Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147492) > Сторінка 1748 з 2459

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1752 1753 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6310P FDC6310P ONSEMI fdc6310p-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 184mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.95 грн
10+50.88 грн
48+22.83 грн
132+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ONSEMI FDC6318P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.94 грн
10+61.29 грн
25+51.13 грн
29+38.05 грн
79+35.91 грн
250+35.08 грн
500+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6320C ONSEMI FAIRS15832-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.22/-0.12A
On-state resistance: 9/10Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ONSEMI FDC6321C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
On-state resistance: 720/1220mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.96 грн
10+36.04 грн
25+30.81 грн
47+23.57 грн
128+22.36 грн
250+22.27 грн
500+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6323L FDC6323L ONSEMI FDC6323L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...8V DC
Output current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L FDC6324L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1D6526CF1E28&compId=FDC6324L.pdf?ci_sign=602e5776b41e8a8e424d752b8317b30c281de0d3 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.93 грн
10+57.14 грн
25+45.47 грн
39+28.12 грн
107+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6326L ONSEMI fdc6326l-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Control voltage: 2.5...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
On-state resistance: 0.125Ω
Output current: 1.8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C ONSEMI fdc6327c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.94 грн
10+52.81 грн
50+40.46 грн
59+18.65 грн
162+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6329L FDC6329L ONSEMI FDC6329L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 2.5...8V DC
On-state resistance: 0.105Ω
Output current: 2.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6330L FDC6330L ONSEMI fdc6330l-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.125Ω
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.94 грн
10+55.99 грн
25+44.73 грн
39+28.12 грн
108+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6331L FDC6331L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C899B19A1EE6469&compId=FDC6331L.pdf?ci_sign=16b573b3bc53dc02e5be72a141eae117b8d5bf0a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.93 грн
10+61.48 грн
25+48.44 грн
38+29.14 грн
103+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C ONSEMI FDC6333C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.6/5.7nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16/±25V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
On-state resistance: 150/220mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.96 грн
10+43.36 грн
50+32.76 грн
59+18.47 грн
163+17.54 грн
1500+16.98 грн
3000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P ONSEMI FDC634P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN ONSEMI FDC637AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.94 грн
10+53.00 грн
33+34.06 грн
89+32.20 грн
500+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2BD318633E28&compId=FDC637BNZ.pdf?ci_sign=3f628235b4ad5f031972e844f7b6729ac557bfcf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+29.98 грн
16+18.98 грн
100+12.16 грн
117+9.28 грн
321+8.82 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ONSEMI FDC638APZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ONSEMI FDC638P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.98 грн
11+28.72 грн
50+24.59 грн
52+21.34 грн
141+20.23 грн
500+20.14 грн
1000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 106mΩ
Gate charge: 4.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.94 грн
10+50.49 грн
40+27.65 грн
109+26.07 грн
500+25.80 грн
1000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P ONSEMI fdc640p-d.pdf FDC640P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BDE14171EF1A303005056AB0C4F&compId=FDC6420C.pdf?ci_sign=0b1fff9eb35fe20f857437623ac5b247e8f66ba8 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.94 грн
10+50.69 грн
43+25.24 грн
118+23.85 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P ONSEMI fdc642p-d.pdf ONSM-S-A0003579657-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDC642P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N ONSEMI ONSM-S-A0003586841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDC645N SMD N channel transistors
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.46 грн
41+26.54 грн
113+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653N ONSEMI fdc653n-d.pdf FDC653N SMD N channel transistors
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.77 грн
41+26.63 грн
113+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654P ONSEMI fdc654p-d.pdf FDC654P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN ONSEMI fdc655bn-d.pdf FDC655BN SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN ONSEMI fdc6561an-d.pdf FDC6561AN Multi channel transistors
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.26 грн
50+21.90 грн
137+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP ONSEMI fdc658ap-d.pdf FDC658AP SMD P channel transistors
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.96 грн
49+22.55 грн
133+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P ONSEMI fdc658p-d.pdf FDC658P SMD P channel transistors
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.97 грн
47+23.38 грн
128+22.08 грн
3000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855N ONSEMI fdc855n-d.pdf FDC855N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601 ONSEMI fdc8601-d.pdf FDC8601 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602 ONSEMI fdc8602-d.pdf FDC8602 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC86244 ONSEMI fdc86244-d.pdf FDC86244 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 ONSEMI fdc8878-d.pdf FDC8878 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 ONSEMI fdc8886-d.pdf FAIR-S-A0002365754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDC8886 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ONSEMI FDD10AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.90 грн
5+128.16 грн
10+113.21 грн
27+106.71 грн
500+102.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10N20LZTM ONSEMI ONSM-S-A0003586474-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD10N20LZTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0 ONSEMI fdd120an15a0-d.pdf FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.14 грн
27+40.74 грн
74+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 ONSEMI FDD13AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.91 грн
10+115.63 грн
12+97.43 грн
31+92.79 грн
250+89.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0-F085 ONSEMI fdd13an06_f085-d.pdf FDD13AN06A0-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0-F085 FDD14AN06LA0-F085 ONSEMI fdd14an06l_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 125W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ ONSEMI fdd1600n10alz-d.pdf FDD1600N10ALZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 ONSEMI fdd16an08a0-d.pdf FDD16AN08A0 SMD N channel transistors
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+146.90 грн
11+99.29 грн
31+93.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ ONSEMI fdd18n20lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; Idm: 64A; 89W; DPAK3
Case: DPAK3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 64A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572 ONSEMI FDD2572.pdf FDD2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.89 грн
11+105.78 грн
29+100.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 ONSEMI fdd2582-d.pdf FDD2582 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 ONSEMI fdd2670-d.pdf FDD2670 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306P ONSEMI fdd306p-d.pdf FDD306P SMD P channel transistors
на замовлення 683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.64 грн
24+46.58 грн
65+44.08 грн
500+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 ONSEMI fdd3670-d.pdf FDD3670 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 ONSEMI FDD3672-D.pdf FDD3672 SMD N channel transistors
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.90 грн
14+83.51 грн
36+78.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE63F290121E28&compId=FDD3682.pdf?ci_sign=f4494522cbf664c8f46adae7b4930309e12b652e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690 ONSEMI fdd3690-d.pdf FDD3690 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 ONSEMI fdd3860-d.pdf FDD3860 SMD N channel transistors
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.94 грн
19+60.11 грн
50+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15A ONSEMI fdd390n15a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZ ONSEMI fdd390n15alz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TM ONSEMI FAIRS46517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD3N40TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTM ONSEMI fdd3n50nz-d.pdf FDD3N50NZTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8944BB55062469&compId=FDD4141.pdf?ci_sign=e1022bcb30bc8c84476440b86751d8881d3057bf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.94 грн
5+63.98 грн
23+49.09 грн
62+46.40 грн
500+45.84 грн
2500+44.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 ONSEMI ONSM-S-A0003590118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD4243 SMD P channel transistors
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.24 грн
30+36.93 грн
81+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 ONSEMI fdd4685-d.pdf FDD4685 SMD P channel transistors
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.92 грн
18+63.10 грн
48+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P fdc6310p-d.pdf
FDC6310P
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 184mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4
FDC6312P
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.95 грн
10+50.88 грн
48+22.83 грн
132+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P.pdf
FDC6318P
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.94 грн
10+61.29 грн
25+51.13 грн
29+38.05 грн
79+35.91 грн
250+35.08 грн
500+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6320C FAIRS15832-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.22/-0.12A
On-state resistance: 9/10Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C.pdf
FDC6321C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
On-state resistance: 720/1220mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.96 грн
10+36.04 грн
25+30.81 грн
47+23.57 грн
128+22.36 грн
250+22.27 грн
500+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6323L FDC6323L.pdf
FDC6323L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...8V DC
Output current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1D6526CF1E28&compId=FDC6324L.pdf?ci_sign=602e5776b41e8a8e424d752b8317b30c281de0d3
FDC6324L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.93 грн
10+57.14 грн
25+45.47 грн
39+28.12 грн
107+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6326L fdc6326l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Control voltage: 2.5...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
On-state resistance: 0.125Ω
Output current: 1.8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C fdc6327c-d.pdf
FDC6327C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.94 грн
10+52.81 грн
50+40.46 грн
59+18.65 грн
162+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6329L FDC6329L.pdf
FDC6329L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 2.5...8V DC
On-state resistance: 0.105Ω
Output current: 2.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6330L fdc6330l-d.pdf
FDC6330L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.125Ω
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.94 грн
10+55.99 грн
25+44.73 грн
39+28.12 грн
108+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6331L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C899B19A1EE6469&compId=FDC6331L.pdf?ci_sign=16b573b3bc53dc02e5be72a141eae117b8d5bf0a
FDC6331L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.93 грн
10+61.48 грн
25+48.44 грн
38+29.14 грн
103+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C.pdf
FDC6333C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.6/5.7nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16/±25V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
On-state resistance: 150/220mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.96 грн
10+43.36 грн
50+32.76 грн
59+18.47 грн
163+17.54 грн
1500+16.98 грн
3000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P.pdf
FDC634P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN.pdf
FDC637AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.94 грн
10+53.00 грн
33+34.06 грн
89+32.20 грн
500+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2BD318633E28&compId=FDC637BNZ.pdf?ci_sign=3f628235b4ad5f031972e844f7b6729ac557bfcf
FDC637BNZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+29.98 грн
16+18.98 грн
100+12.16 грн
117+9.28 грн
321+8.82 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ.pdf
FDC638APZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P.pdf
FDC638P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.98 грн
11+28.72 грн
50+24.59 грн
52+21.34 грн
141+20.23 грн
500+20.14 грн
1000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14
FDC6401N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 106mΩ
Gate charge: 4.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.94 грн
10+50.49 грн
40+27.65 грн
109+26.07 грн
500+25.80 грн
1000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P fdc640p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC640P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BDE14171EF1A303005056AB0C4F&compId=FDC6420C.pdf?ci_sign=0b1fff9eb35fe20f857437623ac5b247e8f66ba8
FDC6420C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.94 грн
10+50.69 грн
43+25.24 грн
118+23.85 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P fdc642p-d.pdf ONSM-S-A0003579657-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDC642P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N ONSM-S-A0003586841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDC645N SMD N channel transistors
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.46 грн
41+26.54 грн
113+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653N fdc653n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC653N SMD N channel transistors
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.77 грн
41+26.63 грн
113+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654P fdc654p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC654P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN fdc655bn-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC655BN SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN fdc6561an-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC6561AN Multi channel transistors
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.26 грн
50+21.90 грн
137+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP fdc658ap-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC658AP SMD P channel transistors
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.96 грн
49+22.55 грн
133+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P fdc658p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC658P SMD P channel transistors
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.97 грн
47+23.38 грн
128+22.08 грн
3000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855N fdc855n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC855N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601 fdc8601-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC8601 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602 fdc8602-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC8602 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC86244 fdc86244-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC86244 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 fdc8878-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC8878 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 fdc8886-d.pdf FAIR-S-A0002365754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDC8886 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0.pdf
FDD10AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.90 грн
5+128.16 грн
10+113.21 грн
27+106.71 грн
500+102.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10N20LZTM ONSM-S-A0003586474-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDD10N20LZTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0 fdd120an15a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.14 грн
27+40.74 грн
74+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0.pdf
FDD13AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.91 грн
10+115.63 грн
12+97.43 грн
31+92.79 грн
250+89.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0-F085 fdd13an06_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD13AN06A0-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0-F085 fdd14an06l_f085-d.pdf
FDD14AN06LA0-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 125W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ fdd1600n10alz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD1600N10ALZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 fdd16an08a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD16AN08A0 SMD N channel transistors
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.90 грн
11+99.29 грн
31+93.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ fdd18n20lz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; Idm: 64A; 89W; DPAK3
Case: DPAK3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 64A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572 FDD2572.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.89 грн
11+105.78 грн
29+100.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582 fdd2582-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD2582 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 fdd2670-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD2670 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306P fdd306p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD306P SMD P channel transistors
на замовлення 683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.64 грн
24+46.58 грн
65+44.08 грн
500+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 fdd3670-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD3670 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD3672 SMD N channel transistors
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.90 грн
14+83.51 грн
36+78.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE63F290121E28&compId=FDD3682.pdf?ci_sign=f4494522cbf664c8f46adae7b4930309e12b652e
FDD3682
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690 fdd3690-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD3690 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 fdd3860-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD3860 SMD N channel transistors
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.94 грн
19+60.11 грн
50+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15A fdd390n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZ fdd390n15alz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TM FAIRS46517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDD3N40TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTM fdd3n50nz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD3N50NZTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8944BB55062469&compId=FDD4141.pdf?ci_sign=e1022bcb30bc8c84476440b86751d8881d3057bf
FDD4141
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.94 грн
5+63.98 грн
23+49.09 грн
62+46.40 грн
500+45.84 грн
2500+44.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 ONSM-S-A0003590118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDD4243 SMD P channel transistors
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.24 грн
30+36.93 грн
81+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 fdd4685-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD4685 SMD P channel transistors
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.92 грн
18+63.10 грн
48+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1752 1753 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]