Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDME910PZT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDML7610S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMQ8203 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-80V; 6/-6A; 2.5W; WDFN12 Type of transistor: N/P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100/-80V Drain current: 6/-6A Power dissipation: 2.5W Case: WDFN12 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 323/191mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge Gate charge: 19/5nC Semiconductor structure: common drain кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMQ8205 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMQ8205A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMQ8403 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 100V; 6A; Idm: 12A; 17W; WDFN12 Case: WDFN12 Drain-source voltage: 100V Drain current: 6A On-state resistance: 191mΩ Type of transistor: N-MOSFET x4 Power dissipation: 17W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 12A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMQ86530L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12 Type of transistor: N-MOSFET x4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Power dissipation: 22W Case: MLP12 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge Gate charge: 33nC Pulsed drain current: 50A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS003N08C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS004N08C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS007N08LC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS015N04B | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS0300S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS0306AS | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS0308AS | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS0309AS | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS030N06B | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 104W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS0310AS | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 41W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 41W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS0312AS | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS0312S | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 46W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS037N08B | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS039N08B | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS10C4D2N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56 Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 48A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 65nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 510A Case: Power56 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS1D2N03DSD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 54/126A Power dissipation: 26/42W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 4.9/1.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33/117nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS2572 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS2672 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS2734 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS2D5N08C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS3500 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS3572 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 22A Power dissipation: 78W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS3604S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/40A Pulsed drain current: 40...100A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 10.8/4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29/66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS3606S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDMS3660S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/60A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20/±12V On-state resistance: 11/2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29/87nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2606 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDMS3662 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDMS3664S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/60A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±12V On-state resistance: 11/4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29/52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDMS3669S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 24/60A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±12V On-state resistance: 14.5/7.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24/34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS3672 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 30A; 78W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 78W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS3D5N08LC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDMS4435BZ | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 39W Case: Power56 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2347 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDMS4D0N12C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8 Mounting: SMD Case: PQFN8 Power dissipation: 106W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 82nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 628A Drain-source voltage: 120V Drain current: 114A On-state resistance: 8.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS4D4N08C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS5672 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS6673BZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -52A Pulsed drain current: -422A Power dissipation: 73W Case: Power56 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7602S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/30A; 2.2/2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/30A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 12/7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28/46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7608S | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 22/30A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 13.9/8.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24/30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7620S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 13/22A; 2.2/2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 13/22A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 30/15.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11/23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7650 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7650DC | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 200A; 125W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 125W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 206nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7656AS | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7658AS | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7660 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7660AS | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7670 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 62W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Power dissipation: 62W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 150A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7672 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7678 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 26A; Idm: 70A; 41W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 26A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 41W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7680 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7682 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 80A; 33W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 33W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7692 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 50A; 27W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 27W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7692A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7694 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 27W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7698 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDME910PZT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDME910PZT SMD P channel transistors
FDME910PZT SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDML7610S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDML7610S SMD N channel transistors
FDML7610S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMQ8203 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-80V; 6/-6A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-80V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 323/191mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Gate charge: 19/5nC
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-80V; 6/-6A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-80V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 323/191mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Gate charge: 19/5nC
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMQ8205 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMQ8205 Integrated circuits - others
FDMQ8205 Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMQ8205A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMQ8205A Multi channel transistors
FDMQ8205A Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMQ8403 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 100V; 6A; Idm: 12A; 17W; WDFN12
Case: WDFN12
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6A
On-state resistance: 191mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x4
Power dissipation: 17W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 100V; 6A; Idm: 12A; 17W; WDFN12
Case: WDFN12
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6A
On-state resistance: 191mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x4
Power dissipation: 17W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMQ86530L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12
Type of transistor: N-MOSFET x4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 22W
Case: MLP12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 50A
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12
Type of transistor: N-MOSFET x4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 22W
Case: MLP12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 50A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS003N08C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS003N08C SMD N channel transistors
FDMS003N08C SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS004N08C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS004N08C SMD N channel transistors
FDMS004N08C SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS007N08LC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS007N08LC SMD N channel transistors
FDMS007N08LC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS015N04B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS015N04B SMD N channel transistors
FDMS015N04B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS0300S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS0300S SMD N channel transistors
FDMS0300S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS0306AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS0306AS SMD N channel transistors
FDMS0306AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS0308AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS0308AS SMD N channel transistors
FDMS0308AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS0309AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS0309AS SMD N channel transistors
FDMS0309AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS030N06B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS0310AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS0312AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS0312AS SMD N channel transistors
FDMS0312AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS0312S |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS037N08B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS037N08B SMD N channel transistors
FDMS037N08B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS039N08B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS039N08B SMD N channel transistors
FDMS039N08B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS10C4D2N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 510A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 510A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS1D2N03DSD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 54/126A
Power dissipation: 26/42W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 4.9/1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33/117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 54/126A
Power dissipation: 26/42W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 4.9/1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33/117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS2572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS2572 SMD N channel transistors
FDMS2572 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS2672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS2672 SMD N channel transistors
FDMS2672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS2734 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS2734 SMD N channel transistors
FDMS2734 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS2D5N08C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS2D5N08C SMD N channel transistors
FDMS2D5N08C SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3500 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS3500 SMD N channel transistors
FDMS3500 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3604S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3606S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS3606S Multi channel transistors
FDMS3606S Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3660S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 133.37 грн |
10+ | 119.08 грн |
11+ | 100.91 грн |
30+ | 95.41 грн |
250+ | 92.66 грн |
500+ | 91.74 грн |
FDMS3662 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS3662 SMD N channel transistors
FDMS3662 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3664S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 82.99 грн |
5+ | 76.21 грн |
18+ | 63.30 грн |
47+ | 59.63 грн |
1000+ | 57.80 грн |
FDMS3669S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 30A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 30A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3D5N08LC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS3D5N08LC SMD N channel transistors
FDMS3D5N08LC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS4435BZ |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 143.25 грн |
10+ | 91.84 грн |
19+ | 57.15 грн |
52+ | 54.03 грн |
500+ | 51.92 грн |
FDMS4D0N12C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Power dissipation: 106W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 628A
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 114A
On-state resistance: 8.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Power dissipation: 106W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 628A
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 114A
On-state resistance: 8.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS4D4N08C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS4D4N08C SMD N channel transistors
FDMS4D4N08C SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS5672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS5672 SMD N channel transistors
FDMS5672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS6673BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7602S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 12/7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28/46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 12/7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28/46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7608S |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7620S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 13/22A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 13/22A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 30/15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11/23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 13/22A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 13/22A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 30/15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11/23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7650 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7650 SMD N channel transistors
FDMS7650 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7650DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 200A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 206nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 200A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 206nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7656AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7656AS SMD N channel transistors
FDMS7656AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7658AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7658AS SMD N channel transistors
FDMS7658AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7660 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7660 SMD N channel transistors
FDMS7660 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7660AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7660AS SMD N channel transistors
FDMS7660AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7670 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 62W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Power dissipation: 62W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 62W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Power dissipation: 62W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7672 SMD N channel transistors
FDMS7672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7678 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 26A; Idm: 70A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 26A; Idm: 70A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7680 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7680 SMD N channel transistors
FDMS7680 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7682 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 80A; 33W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 33W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 80A; 33W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 33W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7692 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 50A; 27W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 50A; 27W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7692A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7692A SMD N channel transistors
FDMS7692A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7694 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.