Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142383) > Сторінка 1836 з 2374

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1831 1832 1833 1834 1835 1836 1837 1838 1839 1840 1841 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN327N FDN327N ONSEMI 2304103.pdf Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 70609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.62 грн
50+24.44 грн
100+13.59 грн
500+12.14 грн
1500+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 ONSEMI ONSM-S-A0003584155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.58 грн
10+100.85 грн
100+81.45 грн
500+62.85 грн
1000+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 ONSEMI 2298619.pdf Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.27 грн
50+97.43 грн
100+68.88 грн
500+48.89 грн
1000+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672A FDS4672A ONSEMI ONSM-S-A0003584072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574A FDS6574A ONSEMI 2299538.pdf Description: ONSEMI - FDS6574A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP055N65S3H NTP055N65S3H ONSEMI NTP055N65S3H-D.PDF Description: ONSEMI - NTP055N65S3H - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP305LSQ30T1G NCP305LSQ30T1G ONSEMI ncp304-d.pdf Description: ONSEMI - NCP305LSQ30T1G - Überwachungsschaltung/Spannungswächter, Active-Low, 800mV-10V, 3V Schwelle, 1 Wächter, SC-82AB-4
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 100ms
Bauform - digitaler IC: SC-82AB
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitor(e)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Schwellenspannung: 3V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NLVSV1T34DFT2G NLVSV1T34DFT2G ONSEMI 2032064.pdf Description: ONSEMI - NLVSV1T34DFT2G - Pegelumsetzer, 1 Eingang, 24mA, 3.3ns, 900mV bis 4.5V, SC-88A-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Ausbreitungsverzögerung: 0
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.76 грн
10+86.32 грн
50+73.59 грн
100+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NLVSV1T34DFT2G NLVSV1T34DFT2G ONSEMI 2032064.pdf Description: ONSEMI - NLVSV1T34DFT2G - Pegelumsetzer, 1 Eingang, 24mA, 3.3ns, 900mV bis 4.5V, SC-88A-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Ausbreitungsverzögerung: 0
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7SB385DFT2G 7SB385DFT2G ONSEMI ONSMS19867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 7SB385DFT2G - Bus-Schalter, 1 Kanäle, Bus-Switch, 3 ohm, SC-88A, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bus-Switch
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Versorgungsspannung: 4V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 20ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 3ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.72 грн
100+30.00 грн
500+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
7SB385DFT2G 7SB385DFT2G ONSEMI ONSMS19867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 7SB385DFT2G - Bus-Schalter, 1 Kanäle, Bus-Switch, 3 ohm, SC-88A, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bus-Switch
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Versorgungsspannung: 4V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 20ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 3ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.00 грн
500+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NLVVHC1G126DFT1G ONSEMI 2907139.pdf Description: ONSEMI - NLVVHC1G126DFT1G - PUFFER, AEC-Q100, -55 BIS 125°C
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.88 грн
26+33.33 грн
100+24.78 грн
500+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1G NSVJ2394SA3T1G ONSEMI 2907338.pdf Description: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.27 грн
33+26.15 грн
100+21.11 грн
500+18.09 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1G NSVJ3557SA3T1G ONSEMI 2907339.pdf Description: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.22 грн
24+36.49 грн
100+26.24 грн
500+19.13 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1G NSVJ2394SA3T1G ONSEMI 2907338.pdf Description: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.11 грн
500+18.09 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1G NSVJ3557SA3T1G ONSEMI 2907339.pdf Description: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.24 грн
500+19.13 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP3065A FFSP3065A ONSEMI 2571955.pdf Description: ONSEMI - FFSP3065A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 100
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH3065A FFSH3065A ONSEMI FFSH3065A-D.PDF Description: ONSEMI - FFSH3065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+483.73 грн
5+482.88 грн
10+482.02 грн
50+361.09 грн
100+326.72 грн
250+320.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4304BDR2G NCP4304BDR2G ONSEMI ONSM-S-A0016027420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP4304BDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 8.3V bis 30V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.73 грн
10+122.22 грн
50+105.12 грн
100+80.15 грн
250+64.47 грн
500+58.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4304BDR2G NCP4304BDR2G ONSEMI ONSM-S-A0016027420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP4304BDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 8.3V bis 30V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.15 грн
250+64.47 грн
500+58.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDH44N50 FDH44N50 ONSEMI 2303876.pdf Description: ONSEMI - FDH44N50 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+804.23 грн
5+670.05 грн
10+535.01 грн
50+488.86 грн
100+443.20 грн
250+435.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF4003 UF4003 ONSEMI ONSM-S-A0003589592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - UF4003 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF400
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+25.38 грн
56+15.30 грн
100+13.16 грн
500+10.16 грн
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ07DBVT1G NL17SZ07DBVT1G ONSEMI NL17SZ07-D.PDF Description: ONSEMI - NL17SZ07DBVT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ07P5T5G NL17SZ07P5T5G ONSEMI NL17SZ07-D.PDF Description: ONSEMI - NL17SZ07P5T5G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLVVHC1G07DFT2G NLVVHC1G07DFT2G ONSEMI MC74VHC1G07-D.PDF Description: ONSEMI - NLVVHC1G07DFT2G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74VHC1G07DTT1G NLV74VHC1G07DTT1G ONSEMI MC74VHC1G07-D.PDF Description: ONSEMI - NLV74VHC1G07DTT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17VHC1G07DTT1G. NL17VHC1G07DTT1G. ONSEMI MC74VHC1G07-D.PDF Description: ONSEMI - NL17VHC1G07DTT1G. - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080VI-GT3 CAT25080VI-GT3 ONSEMI ONSMS24982-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT25080VI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.10 грн
500+21.67 грн
1000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080YI-GT3 CAT25080YI-GT3 ONSEMI ONSMS24982-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.96 грн
500+32.22 грн
1000+29.01 грн
2500+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120IHLWG NGTB25N120IHLWG ONSEMI 1915957.pdf Description: ONSEMI - NGTB25N120IHLWG - IGBT, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120SWG NGTB25N120SWG ONSEMI 1955110.pdf Description: ONSEMI - NGTB25N120SWG - IGBT, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 385
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ONSEMI fdc655bn-d.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 58175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.16 грн
500+15.63 грн
1000+12.97 грн
5000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WG NGTB50N120FL2WG ONSEMI 2354461.pdf Description: ONSEMI - NGTB50N120FL2WG - IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65FL2WG NGTB40N65FL2WG ONSEMI 2354505.pdf Description: ONSEMI - NGTB40N65FL2WG - IGBT, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 366
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65IHL2WG NGTB40N65IHL2WG ONSEMI NGTB40N65IHL2W-D.PDF Description: ONSEMI - NGTB40N65IHL2WG - IGBT, 650V 40A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N65IHL2WG NGTB30N65IHL2WG ONSEMI NGTB30N65IHL2W-D.PDF Description: ONSEMI - NGTB30N65IHL2WG - IGBT, 650V 30A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WG NGTB50N65FL2WG ONSEMI NGTB50N65FL2W-D.PDF Description: ONSEMI - NGTB50N65FL2WG - IGBT, 650V 50A FS2 SOLAR/UPS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N60FL2WG NGTB35N60FL2WG ONSEMI 2354501.pdf Description: ONSEMI - NGTB35N60FL2WG - IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N135IHRWG NGTB40N135IHRWG ONSEMI 1794435.pdf Description: ONSEMI - NGTB40N135IHRWG - IGBT, 80 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 394
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB10N60FG NGTB10N60FG ONSEMI 2578351.pdf Description: ONSEMI - NGTB10N60FG - IGBT, 20 A, 1.5 V, 40 W, 600 V, SC-67, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 40
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20
Bauform - Transistor: SC-67
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WG NGTB50N60L2WG ONSEMI NGTB50N60L2W-D.PDF Description: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JHE S1JHE ONSEMI 2572317.pdf Description: ONSEMI - S1JHE - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 782 ns, 20 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 782ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+30.00 грн
42+20.43 грн
100+16.24 грн
500+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
S1JHE S1JHE ONSEMI s1jhe-d.pdf Description: ONSEMI - S1JHE - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 782 ns, 20 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 782ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1JFL S1JFL ONSEMI 2724426.pdf Description: ONSEMI - S1JFL - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.80 грн
76+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880 FDP8880 ONSEMI 2277990.pdf Description: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 54
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP ONSEMI fdn352ap-d.pdf Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 82416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.37 грн
26+32.90 грн
100+22.99 грн
500+15.40 грн
1000+12.23 грн
5000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F FDB20N50F ONSEMI fdb20n50f-d.pdf Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.22 грн
10+237.59 грн
100+169.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1607BDR2G. NCP1607BDR2G. ONSEMI 2355054.pdf Description: ONSEMI - NCP1607BDR2G. - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Frequenzmodus: -
PFC-Betriebsmodus: CrCM - Critical Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Spannung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K4S UF3C120080K4S ONSEMI 3750896.pdf Description: ONSEMI - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1347.78 грн
5+1218.73 грн
10+1089.68 грн
50+892.01 грн
100+807.28 грн
250+790.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B10LT1G BZX84B10LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - BZX84B10LT1G - Zener-Diode, 10 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 10
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+21.37 грн
45+19.23 грн
100+10.51 грн
500+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
2N6388G 2N6388G ONSEMI ONSM-S-A0014467244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N6388G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.05 грн
15+60.85 грн
100+53.24 грн
500+39.20 грн
1000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP32P5X NC7SP32P5X ONSEMI 2729162.pdf Description: ONSEMI - NC7SP32P5X - OR-Gatter, NC7SP32, 2 Eingänge, 2.6mA, 0.9V bis 3.6V, TinyLogic, äußerst energiesparend, SC70-5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1012AP133G NCP1012AP133G ONSEMI NCP1010-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1012AP133G - AC / DC CONVERTERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80 ONSEMI 2859336.pdf Description: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80 FCB290N80 ONSEMI 2859336.pdf Description: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B15LT1G BZX84B15LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84B15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+14.96 грн
99+8.72 грн
215+3.99 грн
500+3.48 грн
1500+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B15LT1G BZX84B15LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - BZX84B15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.32 грн
1000+3.32 грн
3000+3.25 грн
6000+3.19 грн
12000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B9V1LT1G BZX84B9V1LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84B9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+10.60 грн
114+7.50 грн
269+3.18 грн
500+2.88 грн
1000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B9V1LT1G BZX84B9V1LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84B9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.88 грн
1000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B12LT1G BZX84B12LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84B12LT1G - Zener-Diode, 12 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+8.97 грн
129+6.63 грн
290+2.95 грн
500+2.51 грн
1000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N 2304103.pdf
FDN327N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 70609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.62 грн
50+24.44 грн
100+13.59 грн
500+12.14 грн
1500+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 ONSM-S-A0003584155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS2572
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.58 грн
10+100.85 грн
100+81.45 грн
500+62.85 грн
1000+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 2298619.pdf
FDS3672
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.27 грн
50+97.43 грн
100+68.88 грн
500+48.89 грн
1000+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672A ONSM-S-A0003584072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS4672A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6574A 2299538.pdf
FDS6574A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6574A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP055N65S3H NTP055N65S3H-D.PDF
NTP055N65S3H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP055N65S3H - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP305LSQ30T1G ncp304-d.pdf
NCP305LSQ30T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP305LSQ30T1G - Überwachungsschaltung/Spannungswächter, Active-Low, 800mV-10V, 3V Schwelle, 1 Wächter, SC-82AB-4
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 100ms
Bauform - digitaler IC: SC-82AB
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitor(e)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Schwellenspannung: 3V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NLVSV1T34DFT2G 2032064.pdf
NLVSV1T34DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVSV1T34DFT2G - Pegelumsetzer, 1 Eingang, 24mA, 3.3ns, 900mV bis 4.5V, SC-88A-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Ausbreitungsverzögerung: 0
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.76 грн
10+86.32 грн
50+73.59 грн
100+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NLVSV1T34DFT2G 2032064.pdf
NLVSV1T34DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVSV1T34DFT2G - Pegelumsetzer, 1 Eingang, 24mA, 3.3ns, 900mV bis 4.5V, SC-88A-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Ausbreitungsverzögerung: 0
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7SB385DFT2G ONSMS19867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
7SB385DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 7SB385DFT2G - Bus-Schalter, 1 Kanäle, Bus-Switch, 3 ohm, SC-88A, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bus-Switch
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Versorgungsspannung: 4V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 20ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 3ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.72 грн
100+30.00 грн
500+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
7SB385DFT2G ONSMS19867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
7SB385DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 7SB385DFT2G - Bus-Schalter, 1 Kanäle, Bus-Switch, 3 ohm, SC-88A, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bus-Switch
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Versorgungsspannung: 4V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 20ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 3ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.00 грн
500+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NLVVHC1G126DFT1G 2907139.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1G126DFT1G - PUFFER, AEC-Q100, -55 BIS 125°C
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.88 грн
26+33.33 грн
100+24.78 грн
500+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1G 2907338.pdf
NSVJ2394SA3T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.27 грн
33+26.15 грн
100+21.11 грн
500+18.09 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1G 2907339.pdf
NSVJ3557SA3T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.22 грн
24+36.49 грн
100+26.24 грн
500+19.13 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1G 2907338.pdf
NSVJ2394SA3T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.11 грн
500+18.09 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1G 2907339.pdf
NSVJ3557SA3T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.24 грн
500+19.13 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP3065A 2571955.pdf
FFSP3065A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP3065A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 100
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH3065A FFSH3065A-D.PDF
FFSH3065A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH3065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+483.73 грн
5+482.88 грн
10+482.02 грн
50+361.09 грн
100+326.72 грн
250+320.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4304BDR2G ONSM-S-A0016027420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP4304BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4304BDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 8.3V bis 30V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.73 грн
10+122.22 грн
50+105.12 грн
100+80.15 грн
250+64.47 грн
500+58.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4304BDR2G ONSM-S-A0016027420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP4304BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4304BDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 8.3V bis 30V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.15 грн
250+64.47 грн
500+58.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDH44N50 2303876.pdf
FDH44N50
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH44N50 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+804.23 грн
5+670.05 грн
10+535.01 грн
50+488.86 грн
100+443.20 грн
250+435.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF4003 ONSM-S-A0003589592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
UF4003
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF4003 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF400
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+25.38 грн
56+15.30 грн
100+13.16 грн
500+10.16 грн
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ07DBVT1G NL17SZ07-D.PDF
NL17SZ07DBVT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ07DBVT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ07P5T5G NL17SZ07-D.PDF
NL17SZ07P5T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ07P5T5G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLVVHC1G07DFT2G MC74VHC1G07-D.PDF
NLVVHC1G07DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1G07DFT2G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74VHC1G07DTT1G MC74VHC1G07-D.PDF
NLV74VHC1G07DTT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74VHC1G07DTT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17VHC1G07DTT1G. MC74VHC1G07-D.PDF
NL17VHC1G07DTT1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17VHC1G07DTT1G. - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, OPEN DRAIN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080VI-GT3 ONSMS24982-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT25080VI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25080VI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.10 грн
500+21.67 грн
1000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080YI-GT3 ONSMS24982-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT25080YI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.96 грн
500+32.22 грн
1000+29.01 грн
2500+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120IHLWG 1915957.pdf
NGTB25N120IHLWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB25N120IHLWG - IGBT, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120SWG 1955110.pdf
NGTB25N120SWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB25N120SWG - IGBT, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 385
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN fdc655bn-d.pdf
FDC655BN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 58175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.16 грн
500+15.63 грн
1000+12.97 грн
5000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WG 2354461.pdf
NGTB50N120FL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB50N120FL2WG - IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65FL2WG 2354505.pdf
NGTB40N65FL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N65FL2WG - IGBT, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 366
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65IHL2WG NGTB40N65IHL2W-D.PDF
NGTB40N65IHL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N65IHL2WG - IGBT, 650V 40A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N65IHL2WG NGTB30N65IHL2W-D.PDF
NGTB30N65IHL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB30N65IHL2WG - IGBT, 650V 30A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WG NGTB50N65FL2W-D.PDF
NGTB50N65FL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB50N65FL2WG - IGBT, 650V 50A FS2 SOLAR/UPS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N60FL2WG 2354501.pdf
NGTB35N60FL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB35N60FL2WG - IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N135IHRWG 1794435.pdf
NGTB40N135IHRWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N135IHRWG - IGBT, 80 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 394
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB10N60FG 2578351.pdf
NGTB10N60FG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB10N60FG - IGBT, 20 A, 1.5 V, 40 W, 600 V, SC-67, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 40
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20
Bauform - Transistor: SC-67
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WG NGTB50N60L2W-D.PDF
NGTB50N60L2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JHE 2572317.pdf
S1JHE
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1JHE - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 782 ns, 20 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 782ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+30.00 грн
42+20.43 грн
100+16.24 грн
500+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
S1JHE s1jhe-d.pdf
S1JHE
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1JHE - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 782 ns, 20 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 782ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1JFL 2724426.pdf
S1JFL
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1JFL - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+18.80 грн
76+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880 2277990.pdf
FDP8880
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 54
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP fdn352ap-d.pdf
FDN352AP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 82416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.37 грн
26+32.90 грн
100+22.99 грн
500+15.40 грн
1000+12.23 грн
5000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F fdb20n50f-d.pdf
FDB20N50F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+316.22 грн
10+237.59 грн
100+169.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1607BDR2G. 2355054.pdf
NCP1607BDR2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1607BDR2G. - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Frequenzmodus: -
PFC-Betriebsmodus: CrCM - Critical Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Spannung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K4S 3750896.pdf
UF3C120080K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1347.78 грн
5+1218.73 грн
10+1089.68 грн
50+892.01 грн
100+807.28 грн
250+790.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B10LT1G 2236792.pdf
BZX84B10LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B10LT1G - Zener-Diode, 10 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 10
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+21.37 грн
45+19.23 грн
100+10.51 грн
500+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
2N6388G ONSM-S-A0014467244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N6388G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6388G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.05 грн
15+60.85 грн
100+53.24 грн
500+39.20 грн
1000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP32P5X 2729162.pdf
NC7SP32P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SP32P5X - OR-Gatter, NC7SP32, 2 Eingänge, 2.6mA, 0.9V bis 3.6V, TinyLogic, äußerst energiesparend, SC70-5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1012AP133G NCP1010-D.PDF
NCP1012AP133G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1012AP133G - AC / DC CONVERTERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80 2859336.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80 2859336.pdf
FCB290N80
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B15LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84B15LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+14.96 грн
99+8.72 грн
215+3.99 грн
500+3.48 грн
1500+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B15LT1G 2236792.pdf
BZX84B15LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.32 грн
1000+3.32 грн
3000+3.25 грн
6000+3.19 грн
12000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B9V1LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84B9V1LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+10.60 грн
114+7.50 грн
269+3.18 грн
500+2.88 грн
1000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B9V1LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84B9V1LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.88 грн
1000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B12LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84B12LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B12LT1G - Zener-Diode, 12 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+8.97 грн
129+6.63 грн
290+2.95 грн
500+2.51 грн
1000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1831 1832 1833 1834 1835 1836 1837 1838 1839 1840 1841 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]