Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142632) > Сторінка 1748 з 2378

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1752 1753 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FOD817SD FOD817SD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9A9C01AC813A20D6&compId=FOD817SD.pdf?ci_sign=4cefd9ea64ddfdc2261c604d32920a9e11fe75bc Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 300-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.62 грн
12+25.29 грн
50+19.12 грн
100+17.47 грн
500+14.36 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FOD819 FOD819 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBFFD2ED30C7D20C7&compId=FOD819.pdf?ci_sign=a79d69461534cf38472c4752b91e23a1a379524c Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 80V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 100-600%@1.5mA
Collector-emitter voltage: 80V
Case: DIP4
Turn-on time: 12µs
Turn-off time: 20µs
Max. off-state voltage: 6V
Manufacturer series: FOD819
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.29 грн
10+47.16 грн
25+38.23 грн
50+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8523S ONSEMI fod852-d.pdf FOD8523S Optocouplers - analog output
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.91 грн
41+28.04 грн
113+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8523SD ONSEMI fod852-d.pdf FOD8523SD Optocouplers - analog output
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.35 грн
23+51.33 грн
62+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FODM1007 ONSEMI fodm1009-d.pdf FODM1007 Optocouplers - analog output
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.37 грн
52+22.22 грн
142+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FODM1008 ONSEMI fodm1009-d.pdf ONSM-S-A0003163201-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FODM1008 Optocouplers - analog output
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.37 грн
63+18.24 грн
174+17.18 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FODM1009R2 ONSEMI fodm1009-d.pdf FODM1009R2 Optocouplers - analog output
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.61 грн
61+19.02 грн
166+18.05 грн
6000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM121A ONSEMI FODM2705-D.PDF FODM121A Optocouplers - analog output
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.70 грн
49+23.58 грн
134+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM121CR2 FODM121CR2 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9A9C01AC813D80D6&compId=FODM121CR2.pdf?ci_sign=ec80cd813493fd05c8f4b4dc646a4f96c76796b7 Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 80V
Case: Mini-flat 4pin
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 80V
CTR@If: 100-200%@5mA
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: FODM121
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.94 грн
9+35.67 грн
10+30.96 грн
100+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM124R2 ONSEMI FODM2705-D.PDF FODM124R2 Optocouplers - analog output
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.75 грн
44+26.40 грн
120+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM214 ONSEMI fodm214-d.pdf FODM214 Optocouplers - analog output
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.54 грн
53+21.64 грн
146+20.48 грн
6000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM217A ONSEMI fodm214-d.pdf FODM217A Optocouplers - analog output
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.70 грн
52+22.03 грн
143+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM217B ONSEMI fodm214-d.pdf FODM217B Optocouplers - analog output
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.82 грн
47+24.75 грн
128+23.39 грн
1000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM217C ONSEMI fodm214-d.pdf FODM217C Optocouplers - analog output
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.18 грн
60+19.12 грн
165+18.05 грн
500+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM217D ONSEMI fodm214-d.pdf FODM217D Optocouplers - analog output
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.69 грн
55+20.86 грн
151+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM2701 ONSEMI ONSM-S-A0003161728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FODM2701 Optocouplers - analog output
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.19 грн
41+28.24 грн
112+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM2705 ONSEMI ONSM-S-A0003161728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FODM2705 Optocouplers - analog output
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.55 грн
58+19.89 грн
159+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM2705R2 FODM2705R2 ONSEMI FODM2705-D.PDF Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 40V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 50-300%@5mA
Collector-emitter voltage: 40V
Case: MFP4
Max. off-state voltage: 6V
Manufacturer series: FODM2705
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.16 грн
10+38.09 грн
25+31.93 грн
50+28.63 грн
100+25.52 грн
500+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM3063 FODM3063 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9A9C016ECC3B80D6&compId=FODM3063.pdf?ci_sign=ebd857ad5c482f6db8e81c61ce92a3a06e463df1 Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 3.75kV; Uout: 600V; triac; Mini-flat 4pin; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 3.75kV
Output voltage: 600V
Kind of output: triac
Case: Mini-flat 4pin
Trigger current: 5mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: FODM306x
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.18 грн
5+97.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FODM3083R2 ONSEMI ONSM-S-A0003546518-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FODM3083R2 Optotriacs
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+279.03 грн
7+185.35 грн
17+174.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8061 ONSEMI fodm8061-d.pdf FODM8061 Optocouplers - digital output
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.14 грн
8+154.30 грн
21+146.53 грн
500+146.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8071 FODM8071 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE786D5AC3177A38745&compId=FODM8071.pdf?ci_sign=294d9e42a972d807273d8786b500d390b74220c8 Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; 3.75kV; 20Mbps; 40kV/μs
Mounting: SMD
Turn-off time: 5.3µs
Turn-on time: 5.8ns
Number of channels: 1
Insulation voltage: 3.75kV
Slew rate: 40kV/μs
Transfer rate: 20Mbps
Kind of output: transistor
Case: Mini-flat 5pin
Type of optocoupler: optocoupler
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+237.23 грн
5+200.54 грн
10+174.67 грн
25+147.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8071R2 FODM8071R2 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CF198049BE0C749&compId=FODM8071R2.pdf?ci_sign=e89455320d5747adb94d724d849c76f124acf86a Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: logic; 3.75kV; 20Mbps; Mini-flat 5pin
Mounting: SMD
Turn-off time: 5.8ns
Turn-on time: 5.8ns
Number of channels: 1
Insulation voltage: 3.75kV
Slew rate: 40kV/μs
Transfer rate: 20Mbps
Kind of output: logic
Case: Mini-flat 5pin
Type of optocoupler: optocoupler
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.45 грн
5+204.57 грн
10+177.59 грн
25+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801B ONSEMI fodm8801a-d.pdf FODM8801B Optocouplers - analog output
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.72 грн
16+72.78 грн
43+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1003A ONSEMI fpf1004-d.pdf FPF1003A Power switches - integrated circuits
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.14 грн
54+21.35 грн
148+20.18 грн
500+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 ONSEMI fqa140n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+578.96 грн
10+428.29 грн
30+404.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+566.42 грн
5+471.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+357.41 грн
3+310.38 грн
10+263.95 грн
30+237.75 грн
120+224.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 FQA40N25 ONSEMI fqa40n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; Idm: 160A; 280W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3PN
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 280W
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+325.01 грн
5+226.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+203.79 грн
5+159.22 грн
10+135.86 грн
25+114.51 грн
50+100.92 грн
100+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.54 грн
5+111.86 грн
10+99.95 грн
25+88.31 грн
100+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.61 грн
10+130.00 грн
25+109.66 грн
50+98.01 грн
100+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+245.59 грн
5+157.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+275.90 грн
10+205.58 грн
25+187.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.25 грн
5+141.08 грн
10+125.18 грн
25+115.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.48 грн
25+154.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.91 грн
5+85.25 грн
10+72.97 грн
50+56.38 грн
100+50.66 грн
250+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.97 грн
5+71.55 грн
10+60.17 грн
25+49.88 грн
50+43.28 грн
100+37.85 грн
500+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.15 грн
10+48.47 грн
25+40.27 грн
100+32.41 грн
250+28.14 грн
500+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI FQD13N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.88 грн
6+54.82 грн
10+47.36 грн
50+35.81 грн
100+31.93 грн
250+27.85 грн
500+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+102.42 грн
5+87.07 грн
10+76.37 грн
50+58.03 грн
100+51.24 грн
500+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 9.75A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.82 грн
10+82.63 грн
100+58.22 грн
250+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+103.46 грн
5+81.02 грн
10+69.68 грн
50+52.98 грн
100+47.26 грн
500+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.27 грн
10+83.64 грн
25+71.81 грн
50+65.99 грн
100+60.17 грн
250+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.98 грн
25+40.91 грн
100+34.93 грн
250+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40CTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197D17BA51B0259&compId=FQD6N40C.pdf?ci_sign=0b4eea4af86b8a860307fa7cd4a41b724b14f61b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.06 грн
10+68.53 грн
25+60.17 грн
100+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM ONSEMI FQD7N20L-D.pdf FQD7N20LTM SMD N channel transistors
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.38 грн
35+33.29 грн
95+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B12397A74259&compId=FQD7P20.pdf?ci_sign=fe95d1b91b6ea9ff09122f0ac6ac7c7fef44c0c8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.78 грн
10+64.80 грн
100+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.83 грн
5+66.51 грн
10+55.90 грн
50+40.85 грн
100+35.91 грн
500+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5068BA9876469&compId=FQP11N40C.pdf?ci_sign=5fe18b35e0abcafad5893ab72f1db89a81b884d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.52 грн
3+156.20 грн
10+136.83 грн
50+121.30 грн
100+109.66 грн
250+105.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197FB7713556259&compId=FQP17P06.pdf?ci_sign=f3ca18f58eba042b9d8cd754c04cd5db64aa1adc Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BA06562B5F1A303005056AB0C4F&compId=FQP27P06.pdf?ci_sign=2ed558b67ec056b733e490276427ca921640cfb6 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.10 грн
10+106.82 грн
50+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20 FQP34N20 ONSEMI ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 20A
Power dissipation: 180W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+223.64 грн
3+192.48 грн
10+164.00 грн
50+147.50 грн
250+139.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 FQP47P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199E4B6843E6259&compId=FQP47P06.pdf?ci_sign=8b76fd8afdefd89adb24be6796803743fcd78564 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.70 грн
5+241.86 грн
10+201.85 грн
25+167.88 грн
50+164.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N80 FQP4N80 ONSEMI fqp4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.90 грн
10+99.95 грн
50+89.28 грн
250+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781981A08ADCD2259&compId=FQP6N80C.pdf?ci_sign=b9669ab150a9cca713dec943bd7b58e01a311e8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+237.23 грн
5+176.35 грн
10+147.50 грн
50+112.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+387.72 грн
10+319.45 грн
50+201.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N50CF FQPF13N50CF ONSEMI fqpf13n50cf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+284.26 грн
10+232.79 грн
50+158.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C FQPF19N20C ONSEMI fqpf19n20c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.12 грн
5+123.95 грн
10+103.83 грн
50+74.72 грн
100+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199086BB7034259&compId=FQPF3N80C.pdf?ci_sign=3c892c6274cd4774a9c9b414539833112cdefe4e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.59 грн
10+99.77 грн
50+86.37 грн
100+85.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FOD817SD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9A9C01AC813A20D6&compId=FOD817SD.pdf?ci_sign=4cefd9ea64ddfdc2261c604d32920a9e11fe75bc
FOD817SD
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 300-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.62 грн
12+25.29 грн
50+19.12 грн
100+17.47 грн
500+14.36 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FOD819 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBFFD2ED30C7D20C7&compId=FOD819.pdf?ci_sign=a79d69461534cf38472c4752b91e23a1a379524c
FOD819
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 80V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 100-600%@1.5mA
Collector-emitter voltage: 80V
Case: DIP4
Turn-on time: 12µs
Turn-off time: 20µs
Max. off-state voltage: 6V
Manufacturer series: FOD819
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.29 грн
10+47.16 грн
25+38.23 грн
50+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8523S fod852-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FOD8523S Optocouplers - analog output
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.91 грн
41+28.04 грн
113+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8523SD fod852-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FOD8523SD Optocouplers - analog output
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.35 грн
23+51.33 грн
62+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FODM1007 fodm1009-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FODM1007 Optocouplers - analog output
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.37 грн
52+22.22 грн
142+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FODM1008 fodm1009-d.pdf ONSM-S-A0003163201-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FODM1008 Optocouplers - analog output
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.37 грн
63+18.24 грн
174+17.18 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FODM1009R2 fodm1009-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FODM1009R2 Optocouplers - analog output
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.61 грн
61+19.02 грн
166+18.05 грн
6000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM121A FODM2705-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FODM121A Optocouplers - analog output
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.70 грн
49+23.58 грн
134+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM121CR2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9A9C01AC813D80D6&compId=FODM121CR2.pdf?ci_sign=ec80cd813493fd05c8f4b4dc646a4f96c76796b7
FODM121CR2
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 80V
Case: Mini-flat 4pin
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 80V
CTR@If: 100-200%@5mA
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: FODM121
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.94 грн
9+35.67 грн
10+30.96 грн
100+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM124R2 FODM2705-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FODM124R2 Optocouplers - analog output
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.75 грн
44+26.40 грн
120+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM214 fodm214-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FODM214 Optocouplers - analog output
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.54 грн
53+21.64 грн
146+20.48 грн
6000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM217A fodm214-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FODM217A Optocouplers - analog output
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.70 грн
52+22.03 грн
143+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM217B fodm214-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FODM217B Optocouplers - analog output
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.82 грн
47+24.75 грн
128+23.39 грн
1000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM217C fodm214-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FODM217C Optocouplers - analog output
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.18 грн
60+19.12 грн
165+18.05 грн
500+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM217D fodm214-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FODM217D Optocouplers - analog output
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.69 грн
55+20.86 грн
151+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM2701 ONSM-S-A0003161728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FODM2701 Optocouplers - analog output
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.19 грн
41+28.24 грн
112+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM2705 ONSM-S-A0003161728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FODM2705 Optocouplers - analog output
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.55 грн
58+19.89 грн
159+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM2705R2 FODM2705-D.PDF
FODM2705R2
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 40V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 50-300%@5mA
Collector-emitter voltage: 40V
Case: MFP4
Max. off-state voltage: 6V
Manufacturer series: FODM2705
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.16 грн
10+38.09 грн
25+31.93 грн
50+28.63 грн
100+25.52 грн
500+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM3063 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9A9C016ECC3B80D6&compId=FODM3063.pdf?ci_sign=ebd857ad5c482f6db8e81c61ce92a3a06e463df1
FODM3063
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 3.75kV; Uout: 600V; triac; Mini-flat 4pin; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 3.75kV
Output voltage: 600V
Kind of output: triac
Case: Mini-flat 4pin
Trigger current: 5mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: FODM306x
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.18 грн
5+97.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FODM3083R2 ONSM-S-A0003546518-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FODM3083R2 Optotriacs
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.03 грн
7+185.35 грн
17+174.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8061 fodm8061-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FODM8061 Optocouplers - digital output
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.14 грн
8+154.30 грн
21+146.53 грн
500+146.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE786D5AC3177A38745&compId=FODM8071.pdf?ci_sign=294d9e42a972d807273d8786b500d390b74220c8
FODM8071
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; 3.75kV; 20Mbps; 40kV/μs
Mounting: SMD
Turn-off time: 5.3µs
Turn-on time: 5.8ns
Number of channels: 1
Insulation voltage: 3.75kV
Slew rate: 40kV/μs
Transfer rate: 20Mbps
Kind of output: transistor
Case: Mini-flat 5pin
Type of optocoupler: optocoupler
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.23 грн
5+200.54 грн
10+174.67 грн
25+147.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8071R2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CF198049BE0C749&compId=FODM8071R2.pdf?ci_sign=e89455320d5747adb94d724d849c76f124acf86a
FODM8071R2
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: logic; 3.75kV; 20Mbps; Mini-flat 5pin
Mounting: SMD
Turn-off time: 5.8ns
Turn-on time: 5.8ns
Number of channels: 1
Insulation voltage: 3.75kV
Slew rate: 40kV/μs
Transfer rate: 20Mbps
Kind of output: logic
Case: Mini-flat 5pin
Type of optocoupler: optocoupler
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.45 грн
5+204.57 грн
10+177.59 грн
25+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801B fodm8801a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FODM8801B Optocouplers - analog output
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.72 грн
16+72.78 грн
43+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1003A fpf1004-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF1003A Power switches - integrated circuits
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.14 грн
54+21.35 грн
148+20.18 грн
500+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+578.96 грн
10+428.29 грн
30+404.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.42 грн
5+471.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741
FQA36P15
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.41 грн
3+310.38 грн
10+263.95 грн
30+237.75 грн
120+224.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 fqa40n25-d.pdf
FQA40N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; Idm: 160A; 280W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3PN
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 280W
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.01 грн
5+226.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.79 грн
5+159.22 грн
10+135.86 грн
25+114.51 грн
50+100.92 грн
100+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca
FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.54 грн
5+111.86 грн
10+99.95 грн
25+88.31 грн
100+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.61 грн
10+130.00 грн
25+109.66 грн
50+98.01 грн
100+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.59 грн
5+157.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd
FQB47P06TM-AM002
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.90 грн
10+205.58 грн
25+187.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.25 грн
5+141.08 грн
10+125.18 грн
25+115.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415
FQB5N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.48 грн
25+154.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.91 грн
5+85.25 грн
10+72.97 грн
50+56.38 грн
100+50.66 грн
250+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.97 грн
5+71.55 грн
10+60.17 грн
25+49.88 грн
50+43.28 грн
100+37.85 грн
500+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06L.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.15 грн
10+48.47 грн
25+40.27 грн
100+32.41 грн
250+28.14 грн
500+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10L.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.88 грн
6+54.82 грн
10+47.36 грн
50+35.81 грн
100+31.93 грн
250+27.85 грн
500+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf
FQD17P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.42 грн
5+87.07 грн
10+76.37 грн
50+58.03 грн
100+51.24 грн
500+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f
FQD18N20V2TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 9.75A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.82 грн
10+82.63 грн
100+58.22 грн
250+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d
FQD19N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
5+81.02 грн
10+69.68 грн
50+52.98 грн
100+47.26 грн
500+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5
FQD3P50TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.27 грн
10+83.64 грн
25+71.81 грн
50+65.99 грн
100+60.17 грн
250+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140
FQD5P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.98 грн
25+40.91 грн
100+34.93 грн
250+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197D17BA51B0259&compId=FQD6N40C.pdf?ci_sign=0b4eea4af86b8a860307fa7cd4a41b724b14f61b
FQD6N40CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.06 грн
10+68.53 грн
25+60.17 грн
100+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FQD7N20L-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD7N20LTM SMD N channel transistors
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.38 грн
35+33.29 грн
95+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B12397A74259&compId=FQD7P20.pdf?ci_sign=fe95d1b91b6ea9ff09122f0ac6ac7c7fef44c0c8
FQD7P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.78 грн
10+64.80 грн
100+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1
FQD8P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.83 грн
5+66.51 грн
10+55.90 грн
50+40.85 грн
100+35.91 грн
500+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5068BA9876469&compId=FQP11N40C.pdf?ci_sign=5fe18b35e0abcafad5893ab72f1db89a81b884d1
FQP11N40C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.52 грн
3+156.20 грн
10+136.83 грн
50+121.30 грн
100+109.66 грн
250+105.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197FB7713556259&compId=FQP17P06.pdf?ci_sign=f3ca18f58eba042b9d8cd754c04cd5db64aa1adc
FQP17P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BA06562B5F1A303005056AB0C4F&compId=FQP27P06.pdf?ci_sign=2ed558b67ec056b733e490276427ca921640cfb6
FQP27P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.10 грн
10+106.82 грн
50+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20 ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP34N20
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 20A
Power dissipation: 180W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.64 грн
3+192.48 грн
10+164.00 грн
50+147.50 грн
250+139.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199E4B6843E6259&compId=FQP47P06.pdf?ci_sign=8b76fd8afdefd89adb24be6796803743fcd78564
FQP47P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.70 грн
5+241.86 грн
10+201.85 грн
25+167.88 грн
50+164.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N80 fqp4n80-d.pdf
FQP4N80
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.90 грн
10+99.95 грн
50+89.28 грн
250+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781981A08ADCD2259&compId=FQP6N80C.pdf?ci_sign=b9669ab150a9cca713dec943bd7b58e01a311e8e
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.23 грн
5+176.35 грн
10+147.50 грн
50+112.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa
FQP9N90C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.72 грн
10+319.45 грн
50+201.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N50CF fqpf13n50cf-d.pdf
FQPF13N50CF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.26 грн
10+232.79 грн
50+158.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C fqpf19n20c-d.pdf
FQPF19N20C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.12 грн
5+123.95 грн
10+103.83 грн
50+74.72 грн
100+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199086BB7034259&compId=FQPF3N80C.pdf?ci_sign=3c892c6274cd4774a9c9b414539833112cdefe4e
FQPF3N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.59 грн
10+99.77 грн
50+86.37 грн
100+85.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1752 1753 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]