Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142385) > Сторінка 1831 з 2374

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1826 1827 1828 1829 1830 1831 1832 1833 1834 1835 1836 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NLV14106BDTR2G NLV14106BDTR2G ONSEMI MC14106B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14106BDTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14106BDR2G NLV14106BDR2G ONSEMI MC14106B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14106BDR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14106BDG NLV14106BDG ONSEMI MC14106B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14106BDG - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQH44N10-F133 FQH44N10-F133 ONSEMI fqh44n10-d.pdf Description: ONSEMI - FQH44N10-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.61 грн
10+223.06 грн
100+178.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81071BDR2G NCP81071BDR2G ONSEMI 2160773.pdf Description: ONSEMI - NCP81071BDR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 5Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.12 грн
250+52.16 грн
500+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81071BZR2G ONSEMI 2160773.pdf Description: ONSEMI - NCP81071BZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Quellstrom: 5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81071ADR2G NCP81071ADR2G ONSEMI 1863223.pdf Description: ONSEMI - NCP81071ADR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 5Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81071BZR2G ONSEMI 2160773.pdf Description: ONSEMI - NCP81071BZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81071AZR2G NCP81071AZR2G ONSEMI NCP81071-D.PDF Description: ONSEMI - NCP81071AZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81071CZR2G NCP81071CZR2G ONSEMI NCP81071-D.PDF Description: ONSEMI - NCP81071CZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB07-03C-TB-E SB07-03C-TB-E ONSEMI ONSMS36749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB07-03C-TB-E - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 700 mA, 550 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.09 грн
500+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBE807-TL-W SBE807-TL-W ONSEMI ena1055-d.pdf Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SB01-05C-TB-E SB01-05C-TB-E ONSEMI ONSMS38557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB01-05C-TB-E - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 100 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.98 грн
500+11.19 грн
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBE807-TL-W SBE807-TL-W ONSEMI ena1055-d.pdf Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57201DR2G NCD57201DR2G ONSEMI 3191473.pdf Description: ONSEMI - NCD57201DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, 8 Pins, NSOIC, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.62 грн
10+105.98 грн
50+88.03 грн
100+65.71 грн
250+54.14 грн
500+52.74 грн
1000+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCP785AH33T1G NCP785AH33T1G ONSEMI ncp785a-d.pdf Description: ONSEMI - NCP785AH33T1G - Linearer Festspannungsregler, 25V bis 450Vin, 3.3V/10.5mAout, SOT-89-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 450V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10.5mA
Eingangsspannung, min.: 25V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 10.5mA Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 10.5mA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.82 грн
17+52.99 грн
100+42.31 грн
500+35.24 грн
1000+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NCP785AH150T1G NCP785AH150T1G ONSEMI 1948370.pdf Description: ONSEMI - NCP785AH150T1G - Linearer Spannungsregler, feste Ausgangsspannung, 60V-450V Eingangsspannung, 15V/10mAout, SOT-89-3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918G 2N4918G ONSEMI 2355583.pdf Description: ONSEMI - 2N4918G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.24 грн
16+56.32 грн
100+42.56 грн
500+34.28 грн
1000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919G 2N4919G ONSEMI 2355583.pdf Description: ONSEMI - 2N4919G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.46 грн
15+60.34 грн
100+46.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N4921G 2N4921G ONSEMI 1911664.pdf Description: ONSEMI - 2N4921G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJD35N04G NJD35N04G ONSEMI ONSM-S-A0013669709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJD35N04G - Darlington-Transistor, NPN, 350 V, 45 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.56 грн
16+55.72 грн
100+51.45 грн
500+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1G NJV4031NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013302418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.48 грн
23+38.80 грн
100+26.49 грн
500+19.68 грн
1000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.03 грн
25+35.47 грн
100+27.01 грн
500+18.09 грн
1000+13.99 грн
5000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NCV47711PDAJR2G NCV47711PDAJR2G ONSEMI 2255389.pdf Description: ONSEMI - NCV47711PDAJR2G - LDO-Spannungsregler, AEC-Q100, einstellbar, max. 40Vin, 0.25V Dropout, 5V bis 20V/350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.15 грн
10+108.54 грн
50+98.28 грн
100+77.69 грн
250+66.74 грн
500+64.25 грн
1000+62.19 грн
2500+59.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5703BDR2G NCV5703BDR2G ONSEMI Description: ONSEMI - NCV5703BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 1
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 59
Ausgabeverzögerung: 54
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1012AP065G. NCP1012AP065G. ONSEMI NCP1010-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1012AP065G. - AC / DC CONVERTERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085 FGD3040G2-F085 ONSEMI FGI3040G2_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 41A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EcoSPARK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.59 грн
10+123.07 грн
100+83.50 грн
500+61.82 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085 FGD3040G2-F085 ONSEMI FGI3040G2_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.15V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Dauerkollektorstrom: 41A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EcoSPARK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 41A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.50 грн
500+61.82 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085V FGD3040G2-F085V ONSEMI FGD3040G2-F085V-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085V - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085C FGD3040G2-F085C ONSEMI FGX3040G2-F085C-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085C - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3325G2-F085 FGD3325G2-F085 ONSEMI FGD3325G2_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3325G2-F085 - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3325G2-F085V FGD3325G2-F085V ONSEMI FGD3325G2_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3325G2-F085V - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ10L6X NC7SZ10L6X ONSEMI NC7SZ10-D.PDF Description: ONSEMI - NC7SZ10L6X - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 3 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ10
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ10
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2SC4617G S2SC4617G ONSEMI 2sc4617-d.pdf Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.44 грн
58+14.79 грн
114+7.50 грн
500+6.48 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
S2SC4617G S2SC4617G ONSEMI 2sc4617-d.pdf Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.48 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT FGHL50T65SQDT ONSEMI 3005710.pdf Description: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB751V40T1G NSVRB751V40T1G ONSEMI 1911610.pdf Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.85 грн
93+9.23 грн
100+8.89 грн
500+7.94 грн
1000+7.04 грн
5000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB751V40T1G NSVRB751V40T1G ONSEMI 1911610.pdf Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.89 грн
500+7.94 грн
1000+7.04 грн
5000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8351HT1G SZESD8351HT1G ONSEMI esd8351-d.pdf Description: ONSEMI - SZESD8351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-323, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-323
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: SZESD8351
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.02 грн
26+33.93 грн
100+23.08 грн
500+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD7272LT1G SZESD7272LT1G ONSEMI 2711342.pdf Description: ONSEMI - SZESD7272LT1G - ESD-Schutzbaustein, 34 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 34V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+23.67 грн
56+15.30 грн
107+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8351XV2T1G SZESD8351XV2T1G ONSEMI ONSM-S-A0017602980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZESD8351XV2T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: SZESD8351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.58 грн
34+25.21 грн
100+10.51 грн
500+8.02 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080VI-GT3 CAT25080VI-GT3 ONSEMI cat25080-d.pdf Description: ONSEMI - CAT25080VI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+25.13 грн
50+22.31 грн
100+21.28 грн
500+19.36 грн
1500+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5113VI-10-GT3 CAT5113VI-10-GT3 ONSEMI 1750550.pdf Description: ONSEMI - CAT5113VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 10kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Single 100-Tap Non-Volatile Digital Pots
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.76 грн
10+189.73 грн
25+176.06 грн
50+158.72 грн
100+131.86 грн
250+125.27 грн
500+121.60 грн
1000+117.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06C NVBLS0D7N06C ONSEMI nvbls0d7n06c-d.pdf Description: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LC709204FXE-01TBG LC709204FXE-01TBG ONSEMI 2913002.pdf Description: ONSEMI - LC709204FXE-01TBG - Ladezustandsmesser, Li-Ionen, Li-Pol, 2.5V-5V Versorgungsspannung, I2C-Schnittstelle, WLCSP-10
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 33294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.26 грн
10+117.94 грн
50+107.69 грн
100+93.65 грн
250+82.05 грн
500+79.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LC709209FXE-01TBG LC709209FXE-01TBG ONSEMI 3791028.pdf Description: ONSEMI - LC709209FXE-01TBG - Ladezustandsmesser, Li-Ionen-/Li-Polymer-Akku, 2.5V-5V Versorgung, I2C-Schnittstelle, WLCSP-12
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.88 грн
10+148.71 грн
50+135.89 грн
100+113.49 грн
250+93.77 грн
500+87.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP715SQ33T2G NCP715SQ33T2G ONSEMI ncp715-d.pdf Description: ONSEMI - NCP715SQ33T2G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24Vin, 230mV Dropout, 3.3Vout und 50mAout, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.93 грн
17+51.28 грн
100+33.08 грн
500+29.28 грн
1000+24.76 грн
2500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630 FQPF630 ONSEMI FQPF630-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 6.3 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 6.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF3860T FDPF3860T ONSEMI 2304643.pdf Description: ONSEMI - FDPF3860T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0291 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0291ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.34 грн
14+62.22 грн
100+56.83 грн
500+49.04 грн
1000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A FDPF390N15A ONSEMI fdpf390n15a-d.pdf Description: ONSEMI - FDPF390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.77 грн
10+97.43 грн
100+86.32 грн
500+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N20FT FDPF18N20FT ONSEMI 2907322.pdf Description: ONSEMI - FDPF18N20FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.00 грн
10+109.40 грн
100+84.61 грн
500+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF190N15A FDPF190N15A ONSEMI ONSM-S-A0003585533-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF190N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27.4 A, 0.0147 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.60 грн
10+118.80 грн
100+116.23 грн
500+107.14 грн
1000+98.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10A FDPF045N10A ONSEMI 2859356.pdf Description: ONSEMI - FDPF045N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 3700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+393.99 грн
10+211.95 грн
100+197.42 грн
500+165.86 грн
1000+150.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50UT FDPF10N50UT ONSEMI ONSM-S-A0003584391-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DWHFT3G NV25080DWHFT3G ONSEMI nv25080-d.pdf Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.35 грн
23+37.60 грн
100+30.85 грн
500+28.01 грн
3000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DWHFT3G NV25080DWHFT3G ONSEMI nv25080-d.pdf Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Taktfrequenz: 10MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit
Speichergröße: 8Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.85 грн
500+28.01 грн
3000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080YI-GT3 CAT25080YI-GT3 ONSEMI cat25080-d.pdf Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.91 грн
25+35.38 грн
100+32.31 грн
500+29.92 грн
1000+27.54 грн
2500+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTU FQPF8N80CYDTU ONSEMI ONSM-S-A0003585407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQPF8N80CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4150 FDLL4150 ONSEMI fdll4150-d.pdf Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-213AC
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+19.49 грн
65+13.16 грн
100+10.60 грн
500+7.31 грн
1000+5.77 грн
5000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C13LT1G BZX84C13LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf description Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+9.14 грн
165+5.19 грн
342+2.50 грн
1000+2.10 грн
15000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14106BDTR2G MC14106B-D.PDF
NLV14106BDTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14106BDTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14106BDR2G MC14106B-D.PDF
NLV14106BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14106BDR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14106BDG MC14106B-D.PDF
NLV14106BDG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14106BDG - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQH44N10-F133 fqh44n10-d.pdf
FQH44N10-F133
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQH44N10-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+231.61 грн
10+223.06 грн
100+178.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81071BDR2G 2160773.pdf
NCP81071BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071BDR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 5Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.12 грн
250+52.16 грн
500+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81071BZR2G 2160773.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071BZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Quellstrom: 5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81071ADR2G 1863223.pdf
NCP81071ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071ADR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 5Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81071BZR2G 2160773.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071BZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81071AZR2G NCP81071-D.PDF
NCP81071AZR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071AZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81071CZR2G NCP81071-D.PDF
NCP81071CZR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071CZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB07-03C-TB-E ONSMS36749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB07-03C-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB07-03C-TB-E - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 700 mA, 550 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.09 грн
500+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBE807-TL-W ena1055-d.pdf
SBE807-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SB01-05C-TB-E ONSMS38557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB01-05C-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB01-05C-TB-E - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 100 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.98 грн
500+11.19 грн
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBE807-TL-W ena1055-d.pdf
SBE807-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57201DR2G 3191473.pdf
NCD57201DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57201DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, 8 Pins, NSOIC, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.62 грн
10+105.98 грн
50+88.03 грн
100+65.71 грн
250+54.14 грн
500+52.74 грн
1000+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCP785AH33T1G ncp785a-d.pdf
NCP785AH33T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP785AH33T1G - Linearer Festspannungsregler, 25V bis 450Vin, 3.3V/10.5mAout, SOT-89-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 450V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10.5mA
Eingangsspannung, min.: 25V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 10.5mA Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 10.5mA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.82 грн
17+52.99 грн
100+42.31 грн
500+35.24 грн
1000+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NCP785AH150T1G 1948370.pdf
NCP785AH150T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP785AH150T1G - Linearer Spannungsregler, feste Ausgangsspannung, 60V-450V Eingangsspannung, 15V/10mAout, SOT-89-3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4918G 2355583.pdf
2N4918G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4918G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.24 грн
16+56.32 грн
100+42.56 грн
500+34.28 грн
1000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919G 2355583.pdf
2N4919G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4919G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.46 грн
15+60.34 грн
100+46.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N4921G 1911664.pdf
2N4921G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4921G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJD35N04G ONSM-S-A0013669709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJD35N04G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJD35N04G - Darlington-Transistor, NPN, 350 V, 45 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.56 грн
16+55.72 грн
100+51.45 грн
500+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1G ONSM-S-A0013302418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJV4031NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.48 грн
23+38.80 грн
100+26.49 грн
500+19.68 грн
1000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJV4030PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.03 грн
25+35.47 грн
100+27.01 грн
500+18.09 грн
1000+13.99 грн
5000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NCV47711PDAJR2G 2255389.pdf
NCV47711PDAJR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV47711PDAJR2G - LDO-Spannungsregler, AEC-Q100, einstellbar, max. 40Vin, 0.25V Dropout, 5V bis 20V/350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.15 грн
10+108.54 грн
50+98.28 грн
100+77.69 грн
250+66.74 грн
500+64.25 грн
1000+62.19 грн
2500+59.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5703BDR2G
NCV5703BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5703BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 1
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 59
Ausgabeverzögerung: 54
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1012AP065G. NCP1010-D.PDF
NCP1012AP065G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1012AP065G. - AC / DC CONVERTERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085 FGI3040G2_F085-D.PDF
FGD3040G2-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 41A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EcoSPARK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.59 грн
10+123.07 грн
100+83.50 грн
500+61.82 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085 FGI3040G2_F085-D.PDF
FGD3040G2-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.15V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Dauerkollektorstrom: 41A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EcoSPARK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 41A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.50 грн
500+61.82 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085V FGD3040G2-F085V-D.PDF
FGD3040G2-F085V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085V - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085C FGX3040G2-F085C-D.PDF
FGD3040G2-F085C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085C - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3325G2-F085 FGD3325G2_F085-D.PDF
FGD3325G2-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3325G2-F085 - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3325G2-F085V FGD3325G2_F085-D.PDF
FGD3325G2-F085V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3325G2-F085V - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ10L6X NC7SZ10-D.PDF
NC7SZ10L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ10L6X - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 3 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ10
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ10
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2SC4617G 2sc4617-d.pdf
S2SC4617G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+24.44 грн
58+14.79 грн
114+7.50 грн
500+6.48 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
S2SC4617G 2sc4617-d.pdf
S2SC4617G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.48 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT 3005710.pdf
FGHL50T65SQDT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB751V40T1G 1911610.pdf
NSVRB751V40T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+13.85 грн
93+9.23 грн
100+8.89 грн
500+7.94 грн
1000+7.04 грн
5000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB751V40T1G 1911610.pdf
NSVRB751V40T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.89 грн
500+7.94 грн
1000+7.04 грн
5000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8351HT1G esd8351-d.pdf
SZESD8351HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD8351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-323, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-323
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: SZESD8351
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.02 грн
26+33.93 грн
100+23.08 грн
500+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD7272LT1G 2711342.pdf
SZESD7272LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD7272LT1G - ESD-Schutzbaustein, 34 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 34V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+23.67 грн
56+15.30 грн
107+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8351XV2T1G ONSM-S-A0017602980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZESD8351XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD8351XV2T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: SZESD8351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+36.58 грн
34+25.21 грн
100+10.51 грн
500+8.02 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080VI-GT3 cat25080-d.pdf
CAT25080VI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25080VI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+25.13 грн
50+22.31 грн
100+21.28 грн
500+19.36 грн
1500+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5113VI-10-GT3 1750550.pdf
CAT5113VI-10-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 10kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Single 100-Tap Non-Volatile Digital Pots
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+230.76 грн
10+189.73 грн
25+176.06 грн
50+158.72 грн
100+131.86 грн
250+125.27 грн
500+121.60 грн
1000+117.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06C nvbls0d7n06c-d.pdf
NVBLS0D7N06C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LC709204FXE-01TBG 2913002.pdf
LC709204FXE-01TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC709204FXE-01TBG - Ladezustandsmesser, Li-Ionen, Li-Pol, 2.5V-5V Versorgungsspannung, I2C-Schnittstelle, WLCSP-10
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 33294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.26 грн
10+117.94 грн
50+107.69 грн
100+93.65 грн
250+82.05 грн
500+79.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LC709209FXE-01TBG 3791028.pdf
LC709209FXE-01TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC709209FXE-01TBG - Ladezustandsmesser, Li-Ionen-/Li-Polymer-Akku, 2.5V-5V Versorgung, I2C-Schnittstelle, WLCSP-12
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+235.88 грн
10+148.71 грн
50+135.89 грн
100+113.49 грн
250+93.77 грн
500+87.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP715SQ33T2G ncp715-d.pdf
NCP715SQ33T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP715SQ33T2G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24Vin, 230mV Dropout, 3.3Vout und 50mAout, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.93 грн
17+51.28 грн
100+33.08 грн
500+29.28 грн
1000+24.76 грн
2500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630 FQPF630-D.pdf
FQPF630
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 6.3 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 6.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF3860T 2304643.pdf
FDPF3860T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF3860T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0291 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0291ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.34 грн
14+62.22 грн
100+56.83 грн
500+49.04 грн
1000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A fdpf390n15a-d.pdf
FDPF390N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.77 грн
10+97.43 грн
100+86.32 грн
500+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N20FT 2907322.pdf
FDPF18N20FT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF18N20FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.00 грн
10+109.40 грн
100+84.61 грн
500+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF190N15A ONSM-S-A0003585533-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF190N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF190N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27.4 A, 0.0147 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.60 грн
10+118.80 грн
100+116.23 грн
500+107.14 грн
1000+98.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10A 2859356.pdf
FDPF045N10A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF045N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 3700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+393.99 грн
10+211.95 грн
100+197.42 грн
500+165.86 грн
1000+150.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50UT ONSM-S-A0003584391-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF10N50UT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DWHFT3G nv25080-d.pdf
NV25080DWHFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+47.35 грн
23+37.60 грн
100+30.85 грн
500+28.01 грн
3000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DWHFT3G nv25080-d.pdf
NV25080DWHFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Taktfrequenz: 10MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit
Speichergröße: 8Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.85 грн
500+28.01 грн
3000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080YI-GT3 cat25080-d.pdf
CAT25080YI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+39.91 грн
25+35.38 грн
100+32.31 грн
500+29.92 грн
1000+27.54 грн
2500+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTU ONSM-S-A0003585407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQPF8N80CYDTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF8N80CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4150 fdll4150-d.pdf
FDLL4150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-213AC
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+19.49 грн
65+13.16 грн
100+10.60 грн
500+7.31 грн
1000+5.77 грн
5000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C13LT1G description bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C13LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+9.14 грн
165+5.19 грн
342+2.50 грн
1000+2.10 грн
15000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1826 1827 1828 1829 1830 1831 1832 1833 1834 1835 1836 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]