Продукція > NXP

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NXPNXP
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXP P89LPC936FDHNXP
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXP(PHILIPS)
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875GRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875GRNexperiaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875GRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
26+11.77 грн
50+8.42 грн
100+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875GRNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT23 50V NPN GP BJT
на замовлення 19245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875YRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875YRNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT23 50V NPN GP BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875YRNexperiaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875YRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
29+10.57 грн
100+6.54 грн
500+4.50 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875YVLNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT23 50V NPN GP BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXP6517EL1/139/1A
на замовлення 434 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPC0030OmronI/O Power Supply Connection Units
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10498.72 грн
5+9765.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPC0030OmronI/O Power Supply Connection Units
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3098.50 грн
10+2907.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPD1000OmronPower Supply
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPD1000OmronPower Supply
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16447.38 грн
5+15258.38 грн
10+14627.11 грн
25+13726.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPESD-PROMOKITNXP SemiconductorsDescription: KIT PROMO ESD PROTECT DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPESD1-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT ESD PROTECT DIODES 18VALUES
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPESD2-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT ESD PROTECT DIODES 18VALUES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLOGIC1-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT LOGIC 10EA OF 17 VAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC106506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC10650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC10650/TO-220AC/STANDARD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.85V
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC20650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.95V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPLQSC30650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 30 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC30650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQNXP SemiconductorsNXPLQSC30650WQ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPMC68040FE33ACypress Semiconductor CorpDescription: MC680MICROPROCESSO32-BIHCMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPMOSFET-DESIGNKITNXP USA Inc.Description: KIT DESIGN MOSFET LFPAK
Packaging: Box
Mounting Type: Surface Mount
Quantity: 180 Pieces (18 Values - 10 Each)
Kit Type: MOSFETs
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100CX,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 162340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
727+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 727 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100CX,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H110C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H110C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOT 110V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 110 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 110 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S100C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S100C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Power Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S100CX,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S100CX,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S110C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 110V SIL3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
на замовлення 20200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.41 грн
50+111.03 грн
100+101.38 грн
500+79.04 грн
1000+74.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506QNexperiaNXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650BWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+46.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.90 грн
10+143.94 грн
100+104.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+85.78 грн
1600+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650BJNXP SemiconductorsNXPSC04650BJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650DWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 16439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.20 грн
10+184.24 грн
100+148.07 грн
500+114.17 грн
1000+95.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6JWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.90 грн
500+154.40 грн
1000+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650DJNXP SemiconductorsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.19 грн
10+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
50+123.21 грн
100+111.38 грн
500+85.07 грн
1000+78.82 грн
2000+73.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650X6/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650XQNXP SemiconductorsNXPSC04650XQ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.69 грн
10+239.49 грн
100+196.22 грн
500+156.76 грн
1000+132.21 грн
2000+125.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC066506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.80 грн
10+251.87 грн
100+206.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+182.42 грн
1600+154.11 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+154.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.39 грн
10+243.64 грн
100+199.59 грн
500+159.45 грн
1000+139.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.71 грн
10+229.61 грн
100+188.10 грн
500+150.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.50 грн
50+176.32 грн
100+160.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 36A
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]