Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147487) > Сторінка 1746 з 2459

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+436.70 грн
3+378.70 грн
4+279.31 грн
11+264.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF220N80 ONSEMI FAIR-S-A0002365759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF220N80 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF2250N80Z ONSEMI FAIR-S-A0002365705-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf2250n80z-d.pdf FCPF2250N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E ONSEMI FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf FCPF260N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80 ONSEMI fcpf290n80-d.pdf FAIR-S-A0002365661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF290N80 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60 ONSEMI fcpf380n60-d.pdf ONSM-S-A0003584318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF380N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E ONSEMI FCPF380N60E-D.PDF FCPF380N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E ONSEMI FCPF380N60E-D.PDF FCPF380N60E-ONS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1-F154 ONSEMI fcpf380n65fl1-f154-d.pdf FCPF380N65FL1-F154 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N60 ONSEMI fcpf400n60-d.pdf FCPF400N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z ONSEMI ONSM-S-A0003584073-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF400N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZL1-F154 ONSEMI fcpf600n60zl1-d.pdf FCPF600N60ZL1-F154 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF650N80Z ONSEMI fcpf650n80z-d.pdf FCPF650N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60 ONSEMI fcpf7n60-d.pdf FCPF7N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60 ONSEMI fcpf7n60-d.pdf FCPF7N60-ONS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF850N80Z ONSEMI fcpf850n80z-d.pdf FCPF850N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 FDA032N08 ONSEMI fda032n08-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+443.69 грн
5+250.54 грн
13+228.27 грн
1020+222.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA16N50-F109 FDA16N50-F109 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9AD923142AC3A0C7&compId=FDA16N50_F109.PDF?ci_sign=c603ddf6113d634b6762760ffa586cc84b7053d3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA16N50LDTU ONSEMI FAIR-S-A0002365536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fda16n50ldtu-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS; UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F FDA24N40F ONSEMI fda24n40f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F FDA24N50F ONSEMI fda24n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+369.74 грн
5+250.54 грн
13+228.27 грн
450+219.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50 ONSEMI fda28n50-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+418.71 грн
5+261.14 грн
12+237.55 грн
120+236.62 грн
450+228.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 ONSEMI fda38n30-d.pdf FDA38N30 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 FDA59N25 ONSEMI fda59n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 392W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FAIRS47594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Case: TO3PN
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
On-state resistance: 56mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 236A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+437.70 грн
5+232.23 грн
14+211.57 грн
30+203.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 FDA69N25 ONSEMI FDA69N25-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44.2A
Pulsed drain current: 276A
Power dissipation: 480W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+395.73 грн
4+284.27 грн
11+258.89 грн
25+246.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA70N20 ONSEMI fda70n20-d.pdf FDA70N20 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0165N807L ONSEMI fdb0165n807l-d.pdf FDB0165N807L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0170N607L ONSEMI fdb0170n607l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1620A; 250W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1620A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Gate charge: 249nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.44kA
Case: D2PAK-6
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+502.65 грн
4+347.87 грн
5+334.06 грн
9+316.42 грн
800+310.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 FDB024N06 ONSEMI fdb024n06-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1060A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 ONSEMI fdb024n08bl7-d.pdf FDB024N08BL7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0250N807L ONSEMI fdb0250n807l-d.pdf FDB0250N807L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007L ONSEMI fdb0260n1007l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0300N1007L ONSEMI fdb0300n1007l-d.pdf FDB0300N1007L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 124nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+452.69 грн
4+344.98 грн
9+313.64 грн
50+312.71 грн
100+301.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A ONSEMI fdb035n10a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0 FDB045AN08A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDCA3AE8C09E28&compId=FDB045AN08A0.pdf?ci_sign=a71bf606d590c95bb045933e713f31798fa8348a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 90A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 ONSEMI FDB047N10-D.pdf FDB047N10 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0 ONSEMI fdp050an06a0-d.pdf FDB050AN06A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0 ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf FDB060AN08A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0630N1507L ONSEMI fdb0630n1507l-d.pdf FDB0630N1507L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0690N1507L ONSEMI fdb0690n1507l-d.pdf FDB0690N1507L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0 FDB070AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDCCB404615E28&compId=FDB070AN06A0.pdf?ci_sign=6337095d02d7bec7889b2e427f7f445f6c28dbf4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A ONSEMI fdp075n15a-d.pdf FDB075N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A-F085 ONSEMI fdb075n15a_f085-d.pdf FDB075N15A-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A ONSEMI fdb082n15a-d.pdf FDB082N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB088N08 ONSEMI fdb088n08-d.pdf FDB088N08 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15A ONSEMI ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB110N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB120N10 ONSEMI fdb120n10-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50FTM-WS FDB12N50FTM-WS ONSEMI fdb12n50f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 6.9A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.7Ω
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50TM ONSEMI fdb12n50tm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 6.9A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.65Ω
Gate charge: 30nC
Technology: DMOS; UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ONSEMI FDB13AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.89 грн
5+135.87 грн
10+112.28 грн
27+105.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB150N10 ONSEMI fdb150n10-d.pdf FDB150N10 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8940D3F3490469&compId=FDB15N50.pdf?ci_sign=a49bd96e5438f9c41de0d83370be6edddce8620a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 766 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+253.82 грн
6+215.85 грн
15+196.72 грн
250+190.23 грн
500+189.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0 ONSEMI fdb16an08a0-d.pdf FDB16AN08A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7 ONSEMI fdb1d7n10cl7-d.pdf FDB1D7N10CL7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F ONSEMI fdb20n50f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 ONSEMI FDP2532-D.PDF FDB2532 SMD N channel transistors
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+358.75 грн
5+226.42 грн
14+214.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 ONSEMI fdp2552-d.pdf FDB2552 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.70 грн
3+378.70 грн
4+279.31 грн
11+264.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF220N80 FAIR-S-A0002365759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FCPF220N80 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF2250N80Z FAIR-S-A0002365705-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf2250n80z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCPF2250N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCPF260N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80 fcpf290n80-d.pdf FAIR-S-A0002365661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FCPF290N80 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60 fcpf380n60-d.pdf ONSM-S-A0003584318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FCPF380N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E FCPF380N60E-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FCPF380N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E FCPF380N60E-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FCPF380N60E-ONS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1-F154 fcpf380n65fl1-f154-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCPF380N65FL1-F154 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N60 fcpf400n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCPF400N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z ONSM-S-A0003584073-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FCPF400N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZL1-F154 fcpf600n60zl1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCPF600N60ZL1-F154 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF650N80Z fcpf650n80z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCPF650N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60 fcpf7n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCPF7N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60 fcpf7n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCPF7N60-ONS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF850N80Z fcpf850n80z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCPF850N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 fda032n08-d.pdf
FDA032N08
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+443.69 грн
5+250.54 грн
13+228.27 грн
1020+222.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA16N50-F109 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9AD923142AC3A0C7&compId=FDA16N50_F109.PDF?ci_sign=c603ddf6113d634b6762760ffa586cc84b7053d3
FDA16N50-F109
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA16N50LDTU FAIR-S-A0002365536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fda16n50ldtu-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS; UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F fda24n40f-d.pdf
FDA24N40F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F fda24n50f-d.pdf
FDA24N50F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.74 грн
5+250.54 грн
13+228.27 грн
450+219.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 fda28n50-d.pdf
FDA28N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+418.71 грн
5+261.14 грн
12+237.55 грн
120+236.62 грн
450+228.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 fda38n30-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDA38N30 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 fda59n25-d.pdf
FDA59N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 392W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FAIRS47594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDA59N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Case: TO3PN
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
On-state resistance: 56mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 236A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.70 грн
5+232.23 грн
14+211.57 грн
30+203.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 FDA69N25-D.PDF
FDA69N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44.2A
Pulsed drain current: 276A
Power dissipation: 480W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.73 грн
4+284.27 грн
11+258.89 грн
25+246.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA70N20 fda70n20-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDA70N20 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0165N807L fdb0165n807l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0165N807L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0170N607L fdb0170n607l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1620A; 250W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1620A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
FDB0190N807L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Gate charge: 249nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.44kA
Case: D2PAK-6
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+502.65 грн
4+347.87 грн
5+334.06 грн
9+316.42 грн
800+310.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 fdb024n06-d.pdf
FDB024N06
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1060A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 fdb024n08bl7-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB024N08BL7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0250N807L fdb0250n807l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0250N807L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007L fdb0260n1007l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0300N1007L fdb0300n1007l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0300N1007L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d
FDB035AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 124nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.69 грн
4+344.98 грн
9+313.64 грн
50+312.71 грн
100+301.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A fdb035n10a-d.pdf
FDB035N10A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDCA3AE8C09E28&compId=FDB045AN08A0.pdf?ci_sign=a71bf606d590c95bb045933e713f31798fa8348a
FDB045AN08A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 90A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB047N10 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0 fdp050an06a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB050AN06A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB060AN08A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0630N1507L fdb0630n1507l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0630N1507L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0690N1507L fdb0690n1507l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0690N1507L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDCCB404615E28&compId=FDB070AN06A0.pdf?ci_sign=6337095d02d7bec7889b2e427f7f445f6c28dbf4
FDB070AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A fdp075n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB075N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A-F085 fdb075n15a_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB075N15A-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A fdb082n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB082N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB088N08 fdb088n08-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB088N08 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15A ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDB110N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB120N10 fdb120n10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50FTM-WS fdb12n50f-d.pdf
FDB12N50FTM-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 6.9A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.7Ω
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50TM fdb12n50tm-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 6.9A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.65Ω
Gate charge: 30nC
Technology: DMOS; UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.89 грн
5+135.87 грн
10+112.28 грн
27+105.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB150N10 fdb150n10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB150N10 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8940D3F3490469&compId=FDB15N50.pdf?ci_sign=a49bd96e5438f9c41de0d83370be6edddce8620a
FDB15N50
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 766 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.82 грн
6+215.85 грн
15+196.72 грн
250+190.23 грн
500+189.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0 fdb16an08a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB16AN08A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7 fdb1d7n10cl7-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB1D7N10CL7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F fdb20n50f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDP2532-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDB2532 SMD N channel transistors
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.75 грн
5+226.42 грн
14+214.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 fdp2552-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2552 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]