Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142650) > Сторінка 2270 з 2378

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2265 2266 2267 2268 2269 2270 2271 2272 2273 2274 2275 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MM74HC32MX MM74HC32MX ONSEMI 2287690.pdf Description: ONSEMI - MM74HC32MX - OR-Gatter, 74HC32, 2 Eingänge, 2V bis 6V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P FDMC2523P ONSEMI 2303953.pdf Description: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.29 грн
500+59.44 грн
1000+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ24T1G MMSZ24T1G ONSEMI mmsz2v4t1-d.pdf Description: ONSEMI - MMSZ24T1G - Zener-Diode, 24 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.32 грн
1500+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1117DT33RKG NCP1117DT33RKG ONSEMI 2236912.pdf Description: ONSEMI - NCP1117DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 10V bis 20V, 1.07V Dropout, 3.3Vout, 1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.07V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.07V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.12 грн
500+19.89 грн
1000+17.17 грн
2500+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V3LT1G BZX84C3V3LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C460NLWFAFT1G NVMFS5C460NLWFAFT1G ONSEMI nvmfs5c460nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C460NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.66 грн
10+102.76 грн
100+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11RLG ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.08 грн
500+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC33035DWR2G MC33035DWR2G ONSEMI 1842070.pdf Description: ONSEMI - MC33035DWR2G - Motortreiber/-steuerung, bürstenloser DC-Motor, 10V-30V Versorgungsspannung, 40V/50mA/6 O/P, SOIC-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+219.46 грн
250+197.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC FDMT800120DC ONSEMI ONSM-S-A0017607146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 3450 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3450µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.92 грн
5+421.51 грн
10+376.22 грн
50+330.75 грн
100+288.14 грн
250+282.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC FDMT800120DC ONSEMI ONSM-S-A0017607146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 3450 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3450µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+376.22 грн
50+330.75 грн
100+288.14 грн
250+282.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013307720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 40666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+10.89 грн
126+6.93 грн
217+4.01 грн
500+2.79 грн
1000+2.01 грн
5000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
DF10S DF10S ONSEMI ONSM-S-A0014831976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DF10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DF10S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 28637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.81 грн
21+43.46 грн
50+37.54 грн
200+29.35 грн
500+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DF10S DF10S ONSEMI ONSM-S-A0014831976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DF10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DF10S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 28637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.54 грн
200+29.35 грн
500+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX07MTCX 74LCX07MTCX ONSEMI ONSM-S-A0006341874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 74LCX07MTCX - Puffer, 74LCX07, 2V bis 5.5V, TSSOP-14
tariffCode: 85411000
Logik-IC-Sockelnummer: 7407
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX07
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.80 грн
500+13.50 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1H100SFT3G MBR1H100SFT3G ONSEMI ONSM-S-A0013297881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MBR1H100SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 760 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 760mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR1H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+24.30 грн
48+18.29 грн
100+15.68 грн
500+12.62 грн
1000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1H100SFT3G MBR1H100SFT3G ONSEMI ONSM-S-A0013297881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MBR1H100SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 760 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 760mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR1H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.68 грн
500+12.62 грн
1000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT1G BC817-40LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.22 грн
1500+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT3G BC817-25LT3G ONSEMI 2237010.pdf Description: ONSEMI - BC817-25LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.59 грн
1000+2.45 грн
5000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC ONSEMI 3005744.pdf Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.74 грн
10+271.72 грн
100+240.36 грн
500+205.40 грн
1000+185.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC ONSEMI 3005744.pdf Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+240.36 грн
500+205.40 грн
1000+185.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MC NVBGS4D1N15MC ONSEMI nvbgs4d1n15mc-d.pdf Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+984.97 грн
5+890.04 грн
10+794.24 грн
50+724.57 грн
100+656.15 грн
250+644.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MC NVBGS4D1N15MC ONSEMI nvbgs4d1n15mc-d.pdf Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+794.24 грн
50+724.57 грн
100+656.15 грн
250+644.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4G NVD5C454NLT4G ONSEMI nvd5c454nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.70 грн
10+95.80 грн
100+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4G NVD5C454NLT4G ONSEMI nvd5c454nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ONSEMI ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 92635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.12 грн
1500+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ONSEMI 2n7002k-fsc-d.pdf Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G NTD5C648NLT4G ONSEMI ntd5c648nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+183.57 грн
1000+145.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G NTD5C648NLT4G ONSEMI ntd5c648nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.64 грн
10+298.71 грн
100+241.23 грн
500+183.57 грн
1000+145.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS4D3N15MC NTMTS4D3N15MC ONSEMI ntmts4d3n15mc-d.pdf Description: ONSEMI - NTMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 3400 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 293W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+418.89 грн
50+359.86 грн
100+305.31 грн
250+299.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 49780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.83 грн
1000+2.05 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G BC817-16LT1G ONSEMI 1842041.pdf Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.09 грн
9000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI 2304326.pdf description Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.74 грн
500+23.53 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP308SN180T1G NCP308SN180T1G ONSEMI 2236957.pdf Description: ONSEMI - NCP308SN180T1G - Überwachungsschaltung, 1.6-5.5Vsupp., 1.8V Schwelle/150ns Verzögerung, manuell, Active-Low, TSOP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 150ns
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 1.67V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.28 грн
500+30.00 грн
1000+26.72 грн
2500+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP308MT180TBG NCP308MT180TBG ONSEMI NCP308-D.PDF Description: ONSEMI - NCP308MT180TBG - Spannungswächter, 1.6-5.5Vin, Active-Low, Open-Drain, WDFN-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 300ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Reset-Schwellenspannung, nom.: 1.67V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP330MUTBG NCP330MUTBG ONSEMI 2355045.pdf Description: ONSEMI - NCP330MUTBG - IC, Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5Vin, 3A, 0.026 Ohm, UDFN-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.026ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.96 грн
500+23.05 грн
1000+19.41 грн
2500+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP339AFCT2G NCP339AFCT2G ONSEMI 2371175.pdf Description: ONSEMI - NCP339AFCT2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 2A, 0.038 Ohm, WLCSP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.038ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+43.02 грн
27+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NCP339AFCT2G NCP339AFCT2G ONSEMI 2371175.pdf Description: ONSEMI - NCP339AFCT2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 2A, 0.038 Ohm, WLCSP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.038ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D1N08XT1G NTMFS2D1N08XT1G ONSEMI 4164745.pdf Description: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.09 грн
500+88.95 грн
1000+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS1D9N08X NVMFS1D9N08X ONSEMI 4332482.pdf Description: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+163.73 грн
500+126.96 грн
1000+100.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D1N08XT1G NTMFS2D1N08XT1G ONSEMI 4164745.pdf Description: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.43 грн
10+165.47 грн
100+114.09 грн
500+88.95 грн
1000+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT1G BC817-25LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+13.06 грн
107+8.15 грн
183+4.77 грн
500+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT1G BC817-25LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT10DR2G MC74ACT10DR2G ONSEMI ONSM-S-A0013277191-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MC74ACT10DR2G - NAND-Gatter, 74ACT10, 3 Eingänge, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Drei
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT10
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.85 грн
500+12.62 грн
1000+11.35 грн
2500+11.12 грн
5000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N5234B 1N5234B ONSEMI ONSM-S-A0013184587-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5234B - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N52xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+8.29 грн
187+4.68 грн
399+2.19 грн
500+1.67 грн
1000+1.31 грн
5000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
RS1K RS1K ONSEMI RS1A-RS1M%20N0988%20REV.B.pdf Description: ONSEMI - RS1K - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RS1K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+20.90 грн
69+12.63 грн
250+9.23 грн
1000+7.05 грн
3000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51460SN33T1G NCP51460SN33T1G ONSEMI 1878423.pdf Description: ONSEMI - NCP51460SN33T1G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, in Reihe, fest, Baureihe NCP51460, 3.3V, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 3.333V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 3.267V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: ± 18ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 28V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NCP51460
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Spannungsreferenz: In Reihe, fest
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 56759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.01 грн
500+25.72 грн
1000+18.29 грн
2500+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP563SQ33T1G NCP563SQ33T1G ONSEMI ncp562-d.pdf Description: ONSEMI - NCP563SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4V to 6Vin, 190mV Dropout, 3.3Vout und 80mAout, SC-70-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 80mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 80mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 80mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 190mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 190mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.08 грн
500+17.47 грн
1000+14.71 грн
2500+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.18 грн
9000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.39 грн
1500+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1 NTBG028N170M1 ONSEMI NTBG028N170M1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2581.30 грн
50+2358.10 грн
100+2140.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1 NTBG028N170M1 ONSEMI NTBG028N170M1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2861.72 грн
5+2721.51 грн
10+2581.30 грн
50+2358.10 грн
100+2140.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LM2931D-5.0R2G ONSEMI 2028548.pdf Description: ONSEMI - LM2931D-5.0R2G - LDO-Festspannungsregler, 14V bis 40V, 160mV Dropout-Spannung, 5Vout, 100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 14V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C62LT1G BZX84C62LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C62LT1G - Zener-Diode, 62 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 62V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.35 грн
800+1.09 грн
814+1.07 грн
834+0.97 грн
1500+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
1N5237B 1N5237B ONSEMI ONSM-S-A0013184587-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5237B - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bauform - Diode: DO-35
hazardous: false
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: 1N52xxB
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+10.02 грн
166+5.27 грн
387+2.26 грн
500+2.02 грн
1000+1.51 грн
5000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
1N5370BG 1N5370BG ONSEMI ONSMS36970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5370BG - Zener-Diode, 56 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 56V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+40.84 грн
28+31.70 грн
100+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB20H100CTT4G MBRB20H100CTT4G ONSEMI ONSM-S-A0014421721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MBRB20H100CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 880mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRB2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC00ADR2G MC74HC00ADR2G ONSEMI 1796551.pdf Description: ONSEMI - MC74HC00ADR2G - NAND-Gatter, 74HC00, 2 Eingänge, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC00
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC00MX MM74HC00MX ONSEMI 2288011.pdf description Description: ONSEMI - MM74HC00MX - NAND-Gatter, 74HC00, 8 Eingänge, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC00
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.81 грн
500+14.07 грн
1000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC00ADTR2G MC74HC00ADTR2G ONSEMI 1796551.pdf Description: ONSEMI - MC74HC00ADTR2G - NAND-Gatter, Baureihe 74HC00, 8 Eingänge, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 5.2mAout, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC00
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.63 грн
500+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2231LT1G NSVMMUN2231LT1G ONSEMI 4073631.pdf Description: ONSEMI - NSVMMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+12.80 грн
114+7.69 грн
181+4.82 грн
500+2.96 грн
1000+2.44 грн
5000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC32MX 2287690.pdf
MM74HC32MX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM74HC32MX - OR-Gatter, 74HC32, 2 Eingänge, 2V bis 6V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P 2303953.pdf
FDMC2523P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.29 грн
500+59.44 грн
1000+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ24T1G mmsz2v4t1-d.pdf
MMSZ24T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ24T1G - Zener-Diode, 24 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.32 грн
1500+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1117DT33RKG 2236912.pdf
NCP1117DT33RKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1117DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 10V bis 20V, 1.07V Dropout, 3.3Vout, 1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.07V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.07V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.12 грн
500+19.89 грн
1000+17.17 грн
2500+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V3LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C3V3LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C460NLWFAFT1G nvmfs5c460nl-d.pdf
NVMFS5C460NLWFAFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C460NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.66 грн
10+102.76 грн
100+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11-D.PDF
MJD44H11RLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.08 грн
500+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC33035DWR2G 1842070.pdf
MC33035DWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33035DWR2G - Motortreiber/-steuerung, bürstenloser DC-Motor, 10V-30V Versorgungsspannung, 40V/50mA/6 O/P, SOIC-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+219.46 грн
250+197.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC ONSM-S-A0017607146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMT800120DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 3450 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3450µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+465.92 грн
5+421.51 грн
10+376.22 грн
50+330.75 грн
100+288.14 грн
250+282.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC ONSM-S-A0017607146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMT800120DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 3450 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3450µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+376.22 грн
50+330.75 грн
100+288.14 грн
250+282.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT3G ONSM-S-A0013307720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT4401LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 40666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+10.89 грн
126+6.93 грн
217+4.01 грн
500+2.79 грн
1000+2.01 грн
5000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
DF10S ONSM-S-A0014831976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DF10S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DF10S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 28637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.81 грн
21+43.46 грн
50+37.54 грн
200+29.35 грн
500+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DF10S ONSM-S-A0014831976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DF10S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DF10S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 28637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.54 грн
200+29.35 грн
500+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX07MTCX ONSM-S-A0006341874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
74LCX07MTCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX07MTCX - Puffer, 74LCX07, 2V bis 5.5V, TSSOP-14
tariffCode: 85411000
Logik-IC-Sockelnummer: 7407
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX07
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.80 грн
500+13.50 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1H100SFT3G ONSM-S-A0013297881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBR1H100SFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR1H100SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 760 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 760mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR1H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+24.30 грн
48+18.29 грн
100+15.68 грн
500+12.62 грн
1000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1H100SFT3G ONSM-S-A0013297881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBR1H100SFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR1H100SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 760 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 760mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR1H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.68 грн
500+12.62 грн
1000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT1G description ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC817-40LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.22 грн
1500+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT3G 2237010.pdf
BC817-25LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-25LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.59 грн
1000+2.45 грн
5000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC 3005744.pdf
NTBGS4D1N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+372.74 грн
10+271.72 грн
100+240.36 грн
500+205.40 грн
1000+185.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC 3005744.pdf
NTBGS4D1N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+240.36 грн
500+205.40 грн
1000+185.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MC nvbgs4d1n15mc-d.pdf
NVBGS4D1N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+984.97 грн
5+890.04 грн
10+794.24 грн
50+724.57 грн
100+656.15 грн
250+644.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MC nvbgs4d1n15mc-d.pdf
NVBGS4D1N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+794.24 грн
50+724.57 грн
100+656.15 грн
250+644.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4G nvd5c454nl-d.pdf
NVD5C454NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.70 грн
10+95.80 грн
100+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4G nvd5c454nl-d.pdf
NVD5C454NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 92635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.12 грн
1500+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf
2N7002K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G ntd5c648nl-d.pdf
NTD5C648NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+183.57 грн
1000+145.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G ntd5c648nl-d.pdf
NTD5C648NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+366.64 грн
10+298.71 грн
100+241.23 грн
500+183.57 грн
1000+145.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS4D3N15MC ntmts4d3n15mc-d.pdf
NTMTS4D3N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 3400 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 293W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+418.89 грн
50+359.86 грн
100+305.31 грн
250+299.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3904LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 49780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.83 грн
1000+2.05 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G 1842041.pdf
BC817-16LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.09 грн
9000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description 2304326.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.74 грн
500+23.53 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP308SN180T1G 2236957.pdf
NCP308SN180T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP308SN180T1G - Überwachungsschaltung, 1.6-5.5Vsupp., 1.8V Schwelle/150ns Verzögerung, manuell, Active-Low, TSOP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 150ns
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 1.67V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.28 грн
500+30.00 грн
1000+26.72 грн
2500+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP308MT180TBG NCP308-D.PDF
NCP308MT180TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP308MT180TBG - Spannungswächter, 1.6-5.5Vin, Active-Low, Open-Drain, WDFN-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 300ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Reset-Schwellenspannung, nom.: 1.67V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP330MUTBG 2355045.pdf
NCP330MUTBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP330MUTBG - IC, Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5Vin, 3A, 0.026 Ohm, UDFN-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.026ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.96 грн
500+23.05 грн
1000+19.41 грн
2500+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP339AFCT2G 2371175.pdf
NCP339AFCT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP339AFCT2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 2A, 0.038 Ohm, WLCSP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.038ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+43.02 грн
27+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NCP339AFCT2G 2371175.pdf
NCP339AFCT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP339AFCT2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 2A, 0.038 Ohm, WLCSP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.038ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D1N08XT1G 4164745.pdf
NTMFS2D1N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+114.09 грн
500+88.95 грн
1000+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS1D9N08X 4332482.pdf
NVMFS1D9N08X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+163.73 грн
500+126.96 грн
1000+100.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D1N08XT1G 4164745.pdf
NTMFS2D1N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+253.43 грн
10+165.47 грн
100+114.09 грн
500+88.95 грн
1000+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT1G ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC817-25LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+13.06 грн
107+8.15 грн
183+4.77 грн
500+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT1G ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC817-25LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT10DR2G ONSM-S-A0013277191-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MC74ACT10DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74ACT10DR2G - NAND-Gatter, 74ACT10, 3 Eingänge, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Drei
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT10
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.85 грн
500+12.62 грн
1000+11.35 грн
2500+11.12 грн
5000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N5234B ONSM-S-A0013184587-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5234B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5234B - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N52xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+8.29 грн
187+4.68 грн
399+2.19 грн
500+1.67 грн
1000+1.31 грн
5000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
RS1K RS1A-RS1M%20N0988%20REV.B.pdf
RS1K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1K - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RS1K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+20.90 грн
69+12.63 грн
250+9.23 грн
1000+7.05 грн
3000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51460SN33T1G 1878423.pdf
NCP51460SN33T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51460SN33T1G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, in Reihe, fest, Baureihe NCP51460, 3.3V, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 3.333V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 3.267V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: ± 18ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 28V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NCP51460
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Spannungsreferenz: In Reihe, fest
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 56759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.01 грн
500+25.72 грн
1000+18.29 грн
2500+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP563SQ33T1G ncp562-d.pdf
NCP563SQ33T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP563SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4V to 6Vin, 190mV Dropout, 3.3Vout und 80mAout, SC-70-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 80mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 80mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 80mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 190mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 190mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.08 грн
500+17.47 грн
1000+14.71 грн
2500+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G ONSM-S-A0013307714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5551LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.18 грн
9000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G 1571923.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.39 грн
1500+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1 NTBG028N170M1-D.PDF
NTBG028N170M1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2581.30 грн
50+2358.10 грн
100+2140.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1 NTBG028N170M1-D.PDF
NTBG028N170M1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2861.72 грн
5+2721.51 грн
10+2581.30 грн
50+2358.10 грн
100+2140.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LM2931D-5.0R2G 2028548.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2931D-5.0R2G - LDO-Festspannungsregler, 14V bis 40V, 160mV Dropout-Spannung, 5Vout, 100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 14V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C62LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C62LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C62LT1G - Zener-Diode, 62 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 62V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+8.35 грн
800+1.09 грн
814+1.07 грн
834+0.97 грн
1500+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
1N5237B ONSM-S-A0013184587-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5237B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5237B - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bauform - Diode: DO-35
hazardous: false
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: 1N52xxB
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+10.02 грн
166+5.27 грн
387+2.26 грн
500+2.02 грн
1000+1.51 грн
5000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
1N5370BG ONSMS36970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5370BG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5370BG - Zener-Diode, 56 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 56V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.84 грн
28+31.70 грн
100+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB20H100CTT4G ONSM-S-A0014421721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBRB20H100CTT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRB20H100CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 880mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRB2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+63.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC00ADR2G 1796551.pdf
MC74HC00ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC00ADR2G - NAND-Gatter, 74HC00, 2 Eingänge, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC00
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC00MX description 2288011.pdf
MM74HC00MX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM74HC00MX - NAND-Gatter, 74HC00, 8 Eingänge, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC00
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.81 грн
500+14.07 грн
1000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC00ADTR2G 1796551.pdf
MC74HC00ADTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC00ADTR2G - NAND-Gatter, Baureihe 74HC00, 8 Eingänge, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 5.2mAout, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC00
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.63 грн
500+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2231LT1G 4073631.pdf
NSVMMUN2231LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+12.80 грн
114+7.69 грн
181+4.82 грн
500+2.96 грн
1000+2.44 грн
5000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2265 2266 2267 2268 2269 2270 2271 2272 2273 2274 2275 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]