Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD306P | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 683 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD3670 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD3672 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDD3682 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A Power dissipation: 95W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDD3690 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD3860 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1814 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD390N15A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD390N15ALZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD3N40TM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD3N50NZTM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDD4141 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -10.8A Power dissipation: 69W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2341 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDD4243 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 840 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD4685 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDD5353 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK Power dissipation: 69W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DPAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A On-state resistance: 20.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 65nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDD5680 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD5N50FTM-WS | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 14A; 40W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD5N50NZTM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDD5N60NZTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.4A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDD6637 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: -35V Drain current: -55A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2606 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDD6670A | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; DPAK Power dissipation: 63W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD6680AS | ONSEMI |
![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD6685 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD6N20TM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD6N50TM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD770N15A | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD7N20TM | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD7N25LZTM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD8444 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A On-state resistance: 5.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 153W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 89nC Case: DPAK Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDD8445 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A On-state resistance: 16.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 7.6nC Case: DPAK Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1656 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDD8447L | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 44W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 52nC Case: DPAK Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDD8451 | ONSEMI |
![]() ![]() |
на замовлення 2034 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDD850N10L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11.1A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2353 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDD86102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDD86102LZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 26nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDD86110 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Case: DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A On-state resistance: 10.2mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 127W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDD86250 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 132W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 164A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2438 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDD86252 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 103mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2458 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDD86367 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A On-state resistance: 8.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 88nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1447 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDD86367-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD86369 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD86369-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD86380-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD86381-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD8647L | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 74 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD86540 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD86567-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD8770 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD8796 | ONSEMI |
![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD8796/BKN | ONSEMI | FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD8870 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD8876 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2483 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD8878 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDD8880 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDD8896 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 94A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDD8N50NZTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDD9409-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDFS2P106A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDG1024NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDG316P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDG327N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.42W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.115Ω Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDD306P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD306P SMD P channel transistors
FDD306P SMD P channel transistors
на замовлення 683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 82.69 грн |
24+ | 46.05 грн |
65+ | 43.58 грн |
500+ | 43.54 грн |
FDD3670 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD3670 SMD N channel transistors
FDD3670 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD3672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD3672 SMD N channel transistors
FDD3672 SMD N channel transistors
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 141.28 грн |
14+ | 82.56 грн |
36+ | 77.98 грн |
FDD3682 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD3690 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD3690 SMD N channel transistors
FDD3690 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD3860 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD3860 SMD N channel transistors
FDD3860 SMD N channel transistors
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 90.89 грн |
19+ | 59.43 грн |
50+ | 56.19 грн |
FDD390N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD390N15A SMD N channel transistors
FDD390N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD390N15ALZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD390N15ALZ SMD N channel transistors
FDD390N15ALZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD3N40TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD3N40TM SMD N channel transistors
FDD3N40TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD3N50NZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD3N50NZTM SMD N channel transistors
FDD3N50NZTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD4141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 82.99 грн |
5+ | 63.26 грн |
23+ | 48.53 грн |
62+ | 45.87 грн |
500+ | 45.32 грн |
2500+ | 44.13 грн |
FDD4243 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD4243 SMD P channel transistors
FDD4243 SMD P channel transistors
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 80.32 грн |
30+ | 36.51 грн |
81+ | 34.49 грн |
FDD4685 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD4685 SMD P channel transistors
FDD4685 SMD P channel transistors
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 111.64 грн |
18+ | 62.38 грн |
48+ | 58.71 грн |
FDD5353 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 20.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 20.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 99.78 грн |
10+ | 88.60 грн |
16+ | 70.64 грн |
43+ | 66.97 грн |
1000+ | 64.22 грн |
FDD5680 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD5680 SMD N channel transistors
FDD5680 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD5N50FTM-WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 14A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 14A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD5N50NZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD5N50NZTM SMD N channel transistors
FDD5N50NZTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD5N60NZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 75.08 грн |
5+ | 64.21 грн |
22+ | 50.46 грн |
60+ | 47.70 грн |
500+ | 46.33 грн |
FDD6637 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 159.06 грн |
10+ | 109.56 грн |
15+ | 76.14 грн |
39+ | 71.56 грн |
250+ | 69.72 грн |
FDD6670A |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; DPAK
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; DPAK
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD6680AS |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD6680AS SMD N channel transistors
FDD6680AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD6685 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD6685 SMD P channel transistors
FDD6685 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD6N20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD6N20TM SMD N channel transistors
FDD6N20TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD6N50TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD6N50TM SMD N channel transistors
FDD6N50TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD770N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD770N15A SMD N channel transistors
FDD770N15A SMD N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.82 грн |
21+ | 52.20 грн |
57+ | 49.36 грн |
FDD7N20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD7N20TM SMD N channel transistors
FDD7N20TM SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.84 грн |
34+ | 32.11 грн |
92+ | 30.37 грн |
FDD7N25LZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD7N25LZTM SMD N channel transistors
FDD7N25LZTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8444 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 153W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 89nC
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 153W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 89nC
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8445 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.6nC
Case: DPAK
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.6nC
Case: DPAK
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.75 грн |
10+ | 65.26 грн |
18+ | 60.64 грн |
50+ | 55.13 грн |
FDD8447L | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
Case: DPAK
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
Case: DPAK
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.98 грн |
5+ | 73.36 грн |
19+ | 56.88 грн |
52+ | 54.13 грн |
500+ | 52.29 грн |
FDD8451 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8451 SMD N channel transistors
FDD8451 SMD N channel transistors
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 94.84 грн |
24+ | 46.79 грн |
64+ | 44.03 грн |
FDD850N10L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.82 грн |
5+ | 71.45 грн |
20+ | 55.04 грн |
55+ | 52.29 грн |
500+ | 51.37 грн |
FDD86102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86102 SMD N channel transistors
FDD86102 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86102LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 137.33 грн |
10+ | 99.08 грн |
14+ | 77.98 грн |
39+ | 73.39 грн |
100+ | 72.47 грн |
500+ | 71.56 грн |
FDD86110 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 127W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 127W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86250 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 164A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 164A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 149.18 грн |
10+ | 115.27 грн |
27+ | 104.58 грн |
250+ | 102.75 грн |
500+ | 100.91 грн |
FDD86252 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 89.90 грн |
10+ | 80.98 грн |
17+ | 65.13 грн |
46+ | 61.46 грн |
1000+ | 60.55 грн |
2500+ | 59.63 грн |
FDD86367 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 135.35 грн |
10+ | 113.37 грн |
28+ | 103.66 грн |
250+ | 100.00 грн |
FDD86367-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86367-F085 SMD N channel transistors
FDD86367-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86369 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86369 SMD N channel transistors
FDD86369 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86369-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86369-F085 SMD N channel transistors
FDD86369-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86380-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86380-F085 SMD N channel transistors
FDD86380-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86381-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86381-F085 SMD N channel transistors
FDD86381-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8647L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8647L SMD N channel transistors
FDD8647L SMD N channel transistors
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.58 грн |
18+ | 61.46 грн |
48+ | 58.71 грн |
FDD86540 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86540 SMD N channel transistors
FDD86540 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86567-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86567-F085 SMD N channel transistors
FDD86567-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8770 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8770 SMD N channel transistors
FDD8770 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8796 |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8796 SMD N channel transistors
FDD8796 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8796/BKN |
Виробник: ONSEMI
FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors
FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8870 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8870 SMD N channel transistors
FDD8870 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8876 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8876 SMD N channel transistors
FDD8876 SMD N channel transistors
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 128.43 грн |
16+ | 68.55 грн |
44+ | 64.81 грн |
FDD8878 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8878 SMD N channel transistors
FDD8878 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8880 SMD N channel transistors
FDD8880 SMD N channel transistors
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.47 грн |
34+ | 31.93 грн |
93+ | 30.18 грн |
FDD8896 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 120.53 грн |
10+ | 76.88 грн |
23+ | 47.06 грн |
63+ | 44.49 грн |
500+ | 42.75 грн |
FDD8N50NZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD9409-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD9409-F085 SMD N channel transistors
FDD9409-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDFS2P106A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDFS2P106A SMD P channel transistors
FDFS2P106A SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG1024NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG1024NZ Multi channel transistors
FDG1024NZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG316P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG316P SMD P channel transistors
FDG316P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG327N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.42W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.115Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.42W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.115Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.