Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141184) > Сторінка 1813 з 2354

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1808 1809 1810 1811 1812 1813 1814 1815 1816 1817 1818 1880 2115 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RHRP15120-F102 RHRP15120-F102 ONSEMI 2907054.pdf Description: ONSEMI - RHRP15120-F102 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 15 A, Einfach, 3.2 V, 75 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3.2V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.72 грн
10+130.44 грн
100+97.61 грн
500+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP30120.. RHRP30120.. ONSEMI ONSM-S-A0013274899-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RHRP30120.. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, ultrakurze Erholzeit, 1.2 kV, 30 A, Einfach, 3.2 V, 65 ns
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Sperrverzögerungszeit: 65ns
rohsCompliant: YES
Durchlassstoßstrom: 300A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 3.2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.09 грн
10+196.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP15120 RHRP15120 ONSEMI ONSM-S-A0013274851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RHRP15120 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 15 A, Einfach, 3.2 V, 75 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3.2V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRP1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+169.48 грн
10+133.99 грн
100+103.82 грн
500+66.41 грн
1000+60.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP8120 RHRP8120 ONSEMI ONSM-S-A0013274643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RHRP8120 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 8 A, Einfach, 3.2 V, 70 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3.2V
Sperrverzögerungszeit: 70ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRP8
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.67 грн
10+107.37 грн
100+79.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP30120 RHRP30120 ONSEMI RHRP30120-D.PDF Description: ONSEMI - RHRP30120 - 30A, 1200V, HYPERFAST DIODE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP8120-F102 RHRP8120-F102 ONSEMI RHRP8120-D.PDF Description: ONSEMI - RHRP8120-F102 - 8A, 1200V, HYPERFAST DIODE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP30120-F102 RHRP30120-F102 ONSEMI RHRP30120-D.PDF Description: ONSEMI - RHRP30120-F102 - 30A, 1200V, HYPERFAST DIODE
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP1560-F102 RHRP1560-F102 ONSEMI RHRP1560-D.PDF Description: ONSEMI - RHRP1560-F102 - 15A, 600V, HYPERFAST DIODE
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56LT3G BAW56LT3G ONSEMI 2353747.pdf Description: ONSEMI - BAW56LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 58021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+8.70 грн
227+3.91 грн
249+3.57 грн
500+2.42 грн
1000+1.64 грн
5000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56WT1G BAW56WT1G ONSEMI 2255297.pdf Description: ONSEMI - BAW56WT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+8.47 грн
188+4.74 грн
224+3.98 грн
500+2.51 грн
1500+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56TT1G BAW56TT1G ONSEMI 2356008.pdf Description: ONSEMI - BAW56TT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+8.43 грн
160+5.56 грн
188+4.72 грн
500+3.13 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 FDPF18N50 ONSEMI ONSM-S-A0013339630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+274.19 грн
10+135.76 грн
100+133.10 грн
500+121.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E ONSEMI ONSM-S-A0003584187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.25 грн
10+185.46 грн
100+151.74 грн
500+131.01 грн
1000+116.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB0540T1G NRVB0540T1G ONSEMI ONSM-S-A0013576924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NRVB0540T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 620 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 620mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 41838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+29.11 грн
69+13.04 грн
100+11.45 грн
500+9.31 грн
1500+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB0540T1G NRVB0540T1G ONSEMI ONSM-S-A0013576924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NRVB0540T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 620 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 620mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 41838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.45 грн
500+9.31 грн
1500+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BD437G BD437G ONSEMI ONSM-S-A0011394656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD437G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 4 A, 36 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.67 грн
11+81.28 грн
100+54.04 грн
500+40.21 грн
1000+30.96 грн
5000+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BD439G BD439G ONSEMI 1916287.pdf Description: ONSEMI - BD439G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.02 грн
12+77.29 грн
100+53.33 грн
500+40.54 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BD438S BD438S ONSEMI ONSMS37594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD438S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+79.42 грн
15+62.74 грн
100+42.50 грн
500+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BD433S BD433S ONSEMI BD437-D.pdf Description: ONSEMI - BD433S - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436S BD436S ONSEMI BD438-D.pdf Description: ONSEMI - BD436S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 36
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 32
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSP44BU KSP44BU ONSEMI ONSM-S-A0003590732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSP44BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+43.21 грн
32+27.77 грн
100+15.53 грн
500+11.12 грн
1000+8.52 грн
5000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
ONA10IVGEVB ONA10IVGEVB ONSEMI 2867665.pdf Description: ONSEMI - ONA10IVGEVB - EVAL.BOARD, AUDIOVERSTÄRKER CLASS-D
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCA-ONA10IVUCX
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCA-ONA10IVUCX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Audio-Leistungsverstärker, Klasse D
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16897.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7688SJX FAN7688SJX ONSEMI fan7688-d.pdf Description: ONSEMI - FAN7688SJX - PFM-Controller, 0V bis 18V Vdd Versorgungsspannung, 0V bis 5V Vb Versorgungsspannung, SOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: PFM-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+282.18 грн
10+182.79 грн
50+155.29 грн
100+116.18 грн
250+94.31 грн
500+85.95 грн
1000+82.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7688SJX FAN7688SJX ONSEMI fan7688-d.pdf Description: ONSEMI - FAN7688SJX - PFM-Controller, 0V bis 18V Vdd Versorgungsspannung, 0V bis 5V Vb Versorgungsspannung, SOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: PFM-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.18 грн
250+94.31 грн
500+85.95 грн
1000+82.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20061SN2T1G NCS20061SN2T1G ONSEMI 2729192.pdf Description: ONSEMI - NCS20061SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+34.96 грн
37+24.14 грн
100+18.55 грн
500+15.16 грн
1000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3557-6-TB-E ONSEMI ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - TRANSISTOR, JFET, N-KANAL, 15V, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+41.44 грн
26+35.05 грн
100+24.31 грн
500+17.22 грн
1000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAF ES2DAF ONSEMI ONSM-S-A0013749936-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ES2DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+17.84 грн
51+17.48 грн
100+17.39 грн
500+16.07 грн
1000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAF ES2DAF ONSEMI ONSM-S-A0013749936-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ES2DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.39 грн
500+16.07 грн
1000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC548BU BC548BU ONSEMI ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC548BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 9421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+33.45 грн
34+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
1N4741ATR 1N4741ATR ONSEMI 3658796.pdf Description: ONSEMI - 1N4741ATR - Zener-Diode, 11 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+13.67 грн
107+8.34 грн
205+4.34 грн
500+3.96 грн
1000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
ALS-GEVB ALS-GEVB ONSEMI ALS-GEVB_Web.pdf Description: ONSEMI - ALS-GEVB - Evaluationsboard, Umgebungslichtsensor (ALS)-Shield, 16-Bit-ADC, digitale 2-Draht-I2C-Schnittstelle
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NOA1305 
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Umgebungslichtsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: NOA1305
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.58 грн
5+991.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SECO-RANGEFINDER-GEVK SECO-RANGEFINDER-GEVK ONSEMI Description: ONSEMI - SECO-RANGEFINDER-GEVK - Development Kit, MICRORB-10010-MLP/NSVF4015SG4/NBA3N012C/NCP81074A, SiPM dToF LiDAR
Prozessorkern: MICRORB-10010-MLP/NSVF4015SG4/NBA3N012C/NCP81074A
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Development Kit MICRORB-10010-MLP/NSVF4015SG4/NBA3N012C/NCP81074A
Unterart Anwendung: SiPM-dToF (Direct Time of Flight)-LiDAR-Plattform
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+54502.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP4N60 FCP4N60 ONSEMI fcp4n60-d.pdf FAIR-S-A0002365442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FCP4N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V40T1G RB751V40T1G ONSEMI rb751v40t1-d.pdf Description: ONSEMI - RB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB751
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+10.65 грн
126+7.07 грн
250+5.74 грн
1000+3.53 грн
9000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI fqpf9n90c-d.pdf Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+425.04 грн
10+209.42 грн
100+200.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2N5684G 2N5684G ONSEMI ONSM-S-A0013776947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5684G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1205.91 грн
5+1041.75 грн
10+876.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5686G 2N5686G ONSEMI ONSM-S-A0013776947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1648.70 грн
5+1416.22 грн
10+1183.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SS36FA SS36FA ONSEMI 2552647.pdf Description: ONSEMI - SS36FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+50.93 грн
24+37.09 грн
100+26.98 грн
500+19.20 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SS36FA SS36FA ONSEMI 2552647.pdf Description: ONSEMI - SS36FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.98 грн
500+19.20 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB120VLSFT1G NRVB120VLSFT1G ONSEMI mbr120vlsft1-d.pdf Description: ONSEMI - NRVB120VLSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 340 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 45A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 340mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+62.65 грн
23+39.13 грн
100+25.38 грн
500+18.04 грн
1000+15.14 грн
5000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB120VLSFT1G NRVB120VLSFT1G ONSEMI mbr120vlsft1-d.pdf Description: ONSEMI - NRVB120VLSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 340 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 45A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 340mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.38 грн
500+18.04 грн
1000+15.14 грн
5000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-04LT1G BAS70-04LT1G ONSEMI 2236823.pdf Description: ONSEMI - BAS70-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+10.38 грн
151+5.91 грн
200+4.44 грн
500+3.55 грн
1500+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G BD137G ONSEMI ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.54 грн
26+34.61 грн
100+31.68 грн
500+24.80 грн
1000+19.32 грн
5000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BD138G BD138G ONSEMI ONSM-S-A0013215037-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.22 грн
11+84.03 грн
100+56.08 грн
500+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BD136G BD136G ONSEMI ONSM-S-A0013215037-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD136G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.68 грн
14+65.13 грн
100+53.77 грн
500+39.14 грн
1000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BD135G BD135G ONSEMI ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD135G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.27 грн
15+62.56 грн
100+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z ONSEMI ONSM-S-A0013180146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 80V TO-226AA-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+50.40 грн
50+30.17 грн
100+19.79 грн
500+13.84 грн
1000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1124DR2G NCV1124DR2G ONSEMI 686201.pdf Description: ONSEMI - NCV1124DR2G - VR-Sensor (variable Reluktanz), 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Induktivgeber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.73 грн
10+167.71 грн
25+152.62 грн
50+132.66 грн
100+113.33 грн
250+105.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-E 2SC5706-E ONSEMI ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5706-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 400MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 5A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-H 2SC5706-TL-H ONSEMI ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.17 грн
10+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E ONSEMI ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-E 2SA1552S-TL-E ONSEMI ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.60 грн
14+66.46 грн
100+44.10 грн
500+39.72 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-H 2SA1552S-TL-H ONSEMI ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+143.75 грн
10+92.28 грн
100+61.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-H 2SA1552S-TL-H ONSEMI ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-E 2SA1552S-TL-E ONSEMI ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.10 грн
500+39.72 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1593S-E 2SA1593S-E ONSEMI EN2511-D.PDF Description: ONSEMI - 2SA1593S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1593T-TL-E 2SA1593T-TL-E ONSEMI EN2511-D.PDF Description: ONSEMI - 2SA1593T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401BU 2N4401BU ONSEMI 2303839.pdf Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TF 2N4401TF ONSEMI ONSM-S-A0013298742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N4401TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 999mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+23.87 грн
69+12.96 грн
103+8.70 грн
500+6.17 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TFR 2N4401TFR ONSEMI ONSM-S-A0013298742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+14.46 грн
106+8.44 грн
127+6.99 грн
500+5.46 грн
1000+4.75 грн
5000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP15120-F102 2907054.pdf
RHRP15120-F102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRP15120-F102 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 15 A, Einfach, 3.2 V, 75 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3.2V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.72 грн
10+130.44 грн
100+97.61 грн
500+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP30120.. ONSM-S-A0013274899-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RHRP30120..
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRP30120.. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, ultrakurze Erholzeit, 1.2 kV, 30 A, Einfach, 3.2 V, 65 ns
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Sperrverzögerungszeit: 65ns
rohsCompliant: YES
Durchlassstoßstrom: 300A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 3.2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+267.09 грн
10+196.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP15120 ONSM-S-A0013274851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RHRP15120
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRP15120 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 15 A, Einfach, 3.2 V, 75 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3.2V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRP1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+169.48 грн
10+133.99 грн
100+103.82 грн
500+66.41 грн
1000+60.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP8120 ONSM-S-A0013274643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RHRP8120
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRP8120 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 8 A, Einfach, 3.2 V, 70 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3.2V
Sperrverzögerungszeit: 70ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRP8
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.67 грн
10+107.37 грн
100+79.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP30120 RHRP30120-D.PDF
RHRP30120
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRP30120 - 30A, 1200V, HYPERFAST DIODE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP8120-F102 RHRP8120-D.PDF
RHRP8120-F102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRP8120-F102 - 8A, 1200V, HYPERFAST DIODE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP30120-F102 RHRP30120-D.PDF
RHRP30120-F102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRP30120-F102 - 30A, 1200V, HYPERFAST DIODE
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP1560-F102 RHRP1560-D.PDF
RHRP1560-F102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRP1560-F102 - 15A, 600V, HYPERFAST DIODE
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56LT3G 2353747.pdf
BAW56LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAW56LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 58021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+8.70 грн
227+3.91 грн
249+3.57 грн
500+2.42 грн
1000+1.64 грн
5000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56WT1G 2255297.pdf
BAW56WT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAW56WT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+8.47 грн
188+4.74 грн
224+3.98 грн
500+2.51 грн
1500+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56TT1G 2356008.pdf
BAW56TT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAW56TT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+8.43 грн
160+5.56 грн
188+4.72 грн
500+3.13 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 ONSM-S-A0013339630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF18N50
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+274.19 грн
10+135.76 грн
100+133.10 грн
500+121.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E ONSM-S-A0003584187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCPF260N60E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.25 грн
10+185.46 грн
100+151.74 грн
500+131.01 грн
1000+116.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB0540T1G ONSM-S-A0013576924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NRVB0540T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB0540T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 620 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 620mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 41838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+29.11 грн
69+13.04 грн
100+11.45 грн
500+9.31 грн
1500+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB0540T1G ONSM-S-A0013576924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NRVB0540T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB0540T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 620 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 620mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 41838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.45 грн
500+9.31 грн
1500+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BD437G ONSM-S-A0011394656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD437G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD437G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 4 A, 36 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.67 грн
11+81.28 грн
100+54.04 грн
500+40.21 грн
1000+30.96 грн
5000+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BD439G 1916287.pdf
BD439G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD439G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.02 грн
12+77.29 грн
100+53.33 грн
500+40.54 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BD438S ONSMS37594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD438S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD438S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+79.42 грн
15+62.74 грн
100+42.50 грн
500+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BD433S BD437-D.pdf
BD433S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD433S - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436S BD438-D.pdf
BD436S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD436S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 36
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 32
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSP44BU ONSM-S-A0003590732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSP44BU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP44BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+43.21 грн
32+27.77 грн
100+15.53 грн
500+11.12 грн
1000+8.52 грн
5000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
ONA10IVGEVB 2867665.pdf
ONA10IVGEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ONA10IVGEVB - EVAL.BOARD, AUDIOVERSTÄRKER CLASS-D
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCA-ONA10IVUCX
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCA-ONA10IVUCX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Audio-Leistungsverstärker, Klasse D
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16897.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7688SJX fan7688-d.pdf
FAN7688SJX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN7688SJX - PFM-Controller, 0V bis 18V Vdd Versorgungsspannung, 0V bis 5V Vb Versorgungsspannung, SOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: PFM-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+282.18 грн
10+182.79 грн
50+155.29 грн
100+116.18 грн
250+94.31 грн
500+85.95 грн
1000+82.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7688SJX fan7688-d.pdf
FAN7688SJX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN7688SJX - PFM-Controller, 0V bis 18V Vdd Versorgungsspannung, 0V bis 5V Vb Versorgungsspannung, SOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: PFM-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.18 грн
250+94.31 грн
500+85.95 грн
1000+82.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20061SN2T1G 2729192.pdf
NCS20061SN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20061SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+34.96 грн
37+24.14 грн
100+18.55 грн
500+15.16 грн
1000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3557-6-TB-E ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - TRANSISTOR, JFET, N-KANAL, 15V, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+41.44 грн
26+35.05 грн
100+24.31 грн
500+17.22 грн
1000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAF ONSM-S-A0013749936-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ES2DAF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.84 грн
51+17.48 грн
100+17.39 грн
500+16.07 грн
1000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAF ONSM-S-A0013749936-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ES2DAF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.39 грн
500+16.07 грн
1000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC548BU ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC548BU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC548BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 9421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+33.45 грн
34+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
1N4741ATR 3658796.pdf
1N4741ATR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4741ATR - Zener-Diode, 11 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+13.67 грн
107+8.34 грн
205+4.34 грн
500+3.96 грн
1000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
ALS-GEVB ALS-GEVB_Web.pdf
ALS-GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ALS-GEVB - Evaluationsboard, Umgebungslichtsensor (ALS)-Shield, 16-Bit-ADC, digitale 2-Draht-I2C-Schnittstelle
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NOA1305 
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Umgebungslichtsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: NOA1305
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1011.58 грн
5+991.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SECO-RANGEFINDER-GEVK
SECO-RANGEFINDER-GEVK
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-RANGEFINDER-GEVK - Development Kit, MICRORB-10010-MLP/NSVF4015SG4/NBA3N012C/NCP81074A, SiPM dToF LiDAR
Prozessorkern: MICRORB-10010-MLP/NSVF4015SG4/NBA3N012C/NCP81074A
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Development Kit MICRORB-10010-MLP/NSVF4015SG4/NBA3N012C/NCP81074A
Unterart Anwendung: SiPM-dToF (Direct Time of Flight)-LiDAR-Plattform
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+54502.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP4N60 fcp4n60-d.pdf FAIR-S-A0002365442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP4N60
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP4N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V40T1G rb751v40t1-d.pdf
RB751V40T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB751
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+10.65 грн
126+7.07 грн
250+5.74 грн
1000+3.53 грн
9000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C fqpf9n90c-d.pdf
FQP9N90C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+425.04 грн
10+209.42 грн
100+200.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2N5684G ONSM-S-A0013776947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5684G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5684G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1205.91 грн
5+1041.75 грн
10+876.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5686G ONSM-S-A0013776947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5686G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1648.70 грн
5+1416.22 грн
10+1183.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SS36FA 2552647.pdf
SS36FA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS36FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+50.93 грн
24+37.09 грн
100+26.98 грн
500+19.20 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SS36FA 2552647.pdf
SS36FA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS36FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.98 грн
500+19.20 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB120VLSFT1G mbr120vlsft1-d.pdf
NRVB120VLSFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB120VLSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 340 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 45A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 340mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+62.65 грн
23+39.13 грн
100+25.38 грн
500+18.04 грн
1000+15.14 грн
5000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB120VLSFT1G mbr120vlsft1-d.pdf
NRVB120VLSFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB120VLSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 340 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 45A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 340mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.38 грн
500+18.04 грн
1000+15.14 грн
5000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-04LT1G 2236823.pdf
BAS70-04LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS70-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
86+10.38 грн
151+5.91 грн
200+4.44 грн
500+3.55 грн
1500+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD137G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.54 грн
26+34.61 грн
100+31.68 грн
500+24.80 грн
1000+19.32 грн
5000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BD138G ONSM-S-A0013215037-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD138G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.22 грн
11+84.03 грн
100+56.08 грн
500+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BD136G ONSM-S-A0013215037-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD136G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD136G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.68 грн
14+65.13 грн
100+53.77 грн
500+39.14 грн
1000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BD135G ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD135G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD135G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.27 грн
15+62.56 грн
100+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z ONSM-S-A0013180146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 80V TO-226AA-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+50.40 грн
50+30.17 грн
100+19.79 грн
500+13.84 грн
1000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1124DR2G 686201.pdf
NCV1124DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1124DR2G - VR-Sensor (variable Reluktanz), 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Induktivgeber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.73 грн
10+167.71 грн
25+152.62 грн
50+132.66 грн
100+113.33 грн
250+105.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-E ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5706-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5706-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 400MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 5A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-H ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5706-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.17 грн
10+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-E ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5706-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-E ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1552S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.60 грн
14+66.46 грн
100+44.10 грн
500+39.72 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-H ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1552S-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+143.75 грн
10+92.28 грн
100+61.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-H ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1552S-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-E ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1552S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.10 грн
500+39.72 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1593S-E EN2511-D.PDF
2SA1593S-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1593S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1593T-TL-E EN2511-D.PDF
2SA1593T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1593T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401BU 2303839.pdf
2N4401BU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TF ONSM-S-A0013298742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N4401TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 999mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+23.87 грн
69+12.96 грн
103+8.70 грн
500+6.17 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TFR ONSM-S-A0013298742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N4401TFR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+14.46 грн
106+8.44 грн
127+6.99 грн
500+5.46 грн
1000+4.75 грн
5000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1808 1809 1810 1811 1812 1813 1814 1815 1816 1817 1818 1880 2115 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]