Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMS8020 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; Idm: 507A; 65W; Power56 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 83A On-state resistance: 3.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 61nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 507A Case: Power56 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8023S | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; Power56 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 59W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 57nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Case: Power56 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8025S | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56 Mounting: SMD Case: Power56 Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A On-state resistance: 4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8027S | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 36W; Power56 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A On-state resistance: 6.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 31nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Case: Power56 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8050 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 156W Case: Power56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 200A On-state resistance: 0.9mΩ Gate charge: 285nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8050ET30 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 299A; Idm: 1914A; 180W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 180W Case: Power56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 299A On-state resistance: 0.9mΩ Gate charge: 285nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1914A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8090 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Power dissipation: 59W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8320L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8320LDC | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8333L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDMS8460 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 49A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
FDMS86101 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDMS86101A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 104W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 125W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDMS86102LZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86103L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; Idm: 414A; 104W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 51A Pulsed drain current: 414A Power dissipation: 104W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86104 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86105 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86150 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 187W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86150ET100 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86152 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDMS86163P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -50A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 59nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3827 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDMS86180 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86181 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 78A Power dissipation: 125W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86182 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 49A Pulsed drain current: 364A Power dissipation: 83W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86183 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 187A; 63W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A Pulsed drain current: 187A Power dissipation: 63W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 36A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
FDMS86200DC | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDMS86201 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86202 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86202ET120 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8622 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16.5A Power dissipation: 31W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 97mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86250 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86252 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDMS86252L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 12A Power dissipation: 50W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2705 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDMS86255 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86255ET150 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86263P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -4.4A Pulsed drain current: -70A Power dissipation: 2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86300 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDMS86300DC | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 125W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 110A Power dissipation: 125W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDMS86310 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86320 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56 Case: Power56 Drain-source voltage: 80V Drain current: 44A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 41nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86322 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56 Case: Power56 Drain-source voltage: 80V Drain current: 60A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 55nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86350 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86350ET80 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 140A Power dissipation: 187W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86500DC | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 108A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 125W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 107nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86500L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 799A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 165nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86520 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86520L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 22A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86540 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 82A Pulsed drain current: 642A Power dissipation: 96W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86550 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 148A Pulsed drain current: 1021A Power dissipation: 156W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 154nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86550ET60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; Idm: 1068A; 187W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 173A Pulsed drain current: 1068A Power dissipation: 187W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 154nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8680 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 50W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8820 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8D8N15C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS9600S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 32/30A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 13/8.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13/29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS9620S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMT1D3N08B | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMT800100DC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMT800120DC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDMS8020 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; Idm: 507A; 65W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 83A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 507A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; Idm: 507A; 65W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 83A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 507A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8023S |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8025S |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8027S |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 36W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
On-state resistance: 6.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 36W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
On-state resistance: 6.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8050 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
On-state resistance: 0.9mΩ
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
On-state resistance: 0.9mΩ
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8050ET30 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 299A; Idm: 1914A; 180W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 180W
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 299A
On-state resistance: 0.9mΩ
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1914A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 299A; Idm: 1914A; 180W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 180W
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 299A
On-state resistance: 0.9mΩ
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1914A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8090 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 59W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 59W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8320L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS8320L SMD N channel transistors
FDMS8320L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8320LDC |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS8320LDC SMD N channel transistors
FDMS8320LDC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8333L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS8333L SMD N channel transistors
FDMS8333L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86101A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86101DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86102LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86102LZ SMD N channel transistors
FDMS86102LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86103L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; Idm: 414A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 414A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; Idm: 414A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 414A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86104 SMD N channel transistors
FDMS86104 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86105 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86105 SMD N channel transistors
FDMS86105 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86150 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86150ET100 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86150ET100 SMD N channel transistors
FDMS86150ET100 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86152 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86152 SMD N channel transistors
FDMS86152 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 252.92 грн |
3+ | 201.97 грн |
8+ | 148.62 грн |
20+ | 140.36 грн |
1000+ | 138.53 грн |
3000+ | 135.77 грн |
FDMS86180 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86180 SMD N channel transistors
FDMS86180 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86181 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 78A
Power dissipation: 125W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 78A
Power dissipation: 125W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86182 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86183 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 187A; 63W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 187A
Power dissipation: 63W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 187A; 63W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 187A
Power dissipation: 63W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86200DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86201 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86201 SMD N channel transistors
FDMS86201 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86202 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86202 SMD N channel transistors
FDMS86202 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86202ET120 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86202ET120 SMD N channel transistors
FDMS86202ET120 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8622 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86250 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86250 SMD N channel transistors
FDMS86250 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86252 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86252 SMD N channel transistors
FDMS86252 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86252L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 128.43 грн |
10+ | 118.13 грн |
11+ | 99.08 грн |
30+ | 93.57 грн |
500+ | 91.74 грн |
1000+ | 89.90 грн |
FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86255 SMD N channel transistors
FDMS86255 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86255ET150 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86255ET150 SMD N channel transistors
FDMS86255ET150 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86263P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86300 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86300 SMD N channel transistors
FDMS86300 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86300DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86310 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86310 SMD N channel transistors
FDMS86310 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86320 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86322 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86350 SMD N channel transistors
FDMS86350 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86350ET80 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86500DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86500L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86520 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86520L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86540 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 642A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 642A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86550 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86550ET60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; Idm: 1068A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Pulsed drain current: 1068A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; Idm: 1068A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Pulsed drain current: 1068A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8680 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8820 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS8820 SMD N channel transistors
FDMS8820 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8D8N15C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS8D8N15C SMD N channel transistors
FDMS8D8N15C SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS9600S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 32/30A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13/8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13/29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 32/30A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13/8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13/29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS9620S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS9620S Multi channel transistors
FDMS9620S Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMT1D3N08B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMT1D3N08B SMD N channel transistors
FDMT1D3N08B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMT800100DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMT800100DC SMD N channel transistors
FDMT800100DC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMT800120DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMT800120DC SMD N channel transistors
FDMT800120DC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.