Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147492) > Сторінка 1747 з 2459

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1752 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB2552 ONSEMI fdp2552-d.pdf FDB2552 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 ONSEMI fdb2572-d.pdf FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+150.90 грн
11+108.57 грн
28+102.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614 FDB2614 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDA21752EFE28&compId=FDB2614.pdf?ci_sign=67c5b168c11694da09d8a8c902d0cc9e6817e3e9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 ONSEMI fdb2710-d.pdf FDB2710 SMD N channel transistors
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+419.71 грн
5+258.89 грн
12+244.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM ONSEMI fdb28n30tm-d.pdf FDB28N30TM SMD N channel transistors
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.87 грн
11+105.78 грн
29+100.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM ONSEMI FDB33N25-D.PDF FDB33N25TM SMD N channel transistors
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.88 грн
10+113.21 грн
27+107.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502 ONSEMI fdb3502-d.pdf FDB3502 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 ONSEMI FDB3652.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
On-state resistance: 43mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.89 грн
5+136.83 грн
10+113.21 грн
27+107.64 грн
800+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682 ONSEMI fdp3682-d.pdf FDB3682 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30U ONSEMI fdb38n30u-d.pdf FDB38N30U SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15A ONSEMI fdb390n15a-d.pdf FDB390N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08037B3F4CF1A303005056AB0C4F&compId=FDB44N25.pdf?ci_sign=2c114e8f4e67ed17778bd3be0a4273c19c4c8b1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDEA43EA443E28&compId=FDB52N20.pdf?ci_sign=d43ba8033692a45b011f90f2143d2d3cb4d93be8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+181.87 грн
5+156.11 грн
9+129.91 грн
24+123.41 грн
800+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+255.82 грн
7+173.52 грн
18+163.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8447L ONSEMI fdb8447l-d.pdf FDB8447L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZ ONSEMI ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB86102LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 ONSEMI fdb86135-d.pdf FDB86135 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085 ONSEMI fdb86563_f085-d.pdf FDB86563_F085-D.PDF FDB86563-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896 ONSEMI FDB8896-D.pdf FDB8896 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0065N40 ONSEMI fdbl0065n40-d.pdf FDBL0065N40 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40 ONSEMI fdbl0090n40-d.pdf FDBL0090N40 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60 ONSEMI fdbl0110n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 ONSEMI fdbl0150n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80 ONSEMI fdbl0150n80-d.pdf FDBL0150N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 ONSEMI fdbl0200n100-d.pdf FDBL0200N100 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80 ONSEMI fdbl0210n80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 ONSEMI fdbl0240n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100 ONSEMI fdbl0260n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80 ONSEMI fdbl0330n80-d.pdf FDBL0330N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 ONSEMI fdbl0630n150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 169A
Power dissipation: 500W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 ONSEMI fdbl86062_f085-d.pdf FDBL86062-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063 ONSEMI FDBL86063 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063-F085 ONSEMI fdbl86063_f085-d.pdf FDBL86063-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 ONSEMI fdbl86066-f085-d.pdf FDBL86066-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86210-F085 ONSEMI fdbl86210_f085-d.pdf FDBL86210-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 ONSEMI fdbl86361_f085-d.pdf FDBL86361-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 ONSEMI fdbl86363_f085-d.pdf FDBL86363-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085 ONSEMI fdbl86366_f085-d.pdf FDBL86366-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86561-F085 ONSEMI fdbl86561_f085-d.pdf FDBL86561-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86563-F085 ONSEMI fdbl86563_f085-d.pdf fdbl86563_f085 FDBL86563-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86566-F085 ONSEMI fdbl86566_f085-d.pdf FDBL86566-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9401-F085T6 ONSEMI fdbl9401-f085t6-d.pdf FDBL9401-F085T6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403-F085T6 ONSEMI fdbl9403-f085t6-d.pdf FDBL9403-F085T6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 ONSEMI fdbl9406-f085t6-d.pdf FDBL9406-F085T6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDF324D945BE28&compId=FDC2612.pdf?ci_sign=b08958927efbbe59602a02ad513f2cee528da82d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.95 грн
10+51.46 грн
36+30.62 грн
98+28.95 грн
500+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3512 ONSEMI fdc3512-d.pdf FDC3512 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 976mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 ONSEMI fdc3612-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.97 грн
10+36.91 грн
46+23.94 грн
125+22.64 грн
500+22.08 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P ONSEMI fdc5614p-d.pdf FDC5614P SMD P channel transistors
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.06 грн
50+21.71 грн
138+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N ONSEMI fdc5661n-d.pdf FDC5661N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085 ONSEMI fdc5661n_f085-d.pdf FDC5661N-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P ONSEMI fdc602p-d.pdf FDC602P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P ONSEMI fdc604p-d.pdf FDC604P SMD P channel transistors
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.96 грн
55+19.86 грн
151+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.94 грн
10+62.06 грн
28+39.81 грн
76+37.67 грн
500+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ ONSEMI fdc608pz-d.pdf FDC608PZ SMD P channel transistors
на замовлення 3017 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+50.27 грн
56+19.58 грн
153+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ ONSEMI fdc610pz-d.pdf FDC610PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.97 грн
57+19.30 грн
155+18.28 грн
3000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.7nC
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 0.22A
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+299.79 грн
10+30.93 грн
50+21.25 грн
89+12.34 грн
244+11.60 грн
1000+11.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0F75C557BE28&compId=FDC6303N.pdf?ci_sign=1d586807abcac5c816657450307e9ea2e72e5c87 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.3nC
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 0.68A
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 128mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 0.96W
Drain current: 2.7A
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 fdp2552-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2552 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 fdb2572-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+150.90 грн
11+108.57 грн
28+102.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDA21752EFE28&compId=FDB2614.pdf?ci_sign=67c5b168c11694da09d8a8c902d0cc9e6817e3e9
FDB2614
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 fdb2710-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2710 SMD N channel transistors
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.71 грн
5+258.89 грн
12+244.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM fdb28n30tm-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB28N30TM SMD N channel transistors
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.87 грн
11+105.78 грн
29+100.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDB33N25TM SMD N channel transistors
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.88 грн
10+113.21 грн
27+107.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502 fdb3502-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB3502 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657
FDB3632
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652.pdf
FDB3652
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
On-state resistance: 43mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.89 грн
5+136.83 грн
10+113.21 грн
27+107.64 грн
800+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682 fdp3682-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB3682 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30U fdb38n30u-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB38N30U SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15A fdb390n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB390N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08037B3F4CF1A303005056AB0C4F&compId=FDB44N25.pdf?ci_sign=2c114e8f4e67ed17778bd3be0a4273c19c4c8b1a
FDB44N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDEA43EA443E28&compId=FDB52N20.pdf?ci_sign=d43ba8033692a45b011f90f2143d2d3cb4d93be8
FDB52N20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.87 грн
5+156.11 грн
9+129.91 грн
24+123.41 грн
800+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 fdb5800-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.82 грн
7+173.52 грн
18+163.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8447L fdb8447l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB8447L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZ ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDB86102LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 fdb86135-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB86135 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085 fdb86563_f085-d.pdf FDB86563_F085-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDB86563-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896 FDB8896-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB8896 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0065N40 fdbl0065n40-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0065N40 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40 fdbl0090n40-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0090N40 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60 fdbl0110n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 fdbl0150n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80 fdbl0150n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0150N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 fdbl0200n100-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0200N100 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80 fdbl0210n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 fdbl0240n100-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80 fdbl0330n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0330N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 fdbl0630n150-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 169A
Power dissipation: 500W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 fdbl86062_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86062-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063
Виробник: ONSEMI
FDBL86063 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063-F085 fdbl86063_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86063-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86066-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86210-F085 fdbl86210_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86210-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 fdbl86361_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86361-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 fdbl86363_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86363-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085 fdbl86366_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86366-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86561-F085 fdbl86561_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86561-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86563-F085 fdbl86563_f085-d.pdf fdbl86563_f085
Виробник: ONSEMI
FDBL86563-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86566-F085 fdbl86566_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86566-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9401-F085T6 fdbl9401-f085t6-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL9401-F085T6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403-F085T6 fdbl9403-f085t6-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL9403-F085T6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 fdbl9406-f085t6-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL9406-F085T6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDF324D945BE28&compId=FDC2612.pdf?ci_sign=b08958927efbbe59602a02ad513f2cee528da82d
FDC2612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.95 грн
10+51.46 грн
36+30.62 грн
98+28.95 грн
500+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3512 fdc3512-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC3512 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 976mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 fdc3612-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.97 грн
10+36.91 грн
46+23.94 грн
125+22.64 грн
500+22.08 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC5614P SMD P channel transistors
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.06 грн
50+21.71 грн
138+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N fdc5661n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC5661N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085 fdc5661n_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC5661N-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P fdc602p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC602P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P fdc604p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC604P SMD P channel transistors
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.96 грн
55+19.86 грн
151+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c
FDC606P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.94 грн
10+62.06 грн
28+39.81 грн
76+37.67 грн
500+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC608PZ SMD P channel transistors
на замовлення 3017 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+50.27 грн
56+19.58 грн
153+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ fdc610pz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC610PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.97 грн
57+19.30 грн
155+18.28 грн
3000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28
FDC6301N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.7nC
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 0.22A
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+299.79 грн
10+30.93 грн
50+21.25 грн
89+12.34 грн
244+11.60 грн
1000+11.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0F75C557BE28&compId=FDC6303N.pdf?ci_sign=1d586807abcac5c816657450307e9ea2e72e5c87
FDC6303N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.3nC
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 0.68A
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6
FDC6305N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 128mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 0.96W
Drain current: 2.7A
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1752 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]