| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTHD4508NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTR3C21NZT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTJS4405NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 630mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTP110N65S3HF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTH4L015N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 142A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP662SQ28T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP662SQ28T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 6Vin, 280mV Dropout, 2.8V/100mAout, SC82AB-4Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: 2.8 Ausgangsstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: SC-82AB Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsspannung, min.: 2.5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: 2.8V 100mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 280 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
LE25S161PCTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LE25S161PCTXG - Flash-Speicher, Serial-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit, SPI, UDFN, 8 Pin(s)Bauform - Speicherbaustein: UDFN Flash-Speicher: Serial-NOR MSL: MSL 2 - 1 Jahr Zugriffszeit: - IC-Schnittstelle: SPI Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Taktfrequenz: 70 Speicherkonfiguration Flash: 2M x 8 Bit Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 16 Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories Versorgungsspannung, max.: 1.95 Betriebstemperatur, max.: 90 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FJPF5027OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJPF5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 40 W, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJPF5027 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KSC5603DTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC5603DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 100 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NC7SZ14FHX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ14FHX - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ14Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: NC7SZ Bauform - Logikbaustein: MicroPak Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: NC7SZ14 Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 1 Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NC7SZ14L6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ14L6X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 7SZ Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: MLP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: MLP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: 7S14 productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NC7SZ14L6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ14L6X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 7SZ Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: MLP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: MLP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: 7S14 productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCV33274ADTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33274ADTBR2G - Operationsverstärker, 4 Verstärker, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)Versorgungsspannung: 3V bis 36V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: TSSOP Betriebstemperatur, min.: -40 Spannungsanstieg: 10 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: - Bandbreite: 24 Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NCV33274ADTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33274ADTBR2G - Operationsverstärker, 4 Verstärker, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
KSD880YTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD880YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KSD880 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KSD880O | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD880O - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NCP5106ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5106ADR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCV57081ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57081ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57081y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCV57081ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57081ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57081y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP5304DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5304DR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8Sinkstrom: 500 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Eingang: Nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: 250 Bauform - Treiber: NSOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 100 Ausgabeverzögerung: 100 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NCV57091ADWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57091ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCD57091ADWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57091ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCV57091CDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57091CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCV57091BDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCD57091CDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57091CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCV57081CDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57081CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57081y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCD57091BDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCV57081BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57081BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57081y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCV57252DWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57252DWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOICtariffCode: 85423919 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD440S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD440S - 4.0 A, 60 V PNP BIPOLAR POWER TRANSISTORSVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FOD819 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD819 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 100 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 100% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1SS351-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SS351-TB-E - HF-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 5 V, 30 mA, 230 mV, 0.69 pF, SOT-23 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe usEccn: EAR99 Sperrspannung: 5V Durchlassstrom If, max.: 30mA euEccn: NLR Durchlassspannung: 230mV Diodenkapazität: 0.69pF Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 30mA Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCV33035DWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33035DWR2G - Motorsteuerung, bürstenloser DC-Motor, 10V bis 30V Versorgungsspannung, 1 Ausgang, WSOIC-24tariffCode: 85423990 IC-Typ: Motorsteuerung rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Motortyp: Bürstenloser DC-Motor Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCV20166SN2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 6V/µs Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz Eingangsoffsetspannung: 50µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCV20166SN2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 6V/µs Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz Eingangsoffsetspannung: 50µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ESD7571N2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD7571N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 15 V, X2DFN, 2 Pin(s), 5.3 V, 300 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X2DFN rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5.3V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP114BSN330T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP114BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, 150mV Dropout, TSOP-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.7V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 300mA 3.3V LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 300mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 150mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 150mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP114BSN330T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP114BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, 150mV Dropout, TSOP-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.7V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 300mA 3.3V LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 300mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 150mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 150mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP303LSN28T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP303LSN28T1G - Spannungswächter, Active-Low, Open-Drain, 800mV bis 10V, 2.8V Schwellenspannung, 1 Wächter, TSOP-5Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low, Open-Drain Verzögerungszeit: - Bauform - digitaler IC: TSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 800 Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 10 Schwellenspannung: 2.8 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP303LSN28T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP303LSN28T1G - Spannungswächter, Active-Low, Open-Drain, 800mV bis 10V, 2.8V Schwellenspannung, 1 Wächter, TSOP-5SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NLVHC1G14DFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVHC1G14DFT1G - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G14Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74HC Bauform - Logikbaustein: SC-88A Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 74HC1G14 Versorgungsspannung, max.: 6 Anzahl der Eingänge: 1 Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NLVHC1G14DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVHC1G14DFT2G - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G14Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74HC Bauform - Logikbaustein: SC-88A Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 74HC1G14 Versorgungsspannung, max.: 6 Anzahl der Eingänge: 1 Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FFSD08120A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 55nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FFSP0865A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSP0865A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 27 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 27nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD242CG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD242CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FJA4310OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJA4310OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJA4310 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT2955 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 19970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NVF2955T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KSP94TA. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSP94TA. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 300 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 300 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
KSP94TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSP94TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 300 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 300 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NC7SP04P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SP04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2.6mA, 0.9V bis 3.6V, SC-70-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 7SP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2.6mA IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 900mV euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 7S04 productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Eins |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCL2801LED2GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCL2801LED2GEVB - Evaluationsboard, NCL2801CDADR2G/NCP13992AADR2G, 150W-LED-Treiber, Deep-DimmingtariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Demoboard NCL2801CDADR2G/NCP13992AADR2G hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1.5A usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 50V Core-Chip: NCL2801CDADR2G Eingangsspannung, max.: 305VAC Dimmsteuerung: - euEccn: NLR Bausteintopologie: Boost (Aufwärts) Eingangsspannung, min.: 90VAC Produktpalette: - productTraceability: No Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FQP16N25 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP16N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 16 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 142 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 142 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
AP0100AT2L00XUGA0-DR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AP0100AT2L00XUGA0-DR1 - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MPMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
AP0102AT2L00XPGA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AP0102AT2L00XPGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MPMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
AP0101AT2L00XPGA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AP0101AT2L00XPGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MPMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
AP0101AT2L00XPGA0-TR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AP0101AT2L00XPGA0-TR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MPMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
AP0100AT2L00XUGA0-TR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AP0100AT2L00XUGA0-TR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MPMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
AP0100AT2L00XUGA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AP0100AT2L00XUGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MPMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
AP0100CS2L00SUGA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AP0100CS2L00SUGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MPMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| NTHD4508NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 113.04 грн |
| 11+ | 86.90 грн |
| 100+ | 62.88 грн |
| 500+ | 49.53 грн |
| NTR3C21NZT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 42.04 грн |
| 26+ | 34.09 грн |
| 100+ | 22.96 грн |
| 500+ | 16.98 грн |
| 1000+ | 12.11 грн |
| 3000+ | 10.52 грн |
| 6000+ | 9.99 грн |
| 12000+ | 9.76 грн |
| NTJS4405NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 39.65 грн |
| 36+ | 24.90 грн |
| 100+ | 13.69 грн |
| 500+ | 12.14 грн |
| 1000+ | 10.60 грн |
| NTP110N65S3HF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTP110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 394.76 грн |
| 10+ | 332.94 грн |
| 25+ | 287.90 грн |
| 100+ | 224.70 грн |
| NTH4L015N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2089.51 грн |
| 5+ | 1887.27 грн |
| 10+ | 1684.15 грн |
| 50+ | 1532.69 грн |
| 100+ | 1386.02 грн |
| NCP662SQ28T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP662SQ28T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 6Vin, 280mV Dropout, 2.8V/100mAout, SC82AB-4
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 2.8
Ausgangsstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SC-82AB
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: 2.8V 100mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 280
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP662SQ28T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 6Vin, 280mV Dropout, 2.8V/100mAout, SC82AB-4
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 2.8
Ausgangsstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SC-82AB
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: 2.8V 100mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 280
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| LE25S161PCTXG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LE25S161PCTXG - Flash-Speicher, Serial-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit, SPI, UDFN, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: UDFN
Flash-Speicher: Serial-NOR
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Taktfrequenz: 70
Speicherkonfiguration Flash: 2M x 8 Bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 16
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 1.95
Betriebstemperatur, max.: 90
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - LE25S161PCTXG - Flash-Speicher, Serial-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit, SPI, UDFN, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: UDFN
Flash-Speicher: Serial-NOR
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Taktfrequenz: 70
Speicherkonfiguration Flash: 2M x 8 Bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 16
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 1.95
Betriebstemperatur, max.: 90
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FJPF5027OTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJPF5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJPF5027
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FJPF5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJPF5027
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 115.69 грн |
| 14+ | 65.53 грн |
| 100+ | 59.26 грн |
| 500+ | 50.68 грн |
| KSC5603DTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC5603DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - KSC5603DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 149.25 грн |
| 10+ | 106.86 грн |
| 100+ | 64.03 грн |
| 500+ | 48.38 грн |
| NC7SZ14FHX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ14FHX - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ14
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7SZ14FHX - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ14
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NC7SZ14L6X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ14L6X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7S14
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NC7SZ14L6X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7S14
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.92 грн |
| 500+ | 6.88 грн |
| 1000+ | 5.85 грн |
| NC7SZ14L6X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ14L6X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7S14
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NC7SZ14L6X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7S14
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 51+ | 17.57 грн |
| 76+ | 11.75 грн |
| 100+ | 8.92 грн |
| 500+ | 6.88 грн |
| 1000+ | 5.85 грн |
| NCV33274ADTBR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33274ADTBR2G - Operationsverstärker, 4 Verstärker, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
Versorgungsspannung: 3V bis 36V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 10
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 24
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV33274ADTBR2G - Operationsverstärker, 4 Verstärker, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
Versorgungsspannung: 3V bis 36V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 10
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 24
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCV33274ADTBR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33274ADTBR2G - Operationsverstärker, 4 Verstärker, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV33274ADTBR2G - Operationsverstärker, 4 Verstärker, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KSD880YTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD880YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSD880
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - KSD880YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSD880
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 106.86 грн |
| 20+ | 46.28 грн |
| 100+ | 42.57 грн |
| KSD880O |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD880O - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - KSD880O - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCP5106ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5106ADR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP5106ADR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 132.47 грн |
| 10+ | 98.03 грн |
| 50+ | 88.14 грн |
| NCV57081ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57081ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV57081ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 544.90 грн |
| 10+ | 360.32 грн |
| 25+ | 312.63 грн |
| 50+ | 267.34 грн |
| 100+ | 203.63 грн |
| 250+ | 181.67 грн |
| 500+ | 172.59 грн |
| NCV57081ADR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57081ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV57081ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 360.32 грн |
| 25+ | 312.63 грн |
| 50+ | 267.34 грн |
| 100+ | 203.63 грн |
| 250+ | 181.67 грн |
| 500+ | 172.59 грн |
| NCP5304DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5304DR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 250
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP5304DR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 250
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCV57091ADWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57091ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCV57091ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 358.55 грн |
| 10+ | 233.15 грн |
| 25+ | 200.47 грн |
| 50+ | 171.39 грн |
| 100+ | 127.93 грн |
| 250+ | 114.30 грн |
| 500+ | 110.52 грн |
| NCD57091ADWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57091ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCD57091ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 272.89 грн |
| 10+ | 218.14 грн |
| 25+ | 205.77 грн |
| 50+ | 162.37 грн |
| 100+ | 123.39 грн |
| 250+ | 111.28 грн |
| 500+ | 106.73 грн |
| NCV57091CDWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57091CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCV57091CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 358.55 грн |
| 10+ | 233.15 грн |
| 25+ | 200.47 грн |
| 50+ | 171.39 грн |
| 100+ | 127.93 грн |
| 250+ | 114.30 грн |
| 500+ | 110.52 грн |
| NCV57091BDWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCV57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 306.45 грн |
| 10+ | 198.71 грн |
| 25+ | 171.33 грн |
| 50+ | 144.33 грн |
| 100+ | 118.85 грн |
| 250+ | 105.22 грн |
| 500+ | 104.46 грн |
| 1000+ | 103.71 грн |
| NCD57091CDWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57091CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCD57091CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 272.89 грн |
| 10+ | 219.02 грн |
| 25+ | 205.77 грн |
| 50+ | 174.67 грн |
| 100+ | 145.34 грн |
| 250+ | 130.96 грн |
| 500+ | 125.66 грн |
| NCV57081CDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57081CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV57081CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 201.36 грн |
| NCD57091BDWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCD57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 272.89 грн |
| 10+ | 218.14 грн |
| 25+ | 205.77 грн |
| 50+ | 162.37 грн |
| 100+ | 123.39 грн |
| 250+ | 111.28 грн |
| 500+ | 106.73 грн |
| NCV57081BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57081BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV57081BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 245.51 грн |
| 10+ | 239.33 грн |
| 25+ | 233.15 грн |
| 50+ | 210.75 грн |
| 100+ | 188.49 грн |
| 250+ | 183.19 грн |
| 500+ | 177.89 грн |
| 1000+ | 172.59 грн |
| NCV57252DWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57252DWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCV57252DWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 234.03 грн |
| 10+ | 175.74 грн |
| 25+ | 161.61 грн |
| 50+ | 137.77 грн |
| 100+ | 114.30 грн |
| 250+ | 107.49 грн |
| 500+ | 102.95 грн |
| 1000+ | 99.92 грн |
| BD440S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD440S - 4.0 A, 60 V PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - BD440S - 4.0 A, 60 V PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FOD819 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD819 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FOD819 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 78.78 грн |
| 18+ | 50.34 грн |
| 25+ | 48.31 грн |
| 50+ | 42.97 грн |
| 100+ | 29.37 грн |
| 500+ | 26.65 грн |
| 1SS351-TB-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SS351-TB-E - HF-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 5 V, 30 mA, 230 mV, 0.69 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5V
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 230mV
Diodenkapazität: 0.69pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 30mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1SS351-TB-E - HF-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 5 V, 30 mA, 230 mV, 0.69 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5V
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 230mV
Diodenkapazität: 0.69pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 30mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 42.39 грн |
| 30+ | 29.59 грн |
| 100+ | 24.02 грн |
| 500+ | 16.98 грн |
| 1000+ | 13.78 грн |
| 5000+ | 10.22 грн |
| NCV33035DWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33035DWR2G - Motorsteuerung, bürstenloser DC-Motor, 10V bis 30V Versorgungsspannung, 1 Ausgang, WSOIC-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV33035DWR2G - Motorsteuerung, bürstenloser DC-Motor, 10V bis 30V Versorgungsspannung, 1 Ausgang, WSOIC-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 677.37 грн |
| 10+ | 525.47 грн |
| 25+ | 486.61 грн |
| 50+ | 429.71 грн |
| 100+ | 376.22 грн |
| 250+ | 361.08 грн |
| NCV20166SN2T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 6V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 50µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 6V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 50µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 76.13 грн |
| 17+ | 54.75 грн |
| 100+ | 43.36 грн |
| 500+ | 36.00 грн |
| 1000+ | 30.58 грн |
| NCV20166SN2T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 6V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 50µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 6V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 50µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 43.36 грн |
| 500+ | 36.00 грн |
| 1000+ | 30.58 грн |
| ESD7571N2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7571N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 15 V, X2DFN, 2 Pin(s), 5.3 V, 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X2DFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - ESD7571N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 15 V, X2DFN, 2 Pin(s), 5.3 V, 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X2DFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 31.09 грн |
| 43+ | 20.93 грн |
| 109+ | 8.17 грн |
| 500+ | 4.18 грн |
| NCP114BSN330T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP114BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, 150mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 3.3V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 150mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 150mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP114BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, 150mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 3.3V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 150mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 150mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.63 грн |
| 1000+ | 6.57 грн |
| NCP114BSN330T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP114BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, 150mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 3.3V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 150mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 150mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP114BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, 150mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 3.3V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 150mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 150mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 35.41 грн |
| 64+ | 13.87 грн |
| 101+ | 8.77 грн |
| 500+ | 7.63 грн |
| 1000+ | 6.57 грн |
| NCP303LSN28T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP303LSN28T1G - Spannungswächter, Active-Low, Open-Drain, 800mV bis 10V, 2.8V Schwellenspannung, 1 Wächter, TSOP-5
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low, Open-Drain
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 2.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP303LSN28T1G - Spannungswächter, Active-Low, Open-Drain, 800mV bis 10V, 2.8V Schwellenspannung, 1 Wächter, TSOP-5
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low, Open-Drain
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 2.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 62.61 грн |
| 17+ | 53.78 грн |
| 100+ | 37.18 грн |
| 500+ | 22.55 грн |
| NCP303LSN28T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP303LSN28T1G - Spannungswächter, Active-Low, Open-Drain, 800mV bis 10V, 2.8V Schwellenspannung, 1 Wächter, TSOP-5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP303LSN28T1G - Spannungswächter, Active-Low, Open-Drain, 800mV bis 10V, 2.8V Schwellenspannung, 1 Wächter, TSOP-5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 37.18 грн |
| 500+ | 22.55 грн |
| NLVHC1G14DFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVHC1G14DFT1G - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G14
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLVHC1G14DFT1G - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G14
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NLVHC1G14DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVHC1G14DFT2G - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G14
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLVHC1G14DFT2G - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G14
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FFSD08120A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 295.85 грн |
| 10+ | 265.82 грн |
| 100+ | 246.40 грн |
| 500+ | 209.93 грн |
| FFSP0865A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP0865A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FFSP0865A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 183.69 грн |
| 10+ | 136.00 грн |
| 100+ | 128.94 грн |
| 500+ | 112.35 грн |
| BD242CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD242CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BD242CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 111.28 грн |
| 17+ | 52.37 грн |
| 100+ | 45.92 грн |
| 500+ | 35.02 грн |
| 1000+ | 27.55 грн |
| FJA4310OTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJA4310OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJA4310
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FJA4310OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJA4310
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 300.27 грн |
| 10+ | 294.09 грн |
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 80.98 грн |
| 50+ | 54.67 грн |
| 250+ | 38.15 грн |
| 1000+ | 24.93 грн |
| 2000+ | 20.97 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 104.21 грн |
| 12+ | 74.10 грн |
| 100+ | 55.99 грн |
| 500+ | 42.81 грн |
| 1000+ | 35.96 грн |
| KSP94TA. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP94TA. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 300 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - KSP94TA. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 300 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KSP94TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP94TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 300 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - KSP94TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 300 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NC7SP04P5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SP04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2.6mA, 0.9V bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
Description: ONSEMI - NC7SP04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2.6mA, 0.9V bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 34.18 грн |
| 36+ | 24.82 грн |
| 100+ | 17.75 грн |
| NCL2801LED2GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL2801LED2GEVB - Evaluationsboard, NCL2801CDADR2G/NCP13992AADR2G, 150W-LED-Treiber, Deep-Dimming
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard NCL2801CDADR2G/NCP13992AADR2G
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Core-Chip: NCL2801CDADR2G
Eingangsspannung, max.: 305VAC
Dimmsteuerung: -
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 90VAC
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCL2801LED2GEVB - Evaluationsboard, NCL2801CDADR2G/NCP13992AADR2G, 150W-LED-Treiber, Deep-Dimming
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard NCL2801CDADR2G/NCP13992AADR2G
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Core-Chip: NCL2801CDADR2G
Eingangsspannung, max.: 305VAC
Dimmsteuerung: -
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 90VAC
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14946.25 грн |
| FQP16N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP16N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 142
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 142
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP16N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 142
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 142
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AP0100AT2L00XUGA0-DR1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0100AT2L00XUGA0-DR1 - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AP0100AT2L00XUGA0-DR1 - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AP0102AT2L00XPGA0-DR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0102AT2L00XPGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AP0102AT2L00XPGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AP0101AT2L00XPGA0-DR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0101AT2L00XPGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AP0101AT2L00XPGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AP0101AT2L00XPGA0-TR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0101AT2L00XPGA0-TR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AP0101AT2L00XPGA0-TR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AP0100AT2L00XUGA0-TR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0100AT2L00XUGA0-TR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AP0100AT2L00XUGA0-TR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AP0100AT2L00XUGA0-DR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0100AT2L00XUGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AP0100AT2L00XUGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AP0100CS2L00SUGA0-DR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0100CS2L00SUGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AP0100CS2L00SUGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.































