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NCP5181PG NCP5181PG ONSEMI 2160893.pdf Description: ONSEMI - NCP5181PG - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.2Aout, 100ns Verzögerung, DIP-8
Sinkstrom: 2.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 1.4
Bauform - Treiber: PDIP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
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NCP5111DR2G NCP5111DR2G ONSEMI 2160868.pdf Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.01 грн
250+51.21 грн
500+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP5111DR2G NCP5111DR2G ONSEMI 2160868.pdf Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.13 грн
10+101.70 грн
50+81.19 грн
100+63.01 грн
250+51.21 грн
500+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
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NCV7718CDQR2G ONSEMI 2850004.pdf Description: ONSEMI - NCV7718CDQR2G - HEX HALF-BRIDGE DRIVER
Ausgangsstrom: 550
Motortyp: Halbbrücke
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.15
Bauform - Treiber: SSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NCV7718CDQR2G ONSEMI 2850004.pdf Description: ONSEMI - NCV7718CDQR2G - HEX HALF-BRIDGE DRIVER
Ausgangsstrom: 550
Motortyp: Halbbrücke
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.15
Bauform - Treiber: SSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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LV88553JAGEVB ONSEMI Description: ONSEMI - LV88553JAGEVB - EVALUATIONSBOARD, 1-PHASEN-BLDC-MOTOR
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: LV88553JA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LV88553JA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8661.89 грн
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LV88551JAGEVB LV88551JAGEVB ONSEMI lv88551-d.pdf Description: ONSEMI - LV88551JAGEVB - EVALUATIONSBOARD, 1-PHASEN-BLDC-MOTOR
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: LV88551JA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LV88551JA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8661.89 грн
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LV88554JAGEVB ONSEMI LV88551-D.PDF Description: ONSEMI - LV88554JAGEVB - EVALUATIONSBOARD, 1-PHASEN-BLDC-MOTOR
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: LV88554JA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LV88554JA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8661.89 грн
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LV88552JAGEVB ONSEMI LV88551-D.PDF Description: ONSEMI - LV88552JAGEVB - EVALUATIONSBOARD, 1-PHASEN-BLDC-MOTOR
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: LV88552JA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LV88552JA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8661.89 грн
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NC7WB3125K8X ONSEMI 2907178.pdf Description: ONSEMI - NC7WB3125K8X - Bus-Schalter, 2 Kanäle, Bus-Switch, 20 ohm, US8, 8 Pin(s)
Schaltertyp: Bus-Switch
Bauform - Logikbaustein: US8
Ausgangsstrom: -
Anzahl der Kanäle: 2
Versorgungsspannung, min.: 4
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Durchlasswiderstand, max.: 20
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FQP3N50C-F080 FQP3N50C-F080 ONSEMI FQP3N50C-D.PDF Description: ONSEMI - FQP3N50C-F080 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FDD5612 FDD5612 ONSEMI 2298435.pdf Description: ONSEMI - FDD5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 11331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.30 грн
11+77.94 грн
100+56.24 грн
500+43.09 грн
1000+34.58 грн
5000+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
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NRVUS1DFA NRVUS1DFA ONSEMI US1MFA-D.PDF Description: ONSEMI - NRVUS1DFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 50 ns, 30 A
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950
Sperrverzögerungszeit: 50
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NSVD4001DR2G NSVD4001DR2G ONSEMI 1796581.pdf Description: ONSEMI - NSVD4001DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, AEC-Q101, konstanter LED-Strom, bis zu 30Vin, 30V/500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.03 грн
11+83.50 грн
100+54.53 грн
500+39.36 грн
1000+31.13 грн
2500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
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NSVD4001DR2G NSVD4001DR2G ONSEMI 1796581.pdf Description: ONSEMI - NSVD4001DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, AEC-Q101, konstanter LED-Strom, bis zu 30Vin, 30V/500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.53 грн
500+39.36 грн
1000+31.13 грн
2500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP5106BDR2G NCP5106BDR2G ONSEMI 2290238.pdf Description: ONSEMI - NCP5106BDR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 250
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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BDX34CG BDX34CG ONSEMI 1912254.pdf Description: ONSEMI - BDX34CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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LV8813G-AH LV8813G-AH ONSEMI 2118266.pdf Description: ONSEMI - LV8813G-AH - Motortreiber, bürstenloser 3-Phasen-DC-Motor, 6V-16V Versorgungsspannung, 20V/2A/1 Ausgang, TSSOP-20
Ausgangsstrom: 2
Motortyp: Bürstenloser Drehstrommotor (DC)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 20
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 6
Bauform - Treiber: TSSOP
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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LV8813G-AH LV8813G-AH ONSEMI 2118266.pdf Description: ONSEMI - LV8813G-AH - Motortreiber, bürstenloser 3-Phasen-DC-Motor, 6V-16V Versorgungsspannung, 20V/2A/1 Ausgang, TSSOP-20
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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RSL10-SIP-001GEVB RSL10-SIP-001GEVB ONSEMI 2711448.pdf Description: ONSEMI - RSL10-SIP-001GEVB - Entwicklungsboard, RSL10 SiP (System In Package), Bluetooth Low Energy, boardinterner Debugger
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: RSL10-SIP
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluations-/Entwicklungsboard RSL10-SIP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A991.g
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4564.69 грн
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FDB8896 FDB8896 ONSEMI 2304401.pdf Description: ONSEMI - FDB8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 0.0049 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 93
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 80
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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NTSV20120CTG NTSV20120CTG ONSEMI 1915963.pdf Description: ONSEMI - NTSV20120CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 1.12 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.12V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NTSV2
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 250
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NCP301LSN30T1G NCP301LSN30T1G ONSEMI 2578395.pdf Description: ONSEMI - NCP301LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, 800mV-10V Versorgung, 3V Schwelle, 300ms Verzögerung, Active-Low, TSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 300ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCP301LSN30T1G NCP301LSN30T1G ONSEMI 2578395.pdf Description: ONSEMI - NCP301LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, 800mV-10V Versorgung, 3V Schwelle, 300ms Verzögerung, Active-Low, TSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 300ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FJP1943RTU FJP1943RTU ONSEMI ONSM-S-A0003586617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FJP1943RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.10 грн
10+196.57 грн
100+164.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5500DADJR2G NCP5500DADJR2G ONSEMI ncp5500-d.pdf Description: ONSEMI - NCP5500DADJR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.25V bis 5V/500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.54 грн
20+43.67 грн
100+32.99 грн
500+25.95 грн
1000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
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NCP5500DTADJRKG NCP5500DTADJRKG ONSEMI 1748771.pdf Description: ONSEMI - NCP5500DTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2V bis 16Vin, 230mV Dropout, 1.25V bis 5Vout/0.5Aout, TO-252-5
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.25
Eingangsspannung, max.: 16
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: Adj 500mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 230
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NCP5500DTADJRKG NCP5500DTADJRKG ONSEMI 1748771.pdf Description: ONSEMI - NCP5500DTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2V bis 16Vin, 230mV Dropout, 1.25V bis 5Vout/0.5Aout, TO-252-5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NCP5500DT33RKG NCP5500DT33RKG ONSEMI 1748771.pdf Description: ONSEMI - NCP5500DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 16Vin, 105mV Dropout, 3.3V/500mAout, TO-252-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 3.3
Ausgangsstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 16
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 230
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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NCP5500DT33RKG NCP5500DT33RKG ONSEMI 1748771.pdf Description: ONSEMI - NCP5500DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 16Vin, 105mV Dropout, 3.3V/500mAout, TO-252-5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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FGH4L50T65SQD FGH4L50T65SQD ONSEMI 3672836.pdf Description: ONSEMI - FGH4L50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.68 грн
10+196.57 грн
100+192.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
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2N5061G 2N5061G ONSEMI 1483418.pdf description Description: ONSEMI - 2N5061G - Thyristor, 60 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 60
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10
Zündstrom, max., Igt: 350
Zündspannung, max., Vgt: 1.2
Haltestrom Ih, max.: 5
MSL: -
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 320
Produktpalette: -
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 110
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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2N5060G 2N5060G ONSEMI 1483418.pdf description Description: ONSEMI - 2N5060G - Thyristor, 30 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 30
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10
Zündstrom, max., Igt: 350
Zündspannung, max., Vgt: 1.2
Haltestrom Ih, max.: 5
MSL: -
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 320
Produktpalette: -
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 110
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDS89141 FDS89141 ONSEMI fds89141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+256.40 грн
50+187.17 грн
100+132.47 грн
500+102.38 грн
1000+87.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
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FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI ONSM-S-A0013296834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.70 грн
10+96.58 грн
100+92.30 грн
500+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
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FQP6N40C FQP6N40C ONSEMI 2729259.pdf Description: ONSEMI - FQP6N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 6 A, 0.83 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 30
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FDA24N40F FDA24N40F ONSEMI 2304171.pdf Description: ONSEMI - FDA24N40F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 23 A, 0.15 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.29 грн
10+181.19 грн
100+178.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FDS6676AS FDS6676AS ONSEMI 2299839.pdf Description: ONSEMI - FDS6676AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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BZX84C20LT1G BZX84C20LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C20LT1G - Zener-Diode, 20 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+8.97 грн
181+4.73 грн
362+2.37 грн
500+2.12 грн
1500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 96
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FDT3N40TF FDT3N40TF ONSEMI 1863426.pdf Description: ONSEMI - FDT3N40TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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FDT3N40TF FDT3N40TF ONSEMI 1863426.pdf Description: ONSEMI - FDT3N40TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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KSD1616AGTA KSD1616AGTA ONSEMI 1863493.pdf Description: ONSEMI - KSD1616AGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: -
Verlustleistung: 750
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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2SD1623S-TD-E 2SD1623S-TD-E ONSEMI en1727-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.29 грн
19+47.18 грн
100+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
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2SD1628G-TD-E 2SD1628G-TD-E ONSEMI EN1781-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1628G-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 280
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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2SD1628G-TD-E 2SD1628G-TD-E ONSEMI EN1781-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1628G-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Verlustleistung: 500
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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2SD1624T-TD-H 2SD1624T-TD-H ONSEMI ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-H - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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2SD1628G-TD-H 2SD1628G-TD-H ONSEMI EN1781-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1628G-TD-H - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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FDB035N10A FDB035N10A ONSEMI 2729331.pdf Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.49 грн
10+388.01 грн
100+291.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
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FDB035N10A FDB035N10A ONSEMI 2729331.pdf Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+388.01 грн
100+291.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
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BAT54CWT1G BAT54CWT1G ONSEMI 4409140.pdf Description: ONSEMI - BAT54CWT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+8.51 грн
150+5.71 грн
155+5.53 грн
500+3.87 грн
1500+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 101
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NRVS3GB NRVS3GB ONSEMI Description: ONSEMI - NRVS3GB - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.15 V, 1.5 µs, 80 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.15
Sperrverzögerungszeit: 1.5
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NCP5661DTADJRKG NCP5661DTADJRKG ONSEMI 2255380.pdf Description: ONSEMI - NCP5661DTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2V bis 9V, 1V Dropout, 900mV bis 8V/1Aout, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 900mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 9V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.03 грн
10+99.14 грн
50+90.59 грн
100+69.04 грн
250+59.70 грн
500+57.43 грн
1000+55.60 грн
2500+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
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NCV5662DSADJR4G NCV5662DSADJR4G ONSEMI 1878387.pdf Description: ONSEMI - NCV5662DSADJR4G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2V bis 9V, 1 V Dropout, 0.9V bis 7V/2Aout, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 900mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 9V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 2A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 2A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.77 грн
10+134.18 грн
50+123.07 грн
100+102.38 грн
250+86.44 грн
500+84.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
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NCP58302DSADJR4G NCP58302DSADJR4G ONSEMI ncp58300-d.pdf Description: ONSEMI - NCP58302DSADJR4G - LDO-Spannungsregler, einstellbar 2V bis 13.5Vin, 370mV Dropout, 1.24V bis 12.9V/3Aout, TO-263-5
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 12.9
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.24
Eingangsspannung, max.: 13.5
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: Adj 3A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 370
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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P6KE9V1CA P6KE9V1CA ONSEMI 2281370.pdf Description: ONSEMI - P6KE9V1CA - TVS-Diode, TVS, P6KE9, Bidirektional, 7.78 V, 13.4 V, DO-15, 2 Pin(s)
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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P6KE9V1CA P6KE9V1CA ONSEMI 2281370.pdf Description: ONSEMI - P6KE9V1CA - TVS-Diode, TVS, P6KE9, Bidirektional, 7.78 V, 13.4 V, DO-15, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-15
Durchbruchspannung, min.: 8.65
Durchbruchspannung, max.: 9.55
Sperrspannung: 7.78
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE9
Betriebstemperatur, max.: 175
Klemmspannung, max.: 13.4
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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NCP5663DSADJR4G NCP5663DSADJR4G ONSEMI 1909036.pdf Description: ONSEMI - NCP5663DSADJR4G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2V bis 9V, 1V Dropout, 1.5V bis 7V/3Aout, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 7V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 9V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 3A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 3A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.55 грн
10+194.01 грн
50+165.80 грн
100+124.60 грн
250+101.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
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HUF75842P3 HUF75842P3 ONSEMI ONSM-S-A0003590300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75842P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 43
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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HUF75542P3 HUF75542P3 ONSEMI ONSM-S-A0003590065-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75542P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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HUF75639P3-F102 HUF75639P3-F102 ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639P3-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NCP5181PG 2160893.pdf
NCP5181PG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5181PG - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.2Aout, 100ns Verzögerung, DIP-8
Sinkstrom: 2.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 1.4
Bauform - Treiber: PDIP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+217.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
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NCP5111DR2G 2160868.pdf
NCP5111DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.01 грн
250+51.21 грн
500+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP5111DR2G 2160868.pdf
NCP5111DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.13 грн
10+101.70 грн
50+81.19 грн
100+63.01 грн
250+51.21 грн
500+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
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NCV7718CDQR2G 2850004.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7718CDQR2G - HEX HALF-BRIDGE DRIVER
Ausgangsstrom: 550
Motortyp: Halbbrücke
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.15
Bauform - Treiber: SSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NCV7718CDQR2G 2850004.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7718CDQR2G - HEX HALF-BRIDGE DRIVER
Ausgangsstrom: 550
Motortyp: Halbbrücke
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.15
Bauform - Treiber: SSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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LV88553JAGEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV88553JAGEVB - EVALUATIONSBOARD, 1-PHASEN-BLDC-MOTOR
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: LV88553JA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LV88553JA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8661.89 грн
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LV88551JAGEVB lv88551-d.pdf
LV88551JAGEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV88551JAGEVB - EVALUATIONSBOARD, 1-PHASEN-BLDC-MOTOR
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: LV88551JA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LV88551JA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8661.89 грн
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LV88554JAGEVB LV88551-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV88554JAGEVB - EVALUATIONSBOARD, 1-PHASEN-BLDC-MOTOR
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: LV88554JA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LV88554JA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8661.89 грн
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LV88552JAGEVB LV88551-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV88552JAGEVB - EVALUATIONSBOARD, 1-PHASEN-BLDC-MOTOR
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: LV88552JA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LV88552JA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8661.89 грн
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NC7WB3125K8X 2907178.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WB3125K8X - Bus-Schalter, 2 Kanäle, Bus-Switch, 20 ohm, US8, 8 Pin(s)
Schaltertyp: Bus-Switch
Bauform - Logikbaustein: US8
Ausgangsstrom: -
Anzahl der Kanäle: 2
Versorgungsspannung, min.: 4
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Durchlasswiderstand, max.: 20
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FQP3N50C-F080 FQP3N50C-D.PDF
FQP3N50C-F080
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP3N50C-F080 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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FDD5612 2298435.pdf
FDD5612
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 11331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.30 грн
11+77.94 грн
100+56.24 грн
500+43.09 грн
1000+34.58 грн
5000+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
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NRVUS1DFA US1MFA-D.PDF
NRVUS1DFA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVUS1DFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 50 ns, 30 A
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950
Sperrverzögerungszeit: 50
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD4001DR2G 1796581.pdf
NSVD4001DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVD4001DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, AEC-Q101, konstanter LED-Strom, bis zu 30Vin, 30V/500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.03 грн
11+83.50 грн
100+54.53 грн
500+39.36 грн
1000+31.13 грн
2500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD4001DR2G 1796581.pdf
NSVD4001DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVD4001DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, AEC-Q101, konstanter LED-Strom, bis zu 30Vin, 30V/500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.53 грн
500+39.36 грн
1000+31.13 грн
2500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP5106BDR2G 2290238.pdf
NCP5106BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5106BDR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 250
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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BDX34CG 1912254.pdf
BDX34CG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDX34CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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LV8813G-AH 2118266.pdf
LV8813G-AH
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV8813G-AH - Motortreiber, bürstenloser 3-Phasen-DC-Motor, 6V-16V Versorgungsspannung, 20V/2A/1 Ausgang, TSSOP-20
Ausgangsstrom: 2
Motortyp: Bürstenloser Drehstrommotor (DC)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 20
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 6
Bauform - Treiber: TSSOP
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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LV8813G-AH 2118266.pdf
LV8813G-AH
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV8813G-AH - Motortreiber, bürstenloser 3-Phasen-DC-Motor, 6V-16V Versorgungsspannung, 20V/2A/1 Ausgang, TSSOP-20
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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RSL10-SIP-001GEVB 2711448.pdf
RSL10-SIP-001GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RSL10-SIP-001GEVB - Entwicklungsboard, RSL10 SiP (System In Package), Bluetooth Low Energy, boardinterner Debugger
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: RSL10-SIP
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluations-/Entwicklungsboard RSL10-SIP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A991.g
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4564.69 грн
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FDB8896 2304401.pdf
FDB8896
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 0.0049 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 93
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 80
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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NTSV20120CTG 1915963.pdf
NTSV20120CTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTSV20120CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 1.12 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.12V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NTSV2
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 250
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NCP301LSN30T1G 2578395.pdf
NCP301LSN30T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP301LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, 800mV-10V Versorgung, 3V Schwelle, 300ms Verzögerung, Active-Low, TSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 300ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCP301LSN30T1G 2578395.pdf
NCP301LSN30T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP301LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, 800mV-10V Versorgung, 3V Schwelle, 300ms Verzögerung, Active-Low, TSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 300ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FJP1943RTU ONSM-S-A0003586617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FJP1943RTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP1943RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+258.10 грн
10+196.57 грн
100+164.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
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NCP5500DADJR2G ncp5500-d.pdf
NCP5500DADJR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5500DADJR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.25V bis 5V/500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.54 грн
20+43.67 грн
100+32.99 грн
500+25.95 грн
1000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
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NCP5500DTADJRKG 1748771.pdf
NCP5500DTADJRKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5500DTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2V bis 16Vin, 230mV Dropout, 1.25V bis 5Vout/0.5Aout, TO-252-5
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.25
Eingangsspannung, max.: 16
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: Adj 500mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 230
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NCP5500DTADJRKG 1748771.pdf
NCP5500DTADJRKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5500DTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2V bis 16Vin, 230mV Dropout, 1.25V bis 5Vout/0.5Aout, TO-252-5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NCP5500DT33RKG 1748771.pdf
NCP5500DT33RKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5500DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 16Vin, 105mV Dropout, 3.3V/500mAout, TO-252-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 3.3
Ausgangsstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 16
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 230
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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NCP5500DT33RKG 1748771.pdf
NCP5500DT33RKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5500DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 16Vin, 105mV Dropout, 3.3V/500mAout, TO-252-5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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FGH4L50T65SQD 3672836.pdf
FGH4L50T65SQD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH4L50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+354.68 грн
10+196.57 грн
100+192.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
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2N5061G description 1483418.pdf
2N5061G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5061G - Thyristor, 60 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 60
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10
Zündstrom, max., Igt: 350
Zündspannung, max., Vgt: 1.2
Haltestrom Ih, max.: 5
MSL: -
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 320
Produktpalette: -
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 110
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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2N5060G description 1483418.pdf
2N5060G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5060G - Thyristor, 30 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 30
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10
Zündstrom, max., Igt: 350
Zündspannung, max., Vgt: 1.2
Haltestrom Ih, max.: 5
MSL: -
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 320
Produktpalette: -
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 110
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDS89141 fds89141-d.pdf
FDS89141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+256.40 грн
50+187.17 грн
100+132.47 грн
500+102.38 грн
1000+87.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
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FQP11N40C ONSM-S-A0013296834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP11N40C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.70 грн
10+96.58 грн
100+92.30 грн
500+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
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FQP6N40C 2729259.pdf
FQP6N40C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP6N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 6 A, 0.83 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 30
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FDA24N40F 2304171.pdf
FDA24N40F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA24N40F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 23 A, 0.15 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+292.29 грн
10+181.19 грн
100+178.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FDS6676AS 2299839.pdf
FDS6676AS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6676AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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BZX84C20LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C20LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C20LT1G - Zener-Diode, 20 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+8.97 грн
181+4.73 грн
362+2.37 грн
500+2.12 грн
1500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 96
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FDT3N40TF 1863426.pdf
FDT3N40TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT3N40TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FDT3N40TF 1863426.pdf
FDT3N40TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT3N40TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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KSD1616AGTA 1863493.pdf
KSD1616AGTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1616AGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: -
Verlustleistung: 750
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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2SD1623S-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.29 грн
19+47.18 грн
100+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
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2SD1628G-TD-E EN1781-D.PDF
2SD1628G-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1628G-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 280
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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2SD1628G-TD-E EN1781-D.PDF
2SD1628G-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1628G-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Verlustleistung: 500
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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2SD1624T-TD-H ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1624T-TD-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-H - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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2SD1628G-TD-H EN1781-D.PDF
2SD1628G-TD-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1628G-TD-H - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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FDB035N10A 2729331.pdf
FDB035N10A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+567.49 грн
10+388.01 грн
100+291.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
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FDB035N10A 2729331.pdf
FDB035N10A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+388.01 грн
100+291.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
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BAT54CWT1G 4409140.pdf
BAT54CWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54CWT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+8.51 грн
150+5.71 грн
155+5.53 грн
500+3.87 грн
1500+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 101
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NRVS3GB
NRVS3GB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVS3GB - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.15 V, 1.5 µs, 80 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.15
Sperrverzögerungszeit: 1.5
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NCP5661DTADJRKG 2255380.pdf
NCP5661DTADJRKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5661DTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2V bis 9V, 1V Dropout, 900mV bis 8V/1Aout, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 900mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 9V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.03 грн
10+99.14 грн
50+90.59 грн
100+69.04 грн
250+59.70 грн
500+57.43 грн
1000+55.60 грн
2500+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
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NCV5662DSADJR4G 1878387.pdf
NCV5662DSADJR4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5662DSADJR4G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2V bis 9V, 1 V Dropout, 0.9V bis 7V/2Aout, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 900mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 9V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 2A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 2A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.77 грн
10+134.18 грн
50+123.07 грн
100+102.38 грн
250+86.44 грн
500+84.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
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NCP58302DSADJR4G ncp58300-d.pdf
NCP58302DSADJR4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP58302DSADJR4G - LDO-Spannungsregler, einstellbar 2V bis 13.5Vin, 370mV Dropout, 1.24V bis 12.9V/3Aout, TO-263-5
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 12.9
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.24
Eingangsspannung, max.: 13.5
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: Adj 3A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 370
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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P6KE9V1CA 2281370.pdf
P6KE9V1CA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - P6KE9V1CA - TVS-Diode, TVS, P6KE9, Bidirektional, 7.78 V, 13.4 V, DO-15, 2 Pin(s)
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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P6KE9V1CA 2281370.pdf
P6KE9V1CA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - P6KE9V1CA - TVS-Diode, TVS, P6KE9, Bidirektional, 7.78 V, 13.4 V, DO-15, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-15
Durchbruchspannung, min.: 8.65
Durchbruchspannung, max.: 9.55
Sperrspannung: 7.78
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE9
Betriebstemperatur, max.: 175
Klemmspannung, max.: 13.4
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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NCP5663DSADJR4G 1909036.pdf
NCP5663DSADJR4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5663DSADJR4G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2V bis 9V, 1V Dropout, 1.5V bis 7V/3Aout, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 7V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 9V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 3A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 3A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+302.55 грн
10+194.01 грн
50+165.80 грн
100+124.60 грн
250+101.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
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HUF75842P3 ONSM-S-A0003590300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HUF75842P3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75842P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 43
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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HUF75542P3 ONSM-S-A0003590065-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HUF75542P3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75542P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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HUF75639P3-F102 HUF75639S3S-D.PDF
HUF75639P3-F102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639P3-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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