Продукція > NTL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTL-ANA-2-X-3M | NEW TRY | Description: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C Packaging: Case Accessory Type: Cable | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTL-ANA-2-X-5M | NEW TRY | Description: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C Packaging: Case Accessory Type: Cable | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTL-GIGE-7-1-3-3M | NEW TRY | Description: HIGH FLEXIBILITY CAMERA CABLE, 3 Packaging: Case Accessory Type: Cable | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL-GIGE-7-1-3-5M | NEW TRY | Description: HIGH FLEXIBILITY CAMERA CABLE, 5 Packaging: Case Accessory Type: Cable | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTL-T-CCB-84901-1003-03M | NEW TRY | Description: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C Packaging: Case Accessory Type: Cable | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL-T-CCB-84901-2001-03M | NEW TRY | Description: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C Packaging: Case Accessory Type: Cable Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL-U3-1-2-3M | NEW TRY | Description: U3 HIGH FLEXIBILITY CAMERA CABLE | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTL02B5N6TRF | NIC Components | Inductor RF Chip Thin Film 0.0056uH 0.1nH 500MHz 10Q-Factor 0.2A 1Ohm DCR 0201 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL04B1N8TRF | NIC Components | Inductor RF Chip Thin Film 0.0018uH 0.1nH 300MHz 13Q-Factor 1A 0.14Ohm DCR 0402 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL04B3N0TRF | NIC Components | Inductor RF Chip Thin Film 0.003uH 0.1nH 300MHz 13Q-Factor 0.71A 0.24Ohm DCR 0402 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL04C1N5TRF | NIC Components | Inductor RF Chip Thin Film 0.0015uH 0.2nH 300MHz 13Q-Factor 1.2A 0.1Ohm DCR 0402 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL04C3N9TRF | NIC Components | Inductor RF Chip Thin Film 0.0039uH 0.2nH 300MHz 13Q-Factor 0.62A 0.3Ohm DCR 0402 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL04C4N3TRF | NIC Components | Inductor RF Chip Thin Film 0.0043uH 0.2nH 300MHz 13Q-Factor 0.55A 0.46Ohm DCR 0402 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL04C8N2TRF | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTL1 | NEUTRIK | Description: NEUTRIK - NTL1 - Audio-Übertrager, 1:1, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85043180 rohsCompliant: YES Sekundärer DC-Widerstand: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Transformatormontage: Durchsteckmontage Impedanz, sekundärseitig: 10kohm Primärer DC-Widerstand: - usEccn: EAR99 Leistung, Sekundärwicklung: - Frequenz, min.: - Impedanz, primärseitig: 10kohm Isolationsspannung: - Transformatoranschlüsse: Leiterplattenstift euEccn: NLR Windungsverhältnis: 1:1 Produktpalette: - productTraceability: No Frequenz, max.: - Anwendungen Transformator: Professionell – Anpassungsübertrager | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTL1 | Neutrik | Audio Transformers / Signal Transformers TRANSFRMER LINE PCB VERT 1:1 RATIO | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTL10-005L | YAGEO | Description: ICL 5 OHM 15% 10A 20MM Tolerance: ±15% Packaging: Box Diameter: 0.787" (20.00mm) Lead Spacing: 0.295" (7.50mm) Approval Agency: TUV, UL Current - Steady State Max: 10 A R @ 25°C: 5 Ohms R @ Current: 68 mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL10-005LF | YAGEO | Description: ICL 5 OHM 15% 10A 24MM Tolerance: ±15% Packaging: Box Diameter: 0.945" (24.00mm) Lead Spacing: 0.295" (7.50mm) Approval Agency: TUV, UL Current - Steady State Max: 10 A R @ 25°C: 5 Ohms R @ Current: 68 mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL10-005LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 5ohm 10A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL10-005M | YAGEO | Description: ICL 5 OHM 20% 10A 20MM Tolerance: ±20% Packaging: Box Diameter: 0.787" (20.00mm) Lead Spacing: 0.295" (7.50mm) Approval Agency: TUV, UL Current - Steady State Max: 10 A R @ 25°C: 5 Ohms R @ Current: 68 mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL10-005M | YAGEO | Description: YAGEO - NTL10-005M - Thermistor, ICL, NTC, 5 Ohm, Produktreihe NT, 20mm, 10A tariffCode: 85334010 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Zulassungen: TÜV, UL Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 10A euEccn: NLR Maximale Nennenergie bei 25°C: - Widerstand (25°C): 5ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Scheibengröße: 20mm usEccn: EAR99 Produktpalette: NT Series SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | на замовлення 2652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTL10-005M | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 5ohm 10A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL10-005MF | YAGEO | Description: ICL 5 OHM 20% 10A 24MM Tolerance: ±20% Packaging: Box Diameter: 0.945" (24.00mm) Lead Spacing: 0.295" (7.50mm) Approval Agency: TUV, UL Current - Steady State Max: 10 A R @ 25°C: 5 Ohms R @ Current: 68 mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL10-005MF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 5ohm 10A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL10-006L | YAGEO | Description: ICL 6 OHM 15% 10A 20MM Tolerance: ±15% Packaging: Box Diameter: 0.787" (20.00mm) Lead Spacing: 0.295" (7.50mm) Approval Agency: TUV, UL Current - Steady State Max: 10 A R @ 25°C: 6 Ohms R @ Current: 72 mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL10-006L | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 6ohm 10A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL10-006LF | YAGEO | Description: ICL 6 OHM 15% 10A 24MM Tolerance: ±15% Packaging: Box Diameter: 0.945" (24.00mm) Lead Spacing: 0.295" (7.50mm) Approval Agency: TUV, UL Current - Steady State Max: 10 A R @ 25°C: 6 Ohms R @ Current: 72 mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL10-006LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 6ohm 10A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL10-006M | YAGEO | Description: ICL 6 OHM 20% 10A 20MM Tolerance: ±20% Packaging: Box Diameter: 0.787" (20.00mm) Lead Spacing: 0.295" (7.50mm) Approval Agency: TUV, UL Current - Steady State Max: 10 A R @ 25°C: 6 Ohms R @ Current: 72 mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL10-006M | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 6ohm 10A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL10-006MF | YAGEO | Description: ICL 6 OHM 20% 10A 24MM Tolerance: ±20% Packaging: Box Diameter: 0.945" (24.00mm) Lead Spacing: 0.295" (7.50mm) Approval Agency: TUV, UL Current - Steady State Max: 10 A R @ 25°C: 6 Ohms R @ Current: 72 mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL10-006MF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 6ohm 10A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL12-001L | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 1ohm 12A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL12-001M | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 1ohm 12A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL12-001MF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 1ohm 12A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL12-002LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2ohm 12A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL12-002M | YAGEO | Description: YAGEO - NTL12-002M - Thermistor, ICL, NTC, 2 Ohm, Produktreihe NT, 20mm, 12A tariffCode: 85334010 productTraceability: No rohsCompliant: YES Zulassungen: TÜV, UL Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 12A euEccn: NLR Maximale Nennenergie bei 25°C: - hazardous: false Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 2ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Scheibengröße: 20mm usEccn: EAR99 Produktpalette: NT Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL12-002M | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2ohm 12A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL12-002MF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2ohm 12A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL12-0R7L | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 0.7ohm 12A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL12-0R7LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 0.7ohm 12A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL12-0R7M | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 0.7ohm 12A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL12-0R7MF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 0.7ohm 12A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL12-2R5L | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2.5ohm 12A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL12-2R5LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2.5ohm 12A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL12-2R5M | YAGEO | Description: YAGEO - NTL12-2R5M - Thermistor, ICL, NTC, 2.5 Ohm, Produktreihe NT, 20mm, 12A tariffCode: 85334010 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Zulassungen: TÜV, UL Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 12A euEccn: NLR Maximale Nennenergie bei 25°C: - Widerstand (25°C): 2.5ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Scheibengröße: 20mm usEccn: EAR99 Produktpalette: NT Series SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTL12-2R5MF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2.5ohm 12A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL4502NT1 | onsemi | Description: MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL4502NT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTL4502NT1 - NTL4502NT1, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL4502NT1 | на замовлення 898 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTL4502NT1 | onsemi | Description: MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN | на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTL4532T-S3R6B | TDK | 00+ | на замовлення 510 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTL5152 | на замовлення 1326 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLD7900ZR2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLGD3402PT1G | на замовлення 557 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLGD3501NT1G | на замовлення 1619 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLGD3502NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLGD3502NT1G - MOSFET, N, 20V, DFN6 3X3MM tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 14990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLGD3502NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 2910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLGD3502NT1G | onsemi | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 14990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLGD3502NT2G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M | на замовлення 2979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLGD3502NT2G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLGD3502NT2G | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLGF3402PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN | на замовлення 5200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLGF3402PT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLGF3402PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLGF3402PT1G - NTLGF3402PT1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLGF3402PT2G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLGF3402PT2G | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLGF3402PT2G | ON Semiconductor | MOSFET PFET 3X3 20V 2.7A 140MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLGF3402PT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLGF3402PT2G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLGF3501NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLGF3501NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLGF3501NT2G | на замовлення 112 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLGF3501NT2G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 10 V | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLGF3501NT2G | ON Semiconductor | MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLGF3501NT2G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJ3115 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLJD2104PTAG | на замовлення 1413 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLJD2104PTAG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD2104PTAG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | на замовлення 16318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD2104PTBG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD2104PTBG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLJD2104PTBG - NTLJD2104PTBG, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD2104PTBG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD2105LTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD2105LTBG | ON | QFN | на замовлення 2996 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3115P | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLJD3115PT1G | ON Semiconductor | на замовлення 1010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLJD3115PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3115PT1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD3115PT1G | ONSEMI | NTLJD3115PT1G SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3115PT1G | onsemi | MOSFETs PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM | на замовлення 3061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD3115PT1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | на замовлення 81632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD3115PTAG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD3115PTAG | на замовлення 650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLJD3115PTAG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3119C | onsemi | onsemi COMP WDFN6 20V 4.6A 65MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3119CTAG | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3119CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3119CTAG | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3119CTAG | на замовлення 348 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLJD3119CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3119CTBG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3119CTBG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD3119CTBG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD3119CTBG | ONSEMI | NTLJD3119CTBG Multi channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3119CTBG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3119CTBG | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active | на замовлення 27187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD3119CTBG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD3119CTBG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3119CTBG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD3119CTBG | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD3119CTBG | onsemi | MOSFETs COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm | на замовлення 83715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD3181PZTAG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD3181PZTAG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3181PZTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3182FZTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLJD3182FZTAG - NTLJD3182FZTAG, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD3182FZTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3182FZTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3183CZTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD3183CZTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLJD3183CZTAG - NTLJD3183CZTAG, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD3183CZTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD4116NT1G | на замовлення 28750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLJD4116NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD4116NT1G | onsemi | MOSFETs NFET 2X2 30V 4.6A 70MOHM | на замовлення 7845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD4116NT1G | ONSEMI | NTLJD4116NT1G SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD4116NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJD4116NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | на замовлення 9124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJD4150PTBG | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLJD4150PTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF3117P | onsemi | onsemi PFET WDFN6 20V 4.1A 100MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF3117P | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | ON | QFN | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | ON Semiconductor | на замовлення 221 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | ON | 09+ SOP8 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | ON | WDFN-6 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V | на замовлення 19693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | onsemi | MOSFETs PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM | на замовлення 7698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | ONSEMI | NTLJF3117PT1G SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF3117PTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF3117PTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN | на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJF3118NTAG | на замовлення 3236 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLJF3118NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF3118NTBG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF3118NTBG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF4156NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF4156NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJF4156NT1G | onsemi | MOSFETs NFET 2X2 30V 4A 70MOHM | на замовлення 7391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJF4156NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJF4156NT1G | ONSEMI | NTLJF4156NT1G SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF4156NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF4156NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V | на замовлення 12053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJF4156NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF4156NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJF4156NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 354 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLJF4156NTAG | ONSEMI | NTLJF4156NTAG SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF4156NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF4156NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF4156NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF4156NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJF4156NTAG | onsemi | MOSFETs NFET 2X2 30V 4A 70MOHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJF4156NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS053N12MCLTAG | onsemi | MOSFET PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS1102PTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS1102PTAG | ON Semiconductor | на замовлення 2370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLJS1102PTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS17D0P03P8ZTAG | onsemi | MOSFETs PT8 30V WDFN POWER CLIP | на замовлення 13154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS17D0P03P8ZTAG | ON Semiconductor | на замовлення 1320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLJS17D0P03P8ZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V | на замовлення 4484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS17D0P03P8ZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS17D0P03P8ZTAG | ONSEMI | NTLJS17D0P03P8ZTAG SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS2103PTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V | на замовлення 74138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS2103PTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS2103PTBG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-Pin WDFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS2103PTBG | ONSEMI | NTLJS2103PTBG SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS2103PTBG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS2103PTBG | ON Semiconductor | на замовлення 69000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLJS2103PTBG | onsemi | MOSFETs PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025 | на замовлення 40795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS2103PTBG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V | на замовлення 22170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS3113PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS3113PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLJS3113PT1G - MOSFET, P CHANNEL, -20V, -5.8A, WDFN-6 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 298123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS3113PT1G | ON Semiconductor | MOSFET PFET 2X2 20V 9.5A 42MOHM | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS3113PT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS3113PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS3113PT1G | ON | WDFN-6 | на замовлення 12800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS3113PT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN | на замовлення 44238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS3113PTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS3113PTAG | ON Semiconductor | MOSFET PFET 20V 9.5A 42MOHM 2X2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS3180PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 16 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS3180PZTBG | onsemi | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS3A18PZTWG | Rochester Electronics, LLC | Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS3A18PZTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLJS3A18PZTWG - NTLJS3A18PZTWG, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS3A18PZTXG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS3A18PZTXG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V | на замовлення 25707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS3D0N02P8ZTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS3D0N02P8ZTAG | ONSEMI | NTLJS3D0N02P8ZTAG SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS3D0N02P8ZTAG | onsemi | MOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP | на замовлення 15858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS3D0N02P8ZTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 20.2A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS3D0N02P8ZTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V | на замовлення 7160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS3D9N03CTAG | ON Semiconductor | 30 V Single N Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS3D9N03CTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLJS3D9N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS3D9N03CTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS4114NT1G | onsemi | MOSFETs NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm | на замовлення 3663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS4114NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V | на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS4114NT1G | ONSEMI | NTLJS4114NT1G SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS4114NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLJS4114NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0203 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0203ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS4114NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS4114NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS4114NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 2733 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLJS4114NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS4114NTAG | ONSEMI | NTLJS4114NTAG SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS4114NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin WDFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS4114NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin WDFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS4114NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V | на замовлення 3070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS4114NTAG | onsemi | MOSFETs NFET WDFN6 30V 7.8A | на замовлення 4816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS4149PTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS4149PTBG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN | на замовлення 308000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS4159NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS4159NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLJS4159NT1G - NTLJS4159NT1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS4159NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS4D7N03HTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 11.6A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS4D9N03HTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLJS4D9N03HTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS4D9N03HTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS4D9N03HTAG | onsemi | MOSFET T8 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS4D9N03HTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS5D0N03CTAG | ON Semiconductor | 30 V Single N Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS5D0N03CTAG | ON Semiconductor | 30 V Single N Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS5D0N03CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS5D0N03CTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLJS5D0N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS5D0N03CTAG | ONSEMI | NTLJS5D0N03CTAG SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS5D0N03CTAG | onsemi | MOSFET T6 30V POWER CLIP 2 | на замовлення 3320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS5D0N03CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V | на замовлення 35828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS7D2P02P8Z | onsemi | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS7D2P02P8ZTAG | onsemi | MOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP | на замовлення 2986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS7D2P02P8ZTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS7D2P02P8ZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V | на замовлення 36114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS7D2P02P8ZTAG | ONSEMI | NTLJS7D2P02P8ZTAG SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS7D2P02P8ZTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS7D2P02P8ZTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS7D2P02P8ZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS7D2P02P8ZTAG | ON Semiconductor | 20 V Single P Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLJS7D2P02P8ZTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 20921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLJS7D2P02P8ZTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 228000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLK3 | FIT | на замовлення 110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLLD4901NFTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 11A/13A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLLD4901NFTWG | ON Semiconductor | MOSFET NFET WDFN8 30V 9A 20MOHM | на замовлення 3327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLLD4901NFTWG | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW, 810mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 6.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLLD4951NFTWG | ON Semiconductor | MOSFET NFET WDFN8 30V 9A 20MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLLD4951NFTWG | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW, 810mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 6.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLLD4951NFTWG | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW, 810mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 6.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLMS4504NR2 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLMS4504NR2 - NTLMS4504NR2, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 19640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLMS4504NR2 | onsemi | Description: TRANS MOSFET N-CH 24V 28A 3PIN S Packaging: Bulk | на замовлення 18570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLTD7900DR2 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLTD7900NR2Z | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLTD7900Z | ON | Micro-8 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLTD7900Z | ON | 07+ Micro-8 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLTD7900ZR2 | ON Semicondu | 2002 | на замовлення 310000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLTD7900ZR2 | ON | MICRO-8 | на замовлення 9300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLTD7900ZR2 | ON | 05+ QFN8 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLTD7900ZR2G | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLTD7900ZR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLTD7900ZR2G - MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 6A, MSOP tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 297816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLTS3107PR2G | Rochester Electronics, LLC | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLTS3107PR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLTS3107PR2G - NTLTS3107PR2G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUD3191PZTAG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD3191PZTAG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) | на замовлення 99480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUD3191PZTBG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD3191PZTBG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUD3A260PZTAG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD3A260PZTAG | onsemi | MOSFET POWER MOSFET 20V 2A 200 M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD3A260PZTAG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUD3A260PZTBG | onsemi | Encoders 3.3Vin IP65 Encoder | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD3A260PZTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD3A50PZ | onsemi | PFET UDFN6 20V 5.6A 50MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD3A50PZTAG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD3A50PZTAG | ON Semiconductor | на замовлення 620 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLUD3A50PZTAG | onsemi | MOSFET PFET UDFN6 20V 5.6A 50MOH | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD3A50PZTAG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUD3A50PZTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD3A50PZTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD3A50PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET Dual P-Channel Cool Power MOSFET -20V -5.6A 50m | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD3A50PZTBG | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD3A50PZTBG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD3A50PZTBG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD4C26NTAG | ONSEMI | NTLUD4C26NTAG Multi channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD4C26NTAG | onsemi | MOSFET NFET UDFN6 30V 8.7A | на замовлення 78725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD4C26NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUD4C26NTBG | ON Semiconductor | MOSFET NFET UDFN6 30V 8.7A 21MOH | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUF4189NZTAG | ON Semiconductor | MOSFET NFET WDFN6 30V 1.5A 200mOhm | на замовлення 1492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUF4189NZTAG | ON Semiconductor | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLUF4189NZTAG | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUF4189NZTBG | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 454750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUF4189NZTBG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLUF4189NZTBG - NTLUF4189NZTBG, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 302750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS020N03CTAG | onsemi | MOSFETs T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN | на замовлення 2609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS020N03CTAG | ON Semiconductor | на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLUS020N03CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS020N03CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS020N03CTAG | ONSEMI | NTLUS020N03CTAG SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS020N03CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V | на замовлення 55198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS029N06T6TAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 30 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS029N06T6TAG | onsemi | MOSFET 60V 29 MOHM T6 1.6 X1.6 U | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS029N06T6TAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 30 V | на замовлення 17970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS030N03CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 640mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V | на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS030N03CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS030N03CTAG | onsemi | MOSFETs T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN | на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS030N03CTAG | ONSEMI | NTLUS030N03CTAG SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS030N03CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 640mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3192PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3192PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS3192PZTBG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLUS3192PZTBG - NTLUS3192PZTBG, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS3192PZTBG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZCTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZCTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZCTAG | Rochester Electronics, LLC | Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZCTBG | Rochester Electronics, LLC | Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZCTBG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZCTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZCTCG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZCTCG | ON Semiconductor | MOSFET PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZCTCG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET T4S PCH 20/8V IN 2X2 UDFN | на замовлення 723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZTAG | ON Semiconductor | на замовлення 2541 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLUS3A18PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN | на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET T4S PCH 20/8V IN 2X2 UDFN | на замовлення 809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZTCG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZTCG | ON Semiconductor | на замовлення 2385 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLUS3A18PZTCG | ON Semiconductor | MOSFET PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM | на замовлення 2863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A18PZTCG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A39PZCTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS3A39PZCTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A39PZCTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A39PZTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLUS3A39PZTAG - NTLUS3A39PZTAG, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 160793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS3A39PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A39PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V | на замовлення 190793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS3A39PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A39PZTAG | ON Semiconductor | на замовлення 5990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLUS3A39PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A39PZTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A40PZCTAG | Rochester Electronics, LLC | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A40PZCTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A40PZCTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 6.4A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A40PZCTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A40PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A40PZTAG | onsemi | MOSFET T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL | на замовлення 3321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS3A40PZTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 6.4A 6-Pin UDFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A40PZTAG | ON Semiconductor | на замовлення 1908 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLUS3A40PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V | на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS3A40PZTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A40PZTBG | ON Semiconductor | на замовлення 973 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLUS3A40PZTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A40PZTBG | ON Semiconductor | IGBT Transistors T4 20/8 PCH UDFN SING | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A90PZCTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A90PZCTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A90PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V | на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS3A90PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET POWER MOSFET 20V 3A 60 MO | на замовлення 3669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A90PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A90PZTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6UDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A90PZTBG | ON Semiconductor | IGBT Transistors POWER MOSFET 20V 3A 60 MO | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3A90PZTBG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLUS3A90PZTBG - MOSFET, P-CH, 20V, 4A, UDFN tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS3C18PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3C18PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3C18PZTBG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3C18PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS3C18PZTBG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLUS3C18PZTBG - MOSFET, P-CH, 12V, 7A, UDFN tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS3C18PZTBG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS4195PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS4195PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS4195PZTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS4930NTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS4930NTAG | ON Semiconductor | на замовлення 590 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTLUS4930NTAG | ON Semiconductor | MOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS4930NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLUS4930NTAG - NTLUS4930NTAG, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 40899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTLUS4930NTBG | ON Semiconductor | MOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M | на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS4930NTBG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS4C12NTAG | ON Semiconductor | MOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH | на замовлення 3040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS4C12NTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS4C12NTBG | ON Semiconductor | MOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS4C12NTBG | onsemi | Description: NTLUS4C12N - SINGLE N-CHANNEL CO | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS4C16NTAG | ON Semiconductor | MOSFET 30V 9.4A 11.4mOhm SNGL N-CHAN PWR MSFT | на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTLUS4C16NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTLUS4C16NTAG - MOSFET, N-CH, 30V, 9.4A, UDFN tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|