Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141174) > Сторінка 1838 з 2353

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1833 1834 1835 1836 1837 1838 1839 1840 1841 1842 1843 1880 2115 2350 2353  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GF001HN GF001HN ONSEMI GF001H-D.PDF Description: ONSEMI - GF001HN - GREEN-MODE FAIRCHILD POWER SWITCH (FPS)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14070BDR2G NLV14070BDR2G ONSEMI MC14070B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14070BDR2G - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4070
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4070
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP785AH120T1G NCP785AH120T1G ONSEMI 1948370.pdf Description: ONSEMI - NCP785AH120T1G - Linearer Festspannungsregler, 55V DC bis 450V DCin, 12Vout und 10mAout, SOT-89-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 450VDC
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Eingangsspannung, min.: 55VDC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7812 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+86.07 грн
15+61.76 грн
50+55.81 грн
100+45.65 грн
250+39.47 грн
500+37.88 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-H 2SD1803T-TL-H ONSEMI 2SB1203%2C2SD1803.pdf Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-E 2SD1805G-E ONSEMI ONSMS36409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1805G-E - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-E 2SD1803S-E ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1803S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-TL-E 2SD1802S-TL-E ONSEMI 2SB1202-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1802S-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-E 2SD1803T-TL-E ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS540T3G NRVBS540T3G ONSEMI mbrs540t3-d.pdf Description: ONSEMI - NRVBS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 190A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+40.91 грн
24+37.89 грн
100+34.61 грн
500+29.50 грн
1000+26.54 грн
5000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS540T3G NRVBS540T3G ONSEMI mbrs540t3-d.pdf Description: ONSEMI - NRVBS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 190A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.61 грн
500+29.50 грн
1000+26.54 грн
5000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NLV27WZ04DFT2G NLV27WZ04DFT2G ONSEMI 1748108.pdf Description: ONSEMI - NLV27WZ04DFT2G - Inverter, 27WZ, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: SC-88
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 27WZ04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.84 грн
24+37.09 грн
100+25.38 грн
500+19.28 грн
1000+14.60 грн
2500+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 ONSEMI 2304715.pdf Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.35 грн
10+161.50 грн
100+111.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576. FDS6576. ONSEMI Description: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.67 грн
11+86.25 грн
100+62.03 грн
500+42.19 грн
1000+34.53 грн
5000+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576. FDS6576. ONSEMI ONSM-S-A0003585418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.10 грн
500+42.60 грн
1000+32.32 грн
5000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 ONSEMI ONSM-S-A0003585508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+320.33 грн
10+177.47 грн
100+174.81 грн
500+160.67 грн
1000+146.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ FDS6898AZ ONSEMI 2304332.pdf Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.62 грн
10+97.61 грн
100+64.95 грн
500+47.63 грн
1000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ74K8X. NC7SZ74K8X. ONSEMI 2277469.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ74K8X. - IC, FLIP FLOP, D, 2.6NS, US8-8, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: US8
IC-Ausgang: Complementary
Ausgangsstrom: 32
Frequenz: 200
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
Ausbreitungsverzögerung: 2.6
Triggertyp: Positive Edge
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ74USG NL17SZ74USG ONSEMI 2013787.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ74USG - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, D, 2.6 ns, 250 MHz, 32 mA, US8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
usEccn: EAR99
Frequenz: 250MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+54.75 грн
33+27.06 грн
100+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
S2D S2D ONSEMI S2A-S2M%20N0562%20REV.A.pdf Description: ONSEMI - S2D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 60A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+27.24 грн
56+16.06 грн
100+13.93 грн
500+10.88 грн
1000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
S2D S2D ONSEMI S2A-S2M%20N0562%20REV.A.pdf Description: ONSEMI - S2D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 60A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.93 грн
500+10.88 грн
1000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LV8316HGR2G ONSEMI 2850003.pdf Description: ONSEMI - LV8316HGR2G - MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS IC
Ausgangsstrom: 2
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: TSSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LV8316HGR2G ONSEMI 2850003.pdf Description: ONSEMI - LV8316HGR2G - MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS IC
Ausgangsstrom: 2
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: TSSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+76.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SBAS40LT1G SBAS40LT1G ONSEMI 2907074.pdf Description: ONSEMI - SBAS40LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 120 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.21 грн
1000+2.49 грн
5000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SBAS40LT1G SBAS40LT1G ONSEMI 2907074.pdf Description: ONSEMI - SBAS40LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 120 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+9.23 грн
145+6.14 грн
173+5.15 грн
500+3.21 грн
1000+2.49 грн
5000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LT3G BAS40LT3G ONSEMI BAS40LT1-D.PDF Description: ONSEMI - BAS40LT3G - 40 V SCHOTTKY DIODE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116LT1G BAS116LT1G ONSEMI 2337844.pdf Description: ONSEMI - BAS116LT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS116
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+10.20 грн
125+7.13 грн
194+4.59 грн
500+3.16 грн
1500+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5227A-5-TB-E 2SC5227A-5-TB-E ONSEMI ONSMS36599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5227A-5-TB-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 200 mW, 70 mA, SC-59
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - HF-Transistor: SC-59
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5245A-4-TL-E 2SC5245A-4-TL-E ONSEMI 2SC5245A-D.PDF Description: ONSEMI - 2SC5245A-4-TL-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5226A-4-TL-E 2SC5226A-4-TL-E ONSEMI ONSMS36071-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5226A-4-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, SC-70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5226A-4-TL-E 2SC5226A-4-TL-E ONSEMI ONSMS36071-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5226A-4-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, SC-70
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - HF-Transistor: SC-70
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5227A-4-TB-E 2SC5227A-4-TB-E ONSEMI ONSMS36599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5227A-4-TB-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5226A-5-TL-E 2SC5226A-5-TL-E ONSEMI ONSMS36071-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5226A-5-TL-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ17P6X. NC7WZ17P6X. ONSEMI Description: ONSEMI - NC7WZ17P6X. - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+8.84 грн
201+4.42 грн
240+3.71 грн
500+2.96 грн
1500+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085 FDD4141-F085 ONSEMI 2724461.pdf Description: ONSEMI - FDD4141-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+110.03 грн
10+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ONSEMI 2304863.pdf Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ONSEMI 4409139.pdf Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+123.34 грн
50+77.91 грн
100+51.73 грн
500+37.66 грн
1000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085 FDD4141-F085 ONSEMI 2724461.pdf Description: ONSEMI - FDD4141-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU ONSEMI ksd1616a-d.pdf Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+40.11 грн
35+25.47 грн
100+15.00 грн
500+11.21 грн
1000+9.13 грн
5000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RURG8060 RURG8060 ONSEMI ONSM-S-A0013274375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RURG8060 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 80 A, Einfach, 1.6 V, 85 ns, 800 A
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 800
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6
Sperrverzögerungszeit: 85
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: RURG8
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+430.37 грн
10+386.89 грн
100+316.78 грн
500+250.49 грн
1000+194.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9P25 FQP9P25 ONSEMI 2572548.pdf Description: ONSEMI - FQP9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 9.4 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.91 грн
10+148.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06LTU ONSEMI 2907446.pdf Description: ONSEMI - FQU20N06LTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.2 A, 0.046 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 17.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+70.54 грн
15+62.56 грн
100+47.92 грн
500+35.18 грн
1000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N40TU FQU5N40TU ONSEMI ONSM-S-A0003588088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQU5N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.4 A, 1.6 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+43.39 грн
100+42.50 грн
500+38.64 грн
1000+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5P20TU ONSEMI 2907449.pdf Description: ONSEMI - FQU5P20TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ14DFT2G NL17SZ14DFT2G ONSEMI 1818217.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ14DFT2G - Inverter, Schmitt-Trigger, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 17SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 17SZ14
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+8.53 грн
183+4.86 грн
249+3.58 грн
500+2.85 грн
1000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ38P5X NC7SZ38P5X ONSEMI 2907167.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ38P5X - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-70, 7SZ38
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7SZ38
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+8.45 грн
155+5.75 грн
211+4.22 грн
500+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ126P5X. NC7SZ126P5X. ONSEMI 2287972.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ126P5X. - NON INVERTING UHS BUFFER, SC-70-5, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Buffer, Non Inverting
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ00P5X. NC7SZ00P5X. ONSEMI 2287754.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ00P5X. - SINGLE NAND GATE, 2I/P, SC-70-5, FULL REEL
Logikfunktion: NAND Gate
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 7S00
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Without Schmitt Trigger Input
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Single
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B FDS6930B ONSEMI ONSM-S-A0003584273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS6930B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B FDS6930B ONSEMI 2300005.pdf Description: ONSEMI - FDS6930B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B FDS6930B ONSEMI 1639800.pdf Description: ONSEMI - FDS6930B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930A FDS6930A ONSEMI 2299840.pdf Description: ONSEMI - FDS6930A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930A FDS6930A ONSEMI 250086.pdf Description: ONSEMI - FDS6930A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N10L FQP13N10L ONSEMI 1863454.pdf Description: ONSEMI - FQP13N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+125.12 грн
10+106.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N10 FQP13N10 ONSEMI 1863453.pdf Description: ONSEMI - FQP13N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 12.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 ONSEMI 2304644.pdf Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+470.30 грн
10+241.36 грн
100+233.37 грн
500+203.52 грн
1000+184.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102 FDP150N10A-F102 ONSEMI FDP150N10A.pdf Description: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+280.40 грн
10+137.54 грн
100+126.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102 FDP085N10A-F102 ONSEMI 2729300.pdf Description: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.22 грн
10+154.40 грн
100+131.33 грн
500+101.35 грн
1000+92.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4010IL6X-F113 FAN4010IL6X-F113 ONSEMI 2304753.pdf Description: ONSEMI - FAN4010IL6X-F113 - Strommessverstärker, High-Side, High Side, 600 kHz, MLP, 6 Pin(s), -40 °C, 85 °C
tariffCode: 85423990
CMRR: -
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
Verstärkung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 600kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Strommessverstärker: High-Side
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI 2304872.pdf Description: ONSEMI - FCH47N60-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+833.22 грн
5+724.97 грн
10+616.71 грн
50+561.12 грн
100+507.31 грн
250+496.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCHD190N65S3R0-F155 ONSEMI fchd190n65s3r0-d.pdf Description: ONSEMI - FCHD190N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.159 ohm, TO-247AD
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 144
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GF001HN GF001H-D.PDF
GF001HN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF001HN - GREEN-MODE FAIRCHILD POWER SWITCH (FPS)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14070BDR2G MC14070B-D.PDF
NLV14070BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14070BDR2G - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4070
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4070
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP785AH120T1G 1948370.pdf
NCP785AH120T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP785AH120T1G - Linearer Festspannungsregler, 55V DC bis 450V DCin, 12Vout und 10mAout, SOT-89-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 450VDC
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Eingangsspannung, min.: 55VDC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7812 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+86.07 грн
15+61.76 грн
50+55.81 грн
100+45.65 грн
250+39.47 грн
500+37.88 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-H 2SB1203%2C2SD1803.pdf
2SD1803T-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-E ONSMS36409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1805G-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1805G-E - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-E EN2085-D.PDF
2SD1803S-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-TL-E 2SB1202-D.PDF
2SD1802S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802S-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-E EN2085-D.PDF
2SD1803T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS540T3G mbrs540t3-d.pdf
NRVBS540T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 190A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.91 грн
24+37.89 грн
100+34.61 грн
500+29.50 грн
1000+26.54 грн
5000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS540T3G mbrs540t3-d.pdf
NRVBS540T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 190A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.61 грн
500+29.50 грн
1000+26.54 грн
5000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NLV27WZ04DFT2G 1748108.pdf
NLV27WZ04DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV27WZ04DFT2G - Inverter, 27WZ, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: SC-88
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 27WZ04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+39.84 грн
24+37.09 грн
100+25.38 грн
500+19.28 грн
1000+14.60 грн
2500+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 2304715.pdf
FDB3652
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.35 грн
10+161.50 грн
100+111.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576.
FDS6576.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.67 грн
11+86.25 грн
100+62.03 грн
500+42.19 грн
1000+34.53 грн
5000+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576. ONSM-S-A0003585418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS6576.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.10 грн
500+42.60 грн
1000+32.32 грн
5000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 ONSM-S-A0003585508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDP2532
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+320.33 грн
10+177.47 грн
100+174.81 грн
500+160.67 грн
1000+146.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ 2304332.pdf
FDS6898AZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.62 грн
10+97.61 грн
100+64.95 грн
500+47.63 грн
1000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ74K8X. 2277469.pdf
NC7SZ74K8X.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ74K8X. - IC, FLIP FLOP, D, 2.6NS, US8-8, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: US8
IC-Ausgang: Complementary
Ausgangsstrom: 32
Frequenz: 200
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
Ausbreitungsverzögerung: 2.6
Triggertyp: Positive Edge
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ74USG 2013787.pdf
NL17SZ74USG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ74USG - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, D, 2.6 ns, 250 MHz, 32 mA, US8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
usEccn: EAR99
Frequenz: 250MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+54.75 грн
33+27.06 грн
100+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
S2D S2A-S2M%20N0562%20REV.A.pdf
S2D
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 60A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+27.24 грн
56+16.06 грн
100+13.93 грн
500+10.88 грн
1000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
S2D S2A-S2M%20N0562%20REV.A.pdf
S2D
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 60A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.93 грн
500+10.88 грн
1000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LV8316HGR2G 2850003.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV8316HGR2G - MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS IC
Ausgangsstrom: 2
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: TSSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LV8316HGR2G 2850003.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV8316HGR2G - MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS IC
Ausgangsstrom: 2
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: TSSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+76.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SBAS40LT1G 2907074.pdf
SBAS40LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBAS40LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 120 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.21 грн
1000+2.49 грн
5000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SBAS40LT1G 2907074.pdf
SBAS40LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBAS40LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 120 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+9.23 грн
145+6.14 грн
173+5.15 грн
500+3.21 грн
1000+2.49 грн
5000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LT3G BAS40LT1-D.PDF
BAS40LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS40LT3G - 40 V SCHOTTKY DIODE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116LT1G 2337844.pdf
BAS116LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS116LT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS116
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+10.20 грн
125+7.13 грн
194+4.59 грн
500+3.16 грн
1500+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5227A-5-TB-E ONSMS36599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5227A-5-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5227A-5-TB-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 200 mW, 70 mA, SC-59
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - HF-Transistor: SC-59
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5245A-4-TL-E 2SC5245A-D.PDF
2SC5245A-4-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5245A-4-TL-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5226A-4-TL-E ONSMS36071-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5226A-4-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5226A-4-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, SC-70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5226A-4-TL-E ONSMS36071-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5226A-4-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5226A-4-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, SC-70
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - HF-Transistor: SC-70
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5227A-4-TB-E ONSMS36599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5227A-4-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5227A-4-TB-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5226A-5-TL-E ONSMS36071-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5226A-5-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5226A-5-TL-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ17P6X.
NC7WZ17P6X.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17P6X. - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+8.84 грн
201+4.42 грн
240+3.71 грн
500+2.96 грн
1500+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085 2724461.pdf
FDD4141-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+110.03 грн
10+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 2304863.pdf
FDD4141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 4409139.pdf
FDD4141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+123.34 грн
50+77.91 грн
100+51.73 грн
500+37.66 грн
1000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085 2724461.pdf
FDD4141-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU ksd1616a-d.pdf
KSD1616AGBU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+40.11 грн
35+25.47 грн
100+15.00 грн
500+11.21 грн
1000+9.13 грн
5000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RURG8060 ONSM-S-A0013274375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RURG8060
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RURG8060 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 80 A, Einfach, 1.6 V, 85 ns, 800 A
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 800
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6
Sperrverzögerungszeit: 85
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: RURG8
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+430.37 грн
10+386.89 грн
100+316.78 грн
500+250.49 грн
1000+194.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9P25 2572548.pdf
FQP9P25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 9.4 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.91 грн
10+148.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06LTU 2907446.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU20N06LTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.2 A, 0.046 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 17.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+70.54 грн
15+62.56 грн
100+47.92 грн
500+35.18 грн
1000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5N40TU ONSM-S-A0003588088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQU5N40TU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU5N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.4 A, 1.6 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+43.39 грн
100+42.50 грн
500+38.64 грн
1000+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FQU5P20TU 2907449.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU5P20TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ14DFT2G 1818217.pdf
NL17SZ14DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ14DFT2G - Inverter, Schmitt-Trigger, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 17SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 17SZ14
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+8.53 грн
183+4.86 грн
249+3.58 грн
500+2.85 грн
1000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ38P5X 2907167.pdf
NC7SZ38P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ38P5X - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-70, 7SZ38
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7SZ38
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+8.45 грн
155+5.75 грн
211+4.22 грн
500+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ126P5X. 2287972.pdf
NC7SZ126P5X.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ126P5X. - NON INVERTING UHS BUFFER, SC-70-5, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Buffer, Non Inverting
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ00P5X. 2287754.pdf
NC7SZ00P5X.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ00P5X. - SINGLE NAND GATE, 2I/P, SC-70-5, FULL REEL
Logikfunktion: NAND Gate
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 7S00
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Without Schmitt Trigger Input
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Single
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B ONSM-S-A0003584273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS6930B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6930B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B 2300005.pdf
FDS6930B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6930B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B 1639800.pdf
FDS6930B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6930B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930A 2299840.pdf
FDS6930A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6930A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930A 250086.pdf
FDS6930A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6930A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N10L 1863454.pdf
FQP13N10L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP13N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+125.12 грн
10+106.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N10 1863453.pdf
FQP13N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP13N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 12.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 2304644.pdf
FDP083N15A-F102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+470.30 грн
10+241.36 грн
100+233.37 грн
500+203.52 грн
1000+184.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102 FDP150N10A.pdf
FDP150N10A-F102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+280.40 грн
10+137.54 грн
100+126.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102 2729300.pdf
FDP085N10A-F102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+258.22 грн
10+154.40 грн
100+131.33 грн
500+101.35 грн
1000+92.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4010IL6X-F113 2304753.pdf
FAN4010IL6X-F113
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN4010IL6X-F113 - Strommessverstärker, High-Side, High Side, 600 kHz, MLP, 6 Pin(s), -40 °C, 85 °C
tariffCode: 85423990
CMRR: -
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
Verstärkung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 600kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Strommessverstärker: High-Side
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 2304872.pdf
FCH47N60-F133
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH47N60-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+833.22 грн
5+724.97 грн
10+616.71 грн
50+561.12 грн
100+507.31 грн
250+496.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCHD190N65S3R0-F155 fchd190n65s3r0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCHD190N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.159 ohm, TO-247AD
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 144
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1833 1834 1835 1836 1837 1838 1839 1840 1841 1842 1843 1880 2115 2350 2353  [ Наступна Сторінка >> ]