Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142640) > Сторінка 1746 з 2378

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP3632 FDP3632 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+344.87 грн
10+254.96 грн
25+188.26 грн
50+185.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0 FDP42AN15A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE927EA0BAB4259&compId=FDP42AN15A0.pdf?ci_sign=5d81b96fc7857dceb89bd617b8a3b0fff3a3e3ba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+229.91 грн
5+181.39 грн
10+155.27 грн
50+125.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf FDP51N25 THT N channel transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+258.13 грн
8+150.41 грн
21+142.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 ONSEMI FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf FDP52N20 THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.36 грн
9+133.92 грн
24+126.15 грн
250+125.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50T FDPF12N50T ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B3A35528DD2A17&compId=FDP12N50.pdf?ci_sign=2d34bc5657a95a8e6474b335ed20b5e8739aabf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.12 грн
3+143.10 грн
10+121.30 грн
50+109.66 грн
250+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ONSEMI FDPF12N60NZ-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.74 грн
10+128.99 грн
50+112.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 FDPF18N50 ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+233.05 грн
3+187.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50T FDPF18N50T ONSEMI FDPF18N50T-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+313.52 грн
10+224.72 грн
25+186.32 грн
50+183.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT ONSEMI FDPF20N50FT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+327.10 грн
2+228.76 грн
10+187.29 грн
20+175.64 грн
50+167.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T FDPF20N50T ONSEMI fdpf20n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.70 грн
3+279.14 грн
10+239.69 грн
50+202.82 грн
100+192.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C ONSEMI fdp2d3n10c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+565.38 грн
4+387.98 грн
9+353.23 грн
50+339.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A FDPF390N15A ONSEMI fdpf390n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; Idm: 60A; 22W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.93 грн
10+98.98 грн
50+92.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF51N25 ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf FDPF51N25 THT N channel transistors
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.36 грн
10+120.33 грн
27+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF55N06 FDPF55N06 ONSEMI fdpf55n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.20 грн
10+154.18 грн
50+105.77 грн
100+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 ONSEMI FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.89 грн
13+90.25 грн
35+85.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 ONSEMI fds2582-d.pdf FDS2582 SMD N channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+144.22 грн
19+62.11 грн
51+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734 ONSEMI fds2734-d.pdf FDS2734 SMD N channel transistors
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+232.00 грн
12+102.86 грн
31+97.04 грн
250+96.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590 ONSEMI fds3590-d.pdf FDS3590 SMD N channel transistors
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.39 грн
26+45.03 грн
70+42.60 грн
1000+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 ONSEMI fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.60 грн
5+90.70 грн
10+79.57 грн
50+64.05 грн
100+59.20 грн
250+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.02 грн
10+41.22 грн
50+31.73 грн
100+28.92 грн
250+25.81 грн
500+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 FDS4465 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC80D368C76259&compId=FDS4465.pdf?ci_sign=0ccb8af7e225282a329af0618515c2832bcb5946 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -13.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+143.17 грн
5+116.90 грн
10+101.89 грн
15+80.54 грн
40+75.69 грн
100+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 ONSEMI fds4470-d.pdf description FDS4470 SMD N channel transistors
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.16 грн
12+99.95 грн
32+94.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480 FDS4480 ONSEMI fds4480-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.60 грн
5+70.94 грн
25+60.26 грн
100+54.15 грн
500+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672A FDS4672A ONSEMI fds4672a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.91 грн
10+68.53 грн
100+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 ONSEMI fds4675-d.pdf FDS4675 SMD P channel transistors
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.63 грн
18+65.02 грн
49+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC860E2D602259&compId=FDS4685.pdf?ci_sign=a52ff977a58421c38b025f332849ae2108795bfa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.83 грн
10+72.56 грн
21+57.25 грн
56+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A ONSEMI FDS4935A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.33 грн
10+76.29 грн
50+54.83 грн
100+48.23 грн
250+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4702 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.29 грн
10+57.24 грн
25+46.00 грн
50+39.50 грн
100+34.45 грн
250+29.50 грн
500+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351 ONSEMI fds5351-d.pdf FDS5351 SMD N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.53 грн
34+34.55 грн
92+32.61 грн
1000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 ONSEMI fds6375-d.pdf FDS6375 SMD P channel transistors
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.56 грн
26+45.32 грн
70+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ ONSEMI FDS6673BZ.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.97 грн
10+69.84 грн
25+60.17 грн
100+50.46 грн
250+44.93 грн
500+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.84 грн
6+55.43 грн
10+48.91 грн
50+39.59 грн
100+36.20 грн
250+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.60 грн
10+75.08 грн
25+59.58 грн
50+51.33 грн
100+44.64 грн
500+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.97 грн
10+58.05 грн
25+49.49 грн
50+44.44 грн
100+39.88 грн
250+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z ONSEMI FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6681Z SMD P channel transistors
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.61 грн
15+81.51 грн
39+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A ONSEMI fds6690a-d.pdf b14a7884f0aeda165f448e24438c1047.pdf FDS6690A SMD N channel transistors
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.97 грн
58+19.99 грн
158+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A FDS6898A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.97 грн
5+73.36 грн
10+64.73 грн
50+52.60 грн
100+48.13 грн
500+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A ONSEMI FDS6912A-D.PDF FDS6912A Multi channel transistors
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.91 грн
33+34.74 грн
91+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 ONSEMI fds8447-d.pdf description FDS8447 SMD N channel transistors
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.09 грн
16+74.72 грн
43+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 ONSEMI FDS8880-D.PDF FDS8880 SMD N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.96 грн
36+32.02 грн
99+30.28 грн
1000+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 ONSEMI FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS8884 SMD N channel transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.87 грн
50+23.10 грн
137+21.83 грн
2500+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 ONSEMI fds89141-d.pdf FDS89141 Multi channel transistors
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.97 грн
7+172.73 грн
19+163.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 FDS89161 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE714315B04C259&compId=FDS89161.pdf?ci_sign=84ea0d10f63123768be2a5a09d915664e90b6920 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 176mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.37 грн
5+93.72 грн
13+88.31 грн
25+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.33 грн
10+80.92 грн
50+67.83 грн
100+38.82 грн
500+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435A FDS9435A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.93 грн
10+50.99 грн
50+36.58 грн
100+32.12 грн
250+27.37 грн
500+24.45 грн
1000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926A FDS9926A ONSEMI FDS9926A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.57 грн
8+40.51 грн
10+34.55 грн
50+26.49 грн
100+23.87 грн
250+20.77 грн
500+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 ONSEMI FDS9945-D.pdf FDS9945 Multi channel transistors
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.70 грн
39+29.40 грн
108+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 ONSEMI fds9958-d.pdf FDS9958 Multi channel transistors
на замовлення 602 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.71 грн
34+34.16 грн
93+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ ONSEMI fdt1600n10alz-d.pdf FDT1600N10ALZ SMD N channel transistors
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.55 грн
34+33.96 грн
93+32.12 грн
1000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 ONSEMI fdt3612-d.pdf FDT3612 SMD N channel transistors
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.51 грн
41+28.04 грн
113+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458P ONSEMI fdt458p-d.pdf FDT458P SMD P channel transistors
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.44 грн
38+30.28 грн
104+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZ FDT86113LZ ONSEMI fdt86113lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 189mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.78 грн
5+72.56 грн
10+61.82 грн
50+47.74 грн
100+43.09 грн
250+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0893DB4B55F1A303005056AB0C4F&compId=FDV301N.pdf?ci_sign=90bbeb0cb17ed9600b2d86a0dc13bb46d18c3438 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 0.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18086 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.50 грн
45+6.85 грн
55+5.34 грн
88+3.34 грн
103+2.83 грн
500+2.15 грн
1000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08AD993A0FF1A303005056AB0C4F&compId=FDV303N.pdf?ci_sign=88cc801a301a7bf4624e67f601d940e550f21f85 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.68 грн
29+10.68 грн
50+7.24 грн
100+6.23 грн
500+4.62 грн
1000+4.16 грн
1500+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304P FDV304P ONSEMI FDV304P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
43+7.32 грн
59+5.14 грн
74+3.94 грн
100+3.59 грн
500+3.03 грн
1000+2.85 грн
3000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N ONSEMI FDV305N-D.pdf FDV305N SMD N channel transistors
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+28.22 грн
210+5.43 грн
576+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDY300NZ FDY300NZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA13337BF8E259&compId=FDY300NZ.pdf?ci_sign=d6800381c05a0dbb9b65d0a6ad7cb736978460e9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.6A; 0.625W; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 0.6A
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.25Ω
Power dissipation: 0.625W
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.02 грн
25+28.42 грн
100+24.26 грн
500+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH40120ADN-F085 ONSEMI ffsh40120adn-f085-d.pdf FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1547.81 грн
3+1463.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155 ONSEMI ffsh4065adn-f155-d.pdf FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1222.72 грн
2+725.87 грн
5+687.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ONSEMI FGA60N65SMD-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+479.68 грн
3+439.37 грн
10+367.79 грн
30+295.01 грн
120+285.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657
FDP3632
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.87 грн
10+254.96 грн
25+188.26 грн
50+185.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE927EA0BAB4259&compId=FDP42AN15A0.pdf?ci_sign=5d81b96fc7857dceb89bd617b8a3b0fff3a3e3ba
FDP42AN15A0
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.91 грн
5+181.39 грн
10+155.27 грн
50+125.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 fdpf51n25rdtu-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP51N25 THT N channel transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.13 грн
8+150.41 грн
21+142.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP52N20 THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.36 грн
9+133.92 грн
24+126.15 грн
250+125.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B3A35528DD2A17&compId=FDP12N50.pdf?ci_sign=2d34bc5657a95a8e6474b335ed20b5e8739aabf0
FDPF12N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.12 грн
3+143.10 грн
10+121.30 грн
50+109.66 грн
250+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ-D.PDF
FDPF12N60NZ
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.74 грн
10+128.99 грн
50+112.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 FDP18N50.pdf
FDPF18N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.05 грн
3+187.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50T FDPF18N50T-D.PDF
FDPF18N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+313.52 грн
10+224.72 грн
25+186.32 грн
50+183.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT.pdf
FDPF20N50FT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+327.10 грн
2+228.76 грн
10+187.29 грн
20+175.64 грн
50+167.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.70 грн
3+279.14 грн
10+239.69 грн
50+202.82 грн
100+192.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C fdp2d3n10c-d.pdf
FDPF2D3N10C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+565.38 грн
4+387.98 грн
9+353.23 грн
50+339.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A fdpf390n15a-d.pdf
FDPF390N15A
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; Idm: 60A; 22W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.93 грн
10+98.98 грн
50+92.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF51N25 fdpf51n25rdtu-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDPF51N25 THT N channel transistors
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.36 грн
10+120.33 грн
27+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF55N06 fdpf55n06-d.pdf
FDPF55N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.20 грн
10+154.18 грн
50+105.77 грн
100+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDS2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.89 грн
13+90.25 грн
35+85.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 fds2582-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS2582 SMD N channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.22 грн
19+62.11 грн
51+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734 fds2734-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS2734 SMD N channel transistors
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.00 грн
12+102.86 грн
31+97.04 грн
250+96.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590 fds3590-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS3590 SMD N channel transistors
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.39 грн
26+45.03 грн
70+42.60 грн
1000+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf
FDS3672
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.60 грн
5+90.70 грн
10+79.57 грн
50+64.05 грн
100+59.20 грн
250+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7
FDS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.02 грн
10+41.22 грн
50+31.73 грн
100+28.92 грн
250+25.81 грн
500+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC80D368C76259&compId=FDS4465.pdf?ci_sign=0ccb8af7e225282a329af0618515c2832bcb5946
FDS4465
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -13.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.17 грн
5+116.90 грн
10+101.89 грн
15+80.54 грн
40+75.69 грн
100+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description fds4470-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS4470 SMD N channel transistors
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.16 грн
12+99.95 грн
32+94.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480 fds4480-d.pdf
FDS4480
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.60 грн
5+70.94 грн
25+60.26 грн
100+54.15 грн
500+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672A fds4672a-d.pdf
FDS4672A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.91 грн
10+68.53 грн
100+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 fds4675-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS4675 SMD P channel transistors
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.63 грн
18+65.02 грн
49+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC860E2D602259&compId=FDS4685.pdf?ci_sign=a52ff977a58421c38b025f332849ae2108795bfa
FDS4685
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.83 грн
10+72.56 грн
21+57.25 грн
56+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A.pdf
FDS4935A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.33 грн
10+76.29 грн
50+54.83 грн
100+48.23 грн
250+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de
FDS4935BZ
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4702 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.29 грн
10+57.24 грн
25+46.00 грн
50+39.50 грн
100+34.45 грн
250+29.50 грн
500+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351 fds5351-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS5351 SMD N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.53 грн
34+34.55 грн
92+32.61 грн
1000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 fds6375-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS6375 SMD P channel transistors
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.56 грн
26+45.32 грн
70+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ description FDS6673BZ.pdf
FDS6673BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.97 грн
10+69.84 грн
25+60.17 грн
100+50.46 грн
250+44.93 грн
500+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450
FDS6675BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.84 грн
6+55.43 грн
10+48.91 грн
50+39.59 грн
100+36.20 грн
250+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ.pdf
FDS6679AZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.60 грн
10+75.08 грн
25+59.58 грн
50+51.33 грн
100+44.64 грн
500+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.97 грн
10+58.05 грн
25+49.49 грн
50+44.44 грн
100+39.88 грн
250+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDS6681Z SMD P channel transistors
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.61 грн
15+81.51 грн
39+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf b14a7884f0aeda165f448e24438c1047.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS6690A SMD N channel transistors
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.97 грн
58+19.99 грн
158+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466
FDS6898A
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.97 грн
5+73.36 грн
10+64.73 грн
50+52.60 грн
100+48.13 грн
500+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDS6912A Multi channel transistors
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.91 грн
33+34.74 грн
91+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description fds8447-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS8447 SMD N channel transistors
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.09 грн
16+74.72 грн
43+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDS8880 SMD N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.96 грн
36+32.02 грн
99+30.28 грн
1000+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDS8884 SMD N channel transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.87 грн
50+23.10 грн
137+21.83 грн
2500+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 fds89141-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS89141 Multi channel transistors
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.97 грн
7+172.73 грн
19+163.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE714315B04C259&compId=FDS89161.pdf?ci_sign=84ea0d10f63123768be2a5a09d915664e90b6920
FDS89161
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 176mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.37 грн
5+93.72 грн
13+88.31 грн
25+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805
FDS8949
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.33 грн
10+80.92 грн
50+67.83 грн
100+38.82 грн
500+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b
FDS9435A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.93 грн
10+50.99 грн
50+36.58 грн
100+32.12 грн
250+27.37 грн
500+24.45 грн
1000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926A FDS9926A.pdf
FDS9926A
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.57 грн
8+40.51 грн
10+34.55 грн
50+26.49 грн
100+23.87 грн
250+20.77 грн
500+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 FDS9945-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS9945 Multi channel transistors
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.70 грн
39+29.40 грн
108+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 fds9958-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS9958 Multi channel transistors
на замовлення 602 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.71 грн
34+34.16 грн
93+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ fdt1600n10alz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDT1600N10ALZ SMD N channel transistors
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.55 грн
34+33.96 грн
93+32.12 грн
1000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 fdt3612-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDT3612 SMD N channel transistors
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.51 грн
41+28.04 грн
113+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458P fdt458p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDT458P SMD P channel transistors
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.44 грн
38+30.28 грн
104+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZ fdt86113lz-d.pdf
FDT86113LZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 189mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.78 грн
5+72.56 грн
10+61.82 грн
50+47.74 грн
100+43.09 грн
250+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0893DB4B55F1A303005056AB0C4F&compId=FDV301N.pdf?ci_sign=90bbeb0cb17ed9600b2d86a0dc13bb46d18c3438
FDV301N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 0.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18086 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.50 грн
45+6.85 грн
55+5.34 грн
88+3.34 грн
103+2.83 грн
500+2.15 грн
1000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08AD993A0FF1A303005056AB0C4F&compId=FDV303N.pdf?ci_sign=88cc801a301a7bf4624e67f601d940e550f21f85
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.68 грн
29+10.68 грн
50+7.24 грн
100+6.23 грн
500+4.62 грн
1000+4.16 грн
1500+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304P FDV304P.pdf
FDV304P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
43+7.32 грн
59+5.14 грн
74+3.94 грн
100+3.59 грн
500+3.03 грн
1000+2.85 грн
3000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDV305N SMD N channel transistors
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.22 грн
210+5.43 грн
576+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDY300NZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA13337BF8E259&compId=FDY300NZ.pdf?ci_sign=d6800381c05a0dbb9b65d0a6ad7cb736978460e9
FDY300NZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.6A; 0.625W; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 0.6A
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.25Ω
Power dissipation: 0.625W
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.02 грн
25+28.42 грн
100+24.26 грн
500+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH40120ADN-F085 ffsh40120adn-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1547.81 грн
3+1463.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155 ffsh4065adn-f155-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1222.72 грн
2+725.87 грн
5+687.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD-DTE.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+479.68 грн
3+439.37 грн
10+367.79 грн
30+295.01 грн
120+285.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]