Продукція > NEXPERIA USA INC. > Всі товари виробника NEXPERIA USA INC. (32062) > Сторінка 127 з 535

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 53 106 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 159 212 265 318 371 424 477 530 535  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMEG060V050EPDZ PMEG060V050EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG060V050EPD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A CFP15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.49 грн
50+29.05 грн
100+24.07 грн
500+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG060V100EPDZ PMEG060V100EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG060V100EPD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A CFP15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+51.90 грн
100+34.12 грн
500+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG10020AELRX PMEG10020AELRX Nexperia USA Inc. PMEG10020AELR.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123W
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-123W
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
на замовлення 20767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.04 грн
50+14.52 грн
100+11.92 грн
500+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG2002AESF,315 PMEG2002AESF,315 Nexperia USA Inc. PMEG2002AESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 20V 200MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
33+9.12 грн
100+7.42 грн
500+5.13 грн
1000+4.16 грн
2000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG2005ESFYL PMEG2005ESFYL Nexperia USA Inc. PMEG2005ESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 20V 500MA DSN06032
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.51 грн
50+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3002AESFYL PMEG3002AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3002AESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 30V 200MA DSN06032
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3005AESFYL PMEG3005AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3005AESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 30V 500MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.59 грн
100+7.24 грн
500+5.01 грн
1000+4.43 грн
2000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3005ESFYL PMEG3005ESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3005ESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 30V 500MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
32+9.57 грн
100+7.08 грн
500+5.12 грн
1000+4.43 грн
2000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Nexperia USA Inc. PMV130ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR Nexperia USA Inc. PMV20EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEAR PMV250EPEAR Nexperia USA Inc. PMV250EPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPER PMV27UPER Nexperia USA Inc. PMV27UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 6184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
16+19.89 грн
100+15.37 грн
500+12.50 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2R PMV37EN2R Nexperia USA Inc. PMV37EN2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
16+19.67 грн
50+14.16 грн
100+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEAR PMV65XPEAR Nexperia USA Inc. PMV65XPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZ PMXB56ENZ Nexperia USA Inc. PMXB56EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZ PMXB75UPEZ Nexperia USA Inc. PMXB75UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYL PMZ130UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ130UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.12 грн
50+14.51 грн
100+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Nexperia USA Inc. PMZ320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
17+17.80 грн
50+12.79 грн
100+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYL PMZ370UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ370UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 24340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
18+17.05 грн
100+10.69 грн
500+7.27 грн
1000+6.20 грн
2000+5.79 грн
5000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Nexperia USA Inc. PMZB290UNE2.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
24+12.79 грн
50+9.17 грн
100+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYL PMZB320UPEYL Nexperia USA Inc. PMZB320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
16+19.67 грн
50+14.18 грн
100+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYL PMZB390UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB390UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNEYL PMZB550UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB550UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYL PMZB950UPEYL Nexperia USA Inc. PMZB950UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+18.70 грн
50+13.49 грн
100+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PUSB2X4DH PUSB2X4DH Nexperia USA Inc. PUSB2X4D.pdf Description: TVS DIODE 4.3VC 6TSOP
Type: Steering (Rail to Rail)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: Yes
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.3V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.7pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUSB3TB6AZ PUSB3TB6AZ Nexperia USA Inc. PUSB3TB6.pdf Description: TVS DIODE 4.8VC 7XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.27pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Supplier Device Package: 7-XSON (1.1x2.1)
Unidirectional Channels: 7
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.8V (Typ)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
28+10.69 грн
32+9.45 грн
100+7.59 грн
250+6.98 грн
500+6.62 грн
1000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDZ2V7J,115 TDZ2V7J,115 Nexperia USA Inc. TDZXJ_SER.pdf Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD323F
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-323F
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
25+12.27 грн
50+8.77 грн
100+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847QASZ BC847QASZ Nexperia USA Inc. BC847QAS.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 100MA DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857QASZ BC857QASZ Nexperia USA Inc. BC857QAS.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 100MA DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+4.83 грн
10000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2R Nexperia USA Inc. BSH205G2.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKXBZ NX7002BKXBZ Nexperia USA Inc. NX7002BKXB.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHDMI2F4X PHDMI2F4X Nexperia USA Inc. PHDMI2F4.pdf Description: TVS DIODE 4.6VC DFN2510A-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: HDMI
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.2A (8/20µs)
Supplier Device Package: DFN2510A-10
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.6V (Typ)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60406NYX PHPT60406NYX Nexperia USA Inc. PHPT60406NY.pdf Description: TRANS NPN 40V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 153MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60406PYX PHPT60406PYX Nexperia USA Inc. PHPT60406PY.pdf Description: TRANS PNP 40V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 540mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60410NYX PHPT60410NYX Nexperia USA Inc. PHPT60410NY.pdf Description: TRANS NPN 40V 10A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 500mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 128MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60410PYX PHPT60410PYX Nexperia USA Inc. PHPT60410PY.pdf Description: TRANS PNP 40V 10A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 97MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60606NYX PHPT60606NYX Nexperia USA Inc. PHPT60606NY.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A LFPAK56 PWRSO8
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 6A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT61006NYX PHPT61006NYX Nexperia USA Inc. PHPT61006NY.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT61006PYX PHPT61006PYX Nexperia USA Inc. PHPT61006PY.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A LFPAK56 PWRSO8
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 116MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT61010NYX PHPT61010NYX Nexperia USA Inc. PHPT61010NY.pdf Description: TRANS NPN 100V 10A LFPAK56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 145MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 1A, 10A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.53 грн
3000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT61010PYX PHPT61010PYX Nexperia USA Inc. PHPT61010PY.pdf Description: TRANS PNP 100V 10A LFPAK56
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 90MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1A, 10A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCM440VNEZ PMCM440VNEZ Nexperia USA Inc. PMCM440VNE.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 3.9A 4WLCSP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG060V050EPDZ PMEG060V050EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG060V050EPD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A CFP15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG060V100EPDZ PMEG060V100EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG060V100EPD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A CFP15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.62 грн
3000+20.87 грн
4500+19.92 грн
7500+17.69 грн
10500+17.09 грн
15000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG10020AELRX PMEG10020AELRX Nexperia USA Inc. PMEG10020AELR.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-123W
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.44 грн
9000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG1201AESFYL PMEG1201AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG1201AESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 12V 100MA DSN06032
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 2.2 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 12 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 200 mV @ 30 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG2005ESFYL PMEG2005ESFYL Nexperia USA Inc. PMEG2005ESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 20V 500MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3002AESFYL PMEG3002AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3002AESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 30V 200MA DSN06032
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3005AESFYL PMEG3005AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3005AESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 30V 500MA DSN06032
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3005ESFYL PMEG3005ESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3005ESF.pdf Description: DIODE SCHOTTK 30V 500MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ELRX PMEG6010ELRX Nexperia USA Inc. PMEG6010ELR.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4.5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 60 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.35 грн
6000+5.53 грн
9000+5.23 грн
15000+4.60 грн
21000+4.41 грн
30000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Nexperia USA Inc. PMV130ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR Nexperia USA Inc. PMV20EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEAR PMV250EPEAR Nexperia USA Inc. PMV250EPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2R PMV37EN2R Nexperia USA Inc. PMV37EN2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEAR PMV65XPEAR Nexperia USA Inc. PMV65XPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYL PMZ130UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ130UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYL PMZ200UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ200UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Nexperia USA Inc. PMZ320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYL PMZB200UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB200UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG060V050EPDZ PMEG060V050EPD.pdf
PMEG060V050EPDZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A CFP15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.01 грн
10+39.49 грн
50+29.05 грн
100+24.07 грн
500+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG060V100EPDZ PMEG060V100EPD.pdf
PMEG060V100EPDZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A CFP15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.43 грн
10+51.90 грн
100+34.12 грн
500+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG10020AELRX PMEG10020AELR.pdf
PMEG10020AELRX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123W
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-123W
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
на замовлення 20767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.17 грн
15+20.04 грн
50+14.52 грн
100+11.92 грн
500+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG2002AESF,315 PMEG2002AESF.pdf
PMEG2002AESF,315
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 20V 200MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.53 грн
33+9.12 грн
100+7.42 грн
500+5.13 грн
1000+4.16 грн
2000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG2005ESFYL PMEG2005ESF.pdf
PMEG2005ESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 20V 500MA DSN06032
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.85 грн
21+14.51 грн
50+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3002AESFYL PMEG3002AESF.pdf
PMEG3002AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 30V 200MA DSN06032
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3005AESFYL PMEG3005AESF.pdf
PMEG3005AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 30V 500MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.19 грн
26+11.59 грн
100+7.24 грн
500+5.01 грн
1000+4.43 грн
2000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3005ESFYL PMEG3005ESF.pdf
PMEG3005ESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 30V 500MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.76 грн
32+9.57 грн
100+7.08 грн
500+5.12 грн
1000+4.43 грн
2000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEA.pdf
PMV130ENEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.17 грн
15+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20EN.pdf
PMV20ENR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEAR PMV250EPEA.pdf
PMV250EPEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPER PMV27UPE.pdf
PMV27UPER
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 6184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.07 грн
16+19.89 грн
100+15.37 грн
500+12.50 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2R PMV37EN2.pdf
PMV37EN2R
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.62 грн
16+19.67 грн
50+14.16 грн
100+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEAR PMV65XPEA.pdf
PMV65XPEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZ PMXB56EN.pdf
PMXB56ENZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZ PMXB75UPE.pdf
PMXB75UPEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYL PMZ130UNE.pdf
PMZ130UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.17 грн
15+20.12 грн
50+14.51 грн
100+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL PMZ320UPE.pdf
PMZ320UPEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.29 грн
17+17.80 грн
50+12.79 грн
100+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYL PMZ370UNE.pdf
PMZ370UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 24340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.41 грн
18+17.05 грн
100+10.69 грн
500+7.27 грн
1000+6.20 грн
2000+5.79 грн
5000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2.pdf
PMZB290UNE2YL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.75 грн
24+12.79 грн
50+9.17 грн
100+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB320UPEYL PMZB320UPE.pdf
PMZB320UPEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.40 грн
16+19.67 грн
50+14.18 грн
100+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB390UNEYL PMZB390UNE.pdf
PMZB390UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB550UNEYL PMZB550UNE.pdf
PMZB550UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPEYL PMZB950UPE.pdf
PMZB950UPEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.84 грн
16+18.70 грн
50+13.49 грн
100+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PUSB2X4DH PUSB2X4D.pdf
PUSB2X4DH
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 4.3VC 6TSOP
Type: Steering (Rail to Rail)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: Yes
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.3V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.7pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUSB3TB6AZ PUSB3TB6.pdf
PUSB3TB6AZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 4.8VC 7XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.27pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Supplier Device Package: 7-XSON (1.1x2.1)
Unidirectional Channels: 7
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.8V (Typ)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.31 грн
28+10.69 грн
32+9.45 грн
100+7.59 грн
250+6.98 грн
500+6.62 грн
1000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDZ2V7J,115 TDZXJ_SER.pdf
TDZ2V7J,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD323F
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-323F
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.97 грн
25+12.27 грн
50+8.77 грн
100+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847QASZ BC847QAS.pdf
BC847QASZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857QASZ BC857QAS.pdf
BC857QASZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+4.83 грн
10000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2.pdf
BSH205G2R
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKXBZ NX7002BKXB.pdf
NX7002BKXBZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHDMI2F4X PHDMI2F4.pdf
PHDMI2F4X
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 4.6VC DFN2510A-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: HDMI
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.2A (8/20µs)
Supplier Device Package: DFN2510A-10
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.6V (Typ)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60406NYX PHPT60406NY.pdf
PHPT60406NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 40V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 153MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60406PYX PHPT60406PY.pdf
PHPT60406PYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 40V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 540mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60410NYX PHPT60410NY.pdf
PHPT60410NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 40V 10A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 500mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 128MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60410PYX PHPT60410PY.pdf
PHPT60410PYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 40V 10A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 97MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT60606NYX PHPT60606NY.pdf
PHPT60606NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 6A LFPAK56 PWRSO8
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 6A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT61006NYX PHPT61006NY.pdf
PHPT61006NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT61006PYX PHPT61006PY.pdf
PHPT61006PYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 6A LFPAK56 PWRSO8
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 116MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT61010NYX PHPT61010NY.pdf
PHPT61010NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 10A LFPAK56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 145MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 1A, 10A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+25.53 грн
3000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHPT61010PYX PHPT61010PY.pdf
PHPT61010PYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 10A LFPAK56
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 90MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1A, 10A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCM440VNEZ PMCM440VNE.pdf
PMCM440VNEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 12V 3.9A 4WLCSP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG060V050EPDZ PMEG060V050EPD.pdf
PMEG060V050EPDZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A CFP15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG060V100EPDZ PMEG060V100EPD.pdf
PMEG060V100EPDZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A CFP15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+23.62 грн
3000+20.87 грн
4500+19.92 грн
7500+17.69 грн
10500+17.09 грн
15000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG10020AELRX PMEG10020AELR.pdf
PMEG10020AELRX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-123W
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.44 грн
9000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG1201AESFYL PMEG1201AESF.pdf
PMEG1201AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 12V 100MA DSN06032
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 2.2 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 12 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 200 mV @ 30 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG2005ESFYL PMEG2005ESF.pdf
PMEG2005ESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 20V 500MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5 µA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3002AESFYL PMEG3002AESF.pdf
PMEG3002AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 30V 200MA DSN06032
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3005AESFYL PMEG3005AESF.pdf
PMEG3005AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 30V 500MA DSN06032
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG3005ESFYL PMEG3005ESF.pdf
PMEG3005ESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTK 30V 500MA DSN06032
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 1.42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ELRX PMEG6010ELR.pdf
PMEG6010ELRX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4.5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 60 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.35 грн
6000+5.53 грн
9000+5.23 грн
15000+4.60 грн
21000+4.41 грн
30000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEA.pdf
PMV130ENEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20EN.pdf
PMV20ENR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEAR PMV250EPEA.pdf
PMV250EPEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2R PMV37EN2.pdf
PMV37EN2R
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEAR PMV65XPEA.pdf
PMV65XPEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYL PMZ130UNE.pdf
PMZ130UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYL PMZ200UNE.pdf
PMZ200UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL PMZ320UPE.pdf
PMZ320UPEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYL PMZB200UNE.pdf
PMZB200UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 53 106 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 159 212 265 318 371 424 477 530 535  [ Наступна Сторінка >> ]