Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NCV8114ASN250T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCV8130BMX180TCG | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCV8133BMX180TCG | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCV8135AMT040TBG | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCV8135AMT120TBG | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCV8135BMT040TBG | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCV8402ADDR2G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCV8402ASTT3G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NCV8403ASTT1G | ONSEMI |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 15A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223 Case: SOT223 Supply voltage: 42V DC On-state resistance: 123mΩ Output current: 15A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: low-side Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NCV8405ASTT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NCV8406ASTT1G | ONSEMI |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223 Type of integrated circuit: power switch Output current: 7A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223 On-state resistance: 0.46Ω Kind of package: reel; tape Supply voltage: 60V DC Kind of integrated circuit: low-side кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 976 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NCV8440ASTT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCV8450ASTT3G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCV8452STT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCV8460ADR2G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCV8461DR2G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDB5060L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDC7001C | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NDC7002N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.51A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.51A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NDC7003P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDP6060 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NDP6060L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 48A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NDS0605 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.18A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NDS0610 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -120mA On-state resistance: 10Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2547 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NDS331N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A On-state resistance: 210/160mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5/0.46W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1189 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NDS332P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3 Drain-source voltage: -20V Drain current: -1A On-state resistance: 0.74Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 405 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NDS352AP | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NDS355AN | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2828 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NDS7002A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A On-state resistance: 5Ω Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5832 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NDS9945 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NDS9948 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1874 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NDS9952A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDSH10170A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDSH25170A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDSH40120C-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 46A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 46A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDSH40120CDN | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 52A; TO247-3; tube Technology: SiC Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 52A Semiconductor structure: common cathode; double кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDSH50120C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDSH50120C-F155 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDT014 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDT014L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223 Case: SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.5A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 456 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NDT3055 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDT3055L | ONSEMI |
![]() ![]() |
на замовлення 3105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NDT451AN | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 3148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NDT452AP | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 3W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 520 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NDT456P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDUL03N150CG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 50W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 50W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 10.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NE5532D8R2G | ONSEMI |
![]() Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 2; SO8; ±3÷20VDC; reel,tape Type of integrated circuit: operational amplifier Bandwidth: 10MHz Mounting: SMT Number of channels: 2 Case: SO8 Voltage supply range: ± 3...20V DC Kind of package: reel; tape Operating temperature: 0...70°C кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NE592D8R2G | ONSEMI |
![]() Description: IC: video amplifier; 120MHz; Ch: 2; SO8; 100V/V,400V/V; ±8VDC Type of integrated circuit: video amplifier Bandwidth: 120MHz Number of channels: 2 Mounting: SMT Case: SO8 Operating temperature: 0...70°C Gain: 100V/V; 400V/V Voltage supply range: ± 8V DC Kind of package: reel; tape Input bias current: 40µA Input offset current: 6µA кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NFAM5065L4BT | ONSEMI |
![]() Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; 50A; Ch: 6 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM Case: DIP39 (54x31) Output current: 50A Number of channels: 6 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Operating voltage: 13...18.5/0...400V DC Frequency: 20kHz Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NGTB25N120FL2WG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 192W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 178nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NGTB40N120FL3WG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 212nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 40A Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJVMJD31CT4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NJVMJD44H11RLG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NJVNJD2873T4G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NJW0281G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 15A Power dissipation: 150W Case: TO3P Current gain: 75...150 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 272 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJW0302G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 15A Power dissipation: 150W Case: TO3P Current gain: 75...150 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 281 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJW1302G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 15A Power dissipation: 200W Case: TO3P Current gain: 45...150 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJW21193G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 250V Current gain: 20...70 Collector current: 16A Type of transistor: PNP Application: automotive industry Power dissipation: 200W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO3P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJW21194G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P Mounting: THT Case: TO3P Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 250V Current gain: 20...70 Collector current: 16A Type of transistor: NPN Application: automotive industry Power dissipation: 200W Polarisation: bipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 123 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
NCV8114ASN250T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NCV8114ASN250T1G LDO unregulated voltage regulators
NCV8114ASN250T1G LDO unregulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCV8130BMX180TCG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NCV8130BMX180T-0 LDO unregulated voltage regulators
NCV8130BMX180T-0 LDO unregulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCV8133BMX180TCG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NCV8133BMX180T-0 LDO unregulated voltage regulators
NCV8133BMX180T-0 LDO unregulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCV8135AMT040TBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NCV8135AMT040T-0 LDO unregulated voltage regulators
NCV8135AMT040T-0 LDO unregulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCV8135AMT120TBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NCV8135AMT120T-0 LDO unregulated voltage regulators
NCV8135AMT120T-0 LDO unregulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCV8135BMT040TBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NCV8135BMT040T-0 LDO unregulated voltage regulators
NCV8135BMT040T-0 LDO unregulated voltage regulators
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCV8402ADDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NCV8402ADDR2G Power switches - integrated circuits
NCV8402ADDR2G Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCV8402ASTT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NCV8402ASTT3G Power switches - integrated circuits
NCV8402ASTT3G Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCV8403ASTT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 15A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Case: SOT223
Supply voltage: 42V DC
On-state resistance: 123mΩ
Output current: 15A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 15A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Case: SOT223
Supply voltage: 42V DC
On-state resistance: 123mΩ
Output current: 15A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCV8405ASTT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NCV8405ASTT1G Power switches - integrated circuits
NCV8405ASTT1G Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCV8406ASTT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.46Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 60V DC
Kind of integrated circuit: low-side
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.46Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 60V DC
Kind of integrated circuit: low-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 107.23 грн |
10+ | 89.42 грн |
17+ | 65.48 грн |
46+ | 61.89 грн |
50+ | 60.10 грн |
500+ | 59.20 грн |
NCV8440ASTT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NCV8440ASTT1G SMD N channel transistors
NCV8440ASTT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCV8450ASTT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NCV8450ASTT3G Power switches - integrated circuits
NCV8450ASTT3G Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCV8452STT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NCV8452STT1G Power switches - integrated circuits
NCV8452STT1G Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCV8460ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NCV8460ADR2G Power switches - integrated circuits
NCV8460ADR2G Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCV8461DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NCV8461DR2G Power switches - integrated circuits
NCV8461DR2G Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDB5060L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDB5060L SMD N channel transistors
NDB5060L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDC7001C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDC7001C Multi channel transistors
NDC7001C Multi channel transistors
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 45.02 грн |
64+ | 16.50 грн |
175+ | 15.61 грн |
3000+ | 15.56 грн |
NDC7002N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.51A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.51A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.51A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.51A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 44.44 грн |
10+ | 29.25 грн |
50+ | 21.35 грн |
79+ | 13.54 грн |
215+ | 12.83 грн |
NDC7003P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDC7003P Multi channel transistors
NDC7003P Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDP6060 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDP6060 THT N channel transistors
NDP6060 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDP6060L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDS0605 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.29 грн |
25+ | 11.46 грн |
50+ | 7.89 грн |
100+ | 6.82 грн |
268+ | 3.95 грн |
737+ | 3.73 грн |
3000+ | 3.59 грн |
NDS0610 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.05 грн |
13+ | 22.91 грн |
50+ | 17.58 грн |
75+ | 16.24 грн |
112+ | 9.51 грн |
306+ | 8.97 грн |
1500+ | 8.61 грн |
NDS331N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 210/160mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5/0.46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 210/160mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5/0.46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.64 грн |
11+ | 26.45 грн |
50+ | 20.63 грн |
75+ | 19.46 грн |
85+ | 12.47 грн |
232+ | 11.75 грн |
1500+ | 11.30 грн |
NDS332P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.74Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.74Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 44.44 грн |
10+ | 32.70 грн |
50+ | 25.56 грн |
69+ | 15.34 грн |
188+ | 14.53 грн |
1500+ | 13.90 грн |
NDS352AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDS352AP SMD P channel transistors
NDS352AP SMD P channel transistors
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 42.70 грн |
68+ | 15.52 грн |
187+ | 14.62 грн |
NDS355AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDS355AN SMD N channel transistors
NDS355AN SMD N channel transistors
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 58.83 грн |
53+ | 19.84 грн |
146+ | 18.77 грн |
NDS7002A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
On-state resistance: 5Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
On-state resistance: 5Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 16.42 грн |
27+ | 10.71 грн |
50+ | 8.77 грн |
100+ | 6.89 грн |
223+ | 4.68 грн |
613+ | 4.43 грн |
3000+ | 4.31 грн |
NDS9945 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDS9945 Multi channel transistors
NDS9945 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDS9948 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 72.45 грн |
10+ | 47.13 грн |
39+ | 27.45 грн |
107+ | 25.92 грн |
500+ | 24.94 грн |
NDS9952A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDS9952A Multi channel transistors
NDS9952A Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDSH10170A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDSH10170A THT Schottky diodes
NDSH10170A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDSH25170A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDSH25170A THT Schottky diodes
NDSH25170A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDSH40120C-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 46A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 46A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 46A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 46A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDSH40120CDN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 52A; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 52A
Semiconductor structure: common cathode; double
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 52A; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 52A
Semiconductor structure: common cathode; double
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDSH50120C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDSH50120C THT Schottky diodes
NDSH50120C THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDSH50120C-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDSH50120C-F155 THT Schottky diodes
NDSH50120C-F155 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDT014 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDT014 SMD N channel transistors
NDT014 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDT014L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDT014L SMD N channel transistors
NDT014L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDT2955 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 70.52 грн |
10+ | 50.58 грн |
39+ | 26.91 грн |
108+ | 25.47 грн |
1000+ | 24.49 грн |
NDT3055 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDT3055 SMD N channel transistors
NDT3055 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDT3055L |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
NDT3055L SMD N channel transistors
NDT3055L SMD N channel transistors
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.49 грн |
27+ | 40.19 грн |
72+ | 37.94 грн |
NDT451AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDT451AN SMD N channel transistors
NDT451AN SMD N channel transistors
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 153.59 грн |
19+ | 55.43 грн |
53+ | 52.40 грн |
NDT452AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 3W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 129.44 грн |
5+ | 63.16 грн |
23+ | 46.51 грн |
63+ | 43.97 грн |
NDT456P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDT456P SMD P channel transistors
NDT456P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDUL03N150CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 50W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 50W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NE5532D8R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 2; SO8; ±3÷20VDC; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 10MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Voltage supply range: ± 3...20V DC
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...70°C
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 2; SO8; ±3÷20VDC; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 10MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Voltage supply range: ± 3...20V DC
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...70°C
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NE592D8R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: video amplifier; 120MHz; Ch: 2; SO8; 100V/V,400V/V; ±8VDC
Type of integrated circuit: video amplifier
Bandwidth: 120MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Gain: 100V/V; 400V/V
Voltage supply range: ± 8V DC
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 40µA
Input offset current: 6µA
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: video amplifier; 120MHz; Ch: 2; SO8; 100V/V,400V/V; ±8VDC
Type of integrated circuit: video amplifier
Bandwidth: 120MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Gain: 100V/V; 400V/V
Voltage supply range: ± 8V DC
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 40µA
Input offset current: 6µA
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NFAM5065L4BT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; 50A; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP39 (54x31)
Output current: 50A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; 50A; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP39 (54x31)
Output current: 50A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NGTB25N120FL2WG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 192W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 192W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NGTB40N120FL3WG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 745.75 грн |
3+ | 495.56 грн |
7+ | 451.19 грн |
NJVMJD31CT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NJVMJD44H11RLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.74 грн |
10+ | 58.78 грн |
31+ | 34.53 грн |
85+ | 32.65 грн |
500+ | 31.40 грн |
NJVNJD2873T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NJVNJD2873T4G NPN SMD transistors
NJVNJD2873T4G NPN SMD transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.62 грн |
32+ | 33.01 грн |
88+ | 31.31 грн |
NJW0281G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 235.70 грн |
7+ | 166.74 грн |
19+ | 151.59 грн |
120+ | 146.21 грн |
NJW0302G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 235.70 грн |
7+ | 166.74 грн |
18+ | 151.59 грн |
120+ | 146.21 грн |
NJW1302G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 404.75 грн |
3+ | 351.18 грн |
5+ | 259.23 грн |
12+ | 244.88 грн |
NJW21193G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 20...70
Collector current: 16A
Type of transistor: PNP
Application: automotive industry
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 20...70
Collector current: 16A
Type of transistor: PNP
Application: automotive industry
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 329.41 грн |
3+ | 280.38 грн |
5+ | 234.12 грн |
13+ | 221.56 грн |
NJW21194G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 20...70
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 20...70
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 369.98 грн |
5+ | 256.16 грн |
12+ | 233.22 грн |
30+ | 224.25 грн |