| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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2SC5490A-TL-H | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2SC5490A-TL-H - RF BIPOLAR TRANSISTORMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
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1N4149TR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4149TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 500 mA, 1 V, 4 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4149 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCS20074DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20074DR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.8 V/µs tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.8V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 2.8V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 3MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker |
на замовлення 21294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCS20072DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20072DTBR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCS20072DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20072DTBR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CPH5524-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH5524-TL-E - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 1.2 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 380MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.2W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A Übergangsfrequenz, PNP: 390MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74A Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.2W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FDB5800 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 242W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FQA24N60 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA24N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.5 A, 0.24 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 310W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm |
на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCP163ASN330T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP163ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 105mV Dropout, 3.3V/250mAout, SOT-23-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 250mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.2V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 250mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 105mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 105mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 22450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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DTA114EET1G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 34539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BC638TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC638TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC638 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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1N4737ATR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4737ATR - Zener-Diode, Baureihe 1N47, 7.5 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N47xxA productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 7.5V |
на замовлення 1696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FSQ100 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSQ100 - AC / DC CONVERTERS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FCH040N65S3-F155 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0354 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0354ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FFSP0865B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSP0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FFSPF1065A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSPF1065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220FP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FP Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTH027N65S3F-F155 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FGY120T65SPD-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGY120T65SPD-F085 - IGBT, 120 A, 1.5 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 882W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 120A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FFSPF2065A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSPF2065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-220FP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FP Kapazitive Gesamtladung: 64nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FCB125N65S3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCB125N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 181W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm |
на замовлення 748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FFSB1065B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB1065B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 27 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 25 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV7340D13R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7340D13R2G - CAN-Bus, ISO 11898, CAN, 4.75 V, 5.25 V, SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCV7340D13R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7340D13R2G - CAN-Bus, ISO 11898, CAN, 4.75 V, 5.25 V, SOIC MSL: MSL 2 - 1 Jahr IC-Schnittstelle: CAN Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 4.75 Anzahl der RX-Puffer: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.25 Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der TX-Puffer: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDD390N15ALZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SK3745LS-1E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK3745LS-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5 Dauer-Drainstrom Id: 2 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 35 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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| 2SK3746-1E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK3746-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 1.5 Dauer-Drainstrom Id: 2 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 110 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: - SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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74LCX125BQX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74LCX125BQX - Puffer, 74LCX125, 2V bis 3.6V, DQFN-14 tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74125 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74LCX Bauform - Logikbaustein: DQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX125 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FDPC5018SG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 1400 µohm tariffCode: 85413000 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1400µohm Verlustleistung, p-Kanal: 29W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1400µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 29W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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GF001HN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GF001HN - GREEN-MODE FAIRCHILD POWER SWITCH (FPS) SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLV14070BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14070BDR2G - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4070 Logikfunktion: XOR (Exclusive OR) Logik-IC-Familie: 4000B Bauform - Logikbaustein: NSOIC Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 4070 Versorgungsspannung, max.: 18 Anzahl der Eingänge: 2 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Vier SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCP785AH120T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP785AH120T1G - Linearer Festspannungsregler, 55V DC bis 450V DCin, 12Vout und 10mAout, SOT-89-3 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89 Nennausgangsspannung: 12V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 450VDC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 10mA Eingangsspannung, min.: 55VDC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 7812 Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 10mA usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 2387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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2SD1803T-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SD1805G-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1805G-E - BIPOLAR TRANSISTOR SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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2SD1803S-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1803S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5 Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SD1803 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SD1802S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1802S-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1400 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SD1803T-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SD1803 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. |
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NRVBS540T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 190A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 500mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NRVBS540T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 190A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 500mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLV27WZ04DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV27WZ04DFT2G - Inverter, 27WZ, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 27WZ Bauform - Logikbaustein: SC-88 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: SC-88 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: 27WZ04 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl von Elementen: Zwei SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FDB3652 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FDS6576. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FDS6576. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDP2532 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FDS6898AZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NC7SZ74K8X. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ74K8X. - IC, FLIP FLOP, D, 2.6NS, US8-8, FULL REEL Logik-IC-Sockelnummer: 7474 Logik-IC-Familie: NC7S Bauform - Logikbaustein: US8 IC-Ausgang: Complementary Ausgangsstrom: 32 Frequenz: 200 Flip-Flop-Typ: D Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74 Ausbreitungsverzögerung: 2.6 Triggertyp: Positive Edge Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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NL17SZ74USG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ74USG - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, D, 2.6 ns, 250 MHz, 32 mA, US8 tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 17SZ IC-Ausgang: Komplementär hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 32mA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: US8 usEccn: EAR99 Frequenz: 250MHz Flip-Flop-Typ: D Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: - euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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S2D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S2D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 60A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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S2D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S2D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 60A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| LV8316HGR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV8316HGR2G - MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS IC Ausgangsstrom: 2 Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgangsspannung: 16 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 3.9 Bauform - Treiber: TSSOP-EP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 16 Betriebstemperatur, max.: 105 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
| LV8316HGR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV8316HGR2G - MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS IC Ausgangsstrom: 2 Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgangsspannung: 16 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 3.9 Bauform - Treiber: TSSOP-EP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 16 Betriebstemperatur, max.: 105 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
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SBAS40LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBAS40LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 120 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 1 V tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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SBAS40LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBAS40LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 120 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 1 V tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BAS40LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS40LT3G - 40 V SCHOTTKY DIODE SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
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BAS116LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS116LT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS116 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC5227A-5-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5227A-5-TB-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 200 mW, 70 mA, SC-59 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Bauform - HF-Transistor: SC-59 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 70 Übergangsfrequenz: 7 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC5245A-4-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5245A-4-TL-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC5226A-4-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5226A-4-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, SC-70 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC5226A-4-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5226A-4-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, SC-70 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Bauform - HF-Transistor: SC-70 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 70 Übergangsfrequenz: 7 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC5227A-4-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5227A-4-TB-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC5226A-5-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5226A-5-TL-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SC5490A-TL-H |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5490A-TL-H - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2SC5490A-TL-H - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N4149TR |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4149TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 500 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4149
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - 1N4149TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 500 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4149
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS20074DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20074DR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.8 V/µs
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.8V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.8V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
Description: ONSEMI - NCS20074DR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.8 V/µs
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.8V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.8V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
на замовлення 21294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS20072DTBR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20072DTBR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCS20072DTBR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS20072DTBR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20072DTBR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCS20072DTBR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CPH5524-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH5524-TL-E - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 1.2 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 380MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.2W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 390MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.2W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CPH5524-TL-E - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 1.2 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 380MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.2W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 390MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.2W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDB5800 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQA24N60 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA24N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.5 A, 0.24 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 310W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
Description: ONSEMI - FQA24N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.5 A, 0.24 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 310W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP163ASN330T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP163ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 105mV Dropout, 3.3V/250mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 105mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 105mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP163ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 105mV Dropout, 3.3V/250mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 105mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 105mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 22450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTA114EET1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC638TA |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC638TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC638
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC638TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC638
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N4737ATR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4737ATR - Zener-Diode, Baureihe 1N47, 7.5 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
Description: ONSEMI - 1N4737ATR - Zener-Diode, Baureihe 1N47, 7.5 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FCH040N65S3-F155 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0354 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0354ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FCH040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0354 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0354ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSP0865B |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FFSP0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSPF1065A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSPF1065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220FP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FFSPF1065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220FP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTH027N65S3F-F155 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FGY120T65SPD-F085 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGY120T65SPD-F085 - IGBT, 120 A, 1.5 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 882W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FGY120T65SPD-F085 - IGBT, 120 A, 1.5 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 882W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSPF2065A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSPF2065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-220FP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Kapazitive Gesamtladung: 64nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FFSPF2065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-220FP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Kapazitive Gesamtladung: 64nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FCB125N65S3 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB125N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 181W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
Description: ONSEMI - FCB125N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 181W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSB1065B |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB1065B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 27 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FFSB1065B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 27 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV7340D13R2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7340D13R2G - CAN-Bus, ISO 11898, CAN, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NCV7340D13R2G - CAN-Bus, ISO 11898, CAN, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NCV7340D13R2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7340D13R2G - CAN-Bus, ISO 11898, CAN, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der RX-Puffer: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NCV7340D13R2G - CAN-Bus, ISO 11898, CAN, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der RX-Puffer: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDD390N15ALZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SK3745LS-1E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3745LS-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SK3745LS-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SK3746-1E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3746-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SK3746-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 74LCX125BQX |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX125BQX - Puffer, 74LCX125, 2V bis 3.6V, DQFN-14
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74125
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: DQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX125
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 74LCX125BQX - Puffer, 74LCX125, 2V bis 3.6V, DQFN-14
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74125
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: DQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX125
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDPC5018SG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 1400 µohm
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 1400 µohm
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GF001HN |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF001HN - GREEN-MODE FAIRCHILD POWER SWITCH (FPS)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - GF001HN - GREEN-MODE FAIRCHILD POWER SWITCH (FPS)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NLV14070BDR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14070BDR2G - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4070
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4070
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14070BDR2G - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4070
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4070
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NCP785AH120T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP785AH120T1G - Linearer Festspannungsregler, 55V DC bis 450V DCin, 12Vout und 10mAout, SOT-89-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 450VDC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Eingangsspannung, min.: 55VDC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7812 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 10mA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP785AH120T1G - Linearer Festspannungsregler, 55V DC bis 450V DCin, 12Vout und 10mAout, SOT-89-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 450VDC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Eingangsspannung, min.: 55VDC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7812 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 10mA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SD1803T-TL-H |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SD1803S-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2SD1803S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SD1802S-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802S-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SD1802S-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SD1803T-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NRVBS540T3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 190A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NRVBS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 190A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NRVBS540T3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 190A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NRVBS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 190A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NLV27WZ04DFT2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV27WZ04DFT2G - Inverter, 27WZ, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: SC-88
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 27WZ04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NLV27WZ04DFT2G - Inverter, 27WZ, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: SC-88
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 27WZ04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDB3652 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS6576. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS6576. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDP2532 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS6898AZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NC7SZ74K8X. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ74K8X. - IC, FLIP FLOP, D, 2.6NS, US8-8, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: US8
IC-Ausgang: Complementary
Ausgangsstrom: 32
Frequenz: 200
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
Ausbreitungsverzögerung: 2.6
Triggertyp: Positive Edge
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7SZ74K8X. - IC, FLIP FLOP, D, 2.6NS, US8-8, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: US8
IC-Ausgang: Complementary
Ausgangsstrom: 32
Frequenz: 200
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
Ausbreitungsverzögerung: 2.6
Triggertyp: Positive Edge
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NL17SZ74USG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ74USG - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, D, 2.6 ns, 250 MHz, 32 mA, US8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
usEccn: EAR99
Frequenz: 250MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NL17SZ74USG - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, D, 2.6 ns, 250 MHz, 32 mA, US8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
usEccn: EAR99
Frequenz: 250MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S2D |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 60A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - S2D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 60A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S2D |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 60A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - S2D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 60A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| LV8316HGR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV8316HGR2G - MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS IC
Ausgangsstrom: 2
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: TSSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - LV8316HGR2G - MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS IC
Ausgangsstrom: 2
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: TSSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| LV8316HGR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV8316HGR2G - MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS IC
Ausgangsstrom: 2
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: TSSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - LV8316HGR2G - MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS IC
Ausgangsstrom: 2
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: TSSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SBAS40LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBAS40LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 120 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SBAS40LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 120 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SBAS40LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBAS40LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 120 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SBAS40LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 120 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BAS116LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS116LT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS116
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BAS116LT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS116
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC5227A-5-TB-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5227A-5-TB-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 200 mW, 70 mA, SC-59
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - HF-Transistor: SC-59
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2SC5227A-5-TB-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 200 mW, 70 mA, SC-59
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - HF-Transistor: SC-59
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC5245A-4-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5245A-4-TL-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2SC5245A-4-TL-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC5226A-4-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5226A-4-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, SC-70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2SC5226A-4-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, SC-70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC5226A-4-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5226A-4-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, SC-70
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - HF-Transistor: SC-70
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2SC5226A-4-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, SC-70
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - HF-Transistor: SC-70
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC5227A-4-TB-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5227A-4-TB-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2SC5227A-4-TB-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC5226A-5-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5226A-5-TL-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2SC5226A-5-TL-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.