Продукція > NTL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTL-ANA-2-X-3MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2928.28 грн
NTL-ANA-2-X-5MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3444.78 грн
NTL-GIGE-7-1-3-3MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY CAMERA CABLE, 3
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
товар відсутній
NTL-GIGE-7-1-3-5MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY CAMERA CABLE, 5
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2756.11 грн
NTL-T-CCB-84901-1003-03MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
товар відсутній
NTL-T-CCB-84901-2001-03MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
Part Status: Active
товар відсутній
NTL-U3-1-2-3MNEW TRYDescription: U3 HIGH FLEXIBILITY CAMERA CABLE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5004.36 грн
NTL02B5N6TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0056uH 0.1nH 500MHz 10Q-Factor 0.2A 1Ohm DCR 0201 T/R
товар відсутній
NTL04B1N8TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0018uH 0.1nH 300MHz 13Q-Factor 1A 0.14Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
NTL04B3N0TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.003uH 0.1nH 300MHz 13Q-Factor 0.71A 0.24Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
NTL04C1N5TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0015uH 0.2nH 300MHz 13Q-Factor 1.2A 0.1Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
NTL04C3N9TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0039uH 0.2nH 300MHz 13Q-Factor 0.62A 0.3Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
NTL04C4N3TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0043uH 0.2nH 300MHz 13Q-Factor 0.55A 0.46Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
NTL04C8N2TRF
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTL1NeutrikAudio Transformers / Signal Transformers TRANSFRMER LINE PCB VERT 1:1 RATIO
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5081.09 грн
10+ 4750.42 грн
50+ 4130.13 грн
100+ 3598.72 грн
250+ 3554.1 грн
500+ 3516.81 грн
NTL1NEUTRIKDescription: NEUTRIK - NTL1 - Audio-Übertrager, 1:1, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85043180
rohsCompliant: YES
Sekundärer DC-Widerstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Transformatormontage: Durchsteckmontage
Impedanz, sekundärseitig: 10kohm
Primärer DC-Widerstand: -
usEccn: EAR99
Leistung, Sekundärwicklung: -
Frequenz, min.: -
Impedanz, primärseitig: 10kohm
Isolationsspannung: -
Transformatoranschlüsse: Leiterplattenstift
euEccn: NLR
Windungsverhältnis: 1:1
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Frequenz, max.: -
Anwendungen Transformator: Professionell - Anpassungsübertrager
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5472.09 грн
5+ 5180 грн
10+ 4886.41 грн
NTL10-005MYAGEODescription: YAGEO - NTL10-005M - Thermistor, ICL, NTC, 5 Ohm, Produktreihe NT, 20mm, 10A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 10A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 5ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 20mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.27 грн
50+ 95.62 грн
250+ 74.7 грн
500+ 62.78 грн
1500+ 51.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTL12-001MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 1ohm 12A, +/-20% box
товар відсутній
NTL12-002MYAGEODescription: YAGEO - NTL12-002M - Thermistor, ICL, NTC, 2 Ohm, Produktreihe NT, 20mm, 12A
tariffCode: 85334010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 12A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 20mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTL12-2R5MYAGEODescription: YAGEO - NTL12-2R5M - Thermistor, ICL, NTC, 2.5 Ohm, Produktreihe NT, 20mm, 12A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 12A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 2.5ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 20mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.64 грн
50+ 56.7 грн
250+ 51.92 грн
500+ 45.51 грн
1500+ 39.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTL4502NT1onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN
товар відсутній
NTL4502NT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTL4502NT1 - NTL4502NT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
912+133.72 грн
Мінімальне замовлення: 912
NTL4502NT1
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTL4502NT1onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+109.31 грн
Мінімальне замовлення: 181
NTL4532T-S3R6BTDK00+
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTL5152
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLD7900ZR2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLGD3402PT1G
на замовлення 557 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLGD3501NT1G
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLGD3502NT1GON Semiconductor
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLGD3502NT1GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLGD3502NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLGD3502NT1G - MOSFET, N, 20V, DFN6 3X3MM
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLGD3502NT2GON SemiconductorMOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLGD3502NT2G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLGD3502NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLGF3402PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 740
NTLGF3402PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLGF3402PT1G - NTLGF3402PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLGF3402PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
товар відсутній
NTLGF3402PT2GON SemiconductorMOSFET PFET 3X3 20V 2.7A 140MOHM
товар відсутній
NTLGF3402PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 760
NTLGF3402PT2G
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLGF3402PT2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
товар відсутній
NTLGF3501NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLGF3501NT2G
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLGF3501NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLGF3501NT2GON SemiconductorMOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLJ3115
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD2104PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
товар відсутній
NTLJD2104PTAG
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD2104PTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD2104PTBG - NTLJD2104PTBG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD2104PTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
товар відсутній
NTLJD2105LTBGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
товар відсутній
NTLJD2105LTBGONQFN
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD3115P
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD3115PT1GON Semiconductor
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD3115PT1GonsemiMOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
на замовлення 6728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.48 грн
10+ 35.07 грн
100+ 21.64 грн
500+ 19.91 грн
1000+ 17.31 грн
3000+ 14.78 грн
6000+ 14.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLJD3115PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 101592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.22 грн
10+ 36.14 грн
100+ 25.06 грн
500+ 19.65 грн
1000+ 16.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTLJD3115PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJD3115PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.48 грн
6000+ 15.04 грн
9000+ 13.92 грн
30000+ 12.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD3115PTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
товар відсутній
NTLJD3115PTAG
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD3115PTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
на замовлення 4077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1697+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 1697
NTLJD3119Consemionsemi COMP WDFN6 20V 4.6A 65MOH
товар відсутній
NTLJD3119CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJD3119CTAG
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD3119CTAGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товар відсутній
NTLJD3119CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJD3119CTAGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товар відсутній
NTLJD3119CTBGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 18236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.75 грн
10+ 45.64 грн
100+ 31.62 грн
500+ 24.79 грн
1000+ 21.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40 грн
16+ 36.85 грн
100+ 28.53 грн
500+ 24.13 грн
1000+ 19.15 грн
3000+ 17.58 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTLJD3119CTBGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.79 грн
6000+ 18.97 грн
9000+ 17.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJD3119CTBGonsemiMOSFET COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm
на замовлення 97400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.5 грн
10+ 46.56 грн
100+ 30.5 грн
500+ 25.51 грн
1000+ 21.71 грн
3000+ 18.85 грн
6000+ 17.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJD3119CTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.07 грн
17+ 46.02 грн
100+ 35.11 грн
500+ 25.74 грн
1000+ 18.95 грн
3000+ 17.67 грн
6000+ 17.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.68 грн
6000+ 20.83 грн
15000+ 20.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD3119CTBGONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.8/-2.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTLJD3119CTBGONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.8/-2.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.27 грн
6000+ 20.45 грн
15000+ 19.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD3181PZTAGRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJD3181PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
товар відсутній
NTLJD3182FZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD3182FZTAG - NTLJD3182FZTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD3182FZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
товар відсутній
NTLJD3182FZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
товар відсутній
NTLJD3183CZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
товар відсутній
NTLJD3183CZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD3183CZTAG - NTLJD3183CZTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD3183CZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
товар відсутній
NTLJD4116NT1GRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
на замовлення 8160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJD4116NT1GonsemiMOSFET NFET 2X2 30V 4.6A 70MOHM
на замовлення 99721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.68 грн
10+ 57.67 грн
100+ 39.16 грн
250+ 38.56 грн
500+ 31.5 грн
1000+ 26.84 грн
3000+ 21.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTLJD4116NT1G
на замовлення 28750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD4116NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJD4150PTBG
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD4150PTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
товар відсутній
NTLJF3117P
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117Ponsemionsemi PFET WDFN6 20V 4.1A 100MO
товар відсутній
NTLJF3117PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 9363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.42 грн
11+ 26.91 грн
100+ 18.7 грн
500+ 13.71 грн
1000+ 11.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTLJF3117PT1GON Semiconductor
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.89 грн
500+ 16.72 грн
1000+ 11.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTLJF3117PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJF3117PT1GON09+ SOP8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.02 грн
6000+ 10.07 грн
9000+ 9.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJF3117PT1GONWDFN-6
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PT1GonsemiMOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
на замовлення 29875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.43 грн
11+ 29.94 грн
100+ 18.11 грн
500+ 14.12 грн
1000+ 11.52 грн
3000+ 9.72 грн
9000+ 9.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTLJF3117PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJF3117PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.86 грн
26+ 29.36 грн
100+ 19.72 грн
500+ 11.31 грн
Мінімальне замовлення: 21
NTLJF3117PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJF3117PT1GONQFN
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+13.2 грн
Мінімальне замовлення: 1603
NTLJF3117PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
товар відсутній
NTLJF3118NTAG
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3118NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 10 V
товар відсутній
NTLJF3118NTBGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
товар відсутній
NTLJF3118NTBGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
товар відсутній
NTLJF4156NT1GonsemiMOSFET NFET 2X2 30V 4A 70MOHM
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.16 грн
10+ 46.56 грн
100+ 30.23 грн
500+ 23.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJF4156NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
на замовлення 6053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.22 грн
10+ 35.59 грн
100+ 24.78 грн
500+ 18.15 грн
1000+ 14.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTLJF4156NT1GON Semiconductor
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF4156NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.37 грн
500+ 16.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJF4156NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
товар відсутній
NTLJF4156NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.09 грн
20+ 38.25 грн
100+ 26.37 грн
500+ 16.3 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJF4156NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
товар відсутній
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJF4156NTAGonsemiMOSFET NFET 2X2 30V 4A 70MOHM
товар відсутній
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJF4156NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
товар відсутній
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJS053N12MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.5 грн
10+ 50.54 грн
100+ 29.97 грн
500+ 25.11 грн
1000+ 21.38 грн
3000+ 17.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJS1102PTAGON Semiconductor
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJS1102PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS1102PTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
товар відсутній
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
товар відсутній
NTLJS17D0P03P8ZTAGON Semiconductor
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
товар відсутній
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiMOSFET PT8 30V WDFN POWER CLIP
на замовлення 14993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.3 грн
10+ 61.57 грн
100+ 41.69 грн
500+ 34.7 грн
1000+ 28.24 грн
3000+ 26.5 грн
6000+ 25.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTLJS2103PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
товар відсутній
NTLJS2103PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 94614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 1025
NTLJS2103PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.06 грн
10+ 34.41 грн
100+ 23.8 грн
500+ 18.66 грн
1000+ 15.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLJS2103PTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-Pin WDFN T/R
товар відсутній
NTLJS2103PTBGonsemiMOSFET PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025
на замовлення 40835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.83 грн
10+ 38.21 грн
100+ 23.04 грн
500+ 19.25 грн
1000+ 16.38 грн
3000+ 13.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTLJS2103PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJS2103PTBGON Semiconductor
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJS3113PT1GON SemiconductorMOSFET PFET 2X2 20V 9.5A 42MOHM
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLJS3113PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJS3113PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
на замовлення 44238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS3113PT1GONWDFN-6
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJS3113PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS3113PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+11.18 грн
250+ 10.78 грн
500+ 9.97 грн
Мінімальне замовлення: 52
NTLJS3113PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3113PT1G - MOSFET, P CHANNEL, -20V, -5.8A, WDFN-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 305413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJS3113PTAGON SemiconductorMOSFET PFET 20V 9.5A 42MOHM 2X2
товар відсутній
NTLJS3113PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
товар відсутній
NTLJS3180PZTAGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS3180PZTBGonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 1603
NTLJS3A18PZTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3A18PZTWG - NTLJS3A18PZTWG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 6000
NTLJS3A18PZTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS3A18PZTXGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
на замовлення 25707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS3D0N02P8ZTAGonsemiMOSFET PT8 20V WDFN POWER CLIP
на замовлення 6132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.98 грн
10+ 48.55 грн
100+ 32.9 грн
500+ 27.9 грн
1000+ 22.71 грн
3000+ 21.31 грн
6000+ 20.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJS3D0N02P8ZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS3D0N02P8ZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS3D0N02P8ZTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 20.2A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJS3D9N03CTAGON SemiconductorDescription: MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, W
товар відсутній
NTLJS3D9N03CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3D9N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NTLJS3D9N03CTAGON Semiconductor30 V Single N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTLJS4114NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin T/R
товар відсутній
NTLJS4114NT1GON Semiconductor
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJS4114NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 7364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.11 грн
10+ 53.34 грн
100+ 36.9 грн
500+ 28.93 грн
1000+ 24.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTLJS4114NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJS4114NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4114NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0203 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJS4114NT1GonsemiMOSFET NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 302-311 дні (днів)
5+67.2 грн
10+ 57.82 грн
100+ 34.76 грн
500+ 29.03 грн
1000+ 24.71 грн
3000+ 21.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTLJS4114NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin WDFN T/R
товар відсутній
NTLJS4114NTAGonsemiMOSFET NFET WDFN6 30V 7.8A
на замовлення 4816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47 грн
10+ 40.28 грн
100+ 24.31 грн
500+ 20.31 грн
1000+ 17.25 грн
3000+ 13.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTLJS4114NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 5070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.66 грн
10+ 37.18 грн
100+ 25.74 грн
500+ 20.18 грн
1000+ 17.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTLJS4114NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin WDFN T/R
товар відсутній
NTLJS4114NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJS4149PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN
товар відсутній
NTLJS4149PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
на замовлення 308000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS4159NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
товар відсутній
NTLJS4159NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4159NT1G - NTLJS4159NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJS4159NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1697+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 1697
NTLJS4D7N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.6A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 15 V
товар відсутній
NTLJS4D9N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
товар відсутній
NTLJS4D9N03HTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4D9N03HTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTLJS4D9N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
товар відсутній
NTLJS4D9N03HTAGonsemiMOSFET T8 30V
товар відсутній
NTLJS5D0N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
на замовлення 2685000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJS5D0N03CTAGON Semiconductor30 V Single N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTLJS5D0N03CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS5D0N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTLJS5D0N03CTAGonsemiMOSFET T6 30V POWER CLIP 2
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.99 грн
10+ 88.07 грн
100+ 61 грн
250+ 58.4 грн
500+ 51.08 грн
1000+ 43.82 грн
3000+ 41.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTLJS5D0N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
на замовлення 2689170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.61 грн
10+ 92.47 грн
100+ 74.29 грн
500+ 57.28 грн
1000+ 47.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTLJS5D0N03CTAGON Semiconductor30 V Single N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiMOSFET PT8 20V WDFN POWER CLIP
на замовлення 5514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.98 грн
10+ 48.55 грн
100+ 32.9 грн
500+ 27.9 грн
1000+ 22.71 грн
3000+ 21.31 грн
6000+ 20.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.83 грн
6000+ 22.77 грн
9000+ 21.72 грн
30000+ 20.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJS7D2P02P8ZTAGON Semiconductor20 V Single P Channel MOSFET
товар відсутній
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 276899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.79 грн
10+ 47.31 грн
100+ 36.78 грн
500+ 29.26 грн
1000+ 23.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTLK3FIT
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLLD4901NFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
товар відсутній
NTLLD4901NFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
товар відсутній
NTLLD4901NFTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
товар відсутній
NTLLD4901NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN8 30V 9A 20MOHM
на замовлення 3327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLLD4951NFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
товар відсутній
NTLLD4951NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN8 30V 9A 20MOHM
товар відсутній
NTLLD4951NFTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+76.69 грн
Мінімальне замовлення: 268
NTLMS4504NR2ONSEMIDescription: ONSEMI - NTLMS4504NR2 - NTLMS4504NR2, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTLMS4504NR2onsemiDescription: TRANS MOSFET N-CH 24V 28A 3PIN S
Packaging: Bulk
на замовлення 18570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 452
NTLTD7900DR2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900NR2Z
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900ZONMicro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900ZON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900ZR2ONMICRO-8
на замовлення 9300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900ZR2ON05+ QFN8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900ZR2ON Semicondu2002
на замовлення 310000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900ZR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
товар відсутній
NTLTD7900ZR2G
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900ZR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLTD7900ZR2G - MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 6A, MSOP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 297816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1240+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 1240
NTLTD7900ZR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
товар відсутній
NTLTS3107PR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLTS3107PR2G - NTLTS3107PR2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLTS3107PR2GRochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUD3191PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
товар відсутній
NTLUD3191PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
на замовлення 99480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 1665
NTLUD3191PZTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
товар відсутній
NTLUD3191PZTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 1665
NTLUD3A260PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN
товар відсутній
NTLUD3A260PZTAGonsemiMOSFET POWER MOSFET 20V 2A 200 M
товар відсутній
NTLUD3A260PZTBGonsemiEncoders 3.3Vin IP65 Encoder
товар відсутній
NTLUD3A260PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6
товар відсутній
NTLUD3A50PZonsemionsemi PFET UDFN6 20V 5.6A 50MOH
товар відсутній
NTLUD3A50PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN
товар відсутній
NTLUD3A50PZTAGON Semiconductor
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUD3A50PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN
товар відсутній
NTLUD3A50PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
NTLUD3A50PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
NTLUD3A50PZTAGonsemiMOSFET PFET UDFN6 20V 5.6A 50MOH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUD3A50PZTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
NTLUD3A50PZTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
NTLUD3A50PZTBGonsemiDescription: DUAL P-CHANNEL COOL POWER MOSFE
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUD3A50PZTBGON SemiconductorMOSFET Dual P-Channel Cool Power MOSFET -20V -5.6A 50m
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUD3A50PZTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
товар відсутній
NTLUD4C26NTAGONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.3A; 1.7W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTLUD4C26NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUD4C26NTAGONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.3A; 1.7W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
NTLUD4C26NTAGonsemiMOSFET NFET UDFN6 30V 8.7A
на замовлення 78725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUD4C26NTBGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 8.7A 21MOH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUF4189NZTAGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN6 30V 1.5A 200mOhm
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUF4189NZTAGON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUF4189NZTAGRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUF4189NZTBGRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 454750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUF4189NZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUF4189NZTBG - NTLUF4189NZTBG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 302750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLUS020N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.45 грн
6000+ 27.92 грн
9000+ 26.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLUS020N03CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
NTLUS020N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 56674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.48 грн
10+ 57.99 грн
100+ 45.11 грн
500+ 35.88 грн
1000+ 29.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTLUS020N03CTAGonsemiMOSFET T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.02 грн
10+ 60.96 грн
100+ 43.02 грн
500+ 36.96 грн
1000+ 30.17 грн
3000+ 28.3 грн
6000+ 26.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTLUS020N03CTAGON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUS029N06T6TAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 30 V
товар відсутній
NTLUS029N06T6TAGON SemiconductorMOSFET 60V 29 MOHM T6 1.6 X1.6 U
товар відсутній
NTLUS029N06T6TAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 30 V
товар відсутній
NTLUS030N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.96 грн
6000+ 31.15 грн
9000+ 29.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLUS030N03CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
NTLUS030N03CTAGonsemiMOSFET T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
на замовлення 24002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.02 грн
10+ 70.15 грн
100+ 47.48 грн
500+ 40.29 грн
1000+ 31.43 грн
3000+ 30.83 грн
6000+ 29.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTLUS030N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 17540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.12 грн
10+ 64.65 грн
100+ 50.31 грн
500+ 40.02 грн
1000+ 32.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTLUS3192PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
товар відсутній
NTLUS3192PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 1268
NTLUS3192PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3192PZTBG - NTLUS3192PZTBG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLUS3192PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 1268
NTLUS3A18PZCTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
товар відсутній
NTLUS3A18PZCTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
NTLUS3A18PZCTAGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
товар відсутній
NTLUS3A18PZCTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
NTLUS3A18PZCTBGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
товар відсутній
NTLUS3A18PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
товар відсутній
NTLUS3A18PZCTCGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
товар відсутній
NTLUS3A18PZCTCGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3A18PZCTCGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
NTLUS3A18PZCTCGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
товар відсутній
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 2X2 UDFN
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS3A18PZTAGON Semiconductor
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN T/R
товар відсутній
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN
товар відсутній
NTLUS3A18PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS3A18PZTBGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 2X2 UDFN
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3A18PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
товар відсутній
NTLUS3A18PZTCGON Semiconductor
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUS3A18PZTCGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3A18PZTCGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS3A18PZTCGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
товар відсутній
NTLUS3A39PZCTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6
товар відсутній
NTLUS3A39PZCTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 902
NTLUS3A39PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6
товар відсутній
NTLUS3A39PZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3A39PZTAG - NTLUS3A39PZTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 190793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLUS3A39PZTAGON Semiconductor
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUS3A39PZTAGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3A39PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6UDFN
товар відсутній
NTLUS3A39PZTBGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
товар відсутній
NTLUS3A39PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
товар відсутній
NTLUS3A40PZCTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
товар відсутній
NTLUS3A40PZCTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
NTLUS3A40PZCTAGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
товар відсутній
NTLUS3A40PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
товар відсутній
NTLUS3A40PZTAGonsemiMOSFET T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL
на замовлення 3321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.63 грн
10+ 55.6 грн
100+ 37.09 грн
500+ 29.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTLUS3A40PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.4A 6-Pin UDFN T/R
товар відсутній
NTLUS3A40PZTAGON Semiconductor
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUS3A40PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS3A40PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
товар відсутній
NTLUS3A40PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS3A40PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS3A40PZTBGON SemiconductorIGBT Transistors T4 20/8 PCH UDFN SING
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3A40PZTBGON Semiconductor
на замовлення 973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUS3A90PZCTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
товар відсутній
NTLUS3A90PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
товар відсутній
NTLUS3A90PZTAGON SemiconductorMOSFET POWER MOSFET 20V 3A 60 MO
на замовлення 3669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3A90PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
товар відсутній
NTLUS3A90PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS3A90PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6UDFN
товар відсутній
NTLUS3A90PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3A90PZTBG - MOSFET, P-CH, 20V, 4A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLUS3A90PZTBGON SemiconductorIGBT Transistors POWER MOSFET 20V 3A 60 MO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3C18PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
товар відсутній
NTLUS3C18PZTAGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3C18PZTBGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
товар відсутній
NTLUS3C18PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3C18PZTBG - MOSFET, P-CH, 12V, 7A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLUS3C18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+31.7 грн
Мінімальне замовлення: 683
NTLUS3C18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
товар відсутній
NTLUS4195PZTAGRochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS4195PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN
товар відсутній
NTLUS4930NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS4930NTAGON Semiconductor
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUS4930NTAGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M
товар відсутній
NTLUS4930NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS4930NTAG - NTLUS4930NTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLUS4930NTBGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS4930NTBGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS4C12NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
товар відсутній
NTLUS4C12NTAGON SemiconductorMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS4C12NTBGON SemiconductorMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS4C12NTBGonsemiDescription: NTLUS4C12N - SINGLE N-CHANNEL CO
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS4C16NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS4C16NTAG - MOSFET, N-CH, 30V, 9.4A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1530+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 1530
NTLUS4C16NTAGON SemiconductorMOSFET 30V 9.4A 11.4mOhm SNGL N-CHAN PWR MSFT
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)