Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (104122) > Сторінка 141 з 1736

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 173 346 519 692 865 1038 1211 1384 1557 1730 1736  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSS125N03TB RSS125N03TB Rohm Semiconductor rss125n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS130N03TB RSS130N03TB Rohm Semiconductor rss130n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6K2T110 SM6K2T110 Rohm Semiconductor sm6k2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 11456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.70 грн
11+29.32 грн
100+18.81 грн
500+13.40 грн
1000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J1TB SP8J1TB Rohm Semiconductor sp8j1.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J2TB SP8J2TB Rohm Semiconductor sp8j2.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J3TB SP8J3TB Rohm Semiconductor sp8j3.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J4TB SP8J4TB Rohm Semiconductor sp8j4.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J5TB SP8J5TB Rohm Semiconductor sp8j5.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K1TB SP8K1TB Rohm Semiconductor sp8k1.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K2TB SP8K2TB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+69.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3TB SP8K3TB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4TB SP8K4TB Rohm Semiconductor sp8k4.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5TB SP8K5TB Rohm Semiconductor sp8k5.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U12TR QS5U12TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS5U12&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+46.52 грн
100+30.44 грн
500+22.06 грн
1000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U13TR QS5U13TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS5U13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+43.30 грн
100+28.22 грн
500+20.39 грн
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TR QS5U17TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS5U17&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 8691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
10+39.26 грн
100+27.21 грн
500+21.33 грн
1000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U26TR QS5U26TR Rohm Semiconductor qs5u26tr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U27TR QS5U27TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS5U27&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 10 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+45.32 грн
100+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U28TR QS5U28TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS5U28&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+50.56 грн
100+33.15 грн
500+24.10 грн
1000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J3TR QS6J3TR Rohm Semiconductor QS6J3.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M3TR QS6M3TR Rohm Semiconductor QS6M3.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 27118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.69 грн
100+24.46 грн
500+17.60 грн
1000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR QS6M4TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.84 грн
100+24.66 грн
500+17.81 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U22TR QS6U22TR Rohm Semiconductor qs6u22tr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U24TR QS6U24TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6U24&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 10 V
на замовлення 11231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+38.37 грн
100+25.03 грн
500+18.09 грн
1000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHK003N06T146 RHK003N06T146 Rohm Semiconductor RHK003N06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.68 грн
100+15.79 грн
500+11.21 грн
1000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHK005N03T146 RHK005N03T146 Rohm Semiconductor RHK005N03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHP020N06T100 RHP020N06T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=RHP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 10 V
на замовлення 105604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+47.04 грн
100+30.93 грн
500+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHP030N03T100 RHP030N03T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=RHP030N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.70 грн
100+27.90 грн
500+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHU003N03T106 RHU003N03T106 Rohm Semiconductor RHU003N03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03T146 RJK005N03T146 Rohm Semiconductor RJK005N03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 16238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
18+17.43 грн
100+11.78 грн
500+8.57 грн
1000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06T100 RJP020N06T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 8641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
10+56.61 грн
100+37.56 грн
500+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJU002N06T106 RJU002N06T106 Rohm Semiconductor RJU002N06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 10 V
на замовлення 15357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+18.70 грн
100+11.86 грн
500+8.34 грн
1000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJU003N03T106 RJU003N03T106 Rohm Semiconductor RJU003N03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
на замовлення 32196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.15 грн
100+10.16 грн
500+7.09 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSE002P03TL RSE002P03TL Rohm Semiconductor RSE002P03 Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSF014N03TL RSF014N03TL Rohm Semiconductor rsf014n03tl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.68 грн
100+26.41 грн
500+19.02 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSM002P03T2L RSM002P03T2L Rohm Semiconductor rsm002p03-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+32.83 грн
100+21.13 грн
500+15.11 грн
1000+13.58 грн
2000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ045N03TR RSQ045N03TR Rohm Semiconductor rsq045n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P03TL RSR015P03TL Rohm Semiconductor RSR015P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+35.90 грн
100+23.30 грн
500+16.78 грн
1000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P03TL RSR020P03TL Rohm Semiconductor RSR020P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025P03TL RSR025P03TL Rohm Semiconductor RSR025P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+41.51 грн
100+27.10 грн
500+19.61 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSS065N03TB RSS065N03TB Rohm Semiconductor rss065n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSU002P03T106 RSU002P03T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=RSU002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: UMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
16+19.67 грн
100+13.33 грн
500+9.73 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTE002P02TL RTE002P02TL Rohm Semiconductor RTE002P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTF010P02TL RTF010P02TL Rohm Semiconductor RTF010P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+38.89 грн
100+25.31 грн
500+18.26 грн
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTF015N03TL RTF015N03TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTF015N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTF015P02TL RTF015P02TL Rohm Semiconductor RTF015P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+50.86 грн
100+33.34 грн
500+24.24 грн
1000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTF020P02TL RTF020P02TL Rohm Semiconductor rtf020p02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTF025N03TL RTF025N03TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTF025N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 9151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+43.30 грн
100+28.35 грн
500+20.58 грн
1000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTL020P02TR RTL020P02TR Rohm Semiconductor RTL020P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+37.77 грн
100+25.95 грн
500+19.30 грн
1000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTL030P02TR RTL030P02TR Rohm Semiconductor RTL030P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 10 V
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+43.00 грн
100+29.76 грн
500+23.33 грн
1000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTL035N03TR RTL035N03TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RTL035N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+36.57 грн
100+23.72 грн
500+17.08 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTM002P02T2L RTM002P02T2L Rohm Semiconductor RTM002P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 20958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
11+27.82 грн
100+18.94 грн
500+13.97 грн
1000+10.93 грн
2000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TR RTQ020N03TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
на замовлення 7561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.95 грн
100+21.99 грн
500+15.80 грн
1000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02TR RTQ025P02TR Rohm Semiconductor RTQ025P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ030P02TR RTQ030P02TR Rohm Semiconductor RTQ030P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035N03TR RTQ035N03TR Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+45.62 грн
100+29.78 грн
500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02TR RTQ035P02TR Rohm Semiconductor RTQ035P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ040P02TR RTQ040P02TR Rohm Semiconductor RTQ040P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TR RTQ045N03TR Rohm Semiconductor description Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 5473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+44.05 грн
100+30.04 грн
500+23.06 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03TL RTR025N03TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR025N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
10+31.86 грн
100+22.12 грн
500+16.21 грн
1000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSS125N03TB rss125n03.pdf
RSS125N03TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS130N03TB rss130n03.pdf
RSS130N03TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6K2T110 sm6k2.pdf
SM6K2T110
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 11456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.70 грн
11+29.32 грн
100+18.81 грн
500+13.40 грн
1000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J1TB sp8j1.pdf
SP8J1TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J2TB sp8j2.pdf
SP8J2TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J3TB sp8j3.pdf
SP8J3TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J4TB sp8j4.pdf
SP8J4TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J5TB sp8j5.pdf
SP8J5TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K1TB sp8k1.pdf
SP8K1TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K2TB datasheet?p=SP8K2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K2TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.39 грн
10+69.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3TB datasheet?p=SP8K3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K3TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4TB sp8k4.pdf
SP8K4TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5TB sp8k5.pdf
SP8K5TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U12TR datasheet?p=QS5U12&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS5U12TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.66 грн
10+46.52 грн
100+30.44 грн
500+22.06 грн
1000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U13TR datasheet?p=QS5U13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS5U13TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.23 грн
10+43.30 грн
100+28.22 грн
500+20.39 грн
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TR datasheet?p=QS5U17&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS5U17TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 8691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.60 грн
10+39.26 грн
100+27.21 грн
500+21.33 грн
1000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U26TR qs5u26tr-e.pdf
QS5U26TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U27TR datasheet?p=QS5U27&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS5U27TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 10 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.59 грн
10+45.32 грн
100+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U28TR datasheet?p=QS5U28&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS5U28TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.88 грн
10+50.56 грн
100+33.15 грн
500+24.10 грн
1000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J3TR QS6J3.pdf
QS6J3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M3TR QS6M3.pdf
QS6M3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 27118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.91 грн
10+37.69 грн
100+24.46 грн
500+17.60 грн
1000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR datasheet?p=QS6M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6M4TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.91 грн
10+37.84 грн
100+24.66 грн
500+17.81 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U22TR qs6u22tr-e.pdf
QS6U22TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS6U24TR datasheet?p=QS6U24&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6U24TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 10 V
на замовлення 11231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.46 грн
10+38.37 грн
100+25.03 грн
500+18.09 грн
1000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHK003N06T146 RHK003N06.pdf
RHK003N06T146
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.16 грн
13+24.68 грн
100+15.79 грн
500+11.21 грн
1000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHK005N03T146 RHK005N03.pdf
RHK005N03T146
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHP020N06T100 datasheet?p=RHP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RHP020N06T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 10 V
на замовлення 105604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.66 грн
10+47.04 грн
100+30.93 грн
500+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHP030N03T100 datasheet?p=RHP030N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RHP030N03T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.67 грн
10+42.70 грн
100+27.90 грн
500+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHU003N03T106 RHU003N03.pdf
RHU003N03T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03T146 RJK005N03.pdf
RJK005N03T146
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 16238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.18 грн
18+17.43 грн
100+11.78 грн
500+8.57 грн
1000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06T100 datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RJP020N06T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 8641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.20 грн
10+56.61 грн
100+37.56 грн
500+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJU002N06T106 RJU002N06.pdf
RJU002N06T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 10 V
на замовлення 15357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.84 грн
16+18.70 грн
100+11.86 грн
500+8.34 грн
1000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJU003N03T106 RJU003N03.pdf
RJU003N03T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
на замовлення 32196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.18 грн
19+16.15 грн
100+10.16 грн
500+7.09 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSE002P03TL RSE002P03
RSE002P03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSF014N03TL rsf014n03tl-e.pdf
RSF014N03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.57 грн
10+40.68 грн
100+26.41 грн
500+19.02 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSM002P03T2L rsm002p03-e.pdf
RSM002P03T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.14 грн
10+32.83 грн
100+21.13 грн
500+15.11 грн
1000+13.58 грн
2000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ045N03TR rsq045n03.pdf
RSQ045N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P03TL RSR015P03.pdf
RSR015P03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.80 грн
10+35.90 грн
100+23.30 грн
500+16.78 грн
1000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P03TL RSR020P03.pdf
RSR020P03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025P03TL RSR025P03.pdf
RSR025P03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.12 грн
10+41.51 грн
100+27.10 грн
500+19.61 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSS065N03TB rss065n03.pdf
RSS065N03TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSU002P03T106 datasheet?p=RSU002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RSU002P03T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: UMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.29 грн
16+19.67 грн
100+13.33 грн
500+9.73 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTE002P02TL RTE002P02.pdf
RTE002P02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTF010P02TL RTF010P02.pdf
RTF010P02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.24 грн
10+38.89 грн
100+25.31 грн
500+18.26 грн
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTF015N03TL datasheet?p=RTF015N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTF015N03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTF015P02TL RTF015P02.pdf
RTF015P02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.88 грн
10+50.86 грн
100+33.34 грн
500+24.24 грн
1000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTF020P02TL rtf020p02.pdf
RTF020P02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTF025N03TL datasheet?p=RTF025N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTF025N03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 9151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.23 грн
10+43.30 грн
100+28.35 грн
500+20.58 грн
1000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTL020P02TR RTL020P02.pdf
RTL020P02TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.02 грн
10+37.77 грн
100+25.95 грн
500+19.30 грн
1000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTL030P02TR RTL030P02.pdf
RTL030P02TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 10 V
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.26 грн
10+43.00 грн
100+29.76 грн
500+23.33 грн
1000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTL035N03TR datasheet?p=RTL035N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTL035N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.80 грн
10+36.57 грн
100+23.72 грн
500+17.08 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTM002P02T2L RTM002P02.pdf
RTM002P02T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 20958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
11+27.82 грн
100+18.94 грн
500+13.97 грн
1000+10.93 грн
2000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TR datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTQ020N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
на замовлення 7561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.69 грн
10+33.95 грн
100+21.99 грн
500+15.80 грн
1000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02TR RTQ025P02.pdf
RTQ025P02TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ030P02TR RTQ030P02.pdf
RTQ030P02TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035N03TR
RTQ035N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.11 грн
10+45.62 грн
100+29.78 грн
500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02TR RTQ035P02.pdf
RTQ035P02TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ040P02TR RTQ040P02.pdf
RTQ040P02TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TR description
RTQ045N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 5473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.13 грн
10+44.05 грн
100+30.04 грн
500+23.06 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03TL datasheet?p=RTR025N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR025N03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.83 грн
10+31.86 грн
100+22.12 грн
500+16.21 грн
1000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 173 346 519 692 865 1038 1211 1384 1557 1730 1736  [ Наступна Сторінка >> ]