Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (140637) > Сторінка 1838 з 2344

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1833 1834 1835 1836 1837 1838 1839 1840 1841 1842 1843 1872 2106 2340 2344  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NL17SZ16DFT2G NL17SZ16DFT2G ONSEMI 2354014.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ16DFT2G - Logik, Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 65456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.47 грн
43+19.36 грн
106+7.68 грн
500+5.29 грн
1000+3.19 грн
5000+2.73 грн
10000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16XV5T2G NL17SZ16XV5T2G ONSEMI NL17SZ16-D.PDF Description: ONSEMI - NL17SZ16XV5T2G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16DBVT1G NL17SZ16DBVT1G ONSEMI NL17SZ16-D.PDF Description: ONSEMI - NL17SZ16DBVT1G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV553SQ30T1G NCV553SQ30T1G ONSEMI NCP553-D.PDF Description: ONSEMI - NCV553SQ30T1G - LDO REGULATOR, 80 MA, ULTRA-LOW IQ 3.0V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8114BSN300T1G NCV8114BSN300T1G ONSEMI NCV8114-D.PDF Description: ONSEMI - NCV8114BSN300T1G - LDO REGULATOR, 300 MA, LOW IQ 3.0V HZ
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5115YI-50-GT3 CAT5115YI-50-GT3 ONSEMI CAT5115-D.PDF Description: ONSEMI - CAT5115YI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1096PAR2G NCP1096PAR2G ONSEMI ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 26.8kHz
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.56 грн
250+110.16 грн
500+108.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1096PAR2G NCP1096PAR2G ONSEMI ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 26.8kHz
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.73 грн
10+156.99 грн
25+136.66 грн
50+123.12 грн
100+111.56 грн
250+110.16 грн
500+108.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1095DBR2 ONSEMI 2850010.pdf Description: ONSEMI - NCP1095DBR2 - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
Bauform - Controller-IC: TSSOP
Ausgangsstrom: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 90
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung: 57
Anzahl der Pins: 16
UVLO: 32.3
Produktpalette: -
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5060 RHRG5060 ONSEMI 1863521.pdf Description: ONSEMI - RHRG5060 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 50 ns, 500 A
Bauform - Diode: TO-247AB
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1
Sperrverzögerungszeit: 50
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRG5
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.50 грн
10+245.66 грн
100+170.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NL7SZ18DBVT1G NL7SZ18DBVT1G ONSEMI NL7SZ18-D.PDF Description: ONSEMI - NL7SZ18DBVT1G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74LCX138DR2G NLV74LCX138DR2G ONSEMI MC74LCX138-D.PDF Description: ONSEMI - NLV74LCX138DR2G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SV19L6X NC7SV19L6X ONSEMI NC7SV19-D.pdf Description: ONSEMI - NC7SV19L6X - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGF23N60UFTU. ONSEMI SGF23N60UF-D.pdf Description: ONSEMI - SGF23N60UFTU. - IGBT, 600V, PT
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSAL200QSCX FSAL200QSCX ONSEMI 2299862.pdf Description: ONSEMI - FSAL200QSCX - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 4 Schaltkreise, 12 Ohm, 3V bis 5.5V, QSOP-16
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - analoger Multiplexer: QSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Multiplexerkonfiguration: 2:1
Anzahl der Schaltkreise: 4
Durchlasswiderstand, max.: 12
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.00 грн
10+92.73 грн
100+72.88 грн
500+63.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ONSEMI FDN306P-D.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 37705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.65 грн
50+32.29 грн
100+21.07 грн
500+15.18 грн
1500+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 FDBL9406-F085T6 ONSEMI fdbl9406-f085t6-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+170.82 грн
500+157.11 грн
1000+144.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 FDBL9406-F085T6 ONSEMI fdbl9406-f085t6-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.45 грн
10+171.64 грн
100+170.82 грн
500+157.11 грн
1000+144.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
30C02CH-TL-E ONSEMI 2907275.pdf Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 540
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.10 грн
36+22.78 грн
100+14.24 грн
500+7.40 грн
3000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
30C02CH-TL-E ONSEMI 2907275.pdf Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 700
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.40 грн
3000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5109BDR2G NCP5109BDR2G ONSEMI NCP5109-D.PDF Description: ONSEMI - NCP5109BDR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV333ASN2T1G NCV333ASN2T1G ONSEMI ncs333-d.pdf Description: ONSEMI - NCV333ASN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.75 грн
50+54.26 грн
100+42.05 грн
500+30.06 грн
1500+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20091SQ3T2G NCV20091SQ3T2G ONSEMI ncs2009-d.pdf Description: ONSEMI - NCV20091SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.19 грн
33+25.05 грн
100+20.91 грн
500+16.09 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L ONSEMI 2729208.pdf Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.37 грн
250+30.75 грн
1000+26.97 грн
2000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5333ASX FAN5333ASX ONSEMI 2572368.pdf Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.31 грн
250+71.82 грн
500+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S ONSEMI 3750900.pdf Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5228.80 грн
5+5197.89 грн
10+5167.79 грн
50+4769.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0530P2T5G NSR0530P2T5G ONSEMI 2354111.pdf Description: ONSEMI - NSR0530P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 500 mA, 620 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 620mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.44 грн
61+13.50 грн
250+9.44 грн
1000+4.55 грн
4000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SZNZ9F5V1T5G SZNZ9F5V1T5G ONSEMI ONSM-S-A0013713808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZNZ9F5V1T5G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZNZ9FxxxxT5G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.65 грн
43+19.12 грн
100+11.55 грн
500+8.16 грн
1000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363ZR QSB363ZR ONSEMI QSB363-D.pdf Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.71 грн
34+24.40 грн
100+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34GR QSB34GR ONSEMI QSB34-D.PDF Description: ONSEMI - QSB34GR - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 30nA Dunkelstrom, 940nm, PLCC-2
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
Dunkelstrom: 0.03µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.36 грн
16+52.87 грн
50+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363ZR QSB363ZR ONSEMI QSB363-D.pdf Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363 QSB363 ONSEMI QSB363-D.pdf Description: ONSEMI - QSB363 - Fototransistor, 940 nm, 12 °, 75 mW, 2 Pin(s)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Stromverbrauch: 75
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 12
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 940
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34CZR QSB34CZR ONSEMI QSB34-D.PDF Description: ONSEMI - QSB34CZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34ZR QSB34ZR ONSEMI QSB34-D.PDF Description: ONSEMI - QSB34ZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V6LT1G BZX84C3V6LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C3V6LT1G - Zener-Diode, 3.6 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+7.88 грн
176+4.64 грн
304+2.68 грн
500+2.41 грн
1500+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
UC3525AN UC3525AN ONSEMI 1506477.pdf description Description: ONSEMI - UC3525AN - IC, PWM CONTROLLER
Bauform - Controller-IC: DIP
Ausgangsstrom: 200
Ausgangsspannung: 18
Frequenz: 430
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 8
Eingangsspannung: 35
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.43 грн
17+50.68 грн
100+38.80 грн
500+30.59 грн
1000+24.05 грн
5000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SL05T1G SL05T1G ONSEMI sl05t1-d.pdf Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.61 грн
47+17.65 грн
100+12.61 грн
500+8.76 грн
1000+7.25 грн
5000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SL05T1G SL05T1G ONSEMI 2578376.pdf Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.61 грн
500+8.76 грн
1000+7.25 грн
5000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S ONSEMI 3750906.pdf Description: ONSEMI - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1871.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K4S UF3C065040K4S ONSEMI DS_UF3C065040K4S.pdf Description: ONSEMI - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1107.09 грн
5+913.49 грн
10+719.90 грн
50+614.85 грн
100+566.85 грн
250+555.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K3S UF3C065040K3S ONSEMI 3750886.pdf Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1309.64 грн
5+1090.82 грн
10+872.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S ONSEMI 3750905.pdf Description: ONSEMI - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1572.38 грн
5+1386.10 грн
10+1199.83 грн
50+1087.69 грн
100+980.31 грн
250+955.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030T3S UF3C065030T3S ONSEMI 3750884.pdf Description: ONSEMI - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1600.04 грн
5+1364.14 грн
10+1127.43 грн
50+1036.32 грн
100+946.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K3S UF3C120080K3S ONSEMI 3750895.pdf Description: ONSEMI - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1303.95 грн
5+1084.32 грн
10+864.69 грн
50+802.17 грн
100+739.77 грн
250+725.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K3S UF3SC120016K3S ONSEMI 3750902.pdf Description: ONSEMI - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3974.47 грн
5+3656.42 грн
10+2680.29 грн
50+2438.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1G HN1B01FDW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013684659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.42 грн
67+12.28 грн
106+7.74 грн
500+4.87 грн
1000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1G ONSEMI HN2D02FUTW1T1-D.pdf Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+14.15 грн
103+7.92 грн
120+6.79 грн
500+5.26 грн
1500+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1G ONSEMI HN2D02FUTW1T1-D.pdf Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
Bauform - Diode: SC-88
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 3
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: HN2D0
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAG NTTFS5C453NLTAG ONSEMI ONSM-S-A0013300775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K4S UF3SC120016K4S ONSEMI 3750903.pdf Description: ONSEMI - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4330.76 грн
5+4177.83 грн
10+4024.09 грн
50+3594.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 FFSP1065B-F085 ONSEMI FFSP1065B-F085-D.PDF Description: ONSEMI - FFSP1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 11 A, 25 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 FDA69N25 ONSEMI FDA69N25-D.PDF Description: ONSEMI - FDA69N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.041 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.00 грн
10+183.02 грн
100+182.21 грн
500+168.44 грн
1000+152.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSR05T30XV2T5G NSR05T30XV2T5G ONSEMI 2339385.pdf Description: ONSEMI - NSR05T30XV2T5G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 3A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+15.70 грн
78+10.49 грн
112+7.32 грн
500+4.76 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890 FDS3890 ONSEMI fds3890-d.pdf Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.48 грн
10+128.52 грн
100+87.85 грн
500+65.34 грн
1000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76429D3 HUFA76429D3 ONSEMI HUFA76429D3ST-F085-D.PDF Description: ONSEMI - HUFA76429D3 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS FDS6982AS ONSEMI 2304316.pdf Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ02USG NL27WZ02USG ONSEMI 1878616.pdf Description: ONSEMI - NL27WZ02USG - NOR-Gatter, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.26 грн
36+23.18 грн
100+13.26 грн
500+10.27 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1393BDR2G NCP1393BDR2G ONSEMI 2255259.pdf Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1393BDR2G NCP1393BDR2G ONSEMI 2255259.pdf Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16DFT2G 2354014.pdf
NL17SZ16DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ16DFT2G - Logik, Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 65456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+28.47 грн
43+19.36 грн
106+7.68 грн
500+5.29 грн
1000+3.19 грн
5000+2.73 грн
10000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16XV5T2G NL17SZ16-D.PDF
NL17SZ16XV5T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ16XV5T2G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16DBVT1G NL17SZ16-D.PDF
NL17SZ16DBVT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ16DBVT1G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV553SQ30T1G NCP553-D.PDF
NCV553SQ30T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV553SQ30T1G - LDO REGULATOR, 80 MA, ULTRA-LOW IQ 3.0V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8114BSN300T1G NCV8114-D.PDF
NCV8114BSN300T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8114BSN300T1G - LDO REGULATOR, 300 MA, LOW IQ 3.0V HZ
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5115YI-50-GT3 CAT5115-D.PDF
CAT5115YI-50-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115YI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1096PAR2G ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP1096PAR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 26.8kHz
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+111.56 грн
250+110.16 грн
500+108.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1096PAR2G ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP1096PAR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 26.8kHz
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.73 грн
10+156.99 грн
25+136.66 грн
50+123.12 грн
100+111.56 грн
250+110.16 грн
500+108.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1095DBR2 2850010.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1095DBR2 - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
Bauform - Controller-IC: TSSOP
Ausgangsstrom: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 90
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung: 57
Anzahl der Pins: 16
UVLO: 32.3
Produktpalette: -
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5060 1863521.pdf
RHRG5060
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRG5060 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 50 ns, 500 A
Bauform - Diode: TO-247AB
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1
Sperrverzögerungszeit: 50
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRG5
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+272.50 грн
10+245.66 грн
100+170.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NL7SZ18DBVT1G NL7SZ18-D.PDF
NL7SZ18DBVT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL7SZ18DBVT1G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74LCX138DR2G MC74LCX138-D.PDF
NLV74LCX138DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74LCX138DR2G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SV19L6X NC7SV19-D.pdf
NC7SV19L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV19L6X - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGF23N60UFTU. SGF23N60UF-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SGF23N60UFTU. - IGBT, 600V, PT
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSAL200QSCX 2299862.pdf
FSAL200QSCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSAL200QSCX - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 4 Schaltkreise, 12 Ohm, 3V bis 5.5V, QSOP-16
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - analoger Multiplexer: QSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Multiplexerkonfiguration: 2:1
Anzahl der Schaltkreise: 4
Durchlasswiderstand, max.: 12
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.00 грн
10+92.73 грн
100+72.88 грн
500+63.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P-D.pdf
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 37705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.65 грн
50+32.29 грн
100+21.07 грн
500+15.18 грн
1500+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 fdbl9406-f085t6-d.pdf
FDBL9406-F085T6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+170.82 грн
500+157.11 грн
1000+144.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 fdbl9406-f085t6-d.pdf
FDBL9406-F085T6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+172.45 грн
10+171.64 грн
100+170.82 грн
500+157.11 грн
1000+144.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
30C02CH-TL-E 2907275.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 540
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+30.10 грн
36+22.78 грн
100+14.24 грн
500+7.40 грн
3000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
30C02CH-TL-E 2907275.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 700
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.40 грн
3000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5109BDR2G NCP5109-D.PDF
NCP5109BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5109BDR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV333ASN2T1G ncs333-d.pdf
NCV333ASN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV333ASN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.75 грн
50+54.26 грн
100+42.05 грн
500+30.06 грн
1500+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20091SQ3T2G ncs2009-d.pdf
NCV20091SQ3T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20091SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.19 грн
33+25.05 грн
100+20.91 грн
500+16.09 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L 2729208.pdf
FDT86246L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.37 грн
250+30.75 грн
1000+26.97 грн
2000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5333ASX 2572368.pdf
FAN5333ASX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.31 грн
250+71.82 грн
500+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065007K4S 3750900.pdf
UF3SC065007K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5228.80 грн
5+5197.89 грн
10+5167.79 грн
50+4769.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0530P2T5G 2354111.pdf
NSR0530P2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0530P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 500 mA, 620 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 620mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+19.44 грн
61+13.50 грн
250+9.44 грн
1000+4.55 грн
4000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SZNZ9F5V1T5G ONSM-S-A0013713808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZNZ9F5V1T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNZ9F5V1T5G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZNZ9FxxxxT5G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.65 грн
43+19.12 грн
100+11.55 грн
500+8.16 грн
1000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363ZR QSB363-D.pdf
QSB363ZR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+35.71 грн
34+24.40 грн
100+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34GR QSB34-D.PDF
QSB34GR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34GR - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 30nA Dunkelstrom, 940nm, PLCC-2
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
Dunkelstrom: 0.03µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.36 грн
16+52.87 грн
50+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363ZR QSB363-D.pdf
QSB363ZR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363 QSB363-D.pdf
QSB363
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363 - Fototransistor, 940 nm, 12 °, 75 mW, 2 Pin(s)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Stromverbrauch: 75
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 12
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 940
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34CZR QSB34-D.PDF
QSB34CZR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34CZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34ZR QSB34-D.PDF
QSB34ZR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34ZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V6LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C3V6LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C3V6LT1G - Zener-Diode, 3.6 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
104+7.88 грн
176+4.64 грн
304+2.68 грн
500+2.41 грн
1500+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
UC3525AN description 1506477.pdf
UC3525AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UC3525AN - IC, PWM CONTROLLER
Bauform - Controller-IC: DIP
Ausgangsstrom: 200
Ausgangsspannung: 18
Frequenz: 430
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 8
Eingangsspannung: 35
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6318P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.43 грн
17+50.68 грн
100+38.80 грн
500+30.59 грн
1000+24.05 грн
5000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SL05T1G sl05t1-d.pdf
SL05T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.61 грн
47+17.65 грн
100+12.61 грн
500+8.76 грн
1000+7.25 грн
5000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SL05T1G 2578376.pdf
SL05T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.61 грн
500+8.76 грн
1000+7.25 грн
5000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3S 3750906.pdf
UJ3C065030T3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1871.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K4S DS_UF3C065040K4S.pdf
UF3C065040K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1107.09 грн
5+913.49 грн
10+719.90 грн
50+614.85 грн
100+566.85 грн
250+555.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K3S 3750886.pdf
UF3C065040K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1309.64 грн
5+1090.82 грн
10+872.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3S 3750905.pdf
UJ3C065030K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1572.38 грн
5+1386.10 грн
10+1199.83 грн
50+1087.69 грн
100+980.31 грн
250+955.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030T3S 3750884.pdf
UF3C065030T3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1600.04 грн
5+1364.14 грн
10+1127.43 грн
50+1036.32 грн
100+946.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K3S 3750895.pdf
UF3C120080K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1303.95 грн
5+1084.32 грн
10+864.69 грн
50+802.17 грн
100+739.77 грн
250+725.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K3S 3750902.pdf
UF3SC120016K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3974.47 грн
5+3656.42 грн
10+2680.29 грн
50+2438.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1G ONSM-S-A0013684659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HN1B01FDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+20.42 грн
67+12.28 грн
106+7.74 грн
500+4.87 грн
1000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1-D.pdf
HN2D02FUTW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+14.15 грн
103+7.92 грн
120+6.79 грн
500+5.26 грн
1500+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1-D.pdf
HN2D02FUTW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
Bauform - Diode: SC-88
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 3
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: HN2D0
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAG ONSM-S-A0013300775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS5C453NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K4S 3750903.pdf
UF3SC120016K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4330.76 грн
5+4177.83 грн
10+4024.09 грн
50+3594.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 FFSP1065B-F085-D.PDF
FFSP1065B-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 11 A, 25 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 FDA69N25-D.PDF
FDA69N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA69N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.041 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+266.00 грн
10+183.02 грн
100+182.21 грн
500+168.44 грн
1000+152.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSR05T30XV2T5G 2339385.pdf
NSR05T30XV2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR05T30XV2T5G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 3A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+15.70 грн
78+10.49 грн
112+7.32 грн
500+4.76 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890 fds3890-d.pdf
FDS3890
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.48 грн
10+128.52 грн
100+87.85 грн
500+65.34 грн
1000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76429D3 HUFA76429D3ST-F085-D.PDF
HUFA76429D3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUFA76429D3 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS 2304316.pdf
FDS6982AS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ02USG 1878616.pdf
NL27WZ02USG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL27WZ02USG - NOR-Gatter, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.26 грн
36+23.18 грн
100+13.26 грн
500+10.27 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1393BDR2G 2255259.pdf
NCP1393BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1393BDR2G 2255259.pdf
NCP1393BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1833 1834 1835 1836 1837 1838 1839 1840 1841 1842 1843 1872 2106 2340 2344  [ Наступна Сторінка >> ]