiaSiC MOSFETs NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+668.48 грн
10+450.93 грн
100+292.70 грн
800+274.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+578.28 грн
50+468.17 грн
100+367.95 грн
250+360.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0-QJNexperia USA Inc.Description: NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+642.28 грн
10+423.14 грн
100+312.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.06 грн
5+711.17 грн
10+578.28 грн
50+468.17 грн
100+367.95 грн
250+360.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+670.90 грн
50+582.59 грн
100+500.50 грн
250+490.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]