Продукція > NSF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1023.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1683.73 грн
5+1584.39 грн
10+1484.22 грн
50+1285.19 грн
100+1100.47 грн
250+1066.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIANSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1102.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIANSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2176.48 грн
10+1802.23 грн
25+1336.47 грн
100+1268.01 грн
250+1209.22 грн
500+1127.37 грн
800+964.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1482.73 грн
10+1312.16 грн
25+1257.78 грн
100+1040.00 грн
250+988.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1484.22 грн
50+1285.19 грн
100+1100.47 грн
250+1066.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIANSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+999.28 грн
10+979.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperiaMOSFETs 1200 V, 30 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1742.40 грн
10+1514.69 грн
25+1316.38 грн
100+1138.53 грн
250+1122.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperia USA Inc.Description: NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1839.33 грн
10+1542.54 грн
450+1360.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2102.79 грн
5+1935.00 грн
10+1766.37 грн
50+1398.36 грн
100+1224.97 грн
250+1167.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1766.37 грн
50+1398.36 грн
100+1224.97 грн
250+1167.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1818.96 грн
50+1440.22 грн
100+1295.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2166.23 грн
5+1992.60 грн
10+1818.96 грн
50+1440.22 грн
100+1295.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaMOSFETs 1200 V, 40 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1649.51 грн
10+1553.20 грн
30+1145.97 грн
120+1098.35 грн
270+1054.44 грн
510+1034.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperia USA Inc.Description: NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1403.04 грн
10+1246.35 грн
30+1190.31 грн
120+998.78 грн
270+952.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20-TE16L
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20G-TE16L
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40-TE16LNIHON06+
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40-TE16LNIHON09+
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40-TE16LNIECDO214AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40-TE16LNIHON06+
на замовлення 6374 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40G-TE16L
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60SHINDENGEN
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60-TE16LNIHON08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60-TE16L-R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60-TE16L3
на замовлення 3906 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60G-TE16L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0NEXPERIASiC MOSFET / TO263-7L - not released yet, April 2024
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+845.64 грн
10+827.17 грн
25+823.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1260.56 грн
10+1115.35 грн
25+1069.11 грн
100+884.00 грн
250+840.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1261.34 грн
50+1092.18 грн
100+935.18 грн
250+906.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1811.85 грн
10+1499.29 грн
25+1111.74 грн
100+1055.19 грн
250+1006.82 грн
500+937.61 грн
800+802.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+870.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1431.63 грн
5+1346.48 грн
10+1261.34 грн
50+1092.18 грн
100+935.18 грн
250+906.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNEXPERIASiC MOSFET / TO263-7L - not released yet, April 2024
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+937.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1691.18 грн
10+1219.46 грн
30+1056.68 грн
120+1055.93 грн
270+1000.12 грн
510+834.92 грн
1020+779.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNEXPERIANSF040120L3A0Q THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1581.29 грн
2+1494.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO
Packaging: Tube
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1654.19 грн
10+1145.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1631.98 грн
5+1418.27 грн
10+1203.74 грн
50+1107.68 грн
100+1021.76 грн
250+1021.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+950.98 грн
10+943.32 грн
25+919.99 грн
100+869.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperia USA Inc.Description: NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1692.82 грн
10+1174.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1601.92 грн
5+1435.80 грн
10+1268.85 грн
50+1152.64 грн
100+1041.08 грн
250+1017.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNEXPERIAN-channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1600.89 грн
10+1402.59 грн
30+1204.02 грн
120+1184.67 грн
270+910.08 грн
510+909.34 грн
1020+889.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+923.85 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNexperiaNSF040120L4A1Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+630.95 грн
10+621.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1133.62 грн
50+897.62 грн
100+786.35 грн
250+749.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIANSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1367.35 грн
10+1132.17 грн
25+839.39 грн
100+796.97 грн
250+759.76 грн
500+708.42 грн
800+606.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+951.46 грн
10+842.19 грн
25+807.20 грн
100+667.46 грн
250+634.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1349.82 грн
5+1242.14 грн
10+1133.62 грн
50+897.62 грн
100+786.35 грн
250+749.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIANSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+657.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperia USA Inc.Description: NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+951.46 грн
10+842.19 грн
30+807.21 грн
120+667.46 грн
270+634.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1349.82 грн
5+1242.14 грн
10+1133.62 грн
50+897.62 грн
100+786.35 грн
250+749.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperiaMOSFETs 1200 V, 60 mOhm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1119.06 грн
10+972.14 грн
25+844.60 грн
100+730.00 грн
250+709.91 грн
1000+704.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1133.62 грн
50+897.62 грн
100+786.35 грн
250+749.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+924.93 грн
50+841.81 грн
100+761.31 грн
250+745.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperiaMOSFETs 1200 V, 80 mΩ, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1205.01 грн
10+1047.45 грн
25+910.08 грн
100+786.55 грн
250+772.42 грн
1000+770.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1248.82 грн
5+1086.87 грн
10+924.93 грн
50+841.81 грн
100+761.31 грн
250+745.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperia USA Inc.Description: NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1025.52 грн
10+907.15 грн
30+869.56 грн
120+718.99 грн
270+683.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF0610
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1187.64 грн
10+984.12 грн
25+728.51 грн
100+692.05 грн
250+660.05 грн
500+615.40 грн
800+526.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+573.36 грн
10+562.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1146.97 грн
5+1055.98 грн
10+964.16 грн
50+762.74 грн
100+668.29 грн
250+637.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIANSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+964.16 грн
50+762.74 грн
100+668.29 грн
250+637.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperia USA Inc.Description: NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+933.75 грн
10+705.92 грн
25+657.63 грн
100+567.37 грн
250+543.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIANSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.83 грн
10+407.71 грн
25+403.63 грн
100+385.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO
Packaging: Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+986.88 грн
10+674.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+922.86 грн
10+801.85 грн
30+695.02 грн
120+691.30 грн
270+545.45 грн
510+525.36 грн
1020+499.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+920.75 грн
5+812.23 грн
10+703.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNEXPERIANSF080120L3A0Q THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1252.16 грн
2+1014.82 грн
3+959.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+472.59 грн
28+439.07 грн
29+434.68 грн
100+415.00 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperia USA Inc.Description: NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1250.10 грн
10+851.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1278.80 грн
10+1061.14 грн
30+783.58 грн
120+744.14 грн
270+710.65 грн
510+661.54 грн
1020+567.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+590.98 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1236.29 грн
5+1138.63 грн
10+1040.12 грн
50+820.10 грн
100+738.41 грн
250+719.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNEXPERIAN-channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+604.59 грн
10+600.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF150
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF2250WT1
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF2250WT1G
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF2250WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSF2250WT1G - NSF2250WT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 32950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3210+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 3210
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2002 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2003 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2004 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2005 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF250
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF350
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF360
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF460
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 800 Volt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC102J100TRB2F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC103J100TRC3F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC104J16TRC3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC104J16TRC3F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC104J50TRD2NIC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC123J100TRD1F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC123J16TRB2F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC124J16TRD1F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC224J16TRD2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC224J16TRD3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC224J50TRE4F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.