Продукція > NEXPERIA USA INC. > Всі товари виробника NEXPERIA USA INC. (31403) > Сторінка 133 з 524

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 52 104 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 156 208 260 312 364 416 468 520 524  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
74LVC1G123DP,125 74LVC1G123DP,125 Nexperia USA Inc. 74LVC1G123.pdf Description: IC MMV 1-CIR 5.3-NS 8-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Propagation Delay: 5.3 ns
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Schmitt Trigger Input: Yes
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Voltage - Supply: 1.65 V ~ 5.5 V
на замовлення 8356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.64 грн
15+20.35 грн
25+18.12 грн
100+14.74 грн
250+13.66 грн
500+13.01 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAL99,215 BAL99,215 Nexperia USA Inc. BAL99.pdf Description: DIODE STANDARD 70V 215MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.35 грн
40+7.64 грн
100+4.73 грн
500+3.23 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC56PA,115 BC56PA,115 Nexperia USA Inc. BC56PA_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.07 грн
18+17.17 грн
100+10.80 грн
500+7.56 грн
1000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40QAZ BC807-40QAZ Nexperia USA Inc. BC807-25QA_40QA.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 900 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25QAZ BC817-25QAZ Nexperia USA Inc. BC817-25QA_40QA.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 900 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847QASZ BC847QASZ Nexperia USA Inc. BC847QAS.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 100MA DFN1010B-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.92 грн
20+15.20 грн
100+9.47 грн
500+6.53 грн
1000+5.76 грн
2000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857QASZ BC857QASZ Nexperia USA Inc. BC857QAS.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 100MA DFN1010B-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2mA, 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.92 грн
20+15.20 грн
50+10.89 грн
100+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW61D,215 BCW61D,215 Nexperia USA Inc. BCW61.pdf Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2R Nexperia USA Inc. BSH205G2.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-B47,215 BZX84-B47,215 Nexperia USA Inc. BZX84_SER.pdf Description: DIODE ZENER 47V 250MW TO236AB
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 32.9 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCR401UX NCR401UX Nexperia USA Inc. NCR401U.pdf Description: IC LED DRIVER LINEAR 10MA 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Voltage - Output: 38V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Current - Output / Channel: 10mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply (Max): 40V
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.28 грн
27+11.35 грн
50+9.23 грн
100+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKXBZ NX7002BKXBZ Nexperia USA Inc. NX7002BKXB.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 285mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.92 грн
20+15.36 грн
100+6.79 грн
500+5.94 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PESD24VF1BLYL PESD24VF1BLYL Nexperia USA Inc. PESD24VF1BL.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 17VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHDMI2F4X PHDMI2F4X Nexperia USA Inc. PHDMI2F4.pdf Description: TVS DIODE 4.6VC DFN2510A-10
Applications: HDMI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Steering (Rail to Rail)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Power Line Protection: Yes
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.6V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: DFN2510A-10
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.2A (8/20µs)
на замовлення 9430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.71 грн
18+17.40 грн
50+14.24 грн
100+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60406NYX PHPT60406NYX Nexperia USA Inc. PHPT60406NY.pdf Description: TRANS NPN 40V 6A LFPAK56 PWRSO8
Power - Max: 1.35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 153MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 300mA, 6A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+40.70 грн
100+26.48 грн
500+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60406PYX PHPT60406PYX Nexperia USA Inc. PHPT60406PY.pdf Description: TRANS PNP 40V 6A LFPAK56 PWRSO8
Power - Max: 1.35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 540mV @ 300mA, 6A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.49 грн
10+42.89 грн
100+27.91 грн
500+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60410PYX PHPT60410PYX Nexperia USA Inc. PHPT60410PY.pdf Description: TRANS PNP 40V 10A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 97MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.70 грн
10+42.36 грн
100+27.69 грн
500+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60606NYX PHPT60606NYX Nexperia USA Inc. PHPT60606NY.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A LFPAK56 PWRSO8
Power - Max: 1.35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 6A
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.91 грн
10+48.34 грн
50+35.61 грн
100+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT610030NKX PHPT610030NKX Nexperia USA Inc. PHPT610030NK.pdf Description: TRANS 2NPN 100V 3A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.20 грн
10+45.99 грн
100+30.19 грн
500+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT610030NPKX PHPT610030NPKX Nexperia USA Inc. PHPT610030NPK.pdf Description: TRANS NPN/PNP 100V 3A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 110mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 10V
Frequency - Transition: 140MHz, 125MHz
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT610030PKX PHPT610030PKX Nexperia USA Inc. PHPT610030PK.pdf Description: TRANS 2PNP 100V 3A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Power - Max: 1.25W
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.20 грн
10+46.22 грн
100+30.34 грн
500+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT610035PKX PHPT610035PKX Nexperia USA Inc. PHPT610035PK.pdf Description: TRANS 2PNP 100V 3A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 11323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.05 грн
10+57.34 грн
100+37.93 грн
500+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT61006PYX PHPT61006PYX Nexperia USA Inc. PHPT61006PY.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A LFPAK56 PWRSO8
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 116MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.70 грн
10+42.29 грн
100+27.63 грн
500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPEZ PMDXB1200UPEZ Nexperia USA Inc. PMDXB1200UPE.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 285mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB550UNEZ PMDXB550UNEZ Nexperia USA Inc. PMDXB550UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 285mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.78 грн
12+26.25 грн
50+19.03 грн
100+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPEZ PMDXB950UPEZ Nexperia USA Inc. PMDXB950UPE.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 265mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.42 грн
13+24.96 грн
50+18.09 грн
100+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG060V050EPDZ PMEG060V050EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG060V050EPD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A CFP15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.70 грн
10+35.71 грн
100+23.19 грн
500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG060V100EPDZ PMEG060V100EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG060V100EPD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A CFP15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.84 грн
10+51.36 грн
100+33.73 грн
500+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG10020AELRX PMEG10020AELRX Nexperia USA Inc. PMEG10020AELR.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123W
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-123W
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG2002AESF,315 PMEG2002AESF,315 Nexperia USA Inc. PMEG2002AESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 20V 200MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.71 грн
33+9.23 грн
100+7.50 грн
500+5.19 грн
1000+4.21 грн
2000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG2005ESFYL PMEG2005ESFYL Nexperia USA Inc. PMEG2005ESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 20V 500MA DSN06032
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.14 грн
21+14.68 грн
50+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3002AESFYL PMEG3002AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3002AESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 30V 200MA DSN06032
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3005AESFYL PMEG3005AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3005AESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 30V 500MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.42 грн
26+11.73 грн
100+7.32 грн
500+5.07 грн
1000+4.48 грн
2000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3005ESFYL PMEG3005ESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3005ESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 30V 500MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.93 грн
32+9.68 грн
100+7.16 грн
500+5.18 грн
1000+4.48 грн
2000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005AESFYL PMEG4005AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG4005AESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 40V 500MA DSN06032
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.25 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005ESFYL PMEG4005ESFYL Nexperia USA Inc. PMEG4005ESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 40V 500MA DSN06032
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.28 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6.5 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Nexperia USA Inc. PMV130ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.56 грн
15+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16XNR PMV16XNR Nexperia USA Inc. PMV16XN.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.85 грн
13+24.43 грн
50+17.66 грн
100+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR Nexperia USA Inc. PMV20EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNER PMV20XNER Nexperia USA Inc. PMV20XNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEAR PMV250EPEAR Nexperia USA Inc. PMV250EPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPER PMV27UPER Nexperia USA Inc. PMV27UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 6184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.42 грн
16+20.12 грн
100+15.55 грн
500+12.64 грн
1000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2R PMV30UN2R Nexperia USA Inc. PMV30UN2.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2R PMV37EN2R Nexperia USA Inc. PMV37EN2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.99 грн
16+19.90 грн
50+14.33 грн
100+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Nexperia USA Inc. PMV45EN2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPAR PMV48XPAR Nexperia USA Inc. PMV48XPA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.92 грн
14+22.47 грн
100+16.18 грн
500+12.81 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPR PMV50XPR Nexperia USA Inc. PMV50XP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEAR PMV65XPEAR Nexperia USA Inc. PMV65XPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPER Nexperia USA Inc. PMV65XPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZ PMXB56ENZ Nexperia USA Inc. PMXB56EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZ PMXB75UPEZ Nexperia USA Inc. PMXB75UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYL PMZ130UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ130UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.56 грн
15+20.35 грн
50+14.68 грн
100+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Nexperia USA Inc. PMZ320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.64 грн
17+18.00 грн
50+12.94 грн
100+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYL PMZ370UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ370UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 24340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.71 грн
18+17.25 грн
100+10.82 грн
500+7.35 грн
1000+6.27 грн
2000+5.85 грн
5000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYL PMZ550UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ550UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.71 грн
19+16.11 грн
50+11.54 грн
100+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Nexperia USA Inc. PMZB290UNE2.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.00 грн
24+12.94 грн
50+9.27 грн
100+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYL PMZB320UPEYL Nexperia USA Inc. PMZB320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
16+19.90 грн
50+14.34 грн
100+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYL PMZB390UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB390UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNEYL PMZB550UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB550UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.64 грн
17+18.38 грн
50+13.25 грн
100+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYL PMZB950UPEYL Nexperia USA Inc. PMZB950UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.21 грн
16+18.91 грн
50+13.65 грн
100+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G123DP,125 74LVC1G123.pdf
74LVC1G123DP,125
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC MMV 1-CIR 5.3-NS 8-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Propagation Delay: 5.3 ns
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Schmitt Trigger Input: Yes
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Voltage - Supply: 1.65 V ~ 5.5 V
на замовлення 8356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.64 грн
15+20.35 грн
25+18.12 грн
100+14.74 грн
250+13.66 грн
500+13.01 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAL99,215 BAL99.pdf
BAL99,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE STANDARD 70V 215MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.35 грн
40+7.64 грн
100+4.73 грн
500+3.23 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC56PA,115 BC56PA_SER.pdf
BC56PA,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+29.07 грн
18+17.17 грн
100+10.80 грн
500+7.56 грн
1000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40QAZ BC807-25QA_40QA.pdf
BC807-40QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 900 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25QAZ BC817-25QA_40QA.pdf
BC817-25QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 900 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847QASZ BC847QAS.pdf
BC847QASZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA DFN1010B-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.92 грн
20+15.20 грн
100+9.47 грн
500+6.53 грн
1000+5.76 грн
2000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857QASZ BC857QAS.pdf
BC857QASZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA DFN1010B-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2mA, 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.92 грн
20+15.20 грн
50+10.89 грн
100+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW61D,215 BCW61.pdf
BCW61D,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2.pdf
BSH205G2R
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-B47,215 BZX84_SER.pdf
BZX84-B47,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER 47V 250MW TO236AB
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 32.9 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCR401UX NCR401U.pdf
NCR401UX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC LED DRIVER LINEAR 10MA 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Voltage - Output: 38V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Current - Output / Channel: 10mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply (Max): 40V
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.28 грн
27+11.35 грн
50+9.23 грн
100+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKXBZ NX7002BKXB.pdf
NX7002BKXBZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 285mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.92 грн
20+15.36 грн
100+6.79 грн
500+5.94 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PESD24VF1BLYL PESD24VF1BL.pdf
PESD24VF1BLYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 24VWM 17VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHDMI2F4X PHDMI2F4.pdf
PHDMI2F4X
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 4.6VC DFN2510A-10
Applications: HDMI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Steering (Rail to Rail)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Power Line Protection: Yes
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.6V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: DFN2510A-10
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.2A (8/20µs)
на замовлення 9430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+26.71 грн
18+17.40 грн
50+14.24 грн
100+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60406NYX PHPT60406NY.pdf
PHPT60406NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 40V 6A LFPAK56 PWRSO8
Power - Max: 1.35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 153MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 300mA, 6A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+68.34 грн
10+40.70 грн
100+26.48 грн
500+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60406PYX PHPT60406PY.pdf
PHPT60406PYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 40V 6A LFPAK56 PWRSO8
Power - Max: 1.35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 540mV @ 300mA, 6A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.49 грн
10+42.89 грн
100+27.91 грн
500+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60410PYX PHPT60410PY.pdf
PHPT60410PYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 40V 10A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 97MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+70.70 грн
10+42.36 грн
100+27.69 грн
500+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60606NYX PHPT60606NY.pdf
PHPT60606NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 6A LFPAK56 PWRSO8
Power - Max: 1.35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 6A
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+80.91 грн
10+48.34 грн
50+35.61 грн
100+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT610030NKX PHPT610030NK.pdf
PHPT610030NKX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2NPN 100V 3A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.20 грн
10+45.99 грн
100+30.19 грн
500+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT610030NPKX PHPT610030NPK.pdf
PHPT610030NPKX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 100V 3A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 110mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 10V
Frequency - Transition: 140MHz, 125MHz
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT610030PKX PHPT610030PK.pdf
PHPT610030PKX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2PNP 100V 3A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Power - Max: 1.25W
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.20 грн
10+46.22 грн
100+30.34 грн
500+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT610035PKX PHPT610035PK.pdf
PHPT610035PKX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2PNP 100V 3A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 11323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.05 грн
10+57.34 грн
100+37.93 грн
500+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT61006PYX PHPT61006PY.pdf
PHPT61006PYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 6A LFPAK56 PWRSO8
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 116MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+70.70 грн
10+42.29 грн
100+27.63 грн
500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPEZ PMDXB1200UPE.pdf
PMDXB1200UPEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 285mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB550UNEZ PMDXB550UNE.pdf
PMDXB550UNEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 285mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.78 грн
12+26.25 грн
50+19.03 грн
100+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPEZ PMDXB950UPE.pdf
PMDXB950UPEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 265mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.42 грн
13+24.96 грн
50+18.09 грн
100+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG060V050EPDZ PMEG060V050EPD.pdf
PMEG060V050EPDZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A CFP15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+59.70 грн
10+35.71 грн
100+23.19 грн
500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG060V100EPDZ PMEG060V100EPD.pdf
PMEG060V100EPDZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A CFP15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+84.84 грн
10+51.36 грн
100+33.73 грн
500+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG10020AELRX PMEG10020AELR.pdf
PMEG10020AELRX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123W
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-123W
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG2002AESF,315 PMEG2002AESF.pdf
PMEG2002AESF,315
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 20V 200MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+15.71 грн
33+9.23 грн
100+7.50 грн
500+5.19 грн
1000+4.21 грн
2000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG2005ESFYL PMEG2005ESF.pdf
PMEG2005ESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 20V 500MA DSN06032
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.14 грн
21+14.68 грн
50+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3002AESFYL PMEG3002AESF.pdf
PMEG3002AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 30V 200MA DSN06032
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3005AESFYL PMEG3005AESF.pdf
PMEG3005AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 30V 500MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.42 грн
26+11.73 грн
100+7.32 грн
500+5.07 грн
1000+4.48 грн
2000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3005ESFYL PMEG3005ESF.pdf
PMEG3005ESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 30V 500MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+14.93 грн
32+9.68 грн
100+7.16 грн
500+5.18 грн
1000+4.48 грн
2000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005AESFYL PMEG4005AESF.pdf
PMEG4005AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 40V 500MA DSN06032
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.25 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005ESFYL PMEG4005ESF.pdf
PMEG4005ESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 40V 500MA DSN06032
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.28 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6.5 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEA.pdf
PMV130ENEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.56 грн
15+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16XNR PMV16XN.pdf
PMV16XNR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.85 грн
13+24.43 грн
50+17.66 грн
100+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20EN.pdf
PMV20ENR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNER PMV20XNE.pdf
PMV20XNER
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEAR PMV250EPEA.pdf
PMV250EPEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPER PMV27UPE.pdf
PMV27UPER
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 6184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.42 грн
16+20.12 грн
100+15.55 грн
500+12.64 грн
1000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2R PMV30UN2.pdf
PMV30UN2R
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2R PMV37EN2.pdf
PMV37EN2R
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.99 грн
16+19.90 грн
50+14.33 грн
100+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2.pdf
PMV45EN2R
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPAR PMV48XPA.pdf
PMV48XPAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+36.92 грн
14+22.47 грн
100+16.18 грн
500+12.81 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPR PMV50XP.pdf
PMV50XPR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEAR PMV65XPEA.pdf
PMV65XPEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPE.pdf
PMV65XPER
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZ PMXB56EN.pdf
PMXB56ENZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZ PMXB75UPE.pdf
PMXB75UPEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYL PMZ130UNE.pdf
PMZ130UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.56 грн
15+20.35 грн
50+14.68 грн
100+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL PMZ320UPE.pdf
PMZ320UPEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.64 грн
17+18.00 грн
50+12.94 грн
100+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYL PMZ370UNE.pdf
PMZ370UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 24340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+26.71 грн
18+17.25 грн
100+10.82 грн
500+7.35 грн
1000+6.27 грн
2000+5.85 грн
5000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ550UNEYL PMZ550UNE.pdf
PMZ550UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+26.71 грн
19+16.11 грн
50+11.54 грн
100+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2.pdf
PMZB290UNE2YL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+22.00 грн
24+12.94 грн
50+9.27 грн
100+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYL PMZB320UPE.pdf
PMZB320UPEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.78 грн
16+19.90 грн
50+14.34 грн
100+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYL PMZB390UNE.pdf
PMZB390UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNEYL PMZB550UNE.pdf
PMZB550UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.64 грн
17+18.38 грн
50+13.25 грн
100+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYL PMZB950UPE.pdf
PMZB950UPEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.21 грн
16+18.91 грн
50+13.65 грн
100+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 52 104 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 156 208 260 312 364 416 468 520 524  [ Наступна Сторінка >> ]