Продукція > NSF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NSF017120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1411.90 грн
10+1081.64 грн
50+970.35 грн
100+878.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF017120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+861.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NSF017120T2A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1616.31 грн
10+1268.48 грн
50+989.38 грн
100+953.82 грн
500+935.69 грн
800+762.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJNexperiaSiC MOSFETs NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+780.90 грн
10+534.01 грн
100+397.42 грн
500+364.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJNexperia USA Inc.Description: NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.89 грн
10+579.95 грн
50+469.88 грн
100+407.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1690.33 грн
10+1213.15 грн
50+875.73 грн
100+827.62 грн
800+718.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1480.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1640.71 грн
5+1543.91 грн
10+1446.30 грн
50+1252.35 грн
100+1072.35 грн
250+1038.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1682.52 грн
10+1165.03 грн
50+975.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1446.30 грн
50+1252.35 грн
100+1072.35 грн
250+1038.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1030.63 грн
50+866.37 грн
100+716.06 грн
250+701.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperia USA Inc.Description: NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1792.33 грн
10+1503.12 грн
450+1325.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1365.77 грн
5+1198.20 грн
10+1030.63 грн
50+866.37 грн
100+716.06 грн
250+701.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperiaMOSFETs 1200 V, 30 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1527.64 грн
10+1283.71 грн
30+1116.27 грн
100+970.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperia USA Inc.Description: NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1367.19 грн
10+1214.51 грн
30+1159.90 грн
120+973.26 грн
270+928.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1480.46 грн
50+1167.75 грн
100+1055.61 грн
250+1032.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 195090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+855.18 грн
97560+796.84 грн
146340+752.64 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaMOSFETs 1200 V, 40 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1520.32 грн
10+1225.98 грн
120+941.27 грн
510+895.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1550.42 грн
5+1515.44 грн
10+1480.46 грн
50+1167.75 грн
100+1055.61 грн
250+1032.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T1A0HPNexperiaSiC MOSFETs 1200 V, 30 mohm, N-channel SiC MOSFET in QDPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: X.PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.56 грн
10+604.04 грн
100+531.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T2A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+912.68 грн
10+643.86 грн
100+492.95 грн
500+439.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: X.PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20-TE16L
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A20G-TE16L
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40-TE16LNIHON06+
на замовлення 6374 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A40G-TE16L
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60SHINDENGEN
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60-TE16LNIHON08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60-TE16L-R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60-TE16L3
на замовлення 3906 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF03A60G-TE16L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs 1200 V, 40 mΩ, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1346.25 грн
10+1091.28 грн
100+820.65 грн
800+787.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1480.93 грн
10+1018.27 грн
50+844.26 грн
100+777.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1229.11 грн
50+1064.27 грн
100+911.29 грн
250+883.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1395.05 грн
5+1312.08 грн
10+1229.11 грн
50+1064.27 грн
100+911.29 грн
250+883.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1113.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A1-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1237.24 грн
5+1102.21 грн
10+967.18 грн
50+824.07 грн
100+691.66 грн
250+677.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1-QJNexperiaSiC MOSFETs NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+708.51 грн
10+485.10 грн
100+387.66 грн
2400+327.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1JNexperiaSiC MOSFETs NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+686.54 грн
10+465.86 грн
100+308.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A1J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1124.18 грн
5+1002.97 грн
10+880.96 грн
50+750.05 грн
100+628.91 грн
250+616.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1422.71 грн
5+1239.68 грн
10+1056.66 грн
50+980.43 грн
100+886.88 грн
250+868.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1370.23 грн
180+1285.41 грн
270+1219.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1888.00 грн
10+1116.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO
Packaging: Tube
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1611.92 грн
10+1116.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+1637.24 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1550.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+973.69 грн
10+863.56 грн
510+507.59 грн
1020+479.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1462.89 грн
10+1014.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1560.99 грн
5+1399.12 грн
10+1236.43 грн
50+1123.19 грн
100+1014.48 грн
250+991.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1521.95 грн
5+1423.52 грн
10+1321.84 грн
50+1158.69 грн
100+990.07 грн
250+964.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNexperiaSiC MOSFETs 1200 V, 60 mΩ, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1362.51 грн
10+1105.71 грн
30+961.49 грн
100+830.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1321.84 грн
50+1158.69 грн
100+990.07 грн
250+964.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L4A1QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120T2A1JNexperiaSiC MOSFETs NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+802.05 грн
10+548.45 грн
100+404.40 грн
500+377.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0-QJNexperiaSiC MOSFETs NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+631.23 грн
10+425.77 грн
100+275.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1048.53 грн
5+985.89 грн
10+923.26 грн
50+799.90 грн
100+684.69 грн
250+663.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+923.26 грн
50+799.90 грн
100+684.69 грн
250+663.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1190.70 грн
10+808.14 грн
50+663.73 грн
100+587.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs 1200 V, 60 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1081.06 грн
10+824.27 грн
100+619.84 грн
800+619.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1190.70 грн
10+808.14 грн
50+663.73 грн
100+587.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+709.32 грн
50+592.19 грн
100+485.28 грн
250+475.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperiaMOSFETs 1200 V, 60 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1081.06 грн
10+824.27 грн
30+716.76 грн
100+623.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1015.17 грн
5+862.25 грн
10+709.32 грн
50+592.19 грн
100+485.28 грн
250+475.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1049.34 грн
5+892.34 грн
10+735.35 грн
50+632.97 грн
100+538.96 грн
250+492.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperiaMOSFETs NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+986.70 грн
10+684.75 грн
30+595.44 грн
100+455.29 грн
500+419.74 грн
1000+413.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+735.35 грн
50+632.97 грн
100+538.96 грн
250+492.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1154.62 грн
10+786.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120T2A0JNexperiaSiC MOSFETs SOT8107 1200V 36A N-CH
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+707.69 грн
10+481.09 грн
100+343.74 грн
500+331.19 грн
800+324.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF0610
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1050.30 грн
10+707.68 грн
50+578.11 грн
100+503.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+787.41 грн
50+682.07 грн
100+584.28 грн
250+565.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+899.67 грн
10+607.78 грн
50+489.46 грн
100+474.12 грн
500+453.20 грн
800+340.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+697.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+897.23 грн
5+842.73 грн
10+787.41 грн
50+682.07 грн
100+584.28 грн
250+565.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+501.21 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+788.22 грн
5+650.75 грн
10+512.47 грн
50+447.92 грн
100+403.00 грн
250+391.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO
Packaging: Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+961.66 грн
10+657.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1178.68 грн
10+664.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+963.11 грн
5+904.55 грн
10+845.98 грн
50+784.80 грн
100+675.62 грн
250+626.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperia USA Inc.Description: NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1218.16 грн
10+829.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1018.43 грн
10+712.82 грн
60+571.04 грн
120+533.38 грн
510+450.41 грн
1020+419.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF150
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF2250WT1
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF2250WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSF2250WT1G - NSF2250WT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 32950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3210+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 3210
В кошику  од. на суму  грн.
NSF2250WT1G
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2002 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2003 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2004 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2005 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF250
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF350
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF360
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF460
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 800 Volt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC102J100TRB2F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC103J100TRC3F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC104J16TRC3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC104J16TRC3F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC104J50TRD2NIC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC123J100TRD1F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC123J16TRB2F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC124J16TRD1F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC224J16TRD2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC224J16TRD3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC224J50TRE4F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.