Продукція > NEXPERIA USA INC. > Всі товари виробника NEXPERIA USA INC. (32401) > Сторінка 128 з 541

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 54 108 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 162 216 270 324 378 432 486 540 541  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMV42ENER PMV42ENER Nexperia USA Inc. PMV42ENE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PQMB11Z PQMB11Z Nexperia USA Inc. PQMB11.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP DFN1010B-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 230mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PQMD13Z PQMD13Z Nexperia USA Inc. PQMD13.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PQMD3Z PQMD3Z Nexperia USA Inc. PQMD3.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 230mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PQMH10Z PQMH10Z Nexperia USA Inc. PQMH10.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 230MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PQMH11Z PQMH11Z Nexperia USA Inc. PQMH11.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 230MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 230mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN010-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN013-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.94 грн
3000+22.97 грн
4500+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN014-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLX PSMN015-100YLX Nexperia USA Inc. PSMN015-100YL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN019-100YLX PSMN019-100YLX Nexperia USA Inc. PSMN019-100YL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX Nexperia USA Inc. PSMN021-100YL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Nexperia USA Inc. PSMN0R7-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+88.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLX PSMN5R2-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN5R2-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN5R6-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN7R5-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS12VZ1USKNYL PTVS12VZ1USKNYL Nexperia USA Inc. PTVS12VZ1USKN.pdf Description: TVS DIODE 12VWM 32VC DSN1608-2
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32V
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DSN1608-2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 65A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 430pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS5V0Z1USKNYL PTVS5V0Z1USKNYL Nexperia USA Inc. PTVS5V0Z1USKN.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 12VC DSN1608-2
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DSN1608-2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A
Capacitance @ Frequency: 1200pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PSRQ PSMN2R0-60PSRQ Nexperia USA Inc. PSMN2R0-60PSR.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Nexperia USA Inc. PSMN0R7-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.63 грн
10+166.99 грн
50+129.01 грн
100+109.58 грн
500+89.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR41F BSR41F Nexperia USA Inc. BSR41.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4480XZ PBSS4480XZ Nexperia USA Inc. PBSS4480X.pdf Description: TRANS NPN 80V 4A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 550 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC4067D-Q100J 74HC4067D-Q100J Nexperia USA Inc. 74HC_HCT4067_Q100.pdf Description: IC MUX 16:1 120OHM 24SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 120Ohm
-3db Bandwidth: 100MHz
Supplier Device Package: 24-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 10V
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 6Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 45ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-10TX BCP56-10TX Nexperia USA Inc. BCP56T_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.92 грн
17+18.25 грн
100+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANSX PBSS4160PANSX Nexperia USA Inc. PBSS4160PANS.pdf Description: TRANS 2NPN 60V 1A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.23 грн
10+38.56 грн
50+28.24 грн
100+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4260PANSX PBSS4260PANSX Nexperia USA Inc. PBSS4260PANS.pdf Description: TRANS 2NPN 60V 2A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.88 грн
10+35.05 грн
100+22.67 грн
500+16.30 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4360PASX PBSS4360PASX Nexperia USA Inc. PBSS4360PAS.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A DFN2020D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.95 грн
11+29.78 грн
100+19.14 грн
500+13.68 грн
1000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV120ENEAR PMV120ENEAR Nexperia USA Inc. PMV120ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.89 грн
15+20.39 грн
100+12.94 грн
500+9.12 грн
1000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-10TX BCP56-10TX Nexperia USA Inc. BCP56T_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56QAZ BAW56QAZ Nexperia USA Inc. BAW56QA.pdf Description: DIODE ARR GP 90V 180MA DFN1010D3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.31 грн
45+6.87 грн
100+6.24 грн
500+4.29 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV9515QAZ PBHV9515QAZ Nexperia USA Inc. PBHV9515QA.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116QAZ BAS116QAZ Nexperia USA Inc. BAS116QA.pdf Description: DIODE STD 75V 300MA DFN1010D3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116QAZ BAS116QAZ Nexperia USA Inc. BAS116QA.pdf Description: DIODE STD 75V 300MA DFN1010D3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.03 грн
28+11.30 грн
50+8.06 грн
100+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M10-40EX BUK7M10-40EX Nexperia USA Inc. BUK7M10-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1231 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.12 грн
10+45.81 грн
50+33.81 грн
100+28.08 грн
500+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M12-40EX BUK7M12-40EX Nexperia USA Inc. BUK7M12-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 48A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.70 грн
50+29.93 грн
100+24.81 грн
500+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80EX Nexperia USA Inc. BUK7M27-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.15 грн
10+57.42 грн
50+42.67 грн
100+35.56 грн
500+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M45-40EX BUK7M45-40EX Nexperia USA Inc. BUK7M45-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+41.16 грн
50+30.31 грн
100+25.15 грн
500+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EX BUK7M8R0-40EX Nexperia USA Inc. BUK7M8R0-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.67 грн
10+63.53 грн
50+47.42 грн
100+39.60 грн
500+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M10-30EX BUK9M10-30EX Nexperia USA Inc. BUK9M10-30E.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1249 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.94 грн
10+57.73 грн
50+42.91 грн
100+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M11-40EX BUK9M11-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M11-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 53A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1721 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.09 грн
10+48.18 грн
50+35.66 грн
100+29.63 грн
500+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX BUK9M12-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M12-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.91 грн
10+60.32 грн
50+44.90 грн
100+37.45 грн
500+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX Nexperia USA Inc. BUK9M120-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.57 грн
10+42.00 грн
100+27.35 грн
500+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M14-40EX BUK9M14-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M14-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1211 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.54 грн
10+44.90 грн
50+33.11 грн
100+27.49 грн
500+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EX BUK9M156-100EX Nexperia USA Inc. BUK9M156-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.81 грн
10+39.40 грн
50+28.92 грн
100+23.97 грн
500+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M17-30EX BUK9M17-30EX Nexperia USA Inc. BUK9M17-30E.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.54 грн
10+44.90 грн
50+33.08 грн
100+27.44 грн
500+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M23-80EX BUK9M23-80EX Nexperia USA Inc. BUK9M23-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.46 грн
10+63.99 грн
50+47.62 грн
100+39.73 грн
500+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-60EX BUK9M24-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M24-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.09 грн
10+48.33 грн
50+35.73 грн
100+29.71 грн
500+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M34-100EX BUK9M34-100EX Nexperia USA Inc. BUK9M34-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.08 грн
10+62.54 грн
50+46.55 грн
100+38.82 грн
500+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M35-80EX BUK9M35-80EX Nexperia USA Inc. BUK9M35-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.64 грн
10+51.31 грн
50+37.96 грн
100+31.59 грн
500+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M42-60EX BUK9M42-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M42-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.02 грн
10+38.79 грн
100+25.14 грн
500+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M85-60EX BUK9M85-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M85-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.43 грн
10+37.80 грн
50+27.76 грн
100+22.99 грн
500+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M9R1-40EX BUK9M9R1-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M9R1-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.12 грн
10+45.74 грн
50+33.75 грн
100+28.02 грн
500+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN010-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.96 грн
10+98.65 грн
50+74.33 грн
100+62.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN013-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.77 грн
10+56.35 грн
100+37.20 грн
500+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX Nexperia USA Inc. PSMN021-100YL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.84 грн
10+65.59 грн
50+48.96 грн
100+40.88 грн
500+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN5R6-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
10+70.32 грн
50+52.58 грн
100+43.96 грн
500+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN7R5-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.80 грн
10+68.11 грн
50+50.84 грн
100+42.47 грн
500+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPELZ Nexperia USA Inc. PMDXB950UPEL.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.63 грн
10000+6.72 грн
15000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UELZ PMCXB900UELZ Nexperia USA Inc. PMCXB900UEL.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPELZ Nexperia USA Inc. PMDXB950UPEL.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 24893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.54 грн
15+21.68 грн
100+13.80 грн
500+9.74 грн
1000+8.71 грн
2000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV42ENER PMV42ENE.pdf
PMV42ENER
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PQMB11Z PQMB11.pdf
PQMB11Z
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2PNP DFN1010B-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 230mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PQMD13Z PQMD13.pdf
PQMD13Z
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PQMD3Z PQMD3.pdf
PQMD3Z
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 230mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PQMH10Z PQMH10.pdf
PQMH10Z
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 230MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PQMH11Z PQMH11.pdf
PQMH11Z
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 230MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 230mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YL.pdf
PSMN010-80YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+25.94 грн
3000+22.97 грн
4500+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLX PSMN014-80YL.pdf
PSMN014-80YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLX PSMN015-100YL.pdf
PSMN015-100YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN019-100YLX PSMN019-100YL.pdf
PSMN019-100YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN021-100YLX PSMN021-100YL.pdf
PSMN021-100YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLD.pdf
PSMN0R7-25YLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+88.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLX PSMN5R2-60YL.pdf
PSMN5R2-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YL.pdf
PSMN5R6-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
PSMN7R5-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS12VZ1USKNYL PTVS12VZ1USKN.pdf
PTVS12VZ1USKNYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 12VWM 32VC DSN1608-2
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32V
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DSN1608-2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 65A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 430pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS5V0Z1USKNYL PTVS5V0Z1USKN.pdf
PTVS5V0Z1USKNYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 5VWM 12VC DSN1608-2
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DSN1608-2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A
Capacitance @ Frequency: 1200pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PSRQ PSMN2R0-60PSR.pdf
PSMN2R0-60PSRQ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLD.pdf
PSMN0R7-25YLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.63 грн
10+166.99 грн
50+129.01 грн
100+109.58 грн
500+89.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR41F BSR41.pdf
BSR41F
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4480XZ PBSS4480X.pdf
PBSS4480XZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 4A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 550 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC4067D-Q100J 74HC_HCT4067_Q100.pdf
74HC4067D-Q100J
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC MUX 16:1 120OHM 24SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 120Ohm
-3db Bandwidth: 100MHz
Supplier Device Package: 24-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 10V
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 6Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 45ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-10TX BCP56T_SER.pdf
BCP56-10TX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.92 грн
17+18.25 грн
100+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANSX PBSS4160PANS.pdf
PBSS4160PANSX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2NPN 60V 1A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.23 грн
10+38.56 грн
50+28.24 грн
100+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4260PANSX PBSS4260PANS.pdf
PBSS4260PANSX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2NPN 60V 2A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.88 грн
10+35.05 грн
100+22.67 грн
500+16.30 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4360PASX PBSS4360PAS.pdf
PBSS4360PASX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 3A DFN2020D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.95 грн
11+29.78 грн
100+19.14 грн
500+13.68 грн
1000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV120ENEAR PMV120ENEA.pdf
PMV120ENEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.89 грн
15+20.39 грн
100+12.94 грн
500+9.12 грн
1000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-10TX BCP56T_SER.pdf
BCP56-10TX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56QAZ BAW56QA.pdf
BAW56QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ARR GP 90V 180MA DFN1010D3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.31 грн
45+6.87 грн
100+6.24 грн
500+4.29 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV9515QAZ PBHV9515QA.pdf
PBHV9515QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 150V 0.5A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116QAZ BAS116QA.pdf
BAS116QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE STD 75V 300MA DFN1010D3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116QAZ BAS116QA.pdf
BAS116QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE STD 75V 300MA DFN1010D3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+19.03 грн
28+11.30 грн
50+8.06 грн
100+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M10-40EX BUK7M10-40E.pdf
BUK7M10-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1231 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.12 грн
10+45.81 грн
50+33.81 грн
100+28.08 грн
500+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M12-40EX BUK7M12-40E.pdf
BUK7M12-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 48A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.19 грн
10+40.70 грн
50+29.93 грн
100+24.81 грн
500+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80E.pdf
BUK7M27-80EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.15 грн
10+57.42 грн
50+42.67 грн
100+35.56 грн
500+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M45-40EX BUK7M45-40E.pdf
BUK7M45-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.19 грн
10+41.16 грн
50+30.31 грн
100+25.15 грн
500+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EX BUK7M8R0-40E.pdf
BUK7M8R0-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+104.67 грн
10+63.53 грн
50+47.42 грн
100+39.60 грн
500+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M10-30EX BUK9M10-30E.pdf
BUK9M10-30EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1249 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.94 грн
10+57.73 грн
50+42.91 грн
100+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M11-40EX BUK9M11-40E.pdf
BUK9M11-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 53A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1721 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.09 грн
10+48.18 грн
50+35.66 грн
100+29.63 грн
500+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX BUK9M12-60E.pdf
BUK9M12-60EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.91 грн
10+60.32 грн
50+44.90 грн
100+37.45 грн
500+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M120-100EX BUK9M120-100E.pdf
BUK9M120-100EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.57 грн
10+42.00 грн
100+27.35 грн
500+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M14-40EX BUK9M14-40E.pdf
BUK9M14-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1211 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.54 грн
10+44.90 грн
50+33.11 грн
100+27.49 грн
500+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EX BUK9M156-100E.pdf
BUK9M156-100EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.81 грн
10+39.40 грн
50+28.92 грн
100+23.97 грн
500+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M17-30EX BUK9M17-30E.pdf
BUK9M17-30EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.54 грн
10+44.90 грн
50+33.08 грн
100+27.44 грн
500+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M23-80EX BUK9M23-80E.pdf
BUK9M23-80EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+105.46 грн
10+63.99 грн
50+47.62 грн
100+39.73 грн
500+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-60EX BUK9M24-60E.pdf
BUK9M24-60EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.09 грн
10+48.33 грн
50+35.73 грн
100+29.71 грн
500+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M34-100EX BUK9M34-100E.pdf
BUK9M34-100EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.08 грн
10+62.54 грн
50+46.55 грн
100+38.82 грн
500+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M35-80EX BUK9M35-80E.pdf
BUK9M35-80EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.64 грн
10+51.31 грн
50+37.96 грн
100+31.59 грн
500+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M42-60EX BUK9M42-60E.pdf
BUK9M42-60EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.02 грн
10+38.79 грн
100+25.14 грн
500+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M85-60EX BUK9M85-60E.pdf
BUK9M85-60EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.43 грн
10+37.80 грн
50+27.76 грн
100+22.99 грн
500+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M9R1-40EX BUK9M9R1-40E.pdf
BUK9M9R1-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.12 грн
10+45.74 грн
50+33.75 грн
100+28.02 грн
500+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YL.pdf
PSMN010-80YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.96 грн
10+98.65 грн
50+74.33 грн
100+62.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.77 грн
10+56.35 грн
100+37.20 грн
500+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN021-100YLX PSMN021-100YL.pdf
PSMN021-100YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.84 грн
10+65.59 грн
50+48.96 грн
100+40.88 грн
500+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YL.pdf
PSMN5R6-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.97 грн
10+70.32 грн
50+52.58 грн
100+43.96 грн
500+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
PSMN7R5-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.80 грн
10+68.11 грн
50+50.84 грн
100+42.47 грн
500+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPEL.pdf
PMDXB950UPELZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+7.63 грн
10000+6.72 грн
15000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UELZ PMCXB900UEL.pdf
PMCXB900UELZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPEL.pdf
PMDXB950UPELZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 24893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.54 грн
15+21.68 грн
100+13.80 грн
500+9.74 грн
1000+8.71 грн
2000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 54 108 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 162 216 270 324 378 432 486 540 541  [ Наступна Сторінка >> ]