| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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2N6286G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2N6286G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 40 A, 160 W, TO-3, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 Verlustleistung Pd: 160 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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NCP1392BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1392BDR2G - MOSFET-Treiber, 16V Versorgungsspannung, 1A Ausgangsspannung, SOIC-8 Sinkstrom: 1 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: MOSFET Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: - Quellstrom: 500 Spitzenausgangsstrom: 1 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 16 Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCP1392DDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 500mA Versorgungsspannung, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1392DDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 500mA Versorgungsspannung, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NDS8434 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 6.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NDS8434 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 6.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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NSI45025AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI45025AT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 45Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 25mAout, SOD-123-2 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 1MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 25mA Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123 MSL: - Ausgangsspannung: - Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V Bauform - Treiber: SOD-123 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 25mA Bausteintopologie: Linear Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsspannung, min.: 0V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NSI45030T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 30mA Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgangsspannung: - Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V Bauform - Treiber: SOD-123 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 30mA Bausteintopologie: Konstantstrom Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NSI45025T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI45025T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 25mAout, SOD-123-2 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 25mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NSI45035JZT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI45035JZT1G - LED-Treiber, 45Vin, 1 Ausgang, 70mAout, SOT-223-3 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 70mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSI45030T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 30mA Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgangsspannung: - Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V Bauform - Treiber: SOD-123 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 30mA Bausteintopologie: Konstantstrom Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NSI45025T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI45025T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 25mAout, SOD-123-2 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 25mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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ADP3110AKRZ-RL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ADP3110AKRZ-RL - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.6V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 13.2V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 25ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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ADP3110AKCPZ-RL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.6V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 13.2V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ADP3110AKCPZ-RL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.6V euEccn: NLR Bauform - Treiber: DFN Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 13.2V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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H11N1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - H11N1 - Optokoppler, 1 Kanal, 7.5 kV, DIP, 6 Pin(s) tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Isolationsspannung: 7.5kV SVHC: To Be Advised Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Übertragungsrate: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS4435BZ | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SS18 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 40A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 850mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SS18 productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 80V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SS18 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 40A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 850mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SS18 productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 80V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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J175-D26Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J175-D26Z - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -60 mA, 6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -60mA MSL: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -7mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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J109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J109 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6V |
на замовлення 17145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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J112 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V |
на замовлення 3844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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J113 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J113 - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V |
на замовлення 41312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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J113-D74Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J113-D74Z - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NSVJ5908DSG5T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: MCPH Anzahl der Pins: 5 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NSVJ3910SB3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V |
на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SK2394-6-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK2394-6-TB-E - JFET-Transistor, 15 V, 20 mA, 1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V |
на замовлення 3831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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CPH6904-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V |
на замовлення 1949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCS20166SN2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s) tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 6V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOT-23 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz Eingangsoffsetspannung: 50µV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 6V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 10MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker |
товару немає в наявності |
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D45VH10G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45VH10G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 15 A, 83 W, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BZX79-C6V2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 6.2V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SB160 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB160 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 700 mV Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassspannung Vf max.: 700 Diodenkonfiguration: Einfach Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: SB Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30 Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 60 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLV74VHC139DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV74VHC139DTR2G - DUAL 2-TO-4 DECODER/DEMULTIPLEXER MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZX84C18LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 18V |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCV21872DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCV21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Spannungsanstieg: 0.1V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 350kHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCV21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Spannungsanstieg: 0.1V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 350kHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCS21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCS21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCV21872DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FNB81060T3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FNB81060T3 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.5 kV, SPM25-FAA, SPM8 tariffCode: 85044090 productTraceability: No IPM-Baureihe: SPM8 rohsCompliant: Y-EX Isolationsspannung: 1.5kV euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): - rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): - usEccn: EAR99 Bauform - IPM: SPM25-FAA Produktpalette: Motion SPM 8 Series SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BAT54CXV3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAT54CXV3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Barriere, 30 V, 200 mA, Zweifach, gemeinsame Kathode, SC-89, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-89 Durchlassstoßstrom: 600mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 800mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 5047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD817A300 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817A300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 80% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 2066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZX84C6V8LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C6V8LT1G - Zener-Diode, 6.8 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V |
на замовлення 42918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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1N5349BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5349BG - Zener-Diode, 12 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 017AA euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N53 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 12V |
на замовлення 27099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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TIP42G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP42G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 6 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
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TIP42BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP42BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP42AG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP42AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BZX79-C5V1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C5V1 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V |
на замовлення 16672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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2N3442G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3442G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-204AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 7.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 117 Übergangsfrequenz ft: 80 Bauform - Transistor: TO-204AA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
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BCP56-10T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP56-16T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BCP56T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SBCP56T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
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1N4002G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4002G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4002 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 21727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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1N4002RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4002RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 27747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FQP4N90C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 140 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
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BF256B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BF256B - JFET-Transistor, JFET, -30 V, 13 mA, -8 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 13mA MSL: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -8V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
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SB5100 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB5100 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 850 mV Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassspannung Vf max.: 850 Diodenkonfiguration: Einfach Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 5 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: SB Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 150 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
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2SC5707-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N6286G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6286G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 40 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N6286G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 40 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| NCP1392BDR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1392BDR2G - MOSFET-Treiber, 16V Versorgungsspannung, 1A Ausgangsspannung, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 1
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP1392BDR2G - MOSFET-Treiber, 16V Versorgungsspannung, 1A Ausgangsspannung, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 1
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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| NCP1392DDR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP1392DDR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDS8434 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
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| NDS8434 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
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| NSI45025AT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45025AT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 45Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: -
Ausgangsspannung: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
Bauform - Treiber: SOD-123
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Bausteintopologie: Linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NSI45025AT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 45Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: -
Ausgangsspannung: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
Bauform - Treiber: SOD-123
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Bausteintopologie: Linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSI45030T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
Bauform - Treiber: SOD-123
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Bausteintopologie: Konstantstrom
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
Bauform - Treiber: SOD-123
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Bausteintopologie: Konstantstrom
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSI45025T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45025T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSI45025T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NSI45035JZT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45035JZT1G - LED-Treiber, 45Vin, 1 Ausgang, 70mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSI45035JZT1G - LED-Treiber, 45Vin, 1 Ausgang, 70mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSI45030T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
Bauform - Treiber: SOD-123
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Bausteintopologie: Konstantstrom
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
Bauform - Treiber: SOD-123
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Bausteintopologie: Konstantstrom
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSI45025T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45025T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSI45025T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ADP3110AKRZ-RL |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ADP3110AKRZ-RL - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - ADP3110AKRZ-RL - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ADP3110AKCPZ-RL |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ADP3110AKCPZ-RL |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DFN
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DFN
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| H11N1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11N1 - Optokoppler, 1 Kanal, 7.5 kV, DIP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 7.5kV
SVHC: To Be Advised
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - H11N1 - Optokoppler, 1 Kanal, 7.5 kV, DIP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 7.5kV
SVHC: To Be Advised
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS4435BZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SS18 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 850mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS18
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 850mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS18
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SS18 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 850mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS18
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 850mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS18
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| J175-D26Z |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J175-D26Z - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -60 mA, 6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -60mA
MSL: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -7mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
Description: ONSEMI - J175-D26Z - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -60 mA, 6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -60mA
MSL: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -7mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| J109 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J109 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6V
Description: ONSEMI - J109 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6V
на замовлення 17145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| J112 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| J113 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J113 - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
Description: ONSEMI - J113 - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
на замовлення 41312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| J113-D74Z |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J113-D74Z - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
Description: ONSEMI - J113-D74Z - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSVJ5908DSG5T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSVJ3910SB3T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
Description: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SK2394-6-TB-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK2394-6-TB-E - JFET-Transistor, 15 V, 20 mA, 1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
Description: ONSEMI - 2SK2394-6-TB-E - JFET-Transistor, 15 V, 20 mA, 1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
на замовлення 3831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CPH6904-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS20166SN2T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOT-23
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 50µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 10MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Description: ONSEMI - NCS20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOT-23
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 50µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 10MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| D45VH10G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D45VH10G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 15 A, 83 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - D45VH10G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 15 A, 83 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX79-C6V2 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
Description: ONSEMI - BZX79-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SB160 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB160 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 700 mV
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassspannung Vf max.: 700
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 60
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SB160 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 700 mV
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassspannung Vf max.: 700
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 60
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Мінімальне замовлення: 5 шт
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| NLV74VHC139DTR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74VHC139DTR2G - DUAL 2-TO-4 DECODER/DEMULTIPLEXER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLV74VHC139DTR2G - DUAL 2-TO-4 DECODER/DEMULTIPLEXER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BZX84C18LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
Description: ONSEMI - BZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV21872DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV21874DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Spannungsanstieg: 0.1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 350kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Spannungsanstieg: 0.1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 350kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV21874DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Spannungsanstieg: 0.1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 350kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Spannungsanstieg: 0.1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 350kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS21874DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS21874DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV21872DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FNB81060T3 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB81060T3 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.5 kV, SPM25-FAA, SPM8
tariffCode: 85044090
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM8
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): -
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM25-FAA
Produktpalette: Motion SPM 8 Series
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FNB81060T3 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.5 kV, SPM25-FAA, SPM8
tariffCode: 85044090
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM8
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): -
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM25-FAA
Produktpalette: Motion SPM 8 Series
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BAT54CXV3T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54CXV3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Barriere, 30 V, 200 mA, Zweifach, gemeinsame Kathode, SC-89, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-89
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - BAT54CXV3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Barriere, 30 V, 200 mA, Zweifach, gemeinsame Kathode, SC-89, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-89
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817A300 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817A300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD817A300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX84C6V8LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C6V8LT1G - Zener-Diode, 6.8 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
Description: ONSEMI - BZX84C6V8LT1G - Zener-Diode, 6.8 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
на замовлення 42918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N5349BG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5349BG - Zener-Diode, 12 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
Description: ONSEMI - 1N5349BG - Zener-Diode, 12 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
на замовлення 27099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TIP42G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP42G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 6 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - TIP42G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 6 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TIP42BG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP42BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - TIP42BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TIP42AG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP42AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - TIP42AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX79-C5V1 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C5V1 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
Description: ONSEMI - BZX79-C5V1 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
на замовлення 16672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N3442G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3442G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 7.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 117
Übergangsfrequenz ft: 80
Bauform - Transistor: TO-204AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N3442G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 7.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 117
Übergangsfrequenz ft: 80
Bauform - Transistor: TO-204AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| BCP56-10T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCP56-16T3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCP56T3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SBCP56T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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| 1N4002G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4002G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4002
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - 1N4002G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4002
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 21727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N4002RLG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4002RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - 1N4002RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 27747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQP4N90C |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| BF256B |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BF256B - JFET-Transistor, JFET, -30 V, 13 mA, -8 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 13mA
MSL: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -8V
Description: ONSEMI - BF256B - JFET-Transistor, JFET, -30 V, 13 mA, -8 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 13mA
MSL: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -8V
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| SB5100 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB5100 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 850 mV
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassspannung Vf max.: 850
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 5
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SB5100 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 850 mV
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassspannung Vf max.: 850
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 5
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| 2SC5707-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)