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FDS6375 FDS6375 ONSEMI 2304203.pdf Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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FDS8949 FDS8949 ONSEMI ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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FDS8813NZ FDS8813NZ ONSEMI ONSM-S-A0003584271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FDS2734 FDS2734 ONSEMI ONSM-S-A0003584031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FDS8447 FDS8447 ONSEMI fds8447-d.pdf description Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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FDS8878 FDS8878 ONSEMI ONSM-S-A0014831960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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FDS8449 FDS8449 ONSEMI 680887.pdf Description: ONSEMI - FDS8449 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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FDS2734 FDS2734 ONSEMI ONSM-S-A0003584031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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FDS3572 FDS3572 ONSEMI ONSM-S-A0003584166-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FDS8884 FDS8884 ONSEMI ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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QED223 QED223 ONSEMI qed223-d.pdf Description: ONSEMI - QED223 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 30 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
euEccn: NLR
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
isCanonical: Y
MSL: -
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 25mW/Sr
Halbwertswinkel: 30°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
на замовлення 47325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 ONSEMI FQA9N90_F109-D.PDF Description: ONSEMI - FQA9N90-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
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FQA9N90C-F109 FQA9N90C-F109 ONSEMI ONSM-S-A0013297846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA9N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.12 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 280
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E ONSEMI ONSMS36431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6099-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E ONSEMI ena0434-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E ONSEMI ena0434-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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2SC6098-TL-E 2SC6098-TL-E ONSEMI ENA0413-D.PDF Description: ONSEMI - 2SC6098-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
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2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E ONSEMI ONSMS36431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6099-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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2SC6095-TD-E 2SC6095-TD-E ONSEMI ENA0411-D.PDF Description: ONSEMI - 2SC6095-TD-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
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2SC6094-TD-E ONSEMI 2907274.pdf Description: ONSEMI - 2SC6094-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Verlustleistung Pd: 3.5
Übergangsfrequenz ft: 390
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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2SC6094-TD-E ONSEMI 2907274.pdf Description: ONSEMI - 2SC6094-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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2SC6096-TD-H 2SC6096-TD-H ONSEMI ENA0434-D.PDF Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-H - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
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2SC6097-E 2SC6097-E ONSEMI ONSMS36407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6097-E - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
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BSR17A BSR17A ONSEMI 2277962.pdf Description: ONSEMI - BSR17A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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BSR17A BSR17A ONSEMI 2277962.pdf Description: ONSEMI - BSR17A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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FPF1009R FPF1009R ONSEMI FPF1007-D.PDF Description: ONSEMI - FPF1009R - INTELLIMAX ADVANCED LOAD PRODUCTS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
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ESDR0502BT1G ESDR0502BT1G ONSEMI 2354267.pdf Description: ONSEMI - ESDR0502BT1G - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SC-75, 3 Pin(s), 5 V, ESDR0
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-75
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESDR0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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50C02CH-TL-E 50C02CH-TL-E ONSEMI ONSM-S-A0001813932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 50C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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50C02SS-TL-E 50C02SS-TL-E ONSEMI 2337900.pdf Description: ONSEMI - 50C02SS-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 400 mA, 200 mW, SOT-623, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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EFC8811R-TF EFC8811R-TF ONSEMI ONSM-S-A0001706928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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KSB596YTU KSB596YTU ONSEMI 2572460.pdf Description: ONSEMI - KSB596YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NLAS4599DFT2G NLAS4599DFT2G ONSEMI 1712834.pdf Description: ONSEMI - NLAS4599DFT2G - SPDT, CMOS, 5.5V, 95RON, 23NS, 6SC88
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 5.5ohm
Einschaltwiderstand, typ.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-363
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 5.5ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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FSUSB30L10X FSUSB30L10X ONSEMI FSUSB30-D.pdf Description: ONSEMI - FSUSB30L10X - USB-Schnittstelle, High-Speed-DPDT-USB-Switch, USB 2.0, 3 V, 3.4 V, Micro Pak, 10 Pin(s)
USB-Version: USB 2.0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Ports: 2 Ports
USB-IC: High-Speed-DPDT-USB-Switch
Anzahl der Pins: 10
Übertragungsrate: 480
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.4
Bauform - Schnittstellenbaustein: Micro Pak
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
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FDP2D3N10C FDP2D3N10C ONSEMI 2310546.pdf Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BAS29 BAS29 ONSEMI 2299657.pdf description Description: ONSEMI - BAS29 - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS29
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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BYW80-200G BYW80-200G ONSEMI ONSM-S-A0013339595-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - BYW80-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220B
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYW80
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCP1608BDR2G NCP1608BDR2G ONSEMI 2355053.pdf Description: ONSEMI - NCP1608BDR2G - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Frequenzmodus: -
PFC-Betriebsmodus: CrCM - Critical Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Spannung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FDC8884 FDC8884 ONSEMI 2729185.pdf Description: ONSEMI - FDC8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
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FDC645N FDC645N ONSEMI FDC645N-D.pdf Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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FDC6561AN FDC6561AN ONSEMI 2298151.pdf Description: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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FDC658P FDC658P ONSEMI 2304204.pdf Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 8610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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FDC8878 FDC8878 ONSEMI 2572503.pdf Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FDP61N20 FDP61N20 ONSEMI 2303835.pdf Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FSA266K8X FSA266K8X ONSEMI Description: ONSEMI - FSA266K8X - Analogschalter, 2 Kanäle, 2 Kanäle, SPST, 13.5 ohm, 1.65V bis 5.5V, VSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: VSSOP
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 13.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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1N5406RL 1N5406RL ONSEMI ONSMS13231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5406RL - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NCP57152DSADJR4G NCP57152DSADJR4G ONSEMI ncp57152-d.pdf Description: ONSEMI - NCP57152DSADJR4G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 1.8V bis 13.5V, 330mV Dropout, 1.24-13V / 1.5Aout, TO263-5
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 13
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.24
Eingangsspannung, max.: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: Adj 1.5A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 330
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
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NCP59151DS25R4G NCP59151DS25R4G ONSEMI ncp59150-d.pdf Description: ONSEMI - NCP59151DS25R4G - LDO-Festspannungsregler, 2.24V bis 13.5V, 300mV Dropout, 2.5V / 1.5Aout, TO263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 2.5
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.24
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 2.5V 1.5A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
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NCP59151DS30R4G NCP59151DS30R4G ONSEMI ncp59150-d.pdf Description: ONSEMI - NCP59151DS30R4G - LDO-Festspannungsregler, 2.24V bis 13.5V, 300mV Dropout, 3V / 1.5Aout, TO263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 3
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.24
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 3V 1.5A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
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NCP59151DS28R4G NCP59151DS28R4G ONSEMI NCP59150-D.PDF ONSMS34294-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 ncp59150-d.pdf Description: ONSEMI - NCP59151DS28R4G - LDO-Festspannungsregler, 2.24V bis 13.5V, 300mV Dropout, 2.8V / 1.5Aout, TO263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 2.8
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.24
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 2.8V 1.5A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
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NCP59151DS18R4G NCP59151DS18R4G ONSEMI ncp59150-d.pdf Description: ONSEMI - NCP59151DS18R4G - LDO-Festspannungsregler, 2.24V bis 13.5V, 300mV Dropout, 1.8V / 1.5Aout, TO263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 1.8
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.24
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 1.8V 1.5A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
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NCS21871SQ3T2G NCS21871SQ3T2G ONSEMI 3005719.pdf Description: ONSEMI - NCS21871SQ3T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCS21871SQ3T2G NCS21871SQ3T2G ONSEMI 3005719.pdf Description: ONSEMI - NCS21871SQ3T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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1N4740ATR 1N4740ATR ONSEMI 3658796.pdf Description: ONSEMI - 1N4740ATR - Zener-Diode, Baureihe 1N47, 10 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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J107 J107 ONSEMI 2285913.pdf Description: ONSEMI - J107 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 100 mA, 100 mA, 4.5 V, TO-92, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 100
Durchbruchspannung Vbr: -25
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 100
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 4.5
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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AXDBG-2-GEVK AXDBG-2-GEVK ONSEMI 2339414.pdf Description: ONSEMI - AXDBG-2-GEVK - Debugging-Adapter, DVK-2, AX8052-Mikrocontroller-Debugging-Schnittstelle, äußerst energiesparend
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Lieferumfang des Kits: Debugging-Adapter
Prozessorserie: -
Merkmale: Äußerst geringe Leistungsaufnahme, sehr flexible Taktung, 2-Kanal-DMA-Engine, SPI-Schnittstelle
IC-Produkttyp: Debugger
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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LE25S20XATAG LE25S20XATAG ONSEMI LE25S20XA-D.PDF Description: ONSEMI - LE25S20XATAG - Flash-Speicher, Serial-NOR, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, SPI, WLCSP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: WLCSP
Flash-Speicher: Serial-NOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Taktfrequenz: 40
Speicherkonfiguration Flash: 256K x 8 Bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 2
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 1.95
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
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FGL40N120ANTU FGL40N120ANTU ONSEMI 2298719.pdf Description: ONSEMI - FGL40N120ANTU - IGBT, 64 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
DC-Kollektorstrom: 64
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-264
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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BSS63LT1G BSS63LT1G ONSEMI 2160727.pdf Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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TLV271SN1T1G TLV271SN1T1G ONSEMI 2160874.pdf Description: ONSEMI - TLV271SN1T1G - Operationsverstärker, einfach, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 16V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Breitbandverstärker
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 16V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
Bauform - Verstärker: SOT-23
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G ONSEMI 2255288.pdf Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 44214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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FDS6375 2304203.pdf
FDS6375
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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FDS8949 ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8949
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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FDS8813NZ ONSM-S-A0003584271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8813NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FDS2734 ONSM-S-A0003584031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS2734
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FDS8447 description fds8447-d.pdf
FDS8447
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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FDS8878 ONSM-S-A0014831960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8878
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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FDS8449 680887.pdf
FDS8449
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8449 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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FDS2734 ONSM-S-A0003584031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS2734
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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FDS3572 ONSM-S-A0003584166-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS3572
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FDS8884 ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8884
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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QED223 qed223-d.pdf
QED223
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QED223 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 30 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
euEccn: NLR
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
isCanonical: Y
MSL: -
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 25mW/Sr
Halbwertswinkel: 30°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
на замовлення 47325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FQA9N90-F109 FQA9N90_F109-D.PDF
FQA9N90-F109
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA9N90-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
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FQA9N90C-F109 ONSM-S-A0013297846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA9N90C-F109
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA9N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.12 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 280
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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2SC6099-TL-E ONSMS36431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6099-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6099-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
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2SC6096-TD-E ena0434-d.pdf
2SC6096-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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2SC6096-TD-E ena0434-d.pdf
2SC6096-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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2SC6098-TL-E ENA0413-D.PDF
2SC6098-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6098-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
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2SC6099-TL-E ONSMS36431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6099-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6099-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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Мінімальне замовлення: 100 шт
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2SC6095-TD-E ENA0411-D.PDF
2SC6095-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6095-TD-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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Мінімальне замовлення: 1000 шт
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2SC6094-TD-E 2907274.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6094-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Verlustleistung Pd: 3.5
Übergangsfrequenz ft: 390
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
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2SC6094-TD-E 2907274.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6094-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Мінімальне замовлення: 100 шт
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2SC6096-TD-H ENA0434-D.PDF
2SC6096-TD-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-H - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Мінімальне замовлення: 1000 шт
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2SC6097-E ONSMS36407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6097-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6097-E - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Мінімальне замовлення: 1000 шт
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BSR17A 2277962.pdf
BSR17A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSR17A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
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BSR17A 2277962.pdf
BSR17A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSR17A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
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FPF1009R FPF1007-D.PDF
FPF1009R
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF1009R - INTELLIMAX ADVANCED LOAD PRODUCTS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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ESDR0502BT1G 2354267.pdf
ESDR0502BT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESDR0502BT1G - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SC-75, 3 Pin(s), 5 V, ESDR0
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-75
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESDR0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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50C02CH-TL-E ONSM-S-A0001813932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
50C02CH-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 50C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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50C02SS-TL-E 2337900.pdf
50C02SS-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 50C02SS-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 400 mA, 200 mW, SOT-623, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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EFC8811R-TF ONSM-S-A0001706928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
EFC8811R-TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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KSB596YTU 2572460.pdf
KSB596YTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB596YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NLAS4599DFT2G 1712834.pdf
NLAS4599DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLAS4599DFT2G - SPDT, CMOS, 5.5V, 95RON, 23NS, 6SC88
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 5.5ohm
Einschaltwiderstand, typ.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-363
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 5.5ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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FSUSB30L10X FSUSB30-D.pdf
FSUSB30L10X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSUSB30L10X - USB-Schnittstelle, High-Speed-DPDT-USB-Switch, USB 2.0, 3 V, 3.4 V, Micro Pak, 10 Pin(s)
USB-Version: USB 2.0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Ports: 2 Ports
USB-IC: High-Speed-DPDT-USB-Switch
Anzahl der Pins: 10
Übertragungsrate: 480
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.4
Bauform - Schnittstellenbaustein: Micro Pak
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
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FDP2D3N10C 2310546.pdf
FDP2D3N10C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BAS29 description 2299657.pdf
BAS29
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS29 - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS29
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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BYW80-200G description ONSM-S-A0013339595-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BYW80-200G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BYW80-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220B
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYW80
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCP1608BDR2G 2355053.pdf
NCP1608BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1608BDR2G - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Frequenzmodus: -
PFC-Betriebsmodus: CrCM - Critical Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Spannung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FDC8884 2729185.pdf
FDC8884
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
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FDC645N FDC645N-D.pdf
FDC645N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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FDC6561AN 2298151.pdf
FDC6561AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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FDC658P 2304204.pdf
FDC658P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 8610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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FDC8878 2572503.pdf
FDC8878
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FDP61N20 2303835.pdf
FDP61N20
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FSA266K8X
FSA266K8X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA266K8X - Analogschalter, 2 Kanäle, 2 Kanäle, SPST, 13.5 ohm, 1.65V bis 5.5V, VSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: VSSOP
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 13.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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1N5406RL ONSMS13231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5406RL
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5406RL - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NCP57152DSADJR4G ncp57152-d.pdf
NCP57152DSADJR4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP57152DSADJR4G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 1.8V bis 13.5V, 330mV Dropout, 1.24-13V / 1.5Aout, TO263-5
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 13
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.24
Eingangsspannung, max.: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: Adj 1.5A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 330
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
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NCP59151DS25R4G ncp59150-d.pdf
NCP59151DS25R4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP59151DS25R4G - LDO-Festspannungsregler, 2.24V bis 13.5V, 300mV Dropout, 2.5V / 1.5Aout, TO263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 2.5
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.24
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 2.5V 1.5A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
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NCP59151DS30R4G ncp59150-d.pdf
NCP59151DS30R4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP59151DS30R4G - LDO-Festspannungsregler, 2.24V bis 13.5V, 300mV Dropout, 3V / 1.5Aout, TO263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 3
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.24
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 3V 1.5A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
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NCP59151DS28R4G NCP59150-D.PDF ONSMS34294-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 ncp59150-d.pdf
NCP59151DS28R4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP59151DS28R4G - LDO-Festspannungsregler, 2.24V bis 13.5V, 300mV Dropout, 2.8V / 1.5Aout, TO263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 2.8
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.24
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 2.8V 1.5A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
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NCP59151DS18R4G ncp59150-d.pdf
NCP59151DS18R4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP59151DS18R4G - LDO-Festspannungsregler, 2.24V bis 13.5V, 300mV Dropout, 1.8V / 1.5Aout, TO263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 1.8
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.24
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 1.8V 1.5A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
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NCS21871SQ3T2G 3005719.pdf
NCS21871SQ3T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21871SQ3T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCS21871SQ3T2G 3005719.pdf
NCS21871SQ3T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21871SQ3T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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1N4740ATR 3658796.pdf
1N4740ATR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4740ATR - Zener-Diode, Baureihe 1N47, 10 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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J107 2285913.pdf
J107
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J107 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 100 mA, 100 mA, 4.5 V, TO-92, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 100
Durchbruchspannung Vbr: -25
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 100
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 4.5
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
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AXDBG-2-GEVK 2339414.pdf
AXDBG-2-GEVK
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AXDBG-2-GEVK - Debugging-Adapter, DVK-2, AX8052-Mikrocontroller-Debugging-Schnittstelle, äußerst energiesparend
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Lieferumfang des Kits: Debugging-Adapter
Prozessorserie: -
Merkmale: Äußerst geringe Leistungsaufnahme, sehr flexible Taktung, 2-Kanal-DMA-Engine, SPI-Schnittstelle
IC-Produkttyp: Debugger
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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LE25S20XATAG LE25S20XA-D.PDF
LE25S20XATAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LE25S20XATAG - Flash-Speicher, Serial-NOR, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, SPI, WLCSP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: WLCSP
Flash-Speicher: Serial-NOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Taktfrequenz: 40
Speicherkonfiguration Flash: 256K x 8 Bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 2
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 1.95
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
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FGL40N120ANTU 2298719.pdf
FGL40N120ANTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGL40N120ANTU - IGBT, 64 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
DC-Kollektorstrom: 64
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-264
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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BSS63LT1G 2160727.pdf
BSS63LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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TLV271SN1T1G 2160874.pdf
TLV271SN1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV271SN1T1G - Operationsverstärker, einfach, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 16V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Breitbandverstärker
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 16V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
Bauform - Verstärker: SOT-23
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTR4003NT1G 2255288.pdf
NTR4003NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 44214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
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