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FCP150N65F FCP150N65F ONSEMI FCP150N65F-D.pdf Description: ONSEMI - FCP150N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 298
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 298
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.133
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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CPH5517-TL-E CPH5517-TL-E ONSEMI ONSMS36276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 900mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.14 грн
32+25.62 грн
100+23.35 грн
500+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
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NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G ONSEMI 2711422.pdf Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.05 грн
500+33.91 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
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CPH6904-TL-E CPH6904-TL-E ONSEMI ONSMS36621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.43 грн
500+24.47 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
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CPH3116-TL-E CPH3116-TL-E ONSEMI en6405-d.pdf Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.35 грн
26+31.56 грн
100+20.25 грн
500+13.14 грн
1000+10.67 грн
5000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 17
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CPH3116-TL-E CPH3116-TL-E ONSEMI en6405-d.pdf Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.25 грн
500+13.14 грн
1000+10.67 грн
5000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
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CPH5517-TL-E CPH5517-TL-E ONSEMI ONSMS36276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 900mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.14 грн
32+25.62 грн
100+23.35 грн
500+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
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CPH3105-TL-E CPH3105-TL-E ONSEMI 2236994.pdf Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CPH3105-TL-E CPH3105-TL-E ONSEMI 2236994.pdf Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 900
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W ONSEMI 2337999.pdf Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.78 грн
29+28.96 грн
100+23.26 грн
500+18.05 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 21
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FFSB20120A-F085 FFSB20120A-F085 ONSEMI 2711354.pdf Description: ONSEMI - FFSB20120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 120
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1394.24 грн
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FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 ONSEMI ffsb1065b-f085-d.pdf Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.19 грн
10+156.18 грн
100+146.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
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FDD8445 FDD8445 ONSEMI ONSM-S-A0003590214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.98 грн
50+53.93 грн
100+45.63 грн
500+38.14 грн
1000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
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CAT102TDI-GT3 CAT102TDI-GT3 ONSEMI 2255335.pdf Description: ONSEMI - CAT102TDI-GT3 - Shunt-Regler - einstellbar, 2.2V bis 18V, ± 6mV Anfangsgenauigkeit, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 606mV
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Referenzspannung, min.: 594mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CAT102
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 6mV
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.22 грн
14+62.23 грн
50+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
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FCP104N60F FCP104N60F ONSEMI FCP104N60F-D.pdf Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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UF3C065040T3S UF3C065040T3S ONSEMI 3750888.pdf Description: ONSEMI - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1312.08 грн
5+1225.04 грн
10+1137.19 грн
50+975.14 грн
100+824.83 грн
250+750.23 грн
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NCS20081SQ2T2G NCS20081SQ2T2G ONSEMI 2907099.pdf Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.40 грн
500+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
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ES2C ES2C ONSEMI ONSM-S-A0014924665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ES2C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.44 грн
38+21.88 грн
100+19.44 грн
500+13.82 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 31
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ES2C ES2C ONSEMI ONSM-S-A0014924665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ES2C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2C
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.44 грн
500+13.82 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LV88564JAGEVB ONSEMI LV88561-64_Rev2_Dec2018.pdf Description: ONSEMI - LV88564JAGEVB - EVALUATIONSBOARD, 1-PHASEN-BLDC-MOTOR
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: LV88564JA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LV88564JA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7784.63 грн
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BAT54CTT1G BAT54CTT1G ONSEMI ONSM-S-A0013579505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BAT54CTT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 320 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-75
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 320mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+10.90 грн
107+7.61 грн
112+7.30 грн
500+4.98 грн
1500+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 75
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NCV7351D13R2G NCV7351D13R2G ONSEMI 2160745.pdf Description: ONSEMI - NCV7351D13R2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der RX-Puffer: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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NCV7351D1ER2G NCV7351D1ER2G ONSEMI 2160745.pdf Description: ONSEMI - NCV7351D1ER2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der RX-Puffer: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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NCV7351D1ER2G NCV7351D1ER2G ONSEMI 2160745.pdf Description: ONSEMI - NCV7351D1ER2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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NCV7351D13R2G NCV7351D13R2G ONSEMI 2160745.pdf Description: ONSEMI - NCV7351D13R2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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FFSH40120ADN-F155 FFSH40120ADN-F155 ONSEMI ffsh40120adn-d.pdf Description: ONSEMI - FFSH40120ADN-F155 - SIC TO247 SBD 40A 1200V / TUBE 48AC1064
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 120
Diodenmontage: Through Hole
Diodenkonfiguration: Dual Common Cathode
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pin
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
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NBRS2H100T3G NBRS2H100T3G ONSEMI mbrs2h100-d.pdf Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 790 mV
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 130
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NBRS2H100T3G NBRS2H100T3G ONSEMI mbrs2h100-d.pdf Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 790 mV
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NBRS2H100T3G-VF01 NBRS2H100T3G-VF01 ONSEMI mbrs2h100-d.pdf Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G-VF01 - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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BAS116TT1G BAS116TT1G ONSEMI 2337843.pdf Description: ONSEMI - BAS116TT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NIS5112D1R2G. NIS5112D1R2G. ONSEMI Description: ONSEMI - NIS5112D1R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.81 грн
10+248.91 грн
25+231.83 грн
50+182.04 грн
100+137.36 грн
250+133.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
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NIS5112D2R2G. NIS5112D2R2G. ONSEMI 1825726.pdf Description: ONSEMI - NIS5112D2R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.71 грн
10+207.43 грн
25+171.64 грн
50+142.76 грн
100+122.02 грн
250+113.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
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NIS5112D2R2G. NIS5112D2R2G. ONSEMI 1825726.pdf Description: ONSEMI - NIS5112D2R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+113.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
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2N3771G 2N3771G ONSEMI 168101.pdf Description: ONSEMI - 2N3771G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 150 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5
DC-Stromverstärkung hFE: 5
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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FDA20N50-F109 FDA20N50-F109 ONSEMI FDA20N50_F109-D.PDF Description: ONSEMI - FDA20N50-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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FS6377-01G-XTD FS6377-01G-XTD ONSEMI FS6377-D.PDF Description: ONSEMI - FS6377-01G-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 150MHz, 3V-5.5V Versorgungsspannung, 4 Ausgänge, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FS7140-02G-XTD FS7140-02G-XTD ONSEMI FS714x.pdf Description: ONSEMI - FS7140-02G-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 300MHz, 3V-3.6V Versorgungsspannung, 1 Ausgang, SSOP-16
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Bauform - Takt-IC: SSOP
Frequenz: 300
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FS6377-01IG-XTD FS6377-01IG-XTD ONSEMI FS6377-D.PDF fs6377-d.pdf Description: ONSEMI - FS6377-01IG-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 150MHz, 3V-5.5V Versorgungsspannung, 4 Ausgänge, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FS7140-01G-XTP FS7140-01G-XTP ONSEMI FS7140-D.PDF Description: ONSEMI - FS7140-01G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 340MHz, 3V bis 3.6V, SOIC-16, 0°C bis 70°C
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 340
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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FS7140-01G-XTD ONSEMI FS714x.pdf Description: ONSEMI - FS7140-01G-XTD - PLL, TAKTERZEUGUNG, 0 BIS 70°C
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 35
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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FS6370-01G-XTD FS6370-01G-XTD ONSEMI FS6370.pdf Description: ONSEMI - FS6370-01G-XTD - Taktgenerator, 3 EEPROM-programmierbare PLL, I2C, 5MHz-27MHz, 3.3V-5V Versorgungsspannung, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 27
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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BAW56LT3G BAW56LT3G ONSEMI 2353747.pdf Description: ONSEMI - BAW56LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 57636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.70 грн
228+3.57 грн
239+3.41 грн
500+2.28 грн
1000+1.63 грн
5000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NLV14106BDTR2G NLV14106BDTR2G ONSEMI MC14106B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14106BDTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NLV14106BDR2G NLV14106BDR2G ONSEMI MC14106B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14106BDR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NLV14106BDG NLV14106BDG ONSEMI MC14106B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14106BDG - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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FQH44N10-F133 FQH44N10-F133 ONSEMI fqh44n10-d.pdf Description: ONSEMI - FQH44N10-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.44 грн
10+212.31 грн
100+170.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
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NCP81071BDR2G NCP81071BDR2G ONSEMI 2160773.pdf Description: ONSEMI - NCP81071BDR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 5Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.27 грн
250+49.64 грн
500+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP81071BZR2G ONSEMI 2160773.pdf Description: ONSEMI - NCP81071BZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Quellstrom: 5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NCP81071ADR2G NCP81071ADR2G ONSEMI 1863223.pdf Description: ONSEMI - NCP81071ADR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 5Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NCP81071BZR2G ONSEMI 2160773.pdf Description: ONSEMI - NCP81071BZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NCP81071AZR2G NCP81071AZR2G ONSEMI NCP81071-D.PDF Description: ONSEMI - NCP81071AZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NCP81071CZR2G NCP81071CZR2G ONSEMI NCP81071-D.PDF Description: ONSEMI - NCP81071CZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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SB07-03C-TB-E SB07-03C-TB-E ONSEMI ONSMS36749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB07-03C-TB-E - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 700 mA, 550 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.20 грн
500+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
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SBE807-TL-W SBE807-TL-W ONSEMI ONSMS38236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.96 грн
28+29.77 грн
100+24.16 грн
500+17.07 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 18
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SB01-05C-TB-E SB01-05C-TB-E ONSEMI sb01-05c-d.pdf Description: ONSEMI - SB01-05C-TB-E - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 100 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.24 грн
500+9.14 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
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SBE807-TL-W SBE807-TL-W ONSEMI ONSMS38236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.16 грн
500+17.07 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCD57201DR2G NCD57201DR2G ONSEMI 3191473.pdf Description: ONSEMI - NCD57201DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, 8 Pins, NSOIC, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.27 грн
10+100.87 грн
50+83.78 грн
100+62.54 грн
250+51.53 грн
500+50.20 грн
1000+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
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NCP785AH33T1G NCP785AH33T1G ONSEMI ncp785a-d.pdf Description: ONSEMI - NCP785AH33T1G - Linearer Festspannungsregler, 25V bis 450Vin, 3.3V/10.5mAout, SOT-89-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 450V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10.5mA
Eingangsspannung, min.: 25V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 10.5mA Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 10.5mA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.31 грн
17+50.43 грн
100+40.27 грн
500+33.54 грн
1000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
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NCP785AH150T1G NCP785AH150T1G ONSEMI 1948370.pdf Description: ONSEMI - NCP785AH150T1G - Linearer Spannungsregler, feste Ausgangsspannung, 60V-450V Eingangsspannung, 15V/10mAout, SOT-89-3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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2N4918G 2N4918G ONSEMI 2355583.pdf Description: ONSEMI - 2N4918G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.19 грн
16+53.61 грн
100+40.51 грн
500+32.63 грн
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
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FCP150N65F FCP150N65F-D.pdf
FCP150N65F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP150N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 298
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 298
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.133
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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CPH5517-TL-E ONSMS36276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH5517-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 900mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.14 грн
32+25.62 грн
100+23.35 грн
500+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
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NSVJ6904DSB6T1G 2711422.pdf
NSVJ6904DSB6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.05 грн
500+33.91 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
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CPH6904-TL-E ONSMS36621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH6904-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.43 грн
500+24.47 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
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CPH3116-TL-E en6405-d.pdf
CPH3116-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.35 грн
26+31.56 грн
100+20.25 грн
500+13.14 грн
1000+10.67 грн
5000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 17
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CPH3116-TL-E en6405-d.pdf
CPH3116-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.25 грн
500+13.14 грн
1000+10.67 грн
5000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
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CPH5517-TL-E ONSMS36276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH5517-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 900mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.14 грн
32+25.62 грн
100+23.35 грн
500+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
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CPH3105-TL-E 2236994.pdf
CPH3105-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CPH3105-TL-E 2236994.pdf
CPH3105-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 900
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CPH6341-TL-W 2337999.pdf
CPH6341-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.78 грн
29+28.96 грн
100+23.26 грн
500+18.05 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 21
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FFSB20120A-F085 2711354.pdf
FFSB20120A-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB20120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 120
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1394.24 грн
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FFSB1065B-F085 ffsb1065b-f085-d.pdf
FFSB1065B-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+217.19 грн
10+156.18 грн
100+146.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
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FDD8445 ONSM-S-A0003590214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD8445
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+75.98 грн
50+53.93 грн
100+45.63 грн
500+38.14 грн
1000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
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CAT102TDI-GT3 2255335.pdf
CAT102TDI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT102TDI-GT3 - Shunt-Regler - einstellbar, 2.2V bis 18V, ± 6mV Anfangsgenauigkeit, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 606mV
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Referenzspannung, min.: 594mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CAT102
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 6mV
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.22 грн
14+62.23 грн
50+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
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FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
FCP104N60F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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UF3C065040T3S 3750888.pdf
UF3C065040T3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1312.08 грн
5+1225.04 грн
10+1137.19 грн
50+975.14 грн
100+824.83 грн
250+750.23 грн
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NCS20081SQ2T2G 2907099.pdf
NCS20081SQ2T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.40 грн
500+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
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ES2C ONSM-S-A0014924665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ES2C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+26.44 грн
38+21.88 грн
100+19.44 грн
500+13.82 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 31
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ES2C ONSM-S-A0014924665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ES2C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2C
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.44 грн
500+13.82 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
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LV88564JAGEVB LV88561-64_Rev2_Dec2018.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV88564JAGEVB - EVALUATIONSBOARD, 1-PHASEN-BLDC-MOTOR
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: LV88564JA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LV88564JA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7784.63 грн
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BAT54CTT1G ONSM-S-A0013579505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT54CTT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54CTT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 320 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-75
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 320mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+10.90 грн
107+7.61 грн
112+7.30 грн
500+4.98 грн
1500+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 75
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NCV7351D13R2G 2160745.pdf
NCV7351D13R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7351D13R2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der RX-Puffer: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
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NCV7351D1ER2G 2160745.pdf
NCV7351D1ER2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7351D1ER2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der RX-Puffer: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
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NCV7351D1ER2G 2160745.pdf
NCV7351D1ER2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7351D1ER2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
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NCV7351D13R2G 2160745.pdf
NCV7351D13R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7351D13R2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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FFSH40120ADN-F155 ffsh40120adn-d.pdf
FFSH40120ADN-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH40120ADN-F155 - SIC TO247 SBD 40A 1200V / TUBE 48AC1064
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 120
Diodenmontage: Through Hole
Diodenkonfiguration: Dual Common Cathode
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pin
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
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NBRS2H100T3G mbrs2h100-d.pdf
NBRS2H100T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 790 mV
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 130
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NBRS2H100T3G mbrs2h100-d.pdf
NBRS2H100T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 790 mV
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NBRS2H100T3G-VF01 mbrs2h100-d.pdf
NBRS2H100T3G-VF01
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G-VF01 - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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BAS116TT1G 2337843.pdf
BAS116TT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS116TT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NIS5112D1R2G.
NIS5112D1R2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NIS5112D1R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+266.81 грн
10+248.91 грн
25+231.83 грн
50+182.04 грн
100+137.36 грн
250+133.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
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NIS5112D2R2G. 1825726.pdf
NIS5112D2R2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NIS5112D2R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+236.71 грн
10+207.43 грн
25+171.64 грн
50+142.76 грн
100+122.02 грн
250+113.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
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NIS5112D2R2G. 1825726.pdf
NIS5112D2R2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NIS5112D2R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+113.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
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2N3771G 168101.pdf
2N3771G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3771G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 150 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5
DC-Stromverstärkung hFE: 5
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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FDA20N50-F109 FDA20N50_F109-D.PDF
FDA20N50-F109
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA20N50-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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FS6377-01G-XTD FS6377-D.PDF
FS6377-01G-XTD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS6377-01G-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 150MHz, 3V-5.5V Versorgungsspannung, 4 Ausgänge, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FS7140-02G-XTD FS714x.pdf
FS7140-02G-XTD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS7140-02G-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 300MHz, 3V-3.6V Versorgungsspannung, 1 Ausgang, SSOP-16
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Bauform - Takt-IC: SSOP
Frequenz: 300
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FS6377-01IG-XTD FS6377-D.PDF fs6377-d.pdf
FS6377-01IG-XTD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS6377-01IG-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 150MHz, 3V-5.5V Versorgungsspannung, 4 Ausgänge, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FS7140-01G-XTP FS7140-D.PDF
FS7140-01G-XTP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS7140-01G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 340MHz, 3V bis 3.6V, SOIC-16, 0°C bis 70°C
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 340
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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FS7140-01G-XTD FS714x.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS7140-01G-XTD - PLL, TAKTERZEUGUNG, 0 BIS 70°C
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 35
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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FS6370-01G-XTD FS6370.pdf
FS6370-01G-XTD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS6370-01G-XTD - Taktgenerator, 3 EEPROM-programmierbare PLL, I2C, 5MHz-27MHz, 3.3V-5V Versorgungsspannung, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 27
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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BAW56LT3G 2353747.pdf
BAW56LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAW56LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 57636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.70 грн
228+3.57 грн
239+3.41 грн
500+2.28 грн
1000+1.63 грн
5000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NLV14106BDTR2G MC14106B-D.PDF
NLV14106BDTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14106BDTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NLV14106BDR2G MC14106B-D.PDF
NLV14106BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14106BDR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NLV14106BDG MC14106B-D.PDF
NLV14106BDG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14106BDG - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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FQH44N10-F133 fqh44n10-d.pdf
FQH44N10-F133
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQH44N10-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+220.44 грн
10+212.31 грн
100+170.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
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NCP81071BDR2G 2160773.pdf
NCP81071BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071BDR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 5Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.27 грн
250+49.64 грн
500+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP81071BZR2G 2160773.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071BZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Quellstrom: 5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NCP81071ADR2G 1863223.pdf
NCP81071ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071ADR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 5Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NCP81071BZR2G 2160773.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071BZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NCP81071AZR2G NCP81071-D.PDF
NCP81071AZR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071AZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NCP81071CZR2G NCP81071-D.PDF
NCP81071CZR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071CZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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SB07-03C-TB-E ONSMS36749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB07-03C-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB07-03C-TB-E - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 700 mA, 550 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.20 грн
500+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
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SBE807-TL-W ONSMS38236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBE807-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+45.96 грн
28+29.77 грн
100+24.16 грн
500+17.07 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 18
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SB01-05C-TB-E sb01-05c-d.pdf
SB01-05C-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB01-05C-TB-E - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 100 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.24 грн
500+9.14 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
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SBE807-TL-W ONSMS38236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBE807-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.16 грн
500+17.07 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCD57201DR2G 3191473.pdf
NCD57201DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57201DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, 8 Pins, NSOIC, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.27 грн
10+100.87 грн
50+83.78 грн
100+62.54 грн
250+51.53 грн
500+50.20 грн
1000+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
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NCP785AH33T1G ncp785a-d.pdf
NCP785AH33T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP785AH33T1G - Linearer Festspannungsregler, 25V bis 450Vin, 3.3V/10.5mAout, SOT-89-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 450V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10.5mA
Eingangsspannung, min.: 25V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 10.5mA Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 10.5mA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.31 грн
17+50.43 грн
100+40.27 грн
500+33.54 грн
1000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
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NCP785AH150T1G 1948370.pdf
NCP785AH150T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP785AH150T1G - Linearer Spannungsregler, feste Ausgangsspannung, 60V-450V Eingangsspannung, 15V/10mAout, SOT-89-3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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2N4918G 2355583.pdf
2N4918G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4918G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+60.19 грн
16+53.61 грн
100+40.51 грн
500+32.63 грн
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
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