| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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2SC4027T-TL-E | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2SC4027T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NLV74LCX04DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV74LCX04DTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74LCX04 Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74LCX Bauform - Logikbaustein: TSSOP Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 74LCX04 Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 1 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Sechs SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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NJL1302DG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-264 Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP48G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP48G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP48TU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP48TU - 1.0 A, 300 V NPN BIPOLAR POWER TRANSISTO SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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NXH25C120L2C2SG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse] tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 26Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse] productTraceability: No Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 25A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NXH35C120L2C2SG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse] tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 35A Anzahl der Pins: 26Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 35A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NXH50C120L2C2ESG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse] tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 26Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NXH35C120L2C2ESG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse] tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 35A Anzahl der Pins: 26Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 35A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSC2334YTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2334YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KSC2334 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC858AWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BC858BWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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BC858BWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BC858AWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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BC858BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 20198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FAN7710VN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN7710VN - Controller, Vorschaltgerät, CFL-Controller, 14.4V DC bis 440V DC Versorgung, DIP-8, -40°C bis 125°C Versorgungsspannung, min.: 14.4 Bauform - Controller-IC: DIP Anzahl der Pins: 8 Vorschaltgerät: CFL-Controller Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, max.: 440 Betriebstemperatur, max.: 125 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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1N4745A. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4745A. - Zener-Diode, 16 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N47xxA productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 16V |
на замовлення 11604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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1N4745ATR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4745ATR - Zener-Diode, 16 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C Zener-Spannung, nom.: 16 Verlustleistung: 1 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Qualifikation: - Betriebstemperatur, max.: 200 Produktpalette: 1N47xxA SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. |
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BYW51-200G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 100A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 970mV Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYW51 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NL17SZ175DBVT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ175DBVT1G - D-TYPE FLIP-FLOP WITH ASYNCHRONOUS CLEAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FCD3400N80Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 32W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm |
на замовлення 1319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FCD3400N80Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 32W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm |
на замовлення 1319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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74LCX14BQX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74LCX14BQX - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), DQFN, 74LCX14 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74LCX Anzahl der Elemente: Sechs Bauform - Logikbaustein: DQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74LCX14 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 2767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VEC2616-TL-W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 900 Bauform - Transistor: VEC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.6 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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VEC2616-TL-W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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VEC2415-TL-W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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VEC2415-TL-W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 900 Bauform - Transistor: VEC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.6 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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CAT5119TBI-10GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5119TBI-10GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT) MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FJA4210OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJA4210OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 70 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NRVUS120VT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 40 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 875 Sperrverzögerungszeit: 35 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | |
| NRVUS120VT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
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SD05T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SD05T1G - TVS-Diode, SD05T1, Unidirektional, 5 V, 14.5 V, SOD-323, 2 Pin(s) tariffCode: 85363030 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 6.2V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 7.3V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 350W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SD05T1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 14.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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CAT3200HU2-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT3200HU2-GT3 - DC/DC-Aufwärtswandler, Schaltkondensator, einstellbar, 2.7V-4.5Vin, 3V bis 5V/100mAout, UDFN-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V IC-Gehäuse / Bauform: UDFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, min.: -40°C Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2.7V Eingangsspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Eingangsspannung, min.: 2.7V Topologie: Boost (Aufwärts) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDP038AN06A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 310 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FDP038AN06A0-F102 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 310 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Power Trench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCV8402ADDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZX84C10LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C10LT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 10V |
на замовлення 28476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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D45H8G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 70W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N5550TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FSBB15CH120D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSBB15CH120D - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 15 A, 2500 Vrms, SPMMF-027, SPM3 IPM-Baureihe: SPM3 Isolationsspannung: 2500 Nennstrom (Ic/Id): 15 Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2 Bauform - IPM: SPMMF-027 Produktpalette: Motion SPM 3 Series SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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DTC124XET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC124XET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCP1256BSN65T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1256BSN65T1G - PWM-Controller, Current-Mode, bis zu 35V Versorgungsspannung, 65/100kHz, 500mAout, TSOP-6 tariffCode: 85423990 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Tastverhältnis, max.: 83% productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 6Pin(s) Netzteil-Controller: Sekundärseitiger Regler Betriebstemperatur, min.: -40°C Schaltfrequenz, max.: 70kHz Ausgangsstrom: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden Schaltfrequenz, min.: 61kHz hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage Tastverhältnis, min.: - Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 65kHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Versorgungsspannung, min.: - Ausgangsspannung: - Qualifikation: - Frequenz: 65kHz Topologie: Flyback Bauform - Controller-IC: TSOP rohsPhthalatesCompliant: YES Eingangsspannung: 35V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: Y euEccn: NLR |
на замовлення 5783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AR0237CSSC12SPRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1520 шт В кошику од. на суму грн. |
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AR0221SR2C00SUEA0-DPBR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR1 - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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Мінімальне замовлення: 216 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZX79-C20 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C20 - Zener-Diode, 20 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C Zener-Spannung, nom.: 20 Verlustleistung: 500 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DO-35 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 500 Betriebstemperatur, max.: 200 Produktpalette: BZX79 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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RHRG30120 | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - RHRG30120 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Soft-Recovery, 1.2 kV, 30 A, Einfach, 3.2 V, 75 ns, 300 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 3.2V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: RHRG3 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZNUP2105LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZNUP2105LT3G - CAN BUS PROTECTOR, DUAL LINE SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
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NTBGS001N06C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 342A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 245W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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NTBGS001N06C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 342A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 245W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD817D3SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817D3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 300% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NTR4502PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 1513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8523S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8523S - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 1000% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 1438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD8001 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8001 - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 20 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85414900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 20Mbaud usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD8482 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8482 - Optokoppler, breite Anschlüsse, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s), FOD848x tariffCode: 85414900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOP rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 1Mbps usEccn: EAR99 Produktpalette: FOD848x SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD8480 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8480 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s), FOD848x tariffCode: 85414900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOP rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 1Mbps usEccn: EAR99 Produktpalette: FOD848x SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD852S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD852S - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 % tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 1000% isCanonical: Y usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD8482TR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8482TR2 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, WSOIC, 6 Pin(s), FOD848x tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: WSOIC Anzahl der Pins: 6Pin(s) Übertragungsrate: 1Mbps Produktpalette: FOD848x productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD8482TR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8482TR2 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, WSOIC, 6 Pin(s), FOD848x tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: WSOIC Anzahl der Pins: 6Pin(s) Übertragungsrate: 1Mbps Produktpalette: FOD848x productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD852SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD852SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 1000% isCanonical: N Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 3336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8523SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8523SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 1000% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC4027T-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4027T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2SC4027T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NLV74LCX04DTR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74LCX04DTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74LCX04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74LCX04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV74LCX04DTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74LCX04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74LCX04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NJL1302DG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TIP48G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP48G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - TIP48G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TIP48TU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP48TU - 1.0 A, 300 V NPN BIPOLAR POWER TRANSISTO
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - TIP48TU - 1.0 A, 300 V NPN BIPOLAR POWER TRANSISTO
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NXH25C120L2C2SG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NXH35C120L2C2SG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NXH50C120L2C2ESG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NXH35C120L2C2ESG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KSC2334YTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2334YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC2334
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSC2334YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC2334
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC858AWT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC858BWT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC858BWT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC858AWT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC858BLT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FAN7710VN |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN7710VN - Controller, Vorschaltgerät, CFL-Controller, 14.4V DC bis 440V DC Versorgung, DIP-8, -40°C bis 125°C
Versorgungsspannung, min.: 14.4
Bauform - Controller-IC: DIP
Anzahl der Pins: 8
Vorschaltgerät: CFL-Controller
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, max.: 440
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FAN7710VN - Controller, Vorschaltgerät, CFL-Controller, 14.4V DC bis 440V DC Versorgung, DIP-8, -40°C bis 125°C
Versorgungsspannung, min.: 14.4
Bauform - Controller-IC: DIP
Anzahl der Pins: 8
Vorschaltgerät: CFL-Controller
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, max.: 440
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N4745A. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4745A. - Zener-Diode, 16 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
Description: ONSEMI - 1N4745A. - Zener-Diode, 16 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
на замовлення 11604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N4745ATR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4745ATR - Zener-Diode, 16 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 16
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: 1N47xxA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 1N4745ATR - Zener-Diode, 16 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 16
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: 1N47xxA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BYW51-200G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 970mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYW51
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 970mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYW51
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NL17SZ175DBVT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ175DBVT1G - D-TYPE FLIP-FLOP WITH ASYNCHRONOUS CLEAR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL17SZ175DBVT1G - D-TYPE FLIP-FLOP WITH ASYNCHRONOUS CLEAR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FCD3400N80Z |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 32W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 32W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FCD3400N80Z |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 32W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 32W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 74LCX14BQX |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX14BQX - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), DQFN, 74LCX14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: DQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74LCX14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - 74LCX14BQX - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), DQFN, 74LCX14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: DQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74LCX14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VEC2616-TL-W |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: VEC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: VEC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VEC2616-TL-W |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VEC2415-TL-W |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| VEC2415-TL-W |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: VEC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: VEC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CAT5119TBI-10GT3 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5119TBI-10GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5119TBI-10GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FJA4210OTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJA4210OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FJA4210OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NRVUS120VT3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 875
Sperrverzögerungszeit: 35
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 875
Sperrverzögerungszeit: 35
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
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| NRVUS120VT3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
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| SD05T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SD05T1G - TVS-Diode, SD05T1, Unidirektional, 5 V, 14.5 V, SOD-323, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363030
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.2V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 7.3V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SD05T1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 14.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - SD05T1G - TVS-Diode, SD05T1, Unidirektional, 5 V, 14.5 V, SOD-323, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363030
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.2V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 7.3V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SD05T1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 14.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CAT3200HU2-GT3 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT3200HU2-GT3 - DC/DC-Aufwärtswandler, Schaltkondensator, einstellbar, 2.7V-4.5Vin, 3V bis 5V/100mAout, UDFN-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2.7V
Eingangsspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost (Aufwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - CAT3200HU2-GT3 - DC/DC-Aufwärtswandler, Schaltkondensator, einstellbar, 2.7V-4.5Vin, 3V bis 5V/100mAout, UDFN-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2.7V
Eingangsspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost (Aufwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDP038AN06A0 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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| FDP038AN06A0-F102 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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Мінімальне замовлення: 800 шт
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| NCV8402ADDR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX84C10LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C10LT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
Description: ONSEMI - BZX84C10LT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
на замовлення 28476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| D45H8G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D45H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - D45H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N5550TA |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FSBB15CH120D |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSBB15CH120D - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 15 A, 2500 Vrms, SPMMF-027, SPM3
IPM-Baureihe: SPM3
Isolationsspannung: 2500
Nennstrom (Ic/Id): 15
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2
Bauform - IPM: SPMMF-027
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSBB15CH120D - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 15 A, 2500 Vrms, SPMMF-027, SPM3
IPM-Baureihe: SPM3
Isolationsspannung: 2500
Nennstrom (Ic/Id): 15
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2
Bauform - IPM: SPMMF-027
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| DTC124XET1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC124XET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - DTC124XET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP1256BSN65T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1256BSN65T1G - PWM-Controller, Current-Mode, bis zu 35V Versorgungsspannung, 65/100kHz, 500mAout, TSOP-6
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 83%
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Netzteil-Controller: Sekundärseitiger Regler
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Schaltfrequenz, min.: 61kHz
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Tastverhältnis, min.: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: -
Ausgangsspannung: -
Qualifikation: -
Frequenz: 65kHz
Topologie: Flyback
Bauform - Controller-IC: TSOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsspannung: 35V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - NCP1256BSN65T1G - PWM-Controller, Current-Mode, bis zu 35V Versorgungsspannung, 65/100kHz, 500mAout, TSOP-6
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 83%
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Netzteil-Controller: Sekundärseitiger Regler
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Schaltfrequenz, min.: 61kHz
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Tastverhältnis, min.: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: -
Ausgangsspannung: -
Qualifikation: -
Frequenz: 65kHz
Topologie: Flyback
Bauform - Controller-IC: TSOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsspannung: 35V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 5783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AR0237CSSC12SPRA0-DR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0237CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1520 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AR0221SR2C00SUEA0-DPBR1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR1 - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR1 - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 216 шт
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| BZX79-C20 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C20 - Zener-Diode, 20 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 20
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX79
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C20 - Zener-Diode, 20 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 20
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX79
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RHRG30120 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRG30120 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Soft-Recovery, 1.2 kV, 30 A, Einfach, 3.2 V, 75 ns, 300 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3.2V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRG3
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - RHRG30120 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Soft-Recovery, 1.2 kV, 30 A, Einfach, 3.2 V, 75 ns, 300 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3.2V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRG3
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SZNUP2105LT3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNUP2105LT3G - CAN BUS PROTECTOR, DUAL LINE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SZNUP2105LT3G - CAN BUS PROTECTOR, DUAL LINE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
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| NTBGS001N06C |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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| NTBGS001N06C |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817D3SD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817D3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 300%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD817D3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 300%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR4502PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD8523S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8523S - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD8523S - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD8001 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8001 - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 20 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 20Mbaud
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FOD8001 - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 20 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 20Mbaud
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD8482 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8482 - Optokoppler, breite Anschlüsse, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 1Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD848x
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FOD8482 - Optokoppler, breite Anschlüsse, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 1Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD848x
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD8480 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8480 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 1Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD848x
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FOD8480 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 1Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD848x
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD852S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD852S - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FOD852S - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD8482TR2 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8482TR2 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, WSOIC, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: WSOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: FOD848x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FOD8482TR2 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, WSOIC, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: WSOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: FOD848x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD8482TR2 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8482TR2 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, WSOIC, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: WSOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: FOD848x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FOD8482TR2 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, WSOIC, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: WSOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: FOD848x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD852SD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD852SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD852SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD8523SD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8523SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD8523SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)