Продукція > NSF
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSF030120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF030120D7A0J | NEXPERIA | NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF030120D7A0J | Nexperia | SiC MOSFETs NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF030120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF030120D7A0J | NEXPERIA | NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF030120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF030120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF030120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF030120D7A0J | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF030120D7A0J | NEXPERIA | NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF030120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF030120L3A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF030120L3A0Q | Nexperia | MOSFETs NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3 | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF030120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF030120L3A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3 Packaging: Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF030120L3A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF030120L4A0Q | Nexperia | MOSFETs NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF030120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF030120L4A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L Packaging: Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF030120L4A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF030120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF030120L4A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF03A20 | на замовлення 2263 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSF03A20-TE16L | на замовлення 5660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSF03A20G-TE16L | на замовлення 2930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSF03A40-TE16L | NIEC | DO214AB | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF03A40-TE16L | NIHON | 06+ | на замовлення 6374 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF03A40-TE16L | NIHON | 06+ | на замовлення 1547 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF03A40-TE16L | NIHON | 09+ | на замовлення 1565 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF03A40G-TE16L | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSF03A60 | SHINDENGEN | на замовлення 3750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NSF03A60-TE16L | NIHON | 08+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF03A60-TE16L-R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSF03A60-TE16L3 | на замовлення 3906 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSF03A60G-TE16L | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSF040120D7A0 | NEXPERIA | SiC MOSFET / TO263-7L - not released yet, April 2024 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF040120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF040120D7A0J | NEXPERIA | SiC MOSFET / TO263-7L - not released yet, April 2024 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF040120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF040120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF040120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF040120D7A0J | Nexperia | SiC MOSFETs NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L | на замовлення 798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF040120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF040120L3A0Q | NEXPERIA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF040120L3A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO Packaging: Tube | на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF040120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF040120L3A0Q | Nexperia | SiC MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC | на замовлення 254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF040120L3A0Q | NEXPERIA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF040120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF040120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF040120L4A0Q | NEXPERIA | N-channel MOSFET | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF040120L4A0Q | Nexperia | SiC MOSFETs NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L | на замовлення 409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF040120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF040120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF040120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF040120L4A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V Power Dissipation (Max): 306W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF040120L4A1Q | Nexperia | NSF040120L4A1Q | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF060120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 38A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF060120D7A0J | NEXPERIA | NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF060120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF060120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 38A | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF060120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 38A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF060120D7A0J | NEXPERIA | NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF060120D7A0J | Nexperia | SiC MOSFETs NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF060120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF060120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF060120L3A0Q | Nexperia | MOSFETs NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF060120L3A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3 Packaging: Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF060120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF060120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF060120L4A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L Packaging: Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF060120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF060120L4A0Q | Nexperia | MOSFETs NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L | на замовлення 450 шт: термін постачання 124-133 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF0610 | на замовлення 1610 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSF080120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 33A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF080120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF080120D7A0J | NEXPERIA | NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF080120D7A0J | Nexperia | SiC MOSFETs NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF080120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 33A | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF080120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF080120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 33A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF080120D7A0J | NEXPERIA | NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF080120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF080120L3A0Q | Nexperia | SiC MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC | на замовлення 318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF080120L3A0Q | NEXPERIA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 183W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF080120L3A0Q | NEXPERIA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 183W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF080120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF080120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF080120L3A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO Packaging: Tube | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF080120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF080120L4A0Q | NEXPERIA | N-channel MOSFET | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF080120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF080120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF080120L4A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 183W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V | на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF080120L4A0Q | Nexperia | SiC MOSFETs NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF080120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF150 | на замовлення 256 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSF2250WT1 | на замовлення 5495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSF2250WT1G | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSF2250WT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSF2250WT1G - NSF2250WT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 32950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSF25 YEAR 2002 25HP 4-STROKE ST | Interlight | Description: Replacement for Nissan NSF25 Yea Packaging: Retail Package Type: Starter Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF25 YEAR 2003 25HP 4-STROKE ST | Interlight | Description: Replacement for Nissan NSF25 Yea Packaging: Retail Package Type: Starter Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF25 YEAR 2004 25HP 4-STROKE ST | Interlight | Description: Replacement for Nissan NSF25 Yea Packaging: Retail Package Type: Starter Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF25 YEAR 2005 25HP 4-STROKE ST | Interlight | Description: Replacement for Nissan NSF25 Yea Packaging: Retail Package Type: Starter Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF250 | на замовлення 324 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSF350 | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSF360 | на замовлення 125 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSF460 | на замовлення 157 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSF8BT-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8BT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8BTHE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8BTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8BTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8DT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8DT-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8DTHE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8DTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8DTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8GT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8GT-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8GTHE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8GTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8GTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8JT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8JT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | на замовлення 754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8JTHE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8JTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8JTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8KT-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 800 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8KT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8KTHE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8KTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8KTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8MT-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8MT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8MTHE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8MTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSF8MTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NSFC102J100TRB2F | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSFC103J100TRC3F | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSFC104J16TRC3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSFC104J16TRC3F | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSFC104J50TRD2 | NIC | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NSFC123J100TRD1F | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSFC123J16TRB2F | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSFC124J16TRD1F | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSFC224J16TRD2 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSFC224J16TRD3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSFC224J50TRE4F | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |