Продукція > NTL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NTL-ANA-2-X-3MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3318.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTL-ANA-2-X-5MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3903.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTL-GIGE-7-1-3-3MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY CAMERA CABLE, 3
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL-GIGE-7-1-3-5MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY CAMERA CABLE, 5
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3123.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTL-T-CCB-84901-1003-03MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL-T-CCB-84901-2001-03MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL-U3-1-2-3MNEW TRYDescription: U3 HIGH FLEXIBILITY CAMERA CABLE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5670.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTL02B5N6TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0056uH 0.1nH 500MHz 10Q-Factor 0.2A 1Ohm DCR 0201 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL04B1N8TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0018uH 0.1nH 300MHz 13Q-Factor 1A 0.14Ohm DCR 0402 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL04B3N0TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.003uH 0.1nH 300MHz 13Q-Factor 0.71A 0.24Ohm DCR 0402 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL04C1N5TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0015uH 0.2nH 300MHz 13Q-Factor 1.2A 0.1Ohm DCR 0402 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL04C3N9TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0039uH 0.2nH 300MHz 13Q-Factor 0.62A 0.3Ohm DCR 0402 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL04C4N3TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0043uH 0.2nH 300MHz 13Q-Factor 0.55A 0.46Ohm DCR 0402 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL04C8N2TRF
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTL1NeutrikAudio Transformers / Signal Transformers TRANSFRMER LINE PCB VERT 1:1 RATIO
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5757.63 грн
10+5382.93 грн
50+4680.06 грн
100+4077.88 грн
250+4027.33 грн
500+3985.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTL1NEUTRIKDescription: NEUTRIK - NTL1 - Audio-Übertrager, 1:1, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85043180
rohsCompliant: YES
Sekundärer DC-Widerstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Transformatormontage: Durchsteckmontage
Impedanz, sekundärseitig: 10kohm
Primärer DC-Widerstand: -
usEccn: EAR99
Leistung, Sekundärwicklung: -
Frequenz, min.: -
Impedanz, primärseitig: 10kohm
Isolationsspannung: -
Transformatoranschlüsse: Leiterplattenstift
euEccn: NLR
Windungsverhältnis: 1:1
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenz, max.: -
Anwendungen Transformator: Professionell – Anpassungsübertrager
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6280.27 грн
5+6079.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-005LYAGEODescription: ICL 5 OHM 15% 10A 20MM
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.787" (20.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 10 A
R @ 25°C: 5 Ohms
R @ Current: 68 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-005LFYAGEODescription: ICL 5 OHM 15% 10A 24MM
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.945" (24.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 10 A
R @ 25°C: 5 Ohms
R @ Current: 68 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-005LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 5ohm 10A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-005MYAGEODescription: YAGEO - NTL10-005M - Thermistor, ICL, NTC, 5 Ohm, Produktreihe NT, 20mm, 10A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 10A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 5ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 20mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.06 грн
50+74.92 грн
250+68.99 грн
500+58.87 грн
1500+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-005MYAGEODescription: ICL 5 OHM 20% 10A 20MM
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.787" (20.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 10 A
R @ 25°C: 5 Ohms
R @ Current: 68 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-005MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 5ohm 10A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-005MFYAGEODescription: ICL 5 OHM 20% 10A 24MM
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.945" (24.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 10 A
R @ 25°C: 5 Ohms
R @ Current: 68 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-005MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 5ohm 10A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-006LYAGEODescription: ICL 6 OHM 15% 10A 20MM
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.787" (20.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 10 A
R @ 25°C: 6 Ohms
R @ Current: 72 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-006LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 6ohm 10A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-006LFYAGEODescription: ICL 6 OHM 15% 10A 24MM
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.945" (24.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 10 A
R @ 25°C: 6 Ohms
R @ Current: 72 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-006LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 6ohm 10A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-006MYAGEODescription: ICL 6 OHM 20% 10A 20MM
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.787" (20.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 10 A
R @ 25°C: 6 Ohms
R @ Current: 72 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-006MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 6ohm 10A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-006MFYAGEODescription: ICL 6 OHM 20% 10A 24MM
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.945" (24.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 10 A
R @ 25°C: 6 Ohms
R @ Current: 72 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL10-006MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 6ohm 10A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL12-001LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 1ohm 12A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL12-001MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 1ohm 12A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL12-001MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 1ohm 12A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL12-002LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2ohm 12A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL12-002MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2ohm 12A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL12-002MYAGEODescription: YAGEO - NTL12-002M - Thermistor, ICL, NTC, 2 Ohm, Produktreihe NT, 20mm, 12A
tariffCode: 85334010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 12A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 20mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTL12-002MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2ohm 12A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL12-0R7LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 0.7ohm 12A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL12-0R7LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 0.7ohm 12A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL12-0R7MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 0.7ohm 12A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL12-0R7MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 0.7ohm 12A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL12-2R5LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2.5ohm 12A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL12-2R5LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2.5ohm 12A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL12-2R5MYAGEODescription: YAGEO - NTL12-2R5M - Thermistor, ICL, NTC, 2.5 Ohm, Produktreihe NT, 20mm, 12A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 12A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 2.5ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 20mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.88 грн
50+76.61 грн
250+62.22 грн
500+48.50 грн
1500+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTL12-2R5MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2.5ohm 12A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL4502NT1onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTL4502NT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTL4502NT1 - NTL4502NT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTL4502NT1
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTL4502NT1onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+123.86 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
NTL4532T-S3R6BTDK00+
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTL5152
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLD7900ZR2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGD3402PT1G
на замовлення 557 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGD3501NT1G
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGD3502NT1GON Semiconductor
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGD3502NT1GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGD3502NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLGD3502NT1G - MOSFET, N, 20V, DFN6 3X3MM
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGD3502NT2G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGD3502NT2GON SemiconductorMOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGD3502NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGF3402PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLGF3402PT1G - NTLGF3402PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGF3402PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGF3402PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 740
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGF3402PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 760
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGF3402PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGF3402PT2G
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGF3402PT2GON SemiconductorMOSFET PFET 3X3 20V 2.7A 140MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGF3402PT2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGF3501NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGF3501NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+34.20 грн
Мінімальне замовлення: 683
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGF3501NT2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGF3501NT2G
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGF3501NT2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 10 V
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 666
В кошику  од. на суму  грн.
NTLGF3501NT2GON SemiconductorMOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJ3115
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD2104PTAG
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD2104PTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD2104PTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 16318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD2104PTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD2104PTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD2104PTBG - NTLJD2104PTBG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD2104PTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD2105LTBGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD2105LTBGONQFN
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115P
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.42 грн
6000+18.15 грн
9000+17.37 грн
15000+15.49 грн
21000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1GONSEMINTLJD3115PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1GonsemiMOSFETs PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.44 грн
10+46.34 грн
25+39.62 грн
100+28.30 грн
500+23.69 грн
1000+20.15 грн
3000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 81632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.44 грн
10+49.60 грн
100+32.45 грн
500+23.53 грн
1000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1GON Semiconductor
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PTAG
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 1567
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119Consemionsemi COMP WDFN6 20V 4.6A 65MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTAGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTAGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTAG
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+48.36 грн
16+44.55 грн
100+34.50 грн
500+29.18 грн
1000+23.15 грн
3000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBGONSEMINTLJD3119CTBG Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 27187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.14 грн
10+58.80 грн
100+38.78 грн
500+28.31 грн
1000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+93.96 грн
14+61.63 грн
100+41.14 грн
500+30.03 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.77 грн
6000+21.83 грн
15000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.78 грн
6000+22.09 грн
9000+21.19 грн
15000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBGonsemiMOSFETs COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.60 грн
10+60.92 грн
100+35.01 грн
500+27.17 грн
1000+24.75 грн
3000+21.43 грн
6000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.92 грн
6000+24.72 грн
15000+24.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3181PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3181PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 1211
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3181PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3182FZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3182FZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD3182FZTAG - NTLJD3182FZTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3182FZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3183CZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD3183CZTAG - NTLJD3183CZTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3183CZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3183CZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1GonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 4.6A 70MOHM
на замовлення 7845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.64 грн
10+47.99 грн
100+30.56 грн
500+26.34 грн
1000+23.24 грн
3000+21.58 грн
6000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1GONSEMINTLJD4116NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.53 грн
10+52.11 грн
100+32.72 грн
500+24.26 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1G
на замовлення 28750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4150PTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4150PTBG
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117P
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117Ponsemionsemi PFET WDFN6 20V 4.1A 100MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GON09+ SOP8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.18 грн
26+33.27 грн
100+24.89 грн
500+17.61 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GONWDFN-6
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 81648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.24 грн
11+29.56 грн
100+20.47 грн
500+14.65 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GonsemiMOSFETs PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
на замовлення 7698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.41 грн
11+34.54 грн
100+21.66 грн
500+16.53 грн
1000+14.94 грн
3000+12.75 грн
6000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GONSEMINTLJF3117PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GONQFN
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.89 грн
500+17.61 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.51 грн
6000+11.05 грн
9000+10.27 грн
15000+9.35 грн
21000+9.03 грн
30000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1GON Semiconductor
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 1603
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3118NTAG
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3118NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3118NTBGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3118NTBGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 4A 70MOHM
на замовлення 7391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.78 грн
10+43.74 грн
100+25.96 грн
500+20.60 грн
1000+17.05 грн
3000+14.19 грн
9000+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GONSEMINTLJF4156NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.55 грн
23+38.01 грн
100+25.90 грн
500+19.02 грн
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
на замовлення 12053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.79 грн
10+40.72 грн
100+28.35 грн
500+20.77 грн
1000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GON Semiconductor
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.70 грн
6000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.90 грн
500+19.02 грн
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 4A 70MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.08 грн
10+37.92 грн
100+22.94 грн
500+17.88 грн
1000+14.56 грн
3000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS053N12MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 120V LL NCH IN UDFN 20X20
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.78 грн
10+56.93 грн
100+33.35 грн
500+26.79 грн
1000+23.85 грн
3000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS1102PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS1102PTAGON Semiconductor
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS1102PTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.89 грн
10+66.97 грн
100+47.49 грн
500+35.96 грн
1000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAGON Semiconductor
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAGONSEMINTLJS17D0P03P8ZTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiMOSFETs PT8 30V WDFN POWER CLIP
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.36 грн
10+45.99 грн
100+27.24 грн
500+21.96 грн
1000+19.47 грн
3000+16.53 грн
6000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 74138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
841+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 841
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -24A
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGON Semiconductor
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.79 грн
10+38.67 грн
100+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGonsemiMOSFETs PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025
на замовлення 40724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.79 грн
10+42.70 грн
100+25.35 грн
500+20.98 грн
1000+18.49 грн
3000+15.77 грн
6000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-Pin WDFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -24A
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GON SemiconductorMOSFET PFET 2X2 20V 9.5A 42MOHM
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GONWDFN-6
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+13.52 грн
250+13.03 грн
500+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3113PT1G - MOSFET, P CHANNEL, -20V, -5.8A, WDFN-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 298123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
на замовлення 44238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3113PTAGON SemiconductorMOSFET PFET 20V 9.5A 42MOHM 2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3180PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 16 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3180PZTBGonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 1603
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3A18PZTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3A18PZTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3A18PZTWG - NTLJS3A18PZTWG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3A18PZTXGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3A18PZTXGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
на замовлення 25707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 833
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAGONSEMINTLJS3D0N02P8ZTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 20.2A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAGonsemiMOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP
на замовлення 15858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.64 грн
10+69.94 грн
100+40.98 грн
500+28.75 грн
1000+25.81 грн
3000+23.39 грн
6000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
на замовлення 7088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.91 грн
10+49.36 грн
100+37.43 грн
500+29.06 грн
1000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.81 грн
6000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D9N03CTAGON SemiconductorDescription: MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D9N03CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3D9N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D9N03CTAGON Semiconductor30 V Single N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.59 грн
10+60.68 грн
100+40.18 грн
500+29.45 грн
1000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GONSEMINTLJS4114NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4114NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0203 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GON Semiconductor
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1GonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.15 грн
10+66.39 грн
100+39.39 грн
500+32.90 грн
1000+28.00 грн
3000+25.43 грн
6000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin WDFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.55 грн
10+46.53 грн
100+30.41 грн
500+22.05 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGonsemiMOSFETs NFET WDFN6 30V 7.8A
на замовлення 4816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.38 грн
10+45.65 грн
100+27.47 грн
500+22.94 грн
1000+19.54 грн
3000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 28A; 1.92W; WDFN6
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.92W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 28A
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 28A; 1.92W; WDFN6
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.92W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 28A
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.8A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin WDFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4149PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4149PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
на замовлення 308000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4159NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4159NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 1567
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4159NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4159NT1G - NTLJS4159NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D7N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.6A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D9N03HTAGonsemiMOSFETs T8 30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.97 грн
10+73.42 грн
100+42.48 грн
500+33.20 грн
1000+29.96 грн
3000+27.39 грн
6000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D9N03HTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4D9N03HTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D9N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D9N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS5D0N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.11 грн
9000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGONSEMINTLJS5D0N03CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGON Semiconductor30 V Single N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGonsemiMOSFETs T6 30V POWER CLIP 2
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.18 грн
10+44.08 грн
100+26.18 грн
500+21.58 грн
1000+19.17 грн
3000+18.04 грн
9000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGON Semiconductor30 V Single N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
на замовлення 35828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.57 грн
10+50.23 грн
100+33.39 грн
500+25.91 грн
1000+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZonsemiArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGONSEMINTLJS7D2P02P8ZTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGON Semiconductor20 V Single P Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 20921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
960+31.85 грн
1017+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 960
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
960+31.85 грн
1017+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 960
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiMOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.52 грн
10+60.05 грн
100+36.22 грн
500+29.05 грн
1000+26.64 грн
3000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 36114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.93 грн
10+65.32 грн
100+43.26 грн
500+31.72 грн
1000+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLK3FIT
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLLD4901NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN8 30V 9A 20MOHM
на замовлення 3327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLLD4901NFTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 810mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 6.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLLD4901NFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A/13A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLLD4951NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN8 30V 9A 20MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLLD4951NFTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 810mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 6.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLLD4951NFTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 810mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 6.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+106.22 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
NTLMS4504NR2onsemiDescription: TRANS MOSFET N-CH 24V 28A 3PIN S
Packaging: Bulk
на замовлення 18570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
NTLMS4504NR2ONSEMIDescription: ONSEMI - NTLMS4504NR2 - NTLMS4504NR2, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900DR2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900NR2Z
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900ZONMicro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900ZON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900ZR2ONMICRO-8
на замовлення 9300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900ZR2ON05+ QFN8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900ZR2ON Semicondu2002
на замовлення 310000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900ZR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLTD7900ZR2G - MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 6A, MSOP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 297816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1240+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 1240
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900ZR2G
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900ZR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTD7900ZR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTS3107PR2GRochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLTS3107PR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLTS3107PR2G - NTLTS3107PR2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3191PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3191PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
на замовлення 99480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 1665
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3191PZTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 1665
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3191PZTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A260PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A260PZTAGonsemiMOSFET POWER MOSFET 20V 2A 200 M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A260PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.81 грн
10+33.01 грн
100+22.96 грн
500+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A260PZTBGonsemiEncoders 3.3Vin IP65 Encoder
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A260PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZonsemi PFET UDFN6 20V 5.6A 50MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTAGonsemiMOSFET PFET UDFN6 20V 5.6A 50MOH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.22 грн
10+61.47 грн
100+40.78 грн
500+29.89 грн
1000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTAGON Semiconductor
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD3A50PZTBGON SemiconductorMOSFET Dual P-Channel Cool Power MOSFET -20V -5.6A 50m
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD4C26NTAGONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.3A; 1.7W; uDFN6
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: uDFN6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD4C26NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD4C26NTAGonsemiMOSFET NFET UDFN6 30V 8.7A
на замовлення 78725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD4C26NTAGONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.3A; 1.7W; uDFN6
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: uDFN6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD4C26NTBGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 8.7A 21MOH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUF4189NZTAGON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUF4189NZTAGRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUF4189NZTAGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN6 30V 1.5A 200mOhm
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUF4189NZTBGRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 454750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUF4189NZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUF4189NZTBG - NTLUF4189NZTBG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 302750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS020N03CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; Idm: 24A; 1.52W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.52W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS020N03CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS020N03CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; Idm: 24A; 1.52W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.52W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS020N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 55156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.04 грн
10+39.22 грн
100+26.19 грн
500+19.50 грн
1000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS020N03CTAGonsemiMOSFETs T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.56 грн
10+43.22 грн
100+25.28 грн
500+20.07 грн
1000+18.26 грн
3000+15.77 грн
6000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS020N03CTAGON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS020N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.63 грн
6000+14.75 грн
9000+14.29 грн
15000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS029N06T6TAGonsemiMOSFET 60V 29 MOHM T6 1.6 X1.6 U
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.10 грн
10+50.42 грн
100+30.34 грн
500+25.35 грн
1000+21.58 грн
3000+19.24 грн
6000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS029N06T6TAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 30 V
на замовлення 17970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.69 грн
10+45.98 грн
100+31.84 грн
500+24.97 грн
1000+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS029N06T6TAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.94 грн
6000+19.11 грн
9000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS030N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS030N03CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS030N03CTAGonsemiMOSFETs T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.59 грн
10+42.61 грн
100+24.83 грн
500+19.02 грн
1000+17.20 грн
3000+13.51 грн
6000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS030N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.75 грн
10+41.03 грн
100+26.65 грн
500+19.20 грн
1000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS030N03CTAGONSEMINTLUS030N03CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3192PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 1268
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3192PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3192PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3192PZTBG - NTLUS3192PZTBG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3192PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 1268
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZCTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZCTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZCTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZCTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZCTCGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZCTCGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZCTCGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.10 грн
10+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTAGON Semiconductor
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 2X2 UDFN
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTBGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 2X2 UDFN
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTCGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTCGON Semiconductor
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTCGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTCGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
на замовлення 8354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1037+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 1037
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZCTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
на замовлення 67334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 683
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZCTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZCTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3A39PZTAG - NTLUS3A39PZTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 160793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZTAGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZTAGON Semiconductor
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
на замовлення 160793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
643+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 643
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
643+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 643
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZTBGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZCTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZCTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.4A 6-Pin UDFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTAGON Semiconductor
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.97 грн
10+54.16 грн
100+35.73 грн
500+26.09 грн
1000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTAGonsemiMOSFET T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL
на замовлення 3321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.10 грн
10+63.00 грн
100+42.03 грн
500+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTBGON SemiconductorIGBT Transistors T4 20/8 PCH UDFN SING
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTBGON Semiconductor
на замовлення 973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZCTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTAGON SemiconductorMOSFET POWER MOSFET 20V 3A 60 MO
на замовлення 3669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 900422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1016+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 1016
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3A90PZTBG - MOSFET, P-CH, 20V, 4A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTBGON SemiconductorIGBT Transistors POWER MOSFET 20V 3A 60 MO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1030+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 1030
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3C18PZTAGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3C18PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3C18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 683
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3C18PZTBGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3C18PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3C18PZTBG - MOSFET, P-CH, 12V, 7A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3C18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4195PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 1268
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4195PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4195PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4930NTAGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4930NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS4930NTAG - NTLUS4930NTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4930NTAGON Semiconductor
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4930NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4930NTBGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4930NTBGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4C12NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4C12NTAGON SemiconductorMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4C12NTBGON SemiconductorMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4C12NTBGonsemiDescription: NTLUS4C12N - SINGLE N-CHANNEL CO
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4C16NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS4C16NTAG - MOSFET, N-CH, 30V, 9.4A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1530+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 1530
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4C16NTAGON SemiconductorMOSFET 30V 9.4A 11.4mOhm SNGL N-CHAN PWR MSFT
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.