Продукція > NXP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NXPNXP
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXP P89LPC936FDHNXP
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXP(PHILIPS)
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875GRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875GRNexperiaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875GRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.97 грн
26+11.54 грн
50+8.25 грн
100+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875GRNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT23 50V NPN GP BJT
на замовлення 19448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.41 грн
32+9.89 грн
50+8.26 грн
100+5.33 грн
500+3.96 грн
1000+3.48 грн
3000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875YRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875YRNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT23 50V NPN GP BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875YRNexperiaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875YRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.67 грн
29+10.36 грн
100+6.41 грн
500+4.41 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875YVLNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT23 50V NPN GP BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXP6517EL1/139/1A
на замовлення 434 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPC0030OmronI/O Power Supply Connection Units
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9602.39 грн
5+8931.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPC0030OmronI/O Power Supply Connection Units
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2833.97 грн
10+2658.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NXPD1000OmronPower Supply
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPD1000OmronPower Supply
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15043.19 грн
5+13955.70 грн
10+13378.32 грн
25+12554.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPESD-PROMOKITNXP SemiconductorsDescription: KIT PROMO ESD PROTECT DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPESD1-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT ESD PROTECT DIODES 18VALUES
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPESD2-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT ESD PROTECT DIODES 18VALUES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLOGIC1-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT LOGIC 10EA OF 17 VAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC106506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC10650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC10650/TO-220AC/STANDARD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.85V
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC20650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPLQSC30650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 30 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+683.44 грн
5+506.61 грн
10+414.21 грн
50+355.77 грн
100+321.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC30650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQNXP SemiconductorsNXPLQSC30650WQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPMC68040FE33ACypress Semiconductor CorpDescription: MC680MICROPROCESSO32-BIHCMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPMOSFET-DESIGNKITNXP USA Inc.Description: KIT DESIGN MOSFET LFPAK
Packaging: Box
Mounting Type: Surface Mount
Quantity: 180 Pieces (18 Values - 10 Each)
Kit Type: MOSFETs
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 757
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100CX,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 mA @ 100 V
на замовлення 162340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
727+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 727
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100CX,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H110C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H110C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOT 110V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 110 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 110 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S100C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S100C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S100CX,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S100CX,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S110C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 110V SIL3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 20200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.16 грн
50+108.80 грн
100+99.35 грн
500+77.46 грн
1000+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.41 грн
10+120.13 грн
100+83.30 грн
500+68.96 грн
1000+57.28 грн
2000+55.37 грн
5000+53.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506QNexperiaNXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650BWeEn SemiconductorsNXPSC04650B SMD Schottky diodes
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+57.35 грн
32+37.48 грн
87+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.53 грн
10+141.05 грн
100+102.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.06 грн
1600+80.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650BJNXP SemiconductorsNXPSC04650BJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650DWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 16439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.92 грн
10+180.55 грн
100+145.11 грн
500+111.88 грн
1000+93.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6JWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+156.31 грн
500+141.22 грн
1000+130.44 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.76 грн
500+75.44 грн
1000+62.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650DJNXP SemiconductorsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.70 грн
10+137.80 грн
100+102.76 грн
500+75.44 грн
1000+62.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsNXPSC04650Q THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+95.59 грн
15+78.90 грн
25+77.83 грн
41+74.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.02 грн
10+126.65 грн
100+94.79 грн
500+78.40 грн
1000+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.16 грн
50+108.80 грн
100+99.35 грн
500+77.46 грн
1000+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650X6/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650XQNXP SemiconductorsNXPSC04650XQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.14 грн
10+234.69 грн
100+192.29 грн
500+153.62 грн
1000+129.56 грн
2000+123.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC066506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.97 грн
10+246.82 грн
100+202.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+178.77 грн
1600+151.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+151.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.75 грн
10+238.76 грн
100+195.59 грн
500+156.25 грн
1000+137.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.39 грн
10+225.00 грн
100+184.33 грн
500+147.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.04 грн
10+249.34 грн
100+204.27 грн
500+163.19 грн
1000+143.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650XQ/TO220F-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650/TO-220AC/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC086506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.91 грн
10+262.73 грн
100+212.58 грн
500+177.33 грн
1000+151.84 грн
2000+142.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC086506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC086506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B6/D2PAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.75 грн
10+266.05 грн
100+215.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+198.67 грн
1600+163.81 грн
2400+154.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650BJNXP SemiconductorsNXPSC08650BJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650BJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC08650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.24 грн
10+276.40 грн
100+222.24 грн
500+198.23 грн
1000+175.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.14 грн
10+242.38 грн
100+174.07 грн
500+136.03 грн
1000+130.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+144.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650DJNXP SemiconductorsNXPSC08650DJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.35 грн
10+239.76 грн
100+191.97 грн
500+166.42 грн
1000+150.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650QWeEn SemiconductorsRectifiers Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.91 грн
10+262.73 грн
100+212.58 грн
500+177.33 грн
1000+151.84 грн
2000+142.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650XQNXP SemiconductorsNXPSC08650XQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC106506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.83 грн
50+205.85 грн
100+190.20 грн
500+161.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC106506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC106506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC106506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC106506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.37 грн
10+253.30 грн
100+174.44 грн
500+146.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650B6/D2PAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC10650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.13 грн
10+238.97 грн
100+179.22 грн
500+159.03 грн
1000+139.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.14 грн
10+255.77 грн
100+191.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+180.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC10650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+179.22 грн
500+159.03 грн
1000+139.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650BJWeEn SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching NXPSC10650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited934070005118
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 7204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.28 грн
10+282.92 грн
100+205.31 грн
500+161.66 грн
1000+159.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+176.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.40 грн
10+264.50 грн
100+191.21 грн
500+150.12 грн
1000+146.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650X6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650X6/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.83 грн
10+253.70 грн
100+190.20 грн
500+161.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC12650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC126506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.48 грн
10+268.44 грн
100+185.60 грн
500+156.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC12650B/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 26 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+389.51 грн
10+298.71 грн
100+207.90 грн
500+179.00 грн
1000+161.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.88 грн
50+262.74 грн
100+241.28 грн
500+193.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC16650B/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC206506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC206506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.15 грн
50+305.52 грн
100+281.19 грн
500+230.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC206506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.80 грн
10+451.64 грн
100+302.69 грн
500+225.59 грн
1000+204.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650QWeEn SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching NXPSC20650/TO-220AC/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W-AQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC20650W-AQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+488.29 грн
10+482.71 грн
100+413.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.52 грн
10+492.30 грн
100+427.41 грн
480+344.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.77 грн
10+414.21 грн
240+280.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+541.66 грн
10+371.99 грн
100+364.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC20650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.