Продукція > NSF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NSF017120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+950.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NSF017120T2A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1855.53 грн
10+1456.22 грн
50+1135.81 грн
100+1094.99 грн
500+1074.18 грн
800+875.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF017120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1558.53 грн
10+1193.97 грн
50+1071.12 грн
100+969.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJNexperia USA Inc.Description: NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+960.23 грн
10+640.18 грн
50+518.68 грн
100+450.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJNexperiaSiC MOSFETs NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1391.41 грн
10+960.99 грн
50+682.77 грн
100+633.94 грн
500+568.30 грн
800+500.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIANSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1811.10 грн
5+1704.25 грн
10+1596.50 грн
50+1382.41 грн
100+1183.71 грн
250+1146.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIANSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1857.24 грн
10+1286.02 грн
50+1076.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1940.51 грн
10+1392.71 грн
50+1005.34 грн
100+950.11 грн
800+824.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIANSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1185.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1596.50 грн
50+1382.41 грн
100+1183.71 грн
250+1146.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1453.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperia USA Inc.Description: NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1978.46 грн
10+1659.22 грн
450+1463.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperiaMOSFETs 1200 V, 30 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1753.74 грн
10+1473.71 грн
30+1281.49 грн
100+1114.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1808.40 грн
5+1701.55 грн
10+1593.80 грн
50+1479.13 грн
100+1180.63 грн
250+1152.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1593.80 грн
50+1479.13 грн
100+1180.63 грн
250+1152.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1634.21 грн
50+1289.02 грн
100+1165.24 грн
250+1139.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 195090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+839.60 грн
97560+782.32 грн
146340+738.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1711.43 грн
5+1672.82 грн
10+1634.21 грн
50+1289.02 грн
100+1165.24 грн
250+1139.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperia USA Inc.Description: NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1509.17 грн
10+1340.63 грн
30+1280.35 грн
120+1074.33 грн
270+1024.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaMOSFETs 1200 V, 40 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1745.33 грн
10+1407.43 грн
120+1080.58 грн
510+1028.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T2A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1079.51 грн
10+794.39 грн
100+597.12 грн
500+565.90 грн
800+481.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20-TE16L
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20G-TE16L
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40-TE16LNIHON06+
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40-TE16LNIHON09+
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40-TE16LNIECDO214AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40-TE16LNIHON06+
на замовлення 6374 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40G-TE16L
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60SHINDENGEN
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60-TE16LNIHON08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60-TE16L-R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60-TE16L3
на замовлення 3906 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60G-TE16L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0NEXPERIASiC MOSFET / TO263-7L - not released yet, April 2024
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1356.75 грн
50+1174.80 грн
100+1005.92 грн
250+975.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNEXPERIASiC MOSFET / TO263-7L - not released yet, April 2024
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1008.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1539.93 грн
5+1448.34 грн
10+1356.75 грн
50+1174.80 грн
100+1005.92 грн
250+975.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1093.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1634.72 грн
10+1124.02 грн
50+931.93 грн
100+858.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs 1200 V, 40 mΩ, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1545.49 грн
10+1252.79 грн
100+942.10 грн
800+903.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1-QJNexperiaSiC MOSFETs NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A1-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1365.73 грн
5+1216.68 грн
10+1067.62 грн
50+909.65 грн
100+763.49 грн
250+748.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1JNexperiaSiC MOSFETs NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A1J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1240.92 грн
5+1107.13 грн
10+972.44 грн
50+827.94 грн
100+694.22 грн
250+680.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1570.46 грн
5+1368.42 грн
10+1166.39 грн
50+1082.25 грн
100+978.99 грн
250+958.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO
Packaging: Tube
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1779.32 грн
10+1232.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNEXPERIANSF040120L3A0Q THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2076.11 грн
2+1962.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1345.26 грн
180+1261.99 грн
270+1197.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2167.43 грн
10+1281.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1522.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1556.70 грн
10+1192.04 грн
60+867.66 грн
120+831.65 грн
510+718.78 грн
1020+685.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1723.10 грн
5+1544.42 грн
10+1364.83 грн
50+1239.83 грн
100+1119.83 грн
250+1094.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+1607.40 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNEXPERIAN-channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperia USA Inc.Description: NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1820.88 грн
10+1262.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1459.11 грн
50+1279.02 грн
100+1092.89 грн
250+1065.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1680.00 грн
5+1571.35 грн
10+1459.11 грн
50+1279.02 грн
100+1092.89 грн
250+1065.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNexperiaSiC MOSFETs 1200 V, 60 mΩ, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1564.17 грн
10+1269.36 грн
30+1103.79 грн
100+953.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120T2A1JNexperiaSiC MOSFETs NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0-QJNexperiaSiC MOSFETs NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+971.19 грн
10+657.23 грн
50+459.45 грн
100+424.23 грн
800+368.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1157.41 грн
5+1088.28 грн
10+1019.14 грн
50+882.97 грн
100+755.79 грн
250+732.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIANSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1314.36 грн
10+892.06 грн
50+732.66 грн
100+648.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+925.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1019.14 грн
50+882.97 грн
100+755.79 грн
250+732.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIANSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+761.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs 1200 V, 60 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1241.06 грн
10+946.27 грн
100+711.58 грн
800+710.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1020.03 грн
50+946.34 грн
100+755.02 грн
250+733.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperiaMOSFETs 1200 V, 60 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1241.06 грн
10+946.27 грн
30+822.84 грн
100+715.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1157.41 грн
5+1089.17 грн
10+1020.03 грн
50+946.34 грн
100+755.02 грн
250+733.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1314.36 грн
10+892.06 грн
50+732.66 грн
100+648.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1391.42 грн
10+948.09 грн
50+780.67 грн
100+698.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+924.85 грн
50+841.28 грн
100+761.18 грн
250+745.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1249.00 грн
5+1087.38 грн
10+924.85 грн
50+841.28 грн
100+761.18 грн
250+745.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+922.63 грн
30+909.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120T2A0JNexperiaSiC MOSFETs SOT8107 1200V 36A N-CH
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.10 грн
10+610.29 грн
100+442.64 грн
500+394.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF0610
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+869.18 грн
50+752.90 грн
100+644.96 грн
250+624.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1032.82 грн
10+697.73 грн
50+561.90 грн
100+544.29 грн
500+520.28 грн
800+390.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIANSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+647.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+685.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1159.37 грн
10+781.17 грн
50+638.14 грн
100+555.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+990.40 грн
5+930.24 грн
10+869.18 грн
50+752.90 грн
100+644.96 грн
250+624.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIANSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO
Packaging: Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1061.53 грн
10+725.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+492.07 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+979.63 грн
5+844.04 грн
10+708.46 грн
50+641.18 грн
100+580.31 грн
250+568.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1353.12 грн
10+763.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNEXPERIANSF080120L3A0Q THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1331.71 грн
3+1259.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1169.16 грн
10+818.32 грн
60+655.55 грн
120+612.33 грн
510+517.08 грн
1020+481.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperia USA Inc.Description: NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1344.66 грн
10+915.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1063.13 грн
5+998.48 грн
10+933.83 грн
50+866.30 грн
100+745.78 грн
250+691.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNEXPERIAN-channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF150
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF2250WT1
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF2250WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSF2250WT1G - NSF2250WT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 32950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3210+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 3210
В кошику  од. на суму  грн.
NSF2250WT1G
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2002 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2003 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2004 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2005 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF250
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF350
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF360
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF460
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 800 Volt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC102J100TRB2F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC103J100TRC3F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC104J16TRC3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC104J16TRC3F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC104J50TRD2NIC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC123J100TRD1F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC123J16TRB2F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC124J16TRD1F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC224J16TRD2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC224J16TRD3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC224J50TRE4F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.