Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142640) > Сторінка 1836 з 2378

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1831 1832 1833 1834 1835 1836 1837 1838 1839 1840 1841 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP32N20C FQP32N20C ONSEMI FQPF32N20C-D.pdf Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.62 грн
10+234.27 грн
100+192.46 грн
500+152.03 грн
1000+117.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7631SJX FAN7631SJX ONSEMI 2288526.pdf Description: ONSEMI - FAN7631SJX - PWM-Controller, bis zu 25V Versorgungsspannung, 300kHz, 1V/1Aout, SOIC-16
Bauform - Controller-IC: SOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 300
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Eingangsspannung: 17
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 130
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.40 грн
10+152.40 грн
50+141.08 грн
100+120.49 грн
250+104.51 грн
500+91.07 грн
1000+70.84 грн
2500+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN ONSEMI 2572537.pdf Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.85 грн
50+34.49 грн
100+24.65 грн
500+17.63 грн
1500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10 FQB55N10 ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.15 грн
10+121.92 грн
100+99.28 грн
500+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN ONSEMI 2572537.pdf Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.65 грн
500+17.63 грн
1500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P ONSEMI FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+34.66 грн
36+24.38 грн
100+19.59 грн
500+14.88 грн
1000+12.09 грн
5000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1665A FFSP1665A ONSEMI FFSP1665A-D.PDF Description: ONSEMI - FFSP1665A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+377.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0665B FFSB0665B ONSEMI FFSB0665B-D.PDF Description: ONSEMI - FFSB0665B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0665B-F085 FFSB0665B-F085 ONSEMI FFSB0665B-F085-D.PDF Description: ONSEMI - FFSB0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.20 грн
10+222.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20231XV53T2G NCS20231XV53T2G ONSEMI 3763388.pdf Description: ONSEMI - NCS20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+36.47 грн
1000+28.66 грн
2500+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20231XV53T2G NCS20231XV53T2G ONSEMI 3763388.pdf Description: ONSEMI - NCS20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+86.30 грн
14+62.53 грн
100+43.11 грн
500+36.47 грн
1000+28.66 грн
2500+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20231SQ3T2G NCV20231SQ3T2G ONSEMI ncs20231-d.pdf Description: ONSEMI - NCV20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.64 грн
21+41.89 грн
50+35.18 грн
100+26.44 грн
250+24.33 грн
500+24.26 грн
1000+24.19 грн
2500+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20231XV53T2G NCV20231XV53T2G ONSEMI 3763388.pdf Description: ONSEMI - NCV20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.76 грн
13+70.89 грн
50+60.09 грн
100+45.69 грн
250+40.38 грн
500+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20231SQ3T2G NCV20231SQ3T2G ONSEMI ncs20231-d.pdf Description: ONSEMI - NCV20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.44 грн
250+24.33 грн
500+24.26 грн
1000+24.19 грн
2500+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20231XV53T2G NCV20231XV53T2G ONSEMI 3763388.pdf Description: ONSEMI - NCV20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20231SQ3T2G NCS20231SQ3T2G ONSEMI ncs20231-d.pdf Description: ONSEMI - NCS20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+86.39 грн
12+73.42 грн
100+49.47 грн
500+32.67 грн
1000+24.78 грн
2500+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20231SN2T1G NCV20231SN2T1G ONSEMI 3763388.pdf Description: ONSEMI - NCV20231SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.75 грн
250+43.59 грн
500+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20231SN2T1G NCV20231SN2T1G ONSEMI 3763388.pdf Description: ONSEMI - NCV20231SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.47 грн
10+87.09 грн
50+75.33 грн
100+54.75 грн
250+43.59 грн
500+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20231SQ3T2G NCS20231SQ3T2G ONSEMI ncs20231-d.pdf Description: ONSEMI - NCS20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.47 грн
500+32.67 грн
1000+24.78 грн
2500+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74LVX14DTR2G NLV74LVX14DTR2G ONSEMI MC74LVX14-D.PDF Description: ONSEMI - NLV74LVX14DTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74LVX14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LVX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74LVX14
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N15 FQA70N15 ONSEMI 1863421.pdf Description: ONSEMI - FQA70N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6HP04CH-TL-W ONSEMI 2907336.pdf Description: ONSEMI - 6HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 370 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 370
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40 FDP24N40 ONSEMI 2907387.pdf Description: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N65S3H NTP125N65S3H ONSEMI 3191525.pdf Description: ONSEMI - NTP125N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+207.27 грн
10+206.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 ONSEMI 2304642.pdf Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.55 грн
500+55.48 грн
1000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A-F085 FDB075N15A-F085 ONSEMI 2907354.pdf Description: ONSEMI - FDB075N15A-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: FDB PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+425.86 грн
10+371.87 грн
100+314.39 грн
500+248.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-H 2SC5706-TL-H ONSEMI ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N3595TR 1N3595TR ONSEMI 1n3595-d.pdf Description: ONSEMI - 1N3595TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+9.14 грн
114+7.67 грн
250+6.25 грн
1000+3.40 грн
5000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
1N3595 1N3595 ONSEMI ONSM-S-A0003584794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+9.23 грн
113+7.76 грн
170+5.15 грн
500+3.53 грн
1000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8332V FOD8332V ONSEMI FOD8332-D.pdf Description: ONSEMI - FOD8332V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8332 FOD8332 ONSEMI FOD8332-D.pdf Description: ONSEMI - FOD8332 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8332R2 FOD8332R2 ONSEMI FOD8332-D.pdf Description: ONSEMI - FOD8332R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8332R2V FOD8332R2V ONSEMI FOD8332-D.pdf Description: ONSEMI - FOD8332R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ14P6X NC7WZ14P6X ONSEMI 3959526.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ14P6X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7W14, 2 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+8.60 грн
203+4.30 грн
241+3.61 грн
500+2.88 грн
1500+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7685DQR2G NCV7685DQR2G ONSEMI Description: ONSEMI - NCV7685DQR2G - LED-Treiber, DC/DC, 60mA, 28V, -40 bis 150°C, 12 Ausgänge, SMD, SSOP-EP-24
Schaltfrequenz: 1.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 28
Bauform - Treiber: SSOP-EP
Ausgangsstrom, max.: 60
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 12
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675. FDS6675. ONSEMI 2281690.pdf Description: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT9555YI-T2 CAT9555YI-T2 ONSEMI CAT9555-D.PDF Description: ONSEMI - CAT9555YI-T2 - I/O-Erweiterung, 16bit, 400 kHz, I2C, SMBus, 2.3 V, 5.5 V, TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Busfrequenz: 400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6065ADF FGA6065ADF ONSEMI FGA6065ADF-D.pdf Description: ONSEMI - FGA6065ADF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTSV20100CTG NTSV20100CTG ONSEMI ONSM-S-A0014594747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTSV20100CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 980 mV
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: NTSV2
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SECO-NCV7685RGB-GEVB SECO-NCV7685RGB-GEVB ONSEMI SECO-NCV7685RGB-GEVB_USER_MANUAL.PDF Description: ONSEMI - SECO-NCV7685RGB-GEVB - Demoboard, NCV7685, RGB-LED-Beleuchtungsanwendungen
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard NCV7685
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: NCV7685
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10255.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4970N-35G. NTD4970N-35G. ONSEMI NTD4970N-D.PDF Description: ONSEMI - NTD4970N-35G. - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 30V 36A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AS FDS6680AS ONSEMI 2299502.pdf description Description: ONSEMI - FDS6680AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.5 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV317BD2TR4G NCV317BD2TR4G ONSEMI 2160677.pdf Description: ONSEMI - NCV317BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/1.5Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+64.45 грн
19+46.07 грн
100+36.40 грн
500+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZ FDPF12N50NZ ONSEMI ONSM-S-A0003584970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.66 грн
10+142.82 грн
100+113.21 грн
500+92.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50T FDPF12N50T ONSEMI FDPF12N50T-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF12N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50UT FDPF12N50UT ONSEMI FDPF12N50UT-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF12N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682 FDP3682 ONSEMI 2304459.pdf Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCP1402-TD-H PCP1402-TD-H ONSEMI ENA2303-D.PDF Description: ONSEMI - PCP1402-TD-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.2 A, 1.8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 1.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NFAQ1560R43T NFAQ1560R43T ONSEMI 3213436.pdf Description: ONSEMI - NFAQ1560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1733.06 грн
5+1452.63 грн
10+1172.21 грн
50+1004.38 грн
100+848.74 грн
250+831.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NFAQ0560R43T NFAQ0560R43T ONSEMI 3672847.pdf Description: ONSEMI - NFAQ0560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 10 A, 2 kV, Modul, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 10A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: Modul
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+849.98 грн
5+719.35 грн
10+588.72 грн
50+503.00 грн
100+426.98 грн
250+418.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NFAQ0860L33T NFAQ0860L33T ONSEMI 3005733.pdf Description: ONSEMI - NFAQ0860L33T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 8 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 84733020
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 8A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+900.49 грн
5+750.70 грн
10+600.91 грн
50+499.76 грн
100+407.57 грн
250+399.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NFAQ1560R43TL NFAQ1560R43TL ONSEMI nfaq1560r43t-d.pdf Description: ONSEMI - NFAQ1560R43TL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1034.61 грн
5+885.69 грн
10+736.77 грн
50+661.50 грн
100+588.97 грн
250+568.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PN100A PN100A ONSEMI ONSM-S-A0003589371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PN100A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSE114 QSE114 ONSEMI 2572443.pdf Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 50°
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+64.27 грн
20+44.33 грн
25+40.06 грн
50+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
QSE113E3R0 ONSEMI 2572443.pdf Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 50
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+84.30 грн
16+55.21 грн
100+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
QSE113E3R0 ONSEMI 2572443.pdf Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QSE122 QSE122 ONSEMI QSE122-D.pdf Description: ONSEMI - QSE122 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSD2030 QSD2030 ONSEMI QSD2030-D.PDF Description: ONSEMI - QSD2030 - Fotodiode, 10nA, 880nm, 20°, -40°C bis 100°C, T-1 3/4 (5mm), 2 Pins
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Dunkelstrom: 0.01
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Betriebstemperatur, min.: -40
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880
Betriebstemperatur, max.: 100
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSD123A4R0 QSD123A4R0 ONSEMI QSD123-D.PDF Description: ONSEMI - QSD123A4R0 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSE133 QSE133 ONSEMI QSE133-D.pdf Description: ONSEMI - QSE133 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP32N20C FQPF32N20C-D.pdf
FQP32N20C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+292.62 грн
10+234.27 грн
100+192.46 грн
500+152.03 грн
1000+117.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7631SJX 2288526.pdf
FAN7631SJX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN7631SJX - PWM-Controller, bis zu 25V Versorgungsspannung, 300kHz, 1V/1Aout, SOIC-16
Bauform - Controller-IC: SOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 300
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Eingangsspannung: 17
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 130
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.40 грн
10+152.40 грн
50+141.08 грн
100+120.49 грн
250+104.51 грн
500+91.07 грн
1000+70.84 грн
2500+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN 2572537.pdf
FDN359BN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.85 грн
50+34.49 грн
100+24.65 грн
500+17.63 грн
1500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10 2572544.pdf
FQB55N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.15 грн
10+121.92 грн
100+99.28 грн
500+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN 2572537.pdf
FDN359BN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.65 грн
500+17.63 грн
1500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDN358P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+34.66 грн
36+24.38 грн
100+19.59 грн
500+14.88 грн
1000+12.09 грн
5000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1665A FFSP1665A-D.PDF
FFSP1665A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP1665A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+377.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0665B FFSB0665B-D.PDF
FFSB0665B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB0665B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0665B-F085 FFSB0665B-F085-D.PDF
FFSB0665B-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+248.20 грн
10+222.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20231XV53T2G 3763388.pdf
NCS20231XV53T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+36.47 грн
1000+28.66 грн
2500+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20231XV53T2G 3763388.pdf
NCS20231XV53T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+86.30 грн
14+62.53 грн
100+43.11 грн
500+36.47 грн
1000+28.66 грн
2500+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20231SQ3T2G ncs20231-d.pdf
NCV20231SQ3T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.64 грн
21+41.89 грн
50+35.18 грн
100+26.44 грн
250+24.33 грн
500+24.26 грн
1000+24.19 грн
2500+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20231XV53T2G 3763388.pdf
NCV20231XV53T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.76 грн
13+70.89 грн
50+60.09 грн
100+45.69 грн
250+40.38 грн
500+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20231SQ3T2G ncs20231-d.pdf
NCV20231SQ3T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.44 грн
250+24.33 грн
500+24.26 грн
1000+24.19 грн
2500+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20231XV53T2G 3763388.pdf
NCV20231XV53T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20231SQ3T2G ncs20231-d.pdf
NCS20231SQ3T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+86.39 грн
12+73.42 грн
100+49.47 грн
500+32.67 грн
1000+24.78 грн
2500+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20231SN2T1G 3763388.pdf
NCV20231SN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20231SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.75 грн
250+43.59 грн
500+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20231SN2T1G 3763388.pdf
NCV20231SN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20231SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.47 грн
10+87.09 грн
50+75.33 грн
100+54.75 грн
250+43.59 грн
500+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20231SQ3T2G ncs20231-d.pdf
NCS20231SQ3T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.47 грн
500+32.67 грн
1000+24.78 грн
2500+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74LVX14DTR2G MC74LVX14-D.PDF
NLV74LVX14DTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74LVX14DTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74LVX14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LVX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74LVX14
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N15 1863421.pdf
FQA70N15
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA70N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6HP04CH-TL-W 2907336.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 6HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 370 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 370
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40 2907387.pdf
FDP24N40
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N65S3H 3191525.pdf
NTP125N65S3H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP125N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+207.27 грн
10+206.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 2304642.pdf
FDD5353
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.55 грн
500+55.48 грн
1000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A-F085 2907354.pdf
FDB075N15A-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB075N15A-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: FDB PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+425.86 грн
10+371.87 грн
100+314.39 грн
500+248.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-H ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5706-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N3595TR 1n3595-d.pdf
1N3595TR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N3595TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+9.14 грн
114+7.67 грн
250+6.25 грн
1000+3.40 грн
5000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
1N3595 ONSM-S-A0003584794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N3595
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+9.23 грн
113+7.76 грн
170+5.15 грн
500+3.53 грн
1000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8332V FOD8332-D.pdf
FOD8332V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8332V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8332 FOD8332-D.pdf
FOD8332
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8332 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8332R2 FOD8332-D.pdf
FOD8332R2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8332R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8332R2V FOD8332-D.pdf
FOD8332R2V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8332R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ14P6X 3959526.pdf
NC7WZ14P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ14P6X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7W14, 2 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+8.60 грн
203+4.30 грн
241+3.61 грн
500+2.88 грн
1500+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7685DQR2G
NCV7685DQR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7685DQR2G - LED-Treiber, DC/DC, 60mA, 28V, -40 bis 150°C, 12 Ausgänge, SMD, SSOP-EP-24
Schaltfrequenz: 1.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 28
Bauform - Treiber: SSOP-EP
Ausgangsstrom, max.: 60
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 12
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675. 2281690.pdf
FDS6675.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT9555YI-T2 CAT9555-D.PDF
CAT9555YI-T2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT9555YI-T2 - I/O-Erweiterung, 16bit, 400 kHz, I2C, SMBus, 2.3 V, 5.5 V, TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Busfrequenz: 400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6065ADF FGA6065ADF-D.pdf
FGA6065ADF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA6065ADF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTSV20100CTG ONSM-S-A0014594747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTSV20100CTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTSV20100CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 980 mV
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: NTSV2
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SECO-NCV7685RGB-GEVB SECO-NCV7685RGB-GEVB_USER_MANUAL.PDF
SECO-NCV7685RGB-GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-NCV7685RGB-GEVB - Demoboard, NCV7685, RGB-LED-Beleuchtungsanwendungen
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard NCV7685
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: NCV7685
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10255.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4970N-35G. NTD4970N-D.PDF
NTD4970N-35G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4970N-35G. - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 30V 36A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AS description 2299502.pdf
FDS6680AS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.5 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV317BD2TR4G 2160677.pdf
NCV317BD2TR4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV317BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/1.5Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+64.45 грн
19+46.07 грн
100+36.40 грн
500+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50NZ ONSM-S-A0003584970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF12N50NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.66 грн
10+142.82 грн
100+113.21 грн
500+92.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50T FDPF12N50T-D.pdf
FDPF12N50T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50UT FDPF12N50UT-D.pdf
FDPF12N50UT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3682 2304459.pdf
FDP3682
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCP1402-TD-H ENA2303-D.PDF
PCP1402-TD-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCP1402-TD-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.2 A, 1.8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 1.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NFAQ1560R43T 3213436.pdf
NFAQ1560R43T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1733.06 грн
5+1452.63 грн
10+1172.21 грн
50+1004.38 грн
100+848.74 грн
250+831.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NFAQ0560R43T 3672847.pdf
NFAQ0560R43T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ0560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 10 A, 2 kV, Modul, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 10A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: Modul
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+849.98 грн
5+719.35 грн
10+588.72 грн
50+503.00 грн
100+426.98 грн
250+418.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NFAQ0860L33T 3005733.pdf
NFAQ0860L33T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ0860L33T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 8 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 84733020
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 8A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+900.49 грн
5+750.70 грн
10+600.91 грн
50+499.76 грн
100+407.57 грн
250+399.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NFAQ1560R43TL nfaq1560r43t-d.pdf
NFAQ1560R43TL
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43TL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1034.61 грн
5+885.69 грн
10+736.77 грн
50+661.50 грн
100+588.97 грн
250+568.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PN100A ONSM-S-A0003589371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PN100A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN100A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSE114 2572443.pdf
QSE114
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 50°
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+64.27 грн
20+44.33 грн
25+40.06 грн
50+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
QSE113E3R0 2572443.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 50
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+84.30 грн
16+55.21 грн
100+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
QSE113E3R0 2572443.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QSE122 QSE122-D.pdf
QSE122
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE122 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSD2030 QSD2030-D.PDF
QSD2030
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD2030 - Fotodiode, 10nA, 880nm, 20°, -40°C bis 100°C, T-1 3/4 (5mm), 2 Pins
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Dunkelstrom: 0.01
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Betriebstemperatur, min.: -40
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880
Betriebstemperatur, max.: 100
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSD123A4R0 QSD123-D.PDF
QSD123A4R0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD123A4R0 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSE133 QSE133-D.pdf
QSE133
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE133 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1831 1832 1833 1834 1835 1836 1837 1838 1839 1840 1841 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]