Продукція > NXP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NXPNXP
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXP P89LPC936FDHNXP
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXP ICODE SLIX2-DYMOLUX IDentHF-Label 34x17mm, Pitch 32mm, NXP ICODE SLIX2-DYMO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXP(PHILIPS)
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875GRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.30 грн
29+10.73 грн
100+6.66 грн
500+4.58 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875GRNEXPERIATrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875GRNexperiaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875GRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875GRNEXPERIANXP3875GR NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875GRNexperiaBipolar Transistors - BJT NXP3875G/SOT23/TO-236AB
на замовлення 13509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+16.31 грн
33+10.49 грн
100+3.97 грн
1000+3.53 грн
3000+2.94 грн
9000+2.50 грн
24000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875YRNexperiaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875YRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.30 грн
29+10.73 грн
100+6.64 грн
500+4.57 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875YRNexperiaBipolar Transistors - BJT NXP3875Y/SOT23/TO-236AB
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+12.79 грн
39+8.71 грн
100+3.90 грн
1000+3.46 грн
3000+2.13 грн
9000+1.84 грн
24000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875YRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXP3875YVLNexperiaBipolar Transistors - BJT NXP3875Y/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXP6517EL1/139/1A
на замовлення 434 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPC0030OmronI/O Power Supply Connection Units
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2672.95 грн
10+2507.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NXPC0030OmronI/O Power Supply Connection Units
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9056.80 грн
5+8424.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPD1000OmronPower Supply
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPD1000OmronPower Supply
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14188.46 грн
5+13162.76 грн
10+12618.19 грн
25+11841.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPESD-PROMOKITNXP SemiconductorsDescription: KIT PROMO ESD PROTECT DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPESD1-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT ESD PROTECT DIODES 18VALUES
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPESD2-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT ESD PROTECT DIODES 18VALUES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLOGIC1-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT LOGIC 10EA OF 17 VAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsNXPLQSC106506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC106506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC10650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC10650/TO-220AC/STANDARD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC20650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650W6QWeenNXPLQSC20650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsDescription: NXPLQSC30650WQ TO-247 STANDARD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPLQSC30650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 30 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+551.29 грн
5+441.53 грн
10+386.23 грн
50+350.98 грн
100+317.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC30650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQNXP SemiconductorsNXPLQSC30650WQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQWeenNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPMC68040FE33ACypress Semiconductor CorpDescription: MC680MICROPROCESSO32-BIHCMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPMOSFET-DESIGNKITNXP USA Inc.Description: KIT DESIGN MOSFET LFPAK
Packaging: Box
Mounting Type: Surface Mount
Quantity: 180 Pieces (18 Values - 10 Each)
Kit Type: MOSFETs
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPPICMG/4USYSTEM-OSPArrowCCP54-NXPPICMG/4USystem
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPPICMG/4USYSTEM-OSP-RPRArrowRepair BOM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100C,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100C,127NXP USA Inc.Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 1110
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100CX,127NXP USA Inc.Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 mA @ 100 V
на замовлення 161788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1066+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 1066
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100CX,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100CX,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H110C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H110C,127WeenRectifier Diode Schottky 110V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H110C,127NXP USA Inc.Description: DIODE ARR SCHOT 110V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 110 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 110 V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1066+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 1066
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S100C,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S100C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S100C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S100CX,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S100CX,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S100CX,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20S110C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 110V SIL3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS2P33Lattice SemiconductorMPEG TS Serial to Parallel Converter ASIC 48pin TQFP*
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506QNexperiaNXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 20200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.66 грн
50+112.73 грн
100+102.93 грн
500+80.25 грн
1000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.91 грн
10+129.44 грн
100+89.75 грн
500+74.30 грн
1000+61.72 грн
2000+59.66 грн
5000+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506QWeenNXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650BWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.93 грн
7+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650BWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.11 грн
5+79.26 грн
19+60.69 грн
50+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.24 грн
10+146.14 грн
100+105.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.09 грн
1600+82.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650BJNXP SemiconductorsNXPSC04650BJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 16439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.46 грн
10+187.06 грн
100+150.34 грн
500+115.92 грн
1000+96.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.84 грн
500+90.43 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.51 грн
10+145.25 грн
100+118.84 грн
500+90.43 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+99.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.23 грн
10+132.05 грн
100+100.68 грн
500+84.30 грн
1000+68.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeenDiode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650X6/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.66 грн
50+112.73 грн
100+102.93 грн
500+80.25 грн
1000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650XQNXP SemiconductorsNXPSC04650XQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650XQWeenNXPSC04650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC066506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsNXPSC066506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.92 грн
10+243.16 грн
100+199.22 грн
500+159.16 грн
1000+134.23 грн
2000+127.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.25 грн
10+255.73 грн
100+209.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+185.21 грн
1600+156.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650B6JWeenNXPSC06650B6/D2PAK/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsNXPSC06650B6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+157.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsNXPSC06650D6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.70 грн
10+247.37 грн
100+202.64 грн
500+161.89 грн
1000+142.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650DJWeenNXPSC06650DJ/DPAK/REEL 13\"" Q1/T1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.78 грн
10+233.12 грн
100+190.98 грн
500+152.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650QWeenRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.43 грн
10+258.33 грн
100+211.64 грн
500+169.08 грн
1000+148.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650X6QWeEn SemiconductorsNXPSC06650X6Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650XQWeenNXPSC06650XQ/TO220F-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650XQ/TO220F-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650/TO-220AC/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC086506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.63 грн
10+272.20 грн
100+220.24 грн
500+183.72 грн
1000+157.31 грн
2000+148.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC086506QWeEn SemiconductorsNXPSC086506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC086506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC086506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsNXPSC08650B6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.61 грн
10+275.65 грн
100+223.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B6/D2PAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+205.84 грн
1600+169.72 грн
2400+159.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650BJNXP SemiconductorsNXPSC08650BJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650BJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC08650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: -nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.98 грн
10+379.63 грн
100+296.28 грн
500+221.47 грн
1000+184.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 7184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.65 грн
10+268.83 грн
100+217.49 грн
500+181.43 грн
1000+155.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+161.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsNXPSC08650D6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650DJWeenNXPSC08650DJ/DPAK/REEL 13\"" Q1/T1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650DJNXP SemiconductorsNXPSC08650DJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: -nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.27 грн
10+210.45 грн
100+184.04 грн
500+167.83 грн
1000+152.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650QWeenRectifier Diode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650QWeEn SemiconductorsRectifiers Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650X6QWeEn SemiconductorsNXPSC08650X6Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.63 грн
10+272.20 грн
100+220.24 грн
500+183.72 грн
1000+157.31 грн
2000+148.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650XQNXP SemiconductorsNXPSC08650XQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC106506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC106506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC106506QWeEn SemiconductorsNXPSC106506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC106506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.35 грн
50+234.85 грн
100+217.00 грн
500+183.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC106506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC106506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.04 грн
10+245.11 грн
100+169.18 грн
500+141.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC10650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+170.83 грн
500+150.97 грн
1000+132.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6JWeenNXPSC10650B6/D2PAK/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.88 грн
10+298.95 грн
100+224.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC10650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.69 грн
10+227.78 грн
100+170.83 грн
500+150.97 грн
1000+132.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650B6/D2PAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsNXPSC10650B6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+210.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited934070005118
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650BJWeEn SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching NXPSC10650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 9704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.17 грн
10+287.15 грн
100+215.15 грн
500+181.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsNXPSC10650D6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+201.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.11 грн
10+267.99 грн
100+200.07 грн
500+167.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650QWeenRectifier Diode Schottky 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650X6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650X6/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.49 грн
10+296.95 грн
100+222.57 грн
500+188.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650X6QWeEn SemiconductorsNXPSC10650X6Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.82 грн
10+366.00 грн
100+296.08 грн
500+246.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506QWeEn SemiconductorsNXPSC126506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC126506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.59 грн
10+255.01 грн
100+176.61 грн
500+148.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC12650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsNXPSC12650B6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC12650B/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.63 грн
50+271.74 грн
100+251.70 грн
500+218.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 26 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.73 грн
10+283.90 грн
100+197.24 грн
500+170.13 грн
1000+154.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC16650B6JWeenNXPSC16650B/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC16650B/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC206506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC206506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.41 грн
10+527.78 грн
100+436.94 грн
500+357.07 грн
1000+332.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC206506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC206506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+692.41 грн
10+520.75 грн
100+349.10 грн
500+255.19 грн
1000+230.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650QWeEn SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching NXPSC20650/TO-220AC/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 2.1V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 2.1V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W-AQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC20650W-AQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+558.72 грн
10+552.12 грн
100+473.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+567.33 грн
10+530.46 грн
100+460.54 грн
480+370.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.26 грн
10+236.03 грн
100+231.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC20650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.41 грн
10+299.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650WQWeenNXPSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.